DE2028903A1 - Lichtempfindliche Masse - Google Patents

Lichtempfindliche Masse

Info

Publication number
DE2028903A1
DE2028903A1 DE19702028903 DE2028903A DE2028903A1 DE 2028903 A1 DE2028903 A1 DE 2028903A1 DE 19702028903 DE19702028903 DE 19702028903 DE 2028903 A DE2028903 A DE 2028903A DE 2028903 A1 DE2028903 A1 DE 2028903A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
composition according
photosensitive composition
photosensitive
groups
colloid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702028903
Other languages
English (en)
Other versions
DE2028903B2 (de
DE2028903C3 (de
Inventor
Leo New Shrewsbury N.J. Roos (V.StA.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of DE2028903A1 publication Critical patent/DE2028903A1/de
Publication of DE2028903B2 publication Critical patent/DE2028903B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2028903C3 publication Critical patent/DE2028903C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/14Esterification
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2810/00Chemical modification of a polymer
    • C08F2810/30Chemical modification of a polymer leading to the formation or introduction of aliphatic or alicyclic unsaturated groups

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

DR.-tNG, VON .KREI-SLE3 DR.-iNG. SCHÖNWAID
DR.-ING. TH. MEYER DRFUES DIPL-CHEM. ALEK VON KREISLER
DIPL.-CHEM. CAROLA KELLER DR.-ING. KLUPSCH KÖLN 1, DEICHMANNHAUS
Köln, den 9.6.1970 Dr.M/Breu
E.I. du Pont de Nemours & Company, Wilmington 19 898, Delaware, U.S.A.
Lichtempfindliche Masse.
Die Erfindung betrifft lichtempfindliche Massen und Materialien. .
In der Technik der Herstellung und Anwendung von Materialien für reliefartige fotografische Aufzeichnungen (photoresists) ist es bekannt, aus Polymeren bestehene Überzüge auf verschiedenen Trägermaterialien, wie Metallplatten, zu verwenden. Bei bildweiser Belichtung werden übliche derartige Aufzeichnungsmaterialien in den belichteten Bereichen unlöslich gemacht. Diese Bereiche werden dann im Gegensatz zu den unbelichteten Bereichen bei der Entwicklung der Platte mit einem organischen Lösungsmittel nicht ausgewaschen. Diese üblichen Photoresists werden normalerweise als Flüssigkeiten aufgebracht oder erfordern mindestens einen weiteren in flüssiger Form • ablaufenden Verfahrensschritt zusätzlich zur Behandlungsstufe mit flüssigem Entwickler. Zur Sensibilisierung der zugehörigen Polymeren wurden bisher lichtempfindliche Azide, Dichromate oder Zimtsäureester in diese eingearbeitet*
Im Rahmen der Technik der Herstellung und Verwendung reliefartiger fotografischer Aufzeichnungen kennt man Materialien, bei denen keine Sensibilisierung oder Anwendung in flüssiger Form erforderlich ist. Diese Materialien v/eisen eine fotopolymerisierbare Schicht auf, die eine äthy-
109845/1582
lenisch ungesättigte Verbindung enthält, die nur eine geringe bis mäßige Haftfestigkeit auf einem Filmträger besitzt und noch mit einem Schutzfilm oder einer Membran abgedeckt sein kann.
In manchen Fällen ist es erwünscht, eine Masse für reliefartige fotografische Aufzeichnungen dieses trocknen Typs zu verwenden, die jedoch in den unbelichteten Bereichen unlöslich wird, um auf diese Weise ein positiv arbeitendes Aufzeichnungsmaterial zu erhalten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, neue lichtempfinalichte Massen dieses Typs zu liefern, die sich bei ihrer Weiterverarbeitung zu reliefartigen fotografischen Aufzeichnungen und deren Anwendung besonders bewährt haben.
Die Erfindung geht aus von einer lichtempfindlichen Masse, die gekennzeichnet ist durch ein makromolekulares, organisches Kolloid mit wiederkehrenden o-Chinondiazidgruppen. Die Bindung zwischen dem Kolloid und den wiederkehrenden angehängten Azidgruppen wird durch Veresterung einer Carbonsäure oder einer Sulfonsäure erreicht, die an den Chinonringen vorliegt. Reliefartige fotografische Aufzeichnungen werden dann hergestellt, indem man die lichtempfindlichen Massen der Erfindung in an sich bekannter Weise auf einen geeigneten Träger aufbringt.Die neuen Massen und Materialien werden für ein Verfahren zur Herstellung von positiv arbeitenden reliefartigen fotografischen Aufzeichnungen wie nachstehend beschrieben verwendet.
Die lichtempfindlichen Massen und Materialien unterscheiden sich vom Stand der Technik dadurch, daß bei bildweiser Belichtung die dem Licht ausgesetzten Bereiche desensibilisiert werden, so daß sie in/Entwicklerlösungen löslich sind. Andererseits bleiben die vom Licht nicht berührten Bereiche in Gegenwart einer Entwicklerlösung hart und unlöslich. Auf diese Weise werden die belichteten Bereiche
1 0 9 8 4 B / 1 6 Ö 2 ' > " 5 ~
, - /5
bei der Entwicklung des Materials mit Hilfe eines wässrigen oder organischen Lösungsmittels ausgewaschen.
Die lichtempfindlichen Massen werden hergestellt durch Veresterung eines o-Ghinondiazids in Gegenwart eines natürlichen oder synthetischen Kolloids mit anhängenden Hydroxylgruppen. Eine bevorzugte Methode zur Herstellung dieser polymeren Masse besteht darin, 2-Diazo-l-naphthol-4— sulfonylchlorid in Gegenwart eines Poly-Cmethylmethacrylat/ hydroxyäthylmethacrylats) zu verestern. In den für die Massen und Materialien der Erfindung infrage kommenden o-Chinondiaziden liegen Carbonsäure- oder Sulfonsäuregruppen vor, die befähigt sind, sich mit den an den natürlichen oder synthetischen Kolloidverbindungen hängenden Hydroxylgruppen unter Veresterung umzusetzen. Ein solches Mischpolymeres ist bis 150° 0 thermisch stabil und' eignet sich als Beschichtungsmasse für die lichtempfindlichen Materialien. '
Geeignete Kolloide sind die synthetischen oder natürlichen Kolloide mit anhängenden wiederkehrenden Hydroxylgruppen, beispielsweise polymere Polyole oder natürliche Kolloide, wie Gelatine, Leim, Schellack, durch Additionspolymerisation erhaltene Polyester, wie beispielsweise Polyacrylsäure- oder Polymethacrylsäureester sowie Polyvinylalkohol.
Die lichtempfindlichen Materialien' können hergestellt werden durch Aufschichten einer Lösung oder einer Dispersion des lichtempfindlichen organischen Polymeren auf einen dünnen, flexiblen, glatten Schichtträgerfilm oder Schichtträger und anschließende Trocknung der Schicht durch Entfernung oder Verdampfung des gesamten vorliegenden flüchtigenLösungs- oder Verdünnungsmittels. Vorzugsweise weist die lichtempfindliche Schicht eine Dicke von Ip bis 76 Mikron oder mehr auf, während der Trägerfilm oder ein
10 98Α5Λ1582
gegebenenfalls vorliegender Schutzfilm eine Dicke von 6,4 bis 12? Mikron besitzen soll. Der Schichtträger soll vorzugsweise fest, gegen aktinisches Licht transparent sowie gegen Temperaturveränderungen formbeständig sein und gegenüber der lösenden Wirkung üblicher Lösungsmittel" eine gute Beständigkeit aufweisen. Der Träger soll von der Art sein, daß nur eine mäßige Haftung zwischen dem Überzug und dem Schichtträger vorliegt, so daß er sich leicht in trockenem Zustand vom Überzug oder der Schicht aus dem lichtempfindlichen organischen Polymeren abziehen läßt.
Durch Aufpressen oder Auflaminieren kann man noch eine Schutzschicht anbringen, beispielsweise, indem man die Folie und das beschichtete lichtempfindliche Material durch Walzen hindurchführt. Ein etwa angewandter Schutzfilm soll eine geringere Haftung mit der Schicht aufweisen' als der Schichtträger.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird das Material hergestellt durch Aufbringen einer Schicht der beschriebenen lichtempfindlichen Masse auf einen geeigneten transparenten Trägerfilm. Nach dem Aufbringen der lichtempfindlichen Schicht wird auf deren Oberfläche ein abziehbarer Deckfilm aufLaminiert. Die lichtempfindliche Masse wird unter Ausbildung eines trocknen Überzuges mit einer Dicke von etwa 76 Mikron aufgebracht, obgleich auch Schichtdicken von 3 Mikron und weniger bis 127 Mikron oder mehr möglich sind. Trägerfilme oder entsprechende Trägerfolien können aus Metallen oder Hochpolymeren bestehen, beispielsweise aus Polyamiden, Polyolefinen, Polyestern, Vinylpolymeren und Celluloseestern; die Filme können in einer Dicke von 6,4 bis 203 Mikron oder mehr vorliegen. Will man vor Entfernung des Trägerfilms belichten, so muß dieser natürlich einen wesentlichen Anteil der einfallenden aktinisshen Strahlung durchlassen. Solche Voraussetzungen ent-
-■ , 5 _ 1 09845/1SÖ2 .
fallen aber, wenn der Trägerfilm vor der Belichtung entfernt wird. Besonders eignen sich transparente Trägerfilme aus Polyethylenterephthalat mit einer Dicke von etwa 25 Mikron. Andere entfernbare Deckfilme kann man aus der Gruppe der Hochpolymeren, vorstehend beschriebener Filme auswählen, sie lassen sich innerhalb der gleichen Dickebereiche anwenden. Träger und Deckfilme liefern den Schutz für die lichtempfindliche'Masse. .
Ist das Material gebrauchsbereit, so wird der Deckfilm abgezogen. Dann^wird der lichtempfindliche Film mit Hilfe geheizter, federnder Druckwalzen auf einen festen Träger mit einer glatten Oberfläche, beispielsweise einen solchen aus Metall oder Glas, auflaminiert. Auf diese Weise erhält man einen sensibilisierten, lichtempfindlichen Film, der dann belichtet werden kann, dabei aber trotzdem gegenüber aus seiner Umgebung stammenden Verunreinigungen durch den ursprünglichen Trägerfilm geschützt ist.
Man wendet das Material wie folgt an:
Es wird bildweise belichtet, vorzugsweise durch den Trägerfilm hindurch. Dann wird der Schichtträger abgezogen und die belichteten Bereiche mit einer Grundlösung behandelt. Auf diese Weise ist das Material durch Auswaschung der nicht gehärteten, belichteten Bereiche mit einem grundlegenden Lösungsmittel entwickelt worden. Dabei wendet man entweder ein wässriges oder ein organisches Lösungsmittel für das Entwickeln an, in Abhängigkeit von der Natur des in der lichtempfindlichen Masse vorliegenden-Kolloids. Stellt dieses eine hydrophile Verbindung dar, so verwendet man ein wässriges Lösungsmittel, während umgekehrt ein organisches Lösungsmittel benutzt wird, wenn es sich bei dem Kolloid um eine hydrophobe, oleophile Verbindung handelt.
109845/158
Das ausgewaschene Material läßt sich als Relief oder als positiv arbeitendes Resistbild verwenden.
Die nachstehenden Beispiele veranschaulichen die Erfindung.
Beispiel 1
0,1 Mole des Natriumsalzes der l-Naphthol-4-sulfonsäure wurden in 100 ml Wasser und 20 ml konz. Chlorwasserstoffsäure aufgelöst. Dann wurden 10 g Natriumnitrit in 25 ml Wasser tropfenweise unter Einhaltung - einer Temperatur von 0 bis 10° in die Reaktionsmischung gegeben. Die gebildete feste Masse wurde sofort abfiltriert und dann in einer ■^ -Natriumhydroxylösung, der 60 g Natriumdithionit zugefügt worden waren, aufgelöst. Nach einstündigem Erhitzen auf 60° wurde die Lösung gekühlt und das Amin durch Zugabe von Salzsäure in Form des salzsauren Salzes ausgefällt. Die feste Masse wurde gesammelt und umskristallisiert. Die Diazotierung wurde durchgeführt in 100 ml Wasser, die 20 ml konz. Chlorwasserstoffsäure und 1 g Kupfersulfat enthielten. Dieser Mischung wurden bei 0 bis 10°C eine ψ - Natriumnitritlösung zugefügt. Nachdem die Reaktion beendet war, wurde die 2-Diazo-l-naphthol-4-sulfonsäure gesammelt. 10 g dieser Masse wurden in das Sulfonylchlorid überführt, indem man sie mit einem 3-fachen Überschuß von Sulfurylchlorid umsetzte und durch langsame Zugabe der kalten Lösung zu einem 500 g Eis enthaltenden Liter Wasser ausfällte. 6 g des Chlorids in 10 ml Dioxan wurden dann durch langsame Zugabe von 50 ml Dioxanlösung, die 1 g Polymethylmethacrylat/Hydroxyäthylmethacrylat enthielt, verestert. Die Lösung wurde neutralisiert und über \tfasserfreiem Kalziumchlorid getrocknet.
Diese lichtempfindliche Masse wurde auf einen 25 Mikron dicken, biaxial orientierten, durch .Wärmebehandlung-fixierten Polyathylenterephthalatfilm unter Einstellung einer
10984S/1582
Schichtdicke von 13 Mikron aufgebracht und bei Raumtemperatur trocknen gelassen.
Das lichtempfindliche Material würde auf eine reine, mit Kupfer überzogene Epoxidharztafel mit der lichtempfindlichen Schicht gegen die Kupferoberfläche unter Durchlaufen zwischen auf 120°C geheizten Walzen auflaminiert. Die Schicht wurde durch ein negatives Transparent 3 Minuten mit Hilfe einer 500 Watt-Quecksilberlampe iii Abstand von 40,6 cm belichtet und dann mit einer 5 %-igen Lösung von Trinatriumphosphat entwickelt, wonach ein positives Arbeitsresistbild verblieb. Dann wurde mit Hilfe einer Eisen-(III)-Chloridlösung von 45° Baume unter Ausbildung eines positiv arbeitenden Reliefbildes geätzt.
Beispiel 2
Durch Nitrosierung von 0,1 Molen p-Hydroxybenzolsulfonsäure mit 10 g Natriumnitrit in 100 ml γ -Chlorwasserstoff säure wurde ö-Diazo^j^-cyclohexadien-l-on-^-sulfonsaure hergestellt. Die gelbe Ausfällung wurde durch Auflösung in % -Natriumhydroxyd und Umsetzung mit 5o g Natriumdithionit reduziert. Der Niederschlag wurde in 75 ml γ -Chlorwasserstoffsäure und 10 g Natriumnitrit diazotiert und dann gesammelt. Die ö-Diazo^j^-cyclohexädien-l-on-4-sulfonsäure wurde mit einem 3-fachen Überschuß von Sulfurylchlorid bei 60° umgesetzt. Nach der Ausfällung mit V/asser wurde das Säurechlorid in 50 ml Dioxan mit 2 g teilweise hydrolysiertem (10 %) Polyvinylacetat verestert unter Ausbildung eines polymeren Gerüstes mit anhängenden o-Chinondiazidgruppen. Das Material wurde dann unter Einstellung einer Schichtdicke von IJ Mikron auf einen 13 Mikron dicken Polyethylenterephthalat-Schichtträger aufgebracht.
109845/1582
Das beschichtete Material wurde bei Raumtemperatur trocknen gelassen und dann auf eine Kupferfolie auflaminiert und wie im Beispiel 1 beschrieben belichtet und iieiterbehandelt. Das erhaltene FiId wurde in den belichteten Bereichen ausgewaschen. Nach dem Ätzen mit Eisen-(IIl)-chlorid verblieb ein positives Kupferbild.
Beis3 iel 3
Angewandt wurde das gleiche o-Chinondiazid wie in Beispiel 1 mit der Ausnahme, daß das Sulfonylchlorid mit einem hochmolekularen Polyvinylalkohol umgesetzt worden war. Die Hasse wurde dann entsprechend den Angaben des Beispiels 2 aufgeschichtet und getrocknet.
Das beschichtete Material wurde nunmehr mit Hilfe von Druckwalzen auf eine durchscheinende Glasplatte auflaminiert, belichtet und mit einer warmen wässrigen^ 5 %-igen Lösung von Trinatriumphosphat gewaschen, die die belichteten Bereiche entfernte. Die Platte eignete sich zur Verwendung als positiv arbeitendes Reliefbild.
Beispiel 4-
Beispiel 3 wurde wiederholt mit der Ausnahme, daß ein beschichtetes Material auf eine Stahlplatte und auf eine Aluminiumplatte auflaminiert wurde, von denen jede 102 Mikron dick war. Die erhaltenen beschichteten Platten ließen sich als positiv arbeitende Reliefbilder verwenden»
109846/1582"

Claims (9)

  1. .DRw-IN-G.VON KREISlFR DR-ING. SCHÖNWALD
    DR.-ING.TH.Mb*Ek DR. FUES DIPL-CHEM. ALEK VON KREISLER
    DIPL.-CHEM. CAROLA KELLER DR.-ING. KLGPSCH
    KÖLN 1, DEICHMANNHAUS : ;
    Pat entansprüch e ■ -. .'-.-.
    Lichtempfindliche Masse gekennzeichnet durch ein, makromolekulares, organisches Kolloid mit wiederkehrenden o-Chinondiazidgruppen.
  2. 2.) Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazidgruppen über eine Carbonsäure- oder SuIfonsäureestergruppe am Kolloidkern haften.
  3. 30 Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kolloidkern ein Polyacrylsäureester ist. ·
  4. 4.) Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kolloidkern ein Mischpolymeres auf der Basis eines Methacrylsäureesters ist, insbesondere ein Mischpolymeres von Methylmethacrylat und Hydroxyäthylmethacrylat.
  5. 5·) Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kolloidkern aus einem Polyvinylalkohol besteht.
  6. 6.) Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß als o-Chinondiazidgruppen 2-Diazo-lnaphtholgruppen vorliegen, die in 4-Stellung über ein SuI-fonsäurerest an den polymeren Kern gebunden sind.
  7. 7.) Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß als o-Chinondiazidgruppen 6-Diazo-2,4-cyclohexadien-1-on-Gruppen vorliegen, die in 4—Stellung über einen SuIfonsäurerest an den polymeren Kern gebunden
    sind. " ;
    109845/1582
    /ο
  8. 8.) Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Schicht und vorzugsweise auf einem Schichtträger vorliegt.
  9. 9.) Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger aus Polyethylenterephthalat besteht»
    109845/1582
DE2028903A 1969-06-16 1970-06-12 Lichtempfindliche Masse Expired DE2028903C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US00833756A US3837860A (en) 1969-06-16 1969-06-16 PHOTOSENSITIVE MATERIALS COMPRISING POLYMERS HAVING RECURRING PENDENT o-QUINONE DIAZIDE GROUPS

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2028903A1 true DE2028903A1 (de) 1971-11-04
DE2028903B2 DE2028903B2 (de) 1978-11-30
DE2028903C3 DE2028903C3 (de) 1979-08-02

Family

ID=25265184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2028903A Expired DE2028903C3 (de) 1969-06-16 1970-06-12 Lichtempfindliche Masse

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3837860A (de)
JP (1) JPS4943563B1 (de)
DE (1) DE2028903C3 (de)
GB (1) GB1267005A (de)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2236941C3 (de) * 1972-07-27 1982-03-25 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
JPS527364B2 (de) * 1973-07-23 1977-03-02
JPS50125805A (de) * 1974-03-19 1975-10-03
US4294533A (en) * 1978-03-23 1981-10-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Apparatus for pre-conditioning film
US4668604A (en) * 1982-04-22 1987-05-26 E.I. Du Pont De Nemours And Company Positive-working photosensitive elements containing crosslinked beads and process of use
US4504566A (en) * 1982-11-01 1985-03-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Single exposure positive contact multilayer photosolubilizable litho element with two quinone diazide layers
US4600684A (en) * 1983-02-10 1986-07-15 Oki Electric Industry Co., Ltd. Process for forming a negative resist using high energy beam
US4609615A (en) * 1983-03-31 1986-09-02 Oki Electric Industry Co., Ltd. Process for forming pattern with negative resist using quinone diazide compound
DE3340154A1 (de) * 1983-11-07 1985-05-15 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von bildmaessig strukturierten resistschichten und fuer dieses verfahren geeigneter trockenfilmresist
US4744847A (en) * 1986-01-29 1988-05-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Film trimming of laminated photosensitive layer
DE4106357A1 (de) * 1991-02-28 1992-09-03 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche polymere mit 2-diazo-1,3-dicarbonyl-gruppen, verfahren zu deren herstellung und verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial
DE4106356A1 (de) * 1991-02-28 1992-09-03 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche polymere mit naphthochinon-2-diazid-4-sulfonyl-gruppen und deren verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial
WO1993006528A1 (en) * 1991-09-13 1993-04-01 Sun Chemical Corporation Positive-working coating compositions
JP2944296B2 (ja) 1992-04-06 1999-08-30 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版の製造方法
JP3290316B2 (ja) 1994-11-18 2002-06-10 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版
JP3506295B2 (ja) 1995-12-22 2004-03-15 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
ES2181120T3 (es) 1996-04-23 2003-02-16 Kodak Polychrome Graphics Co Compuestos termosensibles para precursores de forma para impresion litografica positiva.
US5705308A (en) * 1996-09-30 1998-01-06 Eastman Kodak Company Infrared-sensitive, negative-working diazonaphthoquinone imaging composition and element
US6117610A (en) * 1997-08-08 2000-09-12 Kodak Polychrome Graphics Llc Infrared-sensitive diazonaphthoquinone imaging composition and element containing non-basic IR absorbing material and methods of use
US5705322A (en) * 1996-09-30 1998-01-06 Eastman Kodak Company Method of providing an image using a negative-working infrared photosensitive element
US5858626A (en) * 1996-09-30 1999-01-12 Kodak Polychrome Graphics Method of forming a positive image through infrared exposure utilizing diazonaphthoquinone imaging composition
US6063544A (en) * 1997-03-21 2000-05-16 Kodak Polychrome Graphics Llc Positive-working printing plate and method of providing a positive image therefrom using laser imaging
US6090532A (en) * 1997-03-21 2000-07-18 Kodak Polychrome Graphics Llc Positive-working infrared radiation sensitive composition and printing plate and imaging method
JP2002511955A (ja) 1997-07-05 2002-04-16 コダック・ポリクローム・グラフィックス・エルエルシー パターン形成方法
US6060217A (en) * 1997-09-02 2000-05-09 Kodak Polychrome Graphics Llc Thermal lithographic printing plates
US6511790B2 (en) 2000-08-25 2003-01-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate
EP2036721B1 (de) 2000-11-30 2011-02-09 FUJIFILM Corporation Flachdruckplattenvorläufer
US20040067435A1 (en) 2002-09-17 2004-04-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming material
JP4404734B2 (ja) 2004-09-27 2010-01-27 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4474296B2 (ja) 2005-02-09 2010-06-02 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4404792B2 (ja) 2005-03-22 2010-01-27 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP2009085984A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 平版印刷版原版
JP4890403B2 (ja) 2007-09-27 2012-03-07 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP2009083106A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 平版印刷版用版面保護剤及び平版印刷版の製版方法
JP4790682B2 (ja) 2007-09-28 2011-10-12 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4994175B2 (ja) 2007-09-28 2012-08-08 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版、及びそれに用いる共重合体の製造方法
WO2009063824A1 (ja) 2007-11-14 2009-05-22 Fujifilm Corporation 塗布膜の乾燥方法及び平版印刷版原版の製造方法
JP2009236355A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 乾燥方法及び装置
JP5164640B2 (ja) 2008-04-02 2013-03-21 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP5183380B2 (ja) 2008-09-09 2013-04-17 富士フイルム株式会社 赤外線レーザ用感光性平版印刷版原版
JP2010237435A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Fujifilm Corp 平版印刷版原版
US8883401B2 (en) 2009-09-24 2014-11-11 Fujifilm Corporation Lithographic printing original plate
JP5490168B2 (ja) 2012-03-23 2014-05-14 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法
JP5512730B2 (ja) 2012-03-30 2014-06-04 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE506677A (de) * 1950-10-31
NL125781C (de) * 1959-02-04
NL280959A (de) * 1961-07-28
BE625567A (de) * 1961-12-04
DE1447592A1 (de) * 1964-12-24 1969-02-13 Agfa Gevaert Ag Lichtvernetzbare Schichten
US3418295A (en) * 1965-04-27 1968-12-24 Du Pont Polymers and their preparation
GB1116737A (en) * 1966-02-28 1968-06-12 Agfa Gevaert Nv Bis-(o-quinone diazide) modified bisphenols
GB1136544A (en) * 1966-02-28 1968-12-11 Agfa Gevaert Nv Photochemical cross-linking of polymers
US3634082A (en) * 1967-07-07 1972-01-11 Shipley Co Light-sensitive naphthoquinone diazide composition containing a polyvinyl ether
BE723556A (de) * 1967-11-21 1969-04-16
US3647443A (en) * 1969-09-12 1972-03-07 Eastman Kodak Co Light-sensitive quinone diazide polymers and polymer compositions

Also Published As

Publication number Publication date
DE2028903B2 (de) 1978-11-30
GB1267005A (de) 1972-03-15
US3837860A (en) 1974-09-24
JPS4943563B1 (de) 1974-11-21
DE2028903C3 (de) 1979-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2028903A1 (de) Lichtempfindliche Masse
EP0006124B1 (de) Photopolymerisierbares Gemisch und lichtempfindliches Schichtübertragungsmaterial
DE2363806A1 (de) Photopolymerisierbare kopiermasse
EP0065285A2 (de) Durch Strahlung polymerisierbares Gemisch und damit hergestelltes Kopiermaterial
DE1645125A1 (de) Verfahren zur Herstellung photopolymerisierbarer polymerer Ester
DE2123702A1 (de) Lichtempfindliches Schichtübertragungsmaterial
DE1079949B (de) Lichtempfindliche Kopierschicht
EP0071789A1 (de) Für die Herstellung von Photoresistschichten geeignetes Schichtübertragungsmaterial
DE2007208A1 (de) Positivkopierlack
EP0043084B1 (de) Flexible, laminierbare lichtempfindliche Schicht
DE69110272T2 (de) Lithographische Druckform, die auf einem aryldiazosulfonathaltigen Harz basiert.
DE3013254C2 (de) Verfahren zur Erzeugung eines Reliefs durch selektive Polymerisation
DE1771568A1 (de) Verfahren zur Herstellung von verbesserten AEtzreliefs
DE1522458A1 (de) Material und Verfahren zur Herstellung von Druckformen
DE1447643A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines photographischen Reliefbildes sowie photographischesMaterial zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE2124047A1 (de) Photosensitive Polymere, Verfahren zur Herstellung derselben und diese Polymeren enthaltende Zusammensetzungen
DE2723613C2 (de)
DE1067219B (de) Verfahren zur Herstellung von durch Lichteinwirkung vernetzenden hochpolymeren Verbindungen
CH628160A5 (en) Dry-system element for producing pictures
DE3889418T2 (de) Vorsensibilisiertes, für die Verwendung als lithographische Druckform geeignetes Bildherstellungselement.
DE2558527A1 (de) Wasserloesliche lichtempfindliche harzmasse
DE3032134A1 (de) Lichtempfindliches bildausbildungsmaterial
DE1447781A1 (de) Fotografischer Abziehfilm
DE2251828C2 (de) Lichtempfindliche polymere Ester und ihre Verwendung
DE2546394A1 (de) Kopierfilm und verfahren zur bildreproduktion nach dem halbtonverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)