DE2003952C3 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit mindestens einem unter Anwendung eines anodischen Prozesses erzeugten isolierenden Bereich - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit mindestens einem unter Anwendung eines anodischen Prozesses erzeugten isolierenden Bereich

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Yoshio Ohta Watanabe
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    • H10P50/00—
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