DE19942470A1 - Optisches Halbeitermodul, dessen Herstellung, Reflexionsfilm, dessen Herstellung und einen Reflexionsfilm verwendende Laser- und optische Vorrichtungen - Google Patents

Optisches Halbeitermodul, dessen Herstellung, Reflexionsfilm, dessen Herstellung und einen Reflexionsfilm verwendende Laser- und optische Vorrichtungen

Info

Publication number
DE19942470A1
DE19942470A1 DE19942470A DE19942470A DE19942470A1 DE 19942470 A1 DE19942470 A1 DE 19942470A1 DE 19942470 A DE19942470 A DE 19942470A DE 19942470 A DE19942470 A DE 19942470A DE 19942470 A1 DE19942470 A1 DE 19942470A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
optical
thickness
refractive index
range
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19942470A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19942470B4 (de
Inventor
Yoshiro Yoneda
Akira Fukushima
Hajime Shoji
Haruhisa Soda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Fujitsu Quantum Devices Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Fujitsu Quantum Devices Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP20025499A external-priority patent/JP3865186B2/ja
Priority claimed from JP20902099A external-priority patent/JP4497251B2/ja
Application filed by Fujitsu Ltd, Fujitsu Quantum Devices Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to DE19964228A priority Critical patent/DE19964228B4/de
Publication of DE19942470A1 publication Critical patent/DE19942470A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19942470B4 publication Critical patent/DE19942470B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • G02B6/4245—Mounting of the opto-electronic elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4251—Sealed packages
    • G02B6/4253—Sealed packages by embedding housing components in an adhesive or a polymer material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4255—Moulded or casted packages
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G02B6/4267—Reduction of thermal stress, e.g. by selecting thermal coefficient of materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4256—Details of housings
    • G02B6/4257—Details of housings having a supporting carrier or a mounting substrate or a mounting plate
    • G02B6/4259—Details of housings having a supporting carrier or a mounting substrate or a mounting plate of the transparent type
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G02B6/4277—Protection against electromagnetic interference [EMI], e.g. shielding means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4286—Optical modules with optical power monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
    • H01S5/0021—Degradation or life time measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0287—Facet reflectivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

Ein optisches Halbleiterelement und ein optisches Element mit einer optischen Kopplungsfacette sind auf einer Trägeroberfläche einer Plattform angeordnet. Das optische Element ist mit dem optischen Halbleiterelement an der optischen Kopplungsfacette optisch gekoppelt. Ein Schutzelement bedeckt das optische Halbleiterelement und ist mindestens in einem Lichttransmissionsbereich in einem Raum zwischen dem Halbleiterelement und der optischen Koppolungsfacette des optischen Elements angeordnet. Das Schutzelement besteht aus einem Gel-Acryl-Modifikationsharz. Es wird ein optisches Halbleitermodul geschaffen, das eine ausreichende Feuchtigkeitsbeständigkeit aufweist und für niedrige Kosten geeignet ist.

Description

Diese Anmeldung basiert auf den japanischen Patentanmel­ dungen HEI 10-254335, die am 08. September 1998 eingereicht wurde, HEI 11-70346, die am 16. März 1999 eingereicht wurde, HEI 11-200254, die am 14. Juli 1999 eingereicht wurde und HEI 11-209020, die am 23. Juli 1999 eingereicht wurde, deren Ge­ samtinhalte hierin durch Bezugnahme miteinbezogen sind.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG a) Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein optisches Halbleitermodul mit einem optischen Halbleiterelement, das harzversiegelt ist, um Feuchtigkeitsbeständigkeit zu verbes­ sern, dessen Herstellungsverfahren, einen Reflexionsfilm, dessen Herstellungsverfahren und Reflexionsfilme verwendende Laser- und optische Vorrichtungen.
b) Beschreibung der verwandten Technik
Mit dem Aufkommen von Multimediagesellschaften werden die Teilnehmernetzwerke nun tatkräftig in optische Netzwerke ge­ ändert. Um optische Fasern für Teilnehmernetzwerke durchzu­ setzen, ist es notwendig, die Kosten von optischen Komponen­ ten, insbesondere optischen Halbleitermodulen zu senken, die auf die Gesamtkosten einen großen Einfluß haben.
Herkömmliche niedrigpreisige optische Halbleitermodule wurden durch ein einfaches Kopplungsverfahren zum Koppeln ei­ nes optischen Halbleiterelements mit einem optischen Wellen­ leiter, wie z. B. einer optischen Faser, auf einer Si-Platt­ form oder durch ein einfaches Versiegelungsverfahren zum Ver­ siegeln eines optischen Halbleiterelements durch direktes Vergießen von Harz hergestellt. Diese Verfahren können die Zahl von Komponenten reduzieren und die Kosten senken. Eine herkömmliche Lötmittelversiegelung wurde durch eine billige Harzversiegelung ersetzt, um die Kosten zu senken, die zum Schützen eines optischen Halbleiterelements vor äußerer Feuchtigkeit erforderlich sind.
Als Versiegelungsharz wurde für Empfangs/Emissionslicht transparentes Epoxidharz verwendet. Die Veröffentlichung JP- A-HEI-8-18163 offenbart eine Doppelversiegelungsstruktur, die ein optisches Halbleiterelement mit Siliziumharz (silicon re­ sin) mit einer Gummielastizität bedeckt und auch das auf das optische Halbleiterelement als Schicht aufgebrachte Silizium­ harz mit Epoxidharz bedeckt, was Sonnenlicht und Wassergehal­ te abschirmt.
Obgleich Epoxidharz eine hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit aufweist, hat es einen großen linearen Expansionskoeffizien­ ten, so daß das optische Halbleiterelement durch eine Harzvo­ lumenänderung beschädigt werden kann, die durch eine Tempera­ turänderung zu bewirken ist. Wenn eine Si oder andere Kompo­ nenten verwendende LSI harzversiegelt wird, wird Epoxidharz mit einem Füller, wie z. B. Siliziumoxid, gemischt, um eine thermische Beanspruchung zu entspannen, die auf das Halblei­ terelement anzuwenden ist. Wenn ein optisches Halbleiterele­ ment harzversiegelt wird, kann jedoch das Harz nicht mit ei­ nem Füller gemischt werden, weil es notwendig ist, eine opti­ sche Kopplung zwischen dem optischen Halbleiterelement und einer optischen Faser zu schaffen.
Falls als das Versiegelungsharz Siliziumharz verwendet wird, kann eine auf ein optisches Halbleiterelement angewen­ dete thermische Beanspruchung entspannt werden, weil es Gum­ mielastizität aufweist. Da Siliziumharz jedoch eine höhere Feuchtigkeitsdurchlässigkeit als Epoxidharz aufweist, ist es schwierig, eine ausreichende Feuchtigkeitsbeständigkeit eines optischen Halbleitermoduls sicherzustellen.
Eine Doppelversiegelung mit Siliziumharz und Epoxidharz kann eine thermische Beanspruchung entspannen, während die Feuchtigkeitsbeständigkeit bewahrt wird. Es ist jedoch not­ wendig, mindestens zwei Harzaushärteprozesse durchzuführen, weil die Aushärtungsbedingungen zweier Harzarten verschieden sind. Dies erhöht die Zahl von Herstellungsschritten und steht im Widerspruch zu den Forderungen nach niedrigen Ko­ sten. Es ist wahrscheinlich, daß eine ungenügende Festigkeit eines ungehärteten Harzes auftritt.
Als nächstes werden Sachverhalte bezüglich einer Harzver­ siegelung beschrieben, indem einem optischen Gesichtspunkt Aufmerksamkeit geschenkt wird.
Ein Reflexionsfilm einer Mehrschichtstruktur ist bekannt, der eine Schichtung oder Laminierung von zwei oder mehr Dünn­ filmen mit einer optischen Filmdicke von einer Viertel- Wellenlänge eines zu reflektierenden Lichts ist. Falls dieser Reflexionsfilm der Mehrschichtstruktur auf den Seiten oder Facetten (engl. facets) eines optischen Resonators einer La­ serdiode gebildet ist, kann die Laserdiode einen niedrigen Schwellenstrom, eine hohe Abgabe und dergleichen aufweisen.
Die fundamentalen Parameter als Zeichen der Lasercharak­ teristiken einer Halbleiterlaservorrichtung mit einem Paar Resonatorfacetten umfassen eine Schwellenverstärkung, eine externe differentielle Quanteneffizienz, ein Vorderseite/­ Rückseite-Verhältnis und eine Flanken- oder Steigungseffizi­ enz. Die Schwellenverstärkung ist definiert durch:
gth = ai + (1/L)ln (1/(RfRr)1/2),
wo ai ein interner Verlust eines optischen Resonators ist, L eine Resonatorlänge ist, Rf und Rr Reflexionsvermögen an den Vorder- und Rückfacetten sind.
Die externe differentielle Quanteneffizienz ηd ist defi­ niert durch:
ηd = ηi × ln(1/R)/(aiL + ln(1/R)),
wo ηi eine interne Quanteneffizienz ist und eine Annahme R = Rf = Rr miteinbezogen ist.
Das Vorderseite/Rückseite-Verhältnis r ist definiert durch:
r = ((1-Rf)/(1-Rr))×(Rr/Rf)1/2.
Die Steigungseffizienz Sd ist definiert durch:
Sd = 1,24 × ηd/λ,
wo λ eine Oszillationswellenlänge ist.
Wie man aus den obigen Definitionsgleichungen sieht, ver­ ringert sich die Schwellenverstärkung gth, während die Refle­ xionsvermögen Rf und Rr sinken, obgleich die externe diffe­ rentielle Quanteneffizienz ηd und Steigungseffizienz Sd hoch werden. Der Schwellenstrom nimmt nämlich zu. Eine Zunahme des Schwellenstroms kann die optischen Ausgangscharakteristiken, insbesondere unter einer Betriebsumgebung mit hoher Tempera­ tur beeinträchtigen.
Eine Auswertung der Laserdiodencharakteristiken wird im allgemeinen in der atmosphärischen Luft oder in einer Edel­ gasatmosphäre durchgeführt. Im eigentlichen Betrieb wird eine Laserdiode auf einem Substrat angebracht und danach mit Harz oder dergleichen bedeckt. Da die Reflexionsfacette eines op­ tischen Resonators mit Harz bedeckt ist, sinkt das Refle­ xionsvermögen, und die Schwellenverstärkung gth nimmt zu, Da­ her ist es schwierig, die optischen Ausgangscharakteristiken unter tatsächlichen Betriebsbedingungen auszuwerten.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein opti­ sches Halbleitermodul, das eine ausreichende Feuchtigkeitsbe­ ständigkeit aufweist und bei niedrigen Kosten leicht herge­ stellt werden kann, und dessen Herstellungsverfahren zu schaffen.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Reflexionsfilm, dessen Herstellungsverfahren und eine Halbleiterlaservorrichtung zu schaffen, die die Charak­ teristiken der Halbleiterlaservorrichtung unter den den tat­ sächlichen Betriebsbedingungen nahekommenden Bedingungen aus­ werten kann.
Gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein optisches Halbleitermodul geschaffen mit: einer Plattform mit einer Trägeroberfläche; einem auf der Trägeroberfläche der Plattform angeordneten optischen Halbleiterelement; einem auf der Trägeroberfläche der Plattform angeordneten und eine optische Kopplungsfacette aufweisenden optischen Element, welches optische Element mit dem optischen Halbleiterelement an der optischen Kopplungsfacette optisch gekoppelt ist; und einem Schutzelement, das aus Gel-Acryl-Modifikationsharz her­ gestellt ist, das optische Halbleiterelement bedeckt und min­ destens in einem Lichttransmissionsbereich in einem Raum zwi­ schen dem Halbleiterelement und der optischen Kopplungsfacet­ te des optischen Elements angeordnet ist.
Da das Schutzelement aus Gelharz hergestellt ist, kann eine thermische Beanspruchung reduziert werden, die auf das optische Halbleiterelement angewendet wird. Da das Acryl- Modifikationsharz eine niedrige Feuchtigkeitsdurchlässigkeit und Feuchtigkeitsabsorption aufweist, ist es möglich zu ver­ hindern, daß Wassergehalte in das optische Element eindrin­ gen.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfin­ dung wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Halb­ leitermoduls geschaffen, das die Schritte aufweist: Anordnen eines optischen Halbleiterelements und eines optischen Ele­ ments auf einer Trägeroberfläche einer Plattform, um so die optische Halbleitervorrichtung und das optische Element op­ tisch zu koppeln; Plazieren der Plattform auf einer Innenflä­ che eines Außenrahmens, wobei ein Klebstoff vom ultraviolett­ aushärtenden Typ zwischen der Plattform und der Innenfläche angeordnet ist; Anordnen einer Acryl-Modifikationsharz­ zusammensetzung, die das Halbleiterelement auf der Plattform bedeckt und in einen Lichttransmissionsbereich zwischen dem optischen Halbleiterelement und dem optischen Element gefüllt ist, welche Acryl-Modifikationsharzverbindung bei Strahlung von ultravioletten Strahlen ausgehärtet wird und ein Gel wird; und Aushärten des Klebstoffs und der Acryl-Modifika­ tionsharzzusammensetzung durch Strahlen von ultravioletten Strahlen.
Sowohl der Klebstoff als auch die Acryl-Modifikations­ harzzusammensetzung können durch einen Ultraviolettstrah­ lungsprozeß zur gleichen Zeit ausgehärtet werden, so daß die Zahl von Herstellungsschritten reduziert werden kann.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfin­ dung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Reflexionsfilms geschaffen, das die Schritte aufweist: Präparieren eines op­ tischen Mediums mit einer Reflexionsoberfläche und einem Bre­ chungsindex n0; Bestimmen einer Wellenlänge λ von zu reflek­ tierendem Licht; Bestimmen zweier verschiedener Referenzbre­ chungsindizes ns1 und ns2; Laminieren von k (k ist eine posi­ tive ganze Zahl) Paaren aus einer ersten Schicht mit einem Brechungsindex n1 und einer zweiten Schicht mit einem Bre­ chungsindex n2 auf der Reflexionsoberfläche des optischen Me­ diums, worin eine Dicke der ersten Schicht:
(λ/4 + (λ/2) × N1)/n1
ist, wo N1 0 oder eine positive ganze Zahl ist, und eine Dic­ ke der zweiten Schicht:
(λ/4 + (λ/2) × N2)/n2
ist, wo N2 0 oder eine positive ganze Zahl ist; Bestimmen ei­ ner Dicke d3 einer dritten Schicht mit dem Brechungsindex n1, welche erfüllt:
d3 = d + (λ/2n1) × N3
wo N3 0 oder eine positive ganze Zahl ist; und
und Bilden des dritten Films mit der Dicke d3, die beim Schritt zum Bestimmen der Dicke d3 bestimmt wurde, auf der Oberfläche der zweiten Schicht bei dem k-ten Paar.
Das Reflexionsvermögen des Reflexionsfilms in einem Medi­ um mit einem Brechungsindex ns1 ist gleich dem Reflexionsver­ mögen des Reflexionsfilms in einem Medium mit einem Bre­ chungsindex ns2. Daher können die optischen Charakteristiken der optischen Komponente, die diesen Reflexionsfilm in dem Medium mit dem Brechungsindex ns2 verwendet, durch Messen der optischen Charakteristiken in dem Medium mit dem Brechungsin­ dex ns1 vorhergesagt werden.
Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Er­ findung wird eine Laservorrichtung geschaffen mit: einem La­ sermedium, das eine Oszillationswellenlänge λ und zwei Refle­ xionsfacetten aufweist und einen optischen Resonator defi­ niert; einer Schichtungs- oder Laminierungsstruktur, die auf mindestens einer Reflexionsfacette des durch das Lasermedium definierten optischen Resonators gebildet ist, welche Lami­ nierungsstruktur gebildet wird, indem k (k ist eine positive ganze Zahl) Paare aus einer ersten Schicht mit einem Bre­ chungsindex n1 und einer zweiten Schicht mit einem Brechungs­ index n2 laminiert werden, worin eine Dicke der ersten Schicht:
(λ/4 + (λ/2) × N1)/n1
ist, wo N1 0 oder eine positive ganze Zahl ist, und eine Dic­ ke der zweiten Schicht ist:
(λ/4 + (λ/2) × N2)/n2
wo N2 0 oder eine positive ganze Zahl ist; einer dritten Schicht mit dem Brechungsindex n1, die auf der zweiten Schicht bei dem k-ten Paar der Laminierungsstruktur gebildet ist; und einem Schutzelement, das aus einem Material mit ei­ nem Brechungsindex ns hergestellt ist und eine Oberfläche der dritten Schicht bedeckt, worin, falls die Dicke d3 der drit­ ten Schicht:
d3 = d + (λ/2n1) × N3
ist, wo N3 0 oder eine positive ganze Zahl ist, dann:
erfüllt ist.
Das Reflexionsvermögen des Reflexionsfilms in einem Medi­ um mit einem Brechungsindex ns1 ist gleich dem Reflexionsver­ mögen des Reflexionsfilms in einem Medium mit einem Bre­ chungsindex ns2. Daher können die optischen Charakteristiken der Laserdiode in dem Medium mit dem Brechungsindex ns2 durch Messen der optischen Charakteristiken in dem Medium mit dem Brechungsindex ns1 vorhergesagt werden.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfin­ dung wird eine optische Vorrichtung geschaffen mit: einem op­ tischen Medium mit einem Brechungsindex n0 und einer defi­ nierten Reflexionsfacette; einer Laminierungsstruktur, die auf der Reflexionsfacette des optischen Mediums gebildet ist, welche Laminierungsstruktur gebildet wird, indem k (k ist ei­ ne positive ganze Zahl) Paare aus einer ersten Schicht mit einem Brechungsindex n1 und einer zweiten Schicht mit einem Brechungsindex n2 laminiert werden, worin optische Dicken der ersten Schicht und der zweiten Schicht in bezug auf Licht mit einer Wellenlänge λ beide:
λ/4 + (λ/2) × N
sind, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist; einer dritten Schicht, die den Brechungsindex n1 aufweist und auf der zwei­ ten Schicht bei dem k-ten Paar der Laminierungsstruktur ge­ bildet ist; und einem Schutzfilm, der aus einem Material mit einem Brechungsindex ns hergestellt ist und eine Oberfläche der dritten Schicht bedeckt, worin, falls die Dicke d3 der dritten Schicht
d3 = d + (λ/2n1) × N
ist, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist, dann
erfüllt ist.
Das Reflexionsvermögen des aus den ersten bis dritten Schichten gebildeten Reflexionsfilms in der atmosphärischen Luft ist im wesentlichen gleich demjenigen des Reflexions­ films, der mit dem Schutzelement bedeckt ist. Daher können die optischen Charakteristiken der optischen Vorrichtung, nachdem sie mit dem Schutzelement bedeckt ist, durch Messen der optischen Charakteristiken vorhergesagt werden, die in der atmosphärischen Luft gemessen werden, bevor sie mit dem Schutzelement bedeckt wird.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfin­ dung wird eine optische Vorrichtung geschaffen mit: einem op­ tischen Medium mit einem Brechungsindex n0 und einer defi­ nierten Reflexionsfacette; einer auf der Reflexionsfacette des optischen Mediums gebildeten Laminierungsstruktur, welche Laminierungsstruktur gebildet wird, indem k (k ist eine posi­ tive ganze Zahl) Paare aus einer ersten Schicht mit einem Brechungsindex n1 und einer zweiten Schicht mit einem Bre­ chungsindex n2 laminiert werden, worin optische Dicken der ersten Schicht und der zweiten Schicht in bezug auf Licht mit einer Wellenlänge λ beide:
λ/4 + (λ/2) × N
sind, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist; und einer dritten Schicht, die den Brechungsindex n1 aufweist und auf der zweiten Schicht bei dem k-ten Paar der Laminierungsstruk­ tur gebildet ist, worin, falls die Dicke d3 der dritten Schicht
d3 = d + (λ/2n1) × N
ist, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist; dann
erfüllt ist.
Aus den ersten bis dritten Schichten ist ein Mehr­ schichtreflexionsfilm gebildet. Falls die Dicke der dritten Schicht auf den oben beschriebenen Bereich eingestellt ist, wird das Reflexionsvermögen des Reflexionsfilms, wenn das ex­ terne Medium in Kontakt mit der dritten Schicht einen ersten Brechungsindex hat, gleich dem Reflexionsvermögen, wenn es einen zweiten Brechungsindex hat.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfin­ dung wird eine Laservorrichtung geschaffen mit: einem Laser­ medium mit einer Oszillationswellenlänge λ[nm], einem effek­ tiven Brechungsindex n0 und zwei Reflexionsfacetten, die ei­ nen optischen Resonator definieren; einer ersten Schicht, die auf mindestens einer Reflexionsfacette des Lasermediums ge­ bildet ist, aus Siliziumoxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] hat; einer zweiten Schicht, die auf einer Oberfläche der ersten Schicht gebildet ist, aus Silizium mit einem Bre­ chungsindex nsi hergestellt ist und eine Dicke d2[nm] hat; ei­ ner auf einer Oberfläche der zweiten Schicht gebildeten drit­ ten Schicht aus Siliziumoxid mit einer Dicke d3[nm]; worin der effektive Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 oder größer bis 3,28 oder kleiner liegt, die Dicke d1 in ei­ nem Bereich von
(0,11 - 9,2 × 10-3R + 2,2 × 10-4R2)λ/1,45 ± 15,
liegt, die Dicke d2 in einem Bereich von
(-8,7 × 10-3 + 3,5 × 10-3R - 1,2 × 10-5R2) × (-3,6 + 17/nsi)λ ± 15,
liegt, und die Dicke d3 in einem Bereich von
(0,23 - 4,9 × 10-3R + 7,7 × 10-5R2)λ/1,45 ± 15
liegt und R[%] in einem Bereich von 15 bis 30 liegt.
Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Er­ findung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Reflexions­ films geschaffen, das die Schritte aufweist: Präparieren ei­ nes optischen Mediums mit einer Reflexionsoberfläche und ei­ nem Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 oder größer bis 3,28 oder kleiner; Bestimmen einer Wellenlänge λ von zu reflektierendem Licht und eines Reflexionsvermögens R[%]; Bilden einer ersten Schicht auf der Reflexionsoberfläche des optischen Mediums, welche erste Schicht aus Siliziumoxid be­ steht und eine Dicke d1[nm] hat, die in einem Bereich von
(0,11 - 9,2 × 10-3R + 2,2 × 10-4R2)λ/1,45 ± 15
liegt; Bilden einer zweiten Schicht auf einer Oberfläche der ersten Schicht, welche zweite Schicht aus Silizium herge­ stellt ist, einen Brechungsindex ns1 hat und eine Dicke d2[nm] aufweist, die in einem Bereich von
(-8,7 × 10-3 + 3,5 × 10-3R - 1,2 × 10-5R2) × (-3,6 + 17/nsi)λ ± 15,
liegt; und Bilden einer dritten Schicht auf einer Oberfläche der zweiten Schicht, welche dritte Schicht aus Siliziumoxid mit einer Dicke d3[nm] hergestellt ist, die in einem Bereich von
(0,23 - 4,9 × 10-3R + 7,7 × 10-5R2)λ/1,45 ± 15
liegt.
Falls die Dicken der ersten bis dritten Schichten so aus­ gewählt sind, um die obigen Gleichungen zu erfüllen, kann ei­ ne Differenz zwischen dem Reflexionsvermögen in der atmosphä­ rischen Luft und dem Reflexionsvermögen nach einer Harzver­ siegelung klein gemacht werden.
Wie oben, kann, selbst wenn das externe Medium des Refle­ xionsfilms geändert wird, eine Änderung des Reflexionsvermö­ gens von Licht mit einer spezifischen Wellenlänge klein ge­ macht werden. Falls dieser Reflexionsfilm auf einer Refle­ xionsfacette des optischen Resonators einer Laserdiode gebil­ det ist, ist es möglich, den Schwellenstrom nach einer Harz­ versiegelung mit hoher Genauigkeit vorherzusagen, indem der Schwellenstrom in der atmosphärischen Luft gemessen wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1 ist eine Querschnittansicht eines optischen Halb­ leitermoduls gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfin­ dung.
Fig. 2A und 2B sind jeweils Graphen, die die Ergebnisse eines thermischen Schocktests und eines Tests mit hoher Tem­ peratur und hoher Feuchtigkeit des in Fig. 1 gezeigten opti­ schen Halbleitermoduls zeigen.
Fig. 3 ist eine Querschnittansicht eines optischen Halb­ leitermoduls gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfin­ dung.
Fig. 4 ist eine Querschnittansicht eines optischen Halb­ leitermoduls gemäß einer dritten Ausführungform der Erfin­ dung.
Fig. 5 ist eine Querschnittansicht einer optischen Vor­ richtung gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 6 ist eine Querschnittansicht einer Halbleiterlaser­ vorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfin­ dung.
Fig. 7 ist ein Graph, der die Temperaturcharakteristiken einer Änderung in dem Schwellenstrom vor und nach einer Harz­ versiegelung von Halbleiterlaservorrichtungen der fünften Ausführungsform und ein Vergleichsbeispiel zeigt.
Fig. 8 ist eine Querschnittansicht einer optischen Vor­ richtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 9 ist ein Graph, der die Dicke eines Mehrschicht­ films zeigt, der als ein Reflexionsfilm der optischen Vor­ richtung der sechsten Ausführungsform verwendet wird.
Fig. 10 ist ein Graph, der die Temperaturcharakteristiken einer Änderung in dem Schwellenstrom vor und nach einer Harz­ versiegelung der Halbleiterlaservorrichtungen der sechsten Ausführungsform und ein Vergleichsbeispiel zeigt.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Fig. 1 ist die Querschnittansicht eines optischen Halb­ leitermoduls gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung. Eine Laserdiode 2 und eine Photodiode 3 sind an (nicht darge­ stellten) auf einer Trägeroberfläche einer Plattform 1 gebil­ deten Verdrahtungen durch ein AuSn-Lötmittel befestigt. Die Plattform 1 ist aus Glas, Kunststoff oder dergleichen herge­ stellt, die für ultraviolette Strahlen transparent sind. Eine Oberfläche der Laserdiode 2 und der Photodiode 3 in Kontakt mit dem AuSn-Lötmittel sind Stromanschlüsse, und die anderen Anschlüsse der Laserdiode 2 und Photodiode 3 sind mit auf der Trägeroberfläche der Plattform 1 gebildeten anderen Drähten verbunden.
Die Umhüllung einer optischen Faser 4 an deren Spitzenab­ schnitt ist abgeschält, um ein optisches Faserelement 4a freizulegen. Das optische Faserelement ist in eine in der Plattform 1 auf der Seite der Trägeroberfläche gebildete Ril­ le eingeführt und durch eine Faserpresse 5 befestigt. Die Fa­ serpresse 5 ist durch einen Klebstoff an der Trägeroberfläche der Plattform angeklebt.
Einen von der Ausgangsfacette der Laserdiode 2 emittier­ ten Laserstrahl läßt man auf die optische Faser 4 einfallen. Die Endfläche der optischen Faser ist schräg gearbeitet, so daß von der Endfläche der optischen Faser 4 reflektiertes Licht nicht erneut in die Laserdiode 2 eintritt. Einen aus der gegenüberliegenden Facette der Laserdiode 2 durchgelasse­ nen Laserstrahl läßt man auf die Photodiode 3 einfallen. Die Photodiode 3 kann daher den Oszillationsstatus der Laserdiode 2 überwachen.
Die Plattform 1 ist an der Bodenfläche eines Außenrahmens 8 mit einer geöffneten oberen Oberfläche durch eine erste Klebstoffschicht 10 befestigt. Die optische Faser 4 erstreckt sich aus dem Rahmen 8, wobei sie in ein rohrförmiges Befesti­ gungselement 11 geführt ist, das durch die Wand des Außenrah­ mens 8 durchgeht. Das Befestigungselement 11 und die optische Faser 4 sind durch eine zweite Klebstoffschicht 12 angeklebt. Ähnlich der Plattform 1 sind der Außenrahmen 8 und das Befe­ stigungselement 11 aus Glas, Kunststoff oder dergleichen her­ gestellt, die für ultraviolette Strahlen transparent sind.
Eine Mehrzahl von externen Zuleitungen 20 ist auf der Au­ ßenseite des Außenrahmens 8 angebracht. Jede äußere Zuleitung 20 ist mit einer (nicht dargestellten) auf der Innenseite des Außenrahmens 8 angebrachten inneren Zuleitung ununterbrochen oder fortgesetzt. Jede auf der Trägeroberfläche der Plattform 1 gebildete Verdrahtung ist an eine entsprechende innere Zu­ leitung drahtgebondet.
Die Laserdiode 2 und Photodiode 3 sind mit einem Schutz­ element 6 bedeckt. Das Schutzelement 6 ist auch in einem La­ serstrahltransmissionsbereich von der Ausgangsfacette der La­ serdiode 1 bis zum Spitzenabschnitt der optischen Faser 4 ge­ bildet. Das Schutzelement 6 ist für Licht mit einer Wellen­ länge eines Emissionslichts der Laserdiode 2 transparent, so daß eine optische Kopplung zwischen der Laserdiode 2 und der optischen Faser nicht beeinträchtigt ist.
Das Schutzelement 6 ist aus einem Acryl-Modifikationsharz eines ultraviolett-aushärtenden Geltyps hergestellt, das durch Mischen eines weichen Segments zu der chemischen Struk­ tur eines Acrylharzes hergestellt wird, um das feste Material des Acrylharzes weich zu machen. Das Acrylharz kann ein Acryl-Polyolefin, Polyester-(Meta)-Acrylat, Polyether-(Meta)- Acrylat, Polyurethan-(Meta)-Acrylat, Poly-(Meta)-Acrylat oder ein Block-Copolymer eines Monomer davon oder eines Oligomer davon und Polyester oder Polyether mit einer weichen Moleku­ larstruktur sein.
Ein solches Acryl-Polyolefinharz hat eine reaktive Acryl­ oyl-Gruppe oder eine reaktive Metaacryloyl-Gruppe, die Brüc­ kenbindungen in der Molekularstruktur wird. Falls ultravio­ lette Strahlen auf ein solches Harz angewendet werden, findet eine Zwischenmolekül- oder Intramolekül-Aushärtereaktion an Brückenpunkten statt, so daß das Harz ein Gelharz mit einer dreidimensionalen Netzstruktur wird.
Acryl-Polyolefin kann durch Strahlen von ultravioletten Strahlen mit einer Wellenlänge von 350 nm und einer Energie­ dichte von 3 bis 10 J/cm2 ausgehärtet werden, und wird, nach­ dem es gehärtet ist, ein Gel. Mit dem Harz kann ein ein Aus­ härten förderndes Mittel gemischt sein, wie z. B. organisches Peroxid und Amin.
Die obere Öffnung des Außenrahmens 8 ist durch einen Dec­ kel 15 geschlossen. Der Deckel 15 ist an dem Außenrahmen 8 durch eine dritte Klebstoffschicht 16 angeklebt. Die ersten bis dritten Klebstoffschichten 10, 12 und 16 verwenden einen ultraviolett-aushärtenden Klebstoff.
Da als das Material des Schutzelements 6 Gelharz verwen­ det wird, kann eine thermische Beanspruchung entspannt wer­ den, die auf die Plattform 1, die Laserdiode 1, die Photodi­ ode 3 und die optische Faser 4 angewendet wird. Es ist daher möglich, das optische Halbleitermodul unter einer Umgebung in einem weiten Temperaturbereich zu verwenden. Die Zuverlässig­ keit des optischen Halbleitermoduls in bezug auf eine schnel­ le Temperaturänderung kann verbessert werden. Acryl-Modifika­ tionsharz hat eine niedrigere Feuchtigkeitsdurchlässigkeit und Feuchtigkeitsabsorption als Siliziumharz. Es ist daher möglich, die Laserdiode 2 und Photodiode 3 vor Feuchtigkeit zu schützen und eine hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit auf­ rechtzuerhalten. Harz, das ein Polymergel wird, liefert eine hohe Adhäsionskraft, so daß ein hoher Adhäsionsgrad zwischen dem Schutzelement 6 und den Oberflächen der Laserdiode 2, der Photodiode 3, der Plattform 1 und dergleichen erhalten werden kann.
Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des in Fig. 1 gezeigten optischen Halbleitermoduls beschrieben. Die Laserdiode 2 und die Photodiode 3 werden durch ein AuSn-Löt­ mittel an die Trägeroberfläche der Plattform 1 angeklebt. In diesem Fall wird die Positionsausrichtung in der Trägerober­ fläche durch Verwenden von auf der Trägeroberfläche der Plattform 1 gebildeten Markern vorgenommen. Das optische Fa­ serelement 4a der optischen Faser 4 wird durch die Faserpres­ se 5 befestigt.
Ein Klebstoff vom ultraviolett-aushärtenden Typ wird auf der inneren Bodenfläche des Außenrahmens 8 beschichtet, und die Plattform 1 wird auf der inneren Bodenfläche plaziert.
Die Wand des Außenrahmens 8 auf der Seite, wo die optische Faser 4 dort durchgeht, ist aus dem Hauptabschnitt des Außen­ rahmens 8 und einer diskreten höheren Wand getrennt vom Hauptrahmen gebildet ist. Nachdem die Plattform 1 auf der in­ neren Bodenfläche des Außenrahmens 8 plaziert ist, wird auf dem Hauptabschnitt des Außenrahmens 8 die diskrete höhere Wand angebracht. Das Befestigungselement 11 wird zwischen dem Hauptabschnitt des Außenrahmens 8 und der diskreten höheren Wand befestigt und eingezwängt. In einen Raum zwischen dem Befestigungselement 11 und der optischen Faser 4 wird ein Klebstoff vom ultraviolett-aushärtenden Typ gefüllt.
Eine Harzzusammensetzung, die nach einem Aushärten das Schutzelement wird, wird die Laserdiode 2, die Photodiode 3 und den Spitzenabschnitt der optischen Faser 4 bedeckend, die jeweils auf der Plattform 1 angebracht sind, als Schicht auf­ gebracht. Die obere Öffnung des Außenrahmens 8 wird mit dem Deckel 15 geschlossen. Der Klebstoff vom ultraviolett-aushär­ tenden Typ wird auf den Verbindungs- oder Bonding-Oberflächen des Deckels 15 des Außenrahmens 8 als Schicht aufgebracht. Ultraviolette Strahlen werden von der Unterseite des Außen­ rahmens 8 auf das gesamte optische Halbleitermodul angewen­ det, um dadurch den Klebstoff und das Schutzelement 6 auszu­ härten.
Da ein Harz vom ultraviolett-aushärtenden Typ als das Ma­ terial des Schutzelements 6 verwendet wird, ist es möglich, eine Aushärtezeit mehr als bei einem Harz vom wärmeaushärten­ den Typ zu verkürzen. Der Klebstoff vom ultraviolett-aushär­ tenden Typ wird als die ersten bis dritten Klebstoffschichten 10, 12 und 16 verwendet, und der Außenrahmen 8, die Plattform 1 und das Befestigungselement 11 sind aus einem für ultravio­ lette Strahlen transparenten Material hergestellt. Durch Strahlen von ultravioletten Strahlen von der unteren Seite des Außenrahmens 8 können daher die ersten bis dritten Kleb­ stoffschichten 10, 12 und 16 und das Schutzelement 6 durch einen Strahlungsprozeß mit ultravioletten Strahlen ausgehär­ tet werden.
Der Deckel 15 kann aus einem für ultraviolette Strahlen transparenten Material hergestellt sein, um ultraviolette Strahlen von der Seite des Deckels 15 zu strahlen.
Fig. 2A ist ein Graph, der die Ergebnisse eines thermi­ schen Schocktests des in Fig. 1 gezeigten optischen Halblei­ termoduls zeigt. Die Abszisse repräsentiert die Zahl thermi­ scher Schocks, und die Ordinate repräsentiert einen Schwel­ lenstrom der Laserdiode 2 in der Einheit mA. Eine durchgezo­ gene Linie a in Fig. 2A zeigt Daten des optischen Halbleiter­ moduls der Ausführungsform, und eine durchgezogene Linie b zeigt Daten eines in Fig. 1 gezeigten optischen Halbleitermo­ duls mit dem Schutzelement 6 aus einem Epoxidharz. Der Test wurde durchgeführt, indem ein Wärmezyklus eines Anhebens und Senkens der Temperatur zwischen 40°C und 85°C in einer Stunde eine vorbestimmte Zahl von Malen wiederholt und danach der Schwellenstrom unter der Bedingung einer Temperatur von 25°C gemessen wurde.
Der Schwellenstrom des optischen Halbleitermoduls der Ausführungsform nimmt kaum zu, selbst wenn der Wärmezyklus wiederholt wird. Im Gegensatz dazu nimmt, falls Epoxidharz als das Material des Schutzelements 6 verwendet wird, der Schwellenstrom abrupt zu, nachdem der Wärmezyklus etwa zehn­ mal wiederholt ist. Dies kann einer auf die Laserdiode ange­ wandten thermischen Beanspruchung zugeschrieben werden.
Fig. 2B ist ein Graph, der die Ergebnisse eines Tests mit hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit des in Fig. 1 gezeig­ ten optischen Halbleitermoduls zeigt. Die Abszisse repräsen­ tiert eine Testzeit in der Zeiteinheit (Stunde), und die Or­ dinate repräsentiert einen Schwellenstrom der Laserdiode in der Einheit mA. Die durchgezogene Linie c in Fig. 2B zeigt Daten des optischen Halbleitermoduls der Ausführungsform, und eine durchgezogene Linie d zeigt Daten eines in Fig. 1 ge­ zeigten optischen Halbleitermoduls mit einem Schutzelement 6 aus Siliziumharz. Der Test wurde durchgeführt, indem das op­ tische Halbleitermodul für eine vorbestimmte Zeit unter den Bedingungen einer Temperatur von 121°C, einer relativen Feuchtigkeit von 100%, einem Druck von 2 Atmosphären, einem Vorwärtskonstantstrom von 40 mA plaziert und danach der Schwellenstrom unter der Bedingung einer Temperatur von 25°C gemessen wurde.
Der Schwellenstrom des optischen Halbleitermoduls der Ausführungsform nimmt sogar nach Ablauf von 300 Stunden kaum zu. Falls Siliziumharz als das Material des Schutzelements 6 verwendet wird, nimmt im Gegensatz dazu der Schwellenstrom abrupt zu, nachdem die Testzeit 100 Stunden überschreitet. Dies kann Wassergehalten zugeschrieben werden, die in das In­ nere der Laserdiode durch Siliziumharz eingedrungen sind.
Wie aus den in Fig. 2A und 2B gezeigten Experimentergeb­ nissen ersichtlich ist, kann eine thermische Schockbeständig­ keit und eine Feuchtigkeitsbeständigkeit des optischen Halb­ leitermoduls durch Verwenden eines Gel-Acrylmodifikations­ harzes als das Material des Schutzelements 6 verbessert wer­ den.
Fig. 3 ist eine Querschnittansicht eines optischen Halb­ leitermoduls gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung. In der ersten Ausführungsform ist das Schutzelement 6 nur an den Umfangsbereichen der Laserdiode 2, der Photodiode 3 und des Spitzenabschnitts der optischen Faser 4 angeordnet. In der zweiten Ausführungsform wird ein Schutzelement 30 in den Außenrahmen 8 gefüllt, und der Deckel 15 der ersten Ausfüh­ rungform wird nicht verwendet. Die anderen Strukturen sind die gleichen wie diejenigen der ersten Ausführungsform.
Man erwartet, daß die zweite Ausführungsform ähnlich der ersten Ausführungsform ebenfalls eine verbesserte Feuchtig­ keitsbeständigkeit und thermische Schockbeständigkeit auf­ weist.
Als nächstes wird mit Verweis auf Fig. 4 die dritte Aus­ führungsform der Erfindung beschrieben. In den ersten und zweiten Ausführungsformen wurde das optische Halbleitermodul auf der Transmissionsseite veranschaulichend beschrieben. In der dritten Ausführungsform wird beispielhaft ein optisches Halbleitermodul auf der Empfangsseite beschrieben.
Auf der Oberfläche einer Plattform 1 sind eine Photodiode 40 und ein elektronisches Element 41 beide von einem Oberflä­ chenbefestigungstyp angebracht. Diese Elemente werden durch Verwenden eines AuSn-Lötmittels oder dergleichen an der Plattform 1 befestigt. Die Plattform 1 besteht z. B. aus Sili­ zium oder Glas. Die Photodiode 40 ist z. B. von einem pin-Typ unter Verwendung von InGaAs und InP als Halbleitermaterial. Das elektronische Element 41 ist beispielsweise ein Vorver­ stärker aus einer Silizium-Bipolar-IC vom Niederspannungsan­ steuertyp.
Das optische Faserelement 4a einer optischen Faser ist in der Position durch eine V-Rille ausgerichtet, die in der Oberflächenschicht der Plattform 1 gebildet ist. Das optische Faserelement 4a ist in der V-Rille durch eine Faserpresse 5 befestigt. Die Faserpresse 5 ist an der Plattform 1 durch ein Epoxidharz vom ultraviolett-aushärtenden Typ oder Acrylharz befestigt. Von der Spitze der optischen Faser 4 emittiertes Licht läßt man auf die Photodiode 40 einfallen, die ein dem Einfallslicht entsprechendes elektrisches Signal abgibt. Das elektronische Element 41 verstärkt das von der Photodiode 40 gelieferte elektrische Signal.
Ein Abschnitt der optischen Faser 4, der die Grenze der Plattform 1 kreuzt, ist durch ein Befestigungselement 11 ver­ stärkt. Zum Beispiel besteht das Befestigungselement 11 aus einem organischen Material, wie z. B. Gummi oder Kunststoff, das durch eine Spritzpresse gebildet wurde. Die V-Rille ist nahe der Grenze der Plattform 1 größer gemacht. Das Befesti­ gungselement 11 ist in diesem größeren V-Rillenabschnitt ein­ gebaut, und die optische Faser 4 wird auf der Plattform 1 ge­ tragen.
Die Plattform 1 ist an der oberen Oberfläche eines Zulei­ tungsrahmens 37 durch eine erste Klebstoffschicht 10 befe­ stigt. Die erste Klebstoffschicht 10 ist z. B. aus einem sil­ berhaltigen Epoxidharz vom wärmeaushärtenden Typ hergestellt. Silber ist eingemischt, um eine hohe thermische Leitfähigkeit zu liefern und eine gute thermische Dissipationsleistung zu bewahren.
Eine Mehrzahl von äußeren Zuleitungen 20 ist über der un­ teren Oberfläche des Zuleitungsrahmens 37 angeordnet. Jede äußere Zuleitung ist mit einem entsprechenden von Außenan­ schlüssen der Photodiode 40 und des elektronischen Elements 41 elektrisch verbunden. Jeder der Außenanschlüsse der Photo­ diode 40 und des elektronischen Elements 41 ist z. B. mit ei­ ner entsprechenden Verdrahtung drahtgebondet, die auf der Oberfläche der Plattform 1 gebildet ist. Jede Verdrahtung ist mit einer entsprechenden äußeren Zuleitung 20 drahtgebondet.
Das Schutzelement 35 aus einem Isolierharz bedeckt die Photodiode 40, das elektronische Element 41 und das optische Faserelement 4a der optischen Faser 4. Das Schutzelement 35 füllt den Lichttransmissionsbereich zwischen dem Ausgangsende des optischen Halbleitermoduls und der Photodiode 40 voll­ ständig. Ähnlich dem Schutzelement 6 der in Fig. 1 gezeigten ersten Ausführungsform kann das Schutzelement 35 aus einem Acryl-Modifikationsharz vom ultraviolett-aushärtenden Gel-Typ bestehen. Das Schutzelement 35 ist für die Wellenlänge eines Empfangslichtes transparent.
Die Oberfläche des Schutzelements 35, ein Umfangsbereich der Plattform 1 und ein Abschnitt des Befestigungselements 11 sind mit einem Abschirmelement 36 aus einem leitenden Harz bedeckt. Das Abschirmelement 36 ist aus einem Harz mit der gleichen Zusammensetzung wie das Schutzelement 35 herge­ stellt, dem ein leitendes Material zugesetzt wurde, um eine Leitfähigkeit zu verleihen. Das leitende Material kann Silber sein. Falls der Silbergehalt auf 81 bis 85 Gewichtsprozent eingestellt ist, kann das leitende Harz mit einem spezifi­ schen Widerstand von 6 bis 10 µΩcm erhalten werden. Da der Abschnitt des Befestigungselements 11 mit dem Schutzelement 35 und dem Abschirmelement 36 bedeckt ist, kann die optische Faser 4 stabil an dem Zuleitungsrahmen 37 befestigt werden.
Als nächstes wird ein Verfahren zum Bilden des Schutzele­ ments 35 und des Abschirmelements 36 beschrieben. Zuerst wird isolierendes Harz vor einem Aushärten auf der Plattform 1 verteilt. Leitendes Harz vor einem Aushärten wird dann auf dem isolierenden Harz verteilt. Danach werden ultraviolette Strahlen gestrahlt, um das isolierende und leitende Harz gleichzeitig auszuhärten. In diesem Fall kann das leitende Material nahe bei der Grenzfläche der beiden Harzarten vor einem Aushärten geringfügig diffundieren. Es besteht jedoch kein praktisches Problem, es sei denn, das leitende Material erreicht das Element und die Verdrahtungen auf der Plattform 1.
In der dritten Ausführungsform werden die Photodiode 40 und das elektronische Element 41 mit dem leitenden Abschirm­ element 36 bedeckt. Da das Abschirmelement 36 als eine elek­ tromagnetische Abschirmung dient, ist es möglich zu verhin­ dern, daß durch elektromagnetische Interferenz (EMI) Rauschen hervorgerufen wird. Falls Rauschen mit einem Eingangssignal zum elektronischen Element 41 gemischt wird, wird Rauschen verstärkt. Dieses Abschirmelement 36 wird insbesondere für ein optisches Halbleitermodul mit einer Verstärkerschaltung sehr erwartet. Es ist auch möglich zu verhindern, daß eine abnorme Oszillation einer Verstärkerschaltung durch EMI her­ vorgerufen wird.
In der dritten Ausführungsform sind das Schutzelement 35 und das Abschirmelement 36 aus einem Harz mit der gleichen Zusammensetzung hergestellt. Man erwartet daher, daß der Ver­ siegelungseffekt und der elektromagnetische Abschirmeffekt für eine lange Periode bei dem Test mit hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit und dem Wärmezyklustest stabil aufrechter­ halten werden kann.
Eine herkömmliche elektromagnetische Abschirmung wurde realisiert, indem die Photodiode und das elektronische Ele­ ment in einem Metallbehälter untergebracht wurden. Gemäß der dritten Ausführungsform kann die elektromagnetische Abschir­ mung realisiert werden, indem leitendes Harz verwendet wird, das billiger als ein Metallbehälter ist. Da das isolierende und leitende Harz durch einen Strahlungsprozeß mit ultravio­ letten Strahlen ausgehärtet wird, können ein Versiegelungs­ prozeß und ein elektromagnetischer Abschirmprozeß gleichzei­ tig durchgeführt werden. Es ist daher möglich, die Kosten ei­ nes optischen Halbleitermoduls zu senken.
Fig. 5 zeigt eine Querschnittansicht eines Reflexions­ films gemäß der vierten Ausführungsform der Erfindung. Auf einer Reflexionsoberfläche eines optischen Mediums mit einem Brechungsindex n0 ist ein Reflexionsfilm 55 mit einer Lami­ nierungsstruktur gebildet. Die Laminierungsstruktur des Re­ flexionsfilms 55 wird gebildet, indem k Paare aus einer er­ sten Schicht 52 mit einem Brechungsindex n1 und einer zweiten Schicht 53 mit einem Brechungsindex n2 laminiert und eine dritte Schicht 54 mit dem Brechungsindex n1 auf der Oberflä­ che der zweiten Schicht 53 des k-ten Paares gebildet wird. Der Wert k ist eine positive ganze Zahl.
Die Wellenlänge von zu reflektierendem Licht ist durch λ repräsentiert. Die Dicke d1 der ersten Schicht 52 ist durch:
d1 = (λ/4 + (λ/2) × N1)/n1 (A1)
gegeben, wo N1 0 oder eine positive ganze Zahl ist. Die Dicke d2 der zweiten Schicht 53 ist durch:
d2 = (λ/4 + (λ/2) × N2)/n2 (A2)
gegeben, wo N2 0 oder eine positive ganze Zahl ist.
Es wird ein Verfahren zum Konstruieren des Reflexions­ films 55 mit dem gleichen Brechungsindex sowohl bei einem Brechungsindex ns1 als auch bei einem Brechungsindex ns2 ei­ nes externen Mediums (in Kontakt mit der dritten Schicht 54) beschrieben. Die Dicke d3 der dritten Schicht 54 ist so ein­ gestellt, um beide Gleichungen (A3) und (A4) zu erfüllen:
d3 = d + (λ/2n1) × N3) (A3)
wo N3 0 oder eine positive ganze Zahl ist.
Ein Reflexionsvermögen R[%] des Reflexionsfilms 55 in be­ zug auf Licht mit der Wellenlänge λ wird durch eine Gleichung (A5) repräsentiert:
wo ns ein Brechungsindex des externen Mediums in Kontakt mit der dritten Schicht 54 ist.
Falls die Dicke der dritten Schicht 54 eingestellt ist, um die Gleichung (A4) zu erfüllen, wird, wie aus der Glei­ chung (A4) ersichtlich ist, das Reflexionsvermögen bei dem Brechungsindex ns1 des externen Mediums gleich dem Refle­ xioonsvermögen bei dem Brechungsindex ns2. Falls z. B. ns1 1 ist und ns2 auf den gleichen Brechungsindex des externen Me­ diums eingestellt ist, wenn der Reflexionsfilm 55 tatsächlich verwendet wird, wird dann das Reflexionsvermögen des Refle­ xionsfilms 55 in atmosphärischer Luft oder einem Edelgas gleich dem Reflexionsvermögen, wenn der Reflexionsfilm 55 tatsächlich verwendet wird.
Falls die Auswertungsexperimente des Reflexionsvermögens in atmosphärischer Luft durchgeführt werden, kann daher das Reflexionsvermögen mit einer hohen Genauigkeit vorhergesagt werden, wenn der Reflexionsfilm 55 tatsächlich verwendet wird. Es ist schwierig, die erste Schicht 52, die zweite Schicht 53 und die dritte Schicht 54 mit den Dicken zu bil­ den, die gleich den aus den obigen Gleichungen berechneten idealen Dicken sind. Der Praxis können jedoch, selbst wenn die Dicke jedes Films um etwa ± 20% verschieden ist, gute Effekte erwartet werden. In dieser Ausführungsform schließt die "Dicke" eines Dünnfilms eine Dicke in dem Bereich von ± 20% von der idealen Filmdicke ein.
Fig. 6 ist eine Querschnittansicht einer Halbleiterlaser­ vorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform, die den Refle­ xionsfilm der vierten Ausführungsform verwendet. In einem Au­ ßenrahmen 60 mit einer oberen Öffnung ist eine Plattform 63 angeordnet. Die Plattform 63 ist z. B. aus einem Silizium­ substrat hergestellt. Auf der Oberfläche der Plattform 63 sind eine Laserdiode 58 und eine Photodiode 64 angebracht. Die Laserdiode 58 ist z. B. von einem Fabry-Perot-Typ und hat eine Oszillationswellenlänge von 1,3 µm unter Verwendung von InGaAsP/InP. Ein äquivalenter Brechungsindex n0 dieses opti­ schen Resonators ist 3,23.
Reflexionsfilme 55A und 55B der vierten Ausführungsformen sind auf gegenüberliegenden Facetten eines optischen Resona­ tors der Laserdiode 58 gebildet. Die erste Schicht 52 und die dritte Schicht 53, die in Fig. 5 gezeigt sind, sind aus SiO2 hergestellt, und der Brechungsindex n1 ist 1,45, und die zweite Schicht 53 ist aus Si hergestellt, und der Brechungs­ index n2 ist 3,8. Der SiO2-Film und Si-Film können durch io­ nenunterstützte Dampfablagerung, plasmaunterstützte chemische Dampfablagerung, thermochemische Dampfablagerung oder Sput­ tern gebildet werden.
Auf die Photodiode 64 läßt man einen durch den Refle­ xionsfilm durchgelassenen und rückwärts gestrahlten Laser­ strahl einfallen. Durch Messen eines Ausgangssignals von der Photodiode 64 kann der Oszillationszustand der Laserdiode überwacht werden.
Auf eine optische Faser 62 läßt man einen Bruchteil des durch den Reflexionsfilm 55A durchgelassenen und vorwärts ge­ strahlten Laserstrahls einfallen. Die optische Faser 62 ist auf der Oberfläche der Plattform 63 plaziert und in einer Po­ sition durch eine Faserpresse 65 befestigt. Die optische Fa­ ser 62 erstreckt sich aus dem Außenrahmen 60, durch die Sei­ tenwand des Außenrahmens 60 durchgehend. Der Abschnitt der optischen Faser 62, der durch den Außenrahmen 60 durchgeht, wird durch einen Halter 61 geschützt.
Versiegelungsharz 66 bedeckt die Photodiode 64, die La­ serdiode 58 und den Spitzenabschnitt der optischen Faser 62. Das Versiegelungsharz ist z. B. Siliziumharz. Der Brechungsin­ dex von Siliziumharz ist 1,38. Die obere Öffnung des Außen­ rahmens 60 ist durch einen Deckel 67 geschlossen. Eine Mehr­ zahl von Signaleingangs/ausgangsanschlüssen 68 ist auf dem Boden des Außenrahmens 60 angebracht.
Nach den Gleichungen (A1) und (A2) ist die Dicke d1 der ersten Schicht 52, die in Fig. 5 gezeigt ist, 242 nm, und die Dicke d2 der zweiten Schicht 53 ist 86 nm. Es wurde N1 = N2 = 0 angenommen. Durch Einsetzen von ns1 = 1 und ns2 = 1,38 in die Gleichung (A4) wird sie cos2Δ = 0,395. Daher ist z. B. die Dicke d3 der dritten Schicht 54 127 nm. Nach der Gleichung (A5) ist das Reflexionsvermögen R[%] 76,7%.
Fig. 7 ist ein Graph, der als eine Funktion einer Be­ triebstemperatur eine Änderung im Schwellenstrom vor und nach einer Harzversiegelung der Laserdiode der fünften Ausfüh­ rungsform zeigt. Die Abszisse repräsentiert eine Betriebstem­ peratur durch die Einheit °C, und die Ordinate repräsentiert eine Änderung im Schwellenstrom vor und nach einer Silizium­ harzversiegelung in der Einheit %. Eine durchgezogene Linie a in diesem Graph gibt eine Änderung in dem Schwellenstrom der Laserdiode der zweiten Ausführungsform an, eine durchgezogene Linie b gibt eine Änderung im Schwellenstrom einer Laserdiode an, die den Reflexionsfilm ohne die dritte Schicht 54 verwen­ det, die in Fig. 5 gezeigt ist.
Die Änderung im Schwellenstrom ist 5% oder kleiner, falls der Reflexionsfilm der vierten Ausführungsform verwen­ det wird. Im Gegensatz dazu ist die Änderung im Schwellen­ strom etwa 20 bis 45%, falls die dritte Schicht nicht gebil­ det ist. Wie man aus diesem Graph sieht, kann die Änderung im Schwellenstrom vor und nach einer Harzversiegelung durch Ver­ wenden des Reflexionsfilms der vierten Ausführungsform klein gemacht werden. Diese Effekte sind besonders groß, wenn die Betriebstemperatur hoch ist.
Dies verhält sich so, weil das Reflexionsvermögen des Re­ flexionsfilms der vierten Ausführungsform in der atmosphäri­ schen Luft im wesentlichen das gleiche wie das Reflexionsver­ mögen nach einer Harzversiegelung ist. Falls die in Fig. 5 gezeigte dritte Schicht 54 nicht verwendet wird, ist das Re­ flexionsvermögen in der atmosphärischen Luft von dem nach ei­ ner Harzversiegelung verschieden, so daß der Schwellenstrom sich vor und nach einer Harzversiegelung sehr ändert. Durch Verwenden des Reflexionsfilms der vierten Ausführungsform ist es möglich, den Schwellenstrom nach einer Harzversiegelung durch Auswerten des Schwellenstroms der Laserdiode in der at­ mosphärischen Luft mit hoher Genauigkeit vorherzusagen.
In der fünften Ausführungsform werden SiO2 und Si als die Materialien der ersten und zweiten Schichten 52 und 53 ver­ wendet, die in Fig. 5 gezeigt sind. Andere Materialien können ebenfalls verwendet werden, wie z. B. ein Oxid, Nitrid oder Fluorid von Al, Si, Ti, Zn, Mg oder Li. Wenn auf der Facette eines optischen Resonators der Laserdiode der Reflexionsfilm gebildet wird, ist es vorzuziehen, daß die erste Schicht in direktem Kontakt mit der Facette aus einem isolierenden Mate­ rial hergestellt wird.
In der fünften Ausführungsform wurde veranschaulichend ein Laser vom Fabry-Perot-Typ beschrieben. Der Reflexionsfilm der vierten Ausführungsform ist ebenfalls auf andere Laserdi­ oden anwendbar, wie z. B. eine Laserdiode vom Verteilungsrück­ kopplungstyp und eine Laserdiode vom Verteilung-Bragg- Reflexionstyp.
Der Brechungsindex eines gewöhnlichen Materials ist 1 oder höher, so daß die ns1 und ns2 der Gleichung (A4) 1 oder höher sind. Der Brechungsindex des Reflexionsfilmmaterials, das in einem Oszillationswellenlängenbereich einer Laserdiode verwendbar ist, ist im allgemeinen 4 oder kleiner. Daher wird im allgemeinen in Betracht gezogen, daß die folgende Bedin­ gung erfüllt ist:
1 ≦ (ns1 × ns2) ≦ 16.
Aus dieser Bedingung und der Gleichung (A4) werden die folgenden Formeln erhalten:
Es ist nämlich erforderlich, daß die Dicke d3 der dritten Schicht 54, die in Fig. 5 gezeigt ist, die Gleichung (A3) und die Formeln (A6) und (A7) erfüllt. Falls z. B. k = 1, n0 = 3,23, n1 = 1,45 und n2 = 3,8 sind, gilt dann:
49 nm ≦ d ≦ 138 nm oder 311 nm ≦ d ≦ 411.
In der fünften Ausführungsform ist der Reflexionsfilm auf der Reflexionsfacette der Laserdiode gebildet. Der Refle­ xionsfilm der vierten Ausführungsform kann auf einer Refle­ xionsoberfläche eines optischen Mediums mit dem Brechungsin­ dex ns1 anders als die Laserdiode gebildet werden. In diesem Fall wird der Reflexionsfilm mit einem optischen Medium mit dem Brechungsindex ns2 bedeckt. Falls der Reflexionsfilm für eine Laserdiode verwendet wird, entspricht die Oszillations­ wellenlänge der Laserdiode der Wellenlänge von durch den Re­ flexionsfilm zu reflektierendem Licht. Falls der Reflexions­ film auf einer Reflexionsfacette eines optischen Mediums ge­ bildet wird, kann durch das folgende Verfahren die Wellenlän­ ge von durch den Reflexionsfilm zu reflektierendem Licht spe­ zifiziert werden.
Die optische Filmdicke der ersten Schicht 52 und der zweiten Schicht 53, die in Fig. 5 gezeigt sind, sind beide gegeben durch:
λ/4 + (λ/2) × N (A8)
wo N 0 oder eine positive ganze Zahl. Die Dicke des optischen Films ist eine Dicke, die durch Multiplizieren der tatsächli­ chen Filmdicke mit dem Brechungsindex des Films erhalten wird. Die Dicke des optischen Films wird erhalten, indem die Filmdicken der ersten Schicht 52 und der zweiten Schicht 53, die den Reflexionsfilm bilden, gemessen und diese mit den Brechungsindizes multipliziert werden. Die Wellenlänge λ in bezug auf die Dicken des optischen Films der ersten und zwei­ ten Schichten wird spezifiziert, indem in der Gleichung (A8) N geändert wird. In diesem Fall ist es nicht notwendigerweise erforderlich, daß N der ersten Schicht gleich N der zweiten Schicht ist.
Nachdem die Wellenlänge von zu reflektierendem Licht spe­ zifiziert ist, kann aus den Gleichungen (A3) und (A4), in die ns1 = 1 substituiert wird, eine bevorzugte Dicke d2 der in Fig. 5 gezeigten dritten Schicht 54 erhalten werden. Der in dieser Weise gebildete Reflexionsfilm hat das gleiche Refle­ xionsvermögen sowohl bei einem Brechungsindex von 1, z. B. in der atmosphärischen Luft, als auch bei einem Brechungsindex von ns2 in einem Medium. Daher ist es möglich, das Refle­ xionsvermögen im Medium mit dem Brechungsindex ns2 mit einer hohen Genauigkeit durch Auswerten des Reflexionsvermögens in der atmosphärischen Luft vorherzusagen.
Als nächstes wird die Struktur einer optischen Vorrich­ tung gemäß der sechsten Ausführungsform beschrieben. Der Re­ flexionsfilm der vierten Ausführungsform weist grundsätzlich einen Film mit einer Dicke einer Viertel-Wellenlänge eines Ziellichts in der Laminierungsstruktur auf. In der sechsten Ausführungsform weist der Reflexionsfilm eine Dreischicht­ struktur auf, und die Dicke jedes Films ist abweichend von dem Viertel-Wellenlängenstandard bestimmt.
Fig. 8 ist eine Querschnittansicht einer optischen Vor­ richtung der sechsten Ausführungsform. Auf der Oberfläche ei­ nes optischen Mediums 70 sind eine erste Schicht 71, eine zweite Schicht 72 und eine dritte Schicht 73 laminiert. Diese drei Schichten von ersten bis dritten Schichten 71 bis 73 bilden einen Reflexionsfilm 74. Das optische Medium 70 ist eine Laserdiode mit einem äquivalenten Brechungsindex von 3,23 und einer Oszillationswellenlänge von 1,31 µm. Die erste Schicht 71 und die dritte Schicht 73 sind aus SiO2 mit einem Brechungsindex von 1,45 hergestellt, und die zweite Schicht 72 ist aus Silizium mit einem Brechungsindex von 3,8 herge­ stellt.
Durch Ändern der Dicken der ersten bis dritten Schichten 71 bis 73 wurden durch Berechnung Reflexionsvermögen des Re­ flexionsfilms 74 mit der Dreischichtstruktur bei der Wellen­ länge von 1,31 µm in der atmosphärischen Luft und bei nahe liegenden Wellenlängen und Reflexionsvermögen des Reflexions­ films 74 erhalten, der mit einem Harz mit einem Brechungsin­ dex von 1,38 beschichtet wurde.
Fig. 9 ist ein Graph, der als eine Funktion des Refle­ xionsvermögens R[%] Kombinationen von Filmdicken zeigt, die die Bedingung erfüllen, daß das Reflexionsvermögen des in der atmosphärischen Luft plazierten Reflexionsfilms im wesentli­ chen gleich demjenigen des mit Harz versiegelten Reflexions­ films ist, und die Bedingung, daß eine Änderung im Refle­ xionsvermögen, die durch eine Änderung in der Wellenlänge des zu reflektierenden Lichts zu verursachen ist, relativ klein ist. Die Abszisse repräsentiert ein Reflexionsvermögen R in der Einheit %, und die Ordinate repräsentiert eine Filmdicke in der Einheit nm. Durchgezogene Linien a1, a2 und a3 in die­ sem Graph zeigen die Filmdicken der ersten, zweiten und drit­ ten Schichten 71, 72 und 73.
Ein Reflexionsvermögen an einer Grenzfläche zwischen ei­ ner gespaltenen Oberfläche einer Laserdiode und Luft beträgt im allgemeinen etwa 30%. Der durch eine Laserdiode verwende­ te Reflexionsfilm ist gewöhnlich kleiner als das Reflexions­ vermögen an der Grenzfläche zwischen der gespaltenen Oberflä­ che und Luft eingestellt. Aus diesem Grund ist die obere Grenze des in Fig. 9 gezeigten Reflexionsvermögens auf 30% eingestellt. Gewünschte Lösungen wurden in einem Bereich mit dem Reflexionsvermögen von 15% oder niedriger nicht erhal­ ten. Es ist daher vorzuziehen, den Konstruktionswert des Re­ flexionsvermögens des Reflexionsfilms mit der Drei­ schichtstruktur auf 15% oder höher einzustellen. Aus diesem Grund ist die untere Grenze des in Fig. 9 gezeigten Refle­ xionsvermögens auf 15% eingestellt.
Die Dicke d1 (Kurve a1) der ersten Schicht 71, die durch eine Gleichung zweiter Ordnung des Reflexionsvermögens R[%] approximiert wird, ist durch:
d1 = (0,11-9,2 × 10-3R + 2,2 × 10-4R2)λ0/n1 (A9)
gegeben, wo λ0 eine Zielwellenlänge von 1,31 µm repräsentiert und n1 der Brechungsindex von 1,45 der ersten Schicht 71 ist. Da die Dicke d1 als im wesentlichen der Wellenlänge λ0 pro­ portional betrachtet wird, wird die Dicke d1 durch eine Glei­ chung erster Ordnung der Wellenlänge λ0 ausgedrückt.
Die Dicke d2 (Kurve a2) der zweiten Schicht 72 ist ähn­ lich durch:
d2 = (-8,7 × 10-3 + 3,5 × 10-3R - 1,2 × 10-5R2) × (-3,6 + 17/n2)λ0 (A10)
gegeben, wo n2 der Brechungsindex von 3,8 der zweiten Schicht 72 ist. Der Ausdruck (-3,6 + 17/n2) ist ein Ausdruck, der aus dem Fig. 9 ähnlichen Graphen abgeleitet wird, der durch Än­ dern des Brechungsindex n2 von 3,6 in 3,85 erhalten wird.
In der Praxis ändert sich der Brechungsindex eines durch plasmaunterstützte chemische Dampfablagerung, Sputtern oder dergleichen erzeugten Siliziumfilms in diesem Bereich von 3,6 bis 3,85 in Abhängigkeit von Variationen der Filmbildungsbe­ dingungen. Es ist daher vorzuziehen, die Dicke der zweiten Schicht 72 durch Substituieren des zu den tatsächlichen Film­ bildungsbedingungen passenden Brechungsindex n2 in die Glei­ chung (A10) zu bestimmen.
Die Dicke d3 (Kurve a3) der dritten Schicht 73 wird durch:
d3 = (0,23 - 4,9 × 10-3R + 7,7 × 10-5R2)λ0/n3 (A11)
approximiert, wo n3 der Brechungsindex von 1,45 der dritten Schicht 73 ist.
Falls jede der Dicken d1 bis d3 in einem Bereich von ± 15 nm (einem Bereich zwischen gestrichelten Linien in Fig. 9) von dem durch die Gleichungen (A9) bis (A11) berechneten Wert erhöht oder verringert wird, ändert sich gemäß den Berech­ nungsergebnissen das Reflexionsvermögen in einem Bereich von ± 3%. Falls z. B. die Dicke eingestellt werden soll, um ein Reflexionsvermögen von 25% zu haben, und die Dicke um etwa 15 nm geändert wird, ändert sich das Reflexionsvermögen in einem Bereich von 22% bis 28%. Diese Änderung im Refle­ xionsvermögen ist in einem zulässigen Bereich.
Falls jede der Dicken d1 bis d3 in einem Bereich von etwa ± 15 nm vom Zielwert erhöht oder verringert wird, wird eben­ falls gemäß den Berechnungsergebnissen die Differenz zwischen dem Reflexionsvermögen des Reflexionsfilms der Laserdiode, der in der atmosphärischen Luft plaziert ist, und dem Refle­ xionsvermögen des mit Harz versiegelten Reflexionsfilms maxi­ mal etwa 2% betragen. Diese Differenz wird 10%, falls ein Einzelschicht-Reflexionsfilm verwendet wird. Selbst wenn jede der Dicken d1 bis d3 in einem Bereich von etwa ± 15 nm erhöht oder verringert wird, kann nämlich der Effekt eines Verklei­ nerns der Differenz zwischen dem Reflexionsvermögen in der atmosphärischen Luft und demjenigen nach einer Harzversiege­ lung ausreichend erwartet werden. Die bevorzugten Filmdicken d1, d2 und d3 für das Reflexionsvermögen von 26% sind daher 28,2 nm oder dünner, 66,2 bis 96,7 nm bzw. 121,2 bis 151,2 nm.
Falls die Dicke der ersten Schicht 71 um 15 nm vom Ziel­ wert verdünnt wird, kann die Dicke d1 in einigen Fällen 0 nm sein. Die erste Schicht 71 wird jedoch tatsächlich gebildet, und die Dicke d1 wird in praktischen Fällen nicht 0 nm und wird dicker als 0 nm. In der Praxis wird die Dicke d1 beim Minimum 2 nm oder mehr.
In der sechsten Ausführungsform ist, wie man aus Fig. 9 sieht, der für die Dicke d1 der ersten Schicht 71 zulässige Bereich 40 nm oder dünner. Da jede eines Mehrschicht-Refle­ xionsfilms der vierten Ausführungsform aus dem Viertel- Wellenlängenstandard bestimmt wird, ist die Dicke jeder Schicht des Reflexionsfilms, der durch eine allgemeine Laser­ diode verwendet wird, 220 nm oder dicker. Eine Dicke von 40 nm oder dünner der ersten Schicht in Kontakt mit einem opti­ schen Medium ist ein signifikantes Merkmal der sechsten Aus­ führungsform.
In der sechsten Ausführungsform ist der effektive Bre­ chungsindex des optischen Mediums auf 3,23 eingestellt. Falls der effektive Brechungsindex des optischen Mediums in einem Bereich von 3,23 ± 0,05 ist, können die vorzuziehenden Dicken aus den Gleichungen (A9) bis (A11) approximiert werden.
In der sechsten Ausführungsform ist die erste Schicht 71 in Kontakt mit dem optischen Medium aus SiO2 hergestellt, ist die zweite Schicht 72 auf der ersten Schicht 71 aus Silizium hergestellt, und die dritte Schicht 73 ist aus SiO2 herge­ stellt. Kombinationen vorzuziehender Dicken für andere Mate­ rialien wurden ebenfalls berechnet. Die Kombinationen von Dicken des Reflexionsfilms der optischen Vorrichtung gemäß den ersten bis dritten Modifikationen der sechsten Ausfüh­ rungsformen werden beschrieben. Der Brechungsindex des opti­ schen Mediums, das durch die ersten bis dritten Modifikatio­ nen verwendet wird, ist der gleiche wie derjenige der sech­ sten Ausführungsform.
Zunächst wird die erste Modifikation der sechsten Ausfüh­ rungsform beschrieben. In der ersten Ausführungsform sind die erste Schicht 71 und die dritte Schicht 73, die in Fig. 8 ge­ zeigt sind, aus Aluminiumoxid hergestellt, und die zweite Schicht 72 ist aus Silizium hergestellt. Die Brechungsindizes n1 und n3 der ersten und dritten Schichten sind 1,72.
Die bevorzugten Dicken d1, d2 und d3 der ersten, zweiten und dritten Schichten 71, 72 und 73 sind durch:
d1 = (1,7 × 10-3 + 1,1 × 10-3R + 3,1 × 10-5R2)λ0/n1
d2 = (2,3 × 10-2 + 3,5 × 10-3R - 5,6 × 10-5R2) × (-1,4 + 8,9/n2)λ0
d3 = (0,21 - 1,9 × 10-3R + 2,1 × 10-5R2)λ0/n3
gegeben.
Der zulässige Bereich jeder Dicke ist ± 15 nm von jeder der Zieldicken d1 bis d3, die aus den obigen Gleichungen be­ rechnet wurden. Die obere Grenze der Dicke der ersten Schicht ist 60 nm. Die bevorzugten Filmdicken d1, d2 und d3 für das Reflexionsvermögen von 26% sind z. B. 23,8 bis 53,8 nm, 75,8 bis 105,8 nm bzw. 117,5 bis 147,5 nm.
Als nächstes wird die zweite Modifikation der sechsten Ausführungsform beschrieben. In der zweiten Modifikation ist die in Fig. 8 gezeigte erste Schicht 71 aus Siliziumoxid her­ gestellt, ist die zweite Schicht 72 aus Silizium hergestellt, und die dritte Schicht 73 ist aus Aluminiumoxid hergestellt. Es sind nämlich n1 = 1,45, n2 = 3,6 bis 3,85 und n3 = 1,72.
Die bevorzugten Dicken d1, d2 und d3 der ersten, zweiten und dritten Schichten 71, 72 und 73 sind durch:
d1 = (-3,1 × 10-5 + 3,6 × 10-3R - 3,5 × 10-5R2)λ0/n1
d2 = (3,5 × 10-2 + 2,5 × 10-3R - 3,6 × 10-5R2) × (-2,6 + 1,4/n2)λ0
d3 = (0,21 - 1,9 × 10-3R + 2,1 × 10-5R2)λ0/n3
gegeben.
Der zulässige Bereich jeder Dicke ist ± 15 nm von jeder der Zieldicken d1 bis d3, die aus den obigen Gleichungen be­ rechnet wurden. Die obere Grenze der Dicke der ersten Schicht ist 40 nm. Zum Beispiel sind die bevorzugten Filmdicken d1, d2 und d3 für das Reflexionsvermögen von 26% 20,4 bis 50,4 nm, 73,4 bis 103,4 nm bzw. 117,5 bis 147,5 nm.
Als nächstes wird die dritte Modifikation der sechsten Ausführungsform beschrieben. In der dritten Modifikation ist die in Fig. 8 gezeigte erste Schicht 71 aus Aluminiumoxid hergestellt, ist die zweite Schicht 72 aus Silizium herge­ stellt, und die dritte Schicht 73 ist aus Siliziumoxid herge­ stellt. Es sind nämlich n1 = 1,72, n2 = 3,6 bis 3,85 und n3 = 1,45.
Die bevorzugten Dicken d1, d2 und d3 der ersten, zweiten und dritten Schichten 71, 72 und 73 sind durch:
d1 = (0,12 - 1,2 × 10-2R + 3,2 × 10-4R2)λ0/n1
d2 = (-2,7 × 10-2 + 3,4 × 10-3R + 2,4 × 10-5R2) × (-3,8 + 2,8/n2)λ0
d3 = (0,23 - 4,9 × 10-3R + 7,7 × 10-5R2)λ0/n3
gegeben.
Der zulässige Bereich jeder Dicke ist ± 15 nm von jeder der Zieldicken d1 bis d3, die aus den obigen Gleichungen be­ rechnet wurden. Die obere Grenze der Dicke der ersten Schicht ist 15 nm. Zum Beispiel sind die bevorzugten Filmdicken d1, d2 und d3 für das Reflexionsvermögen von 26% 0,9 bis 30,9 nm, 69,6 bis 99,6 nm bzw. 121,2 bis 151,2.
Wie oben beschrieben wurde, ändert sich die bevorzugte Dicke der Schicht, während die Kombination von Materialien der ersten bis dritten Schichten geändert wird. Durch Bilden eines Fig. 9 ähnlichen Graphen für jede Kombination von Mate­ rialien ist es möglich, einen Dreischicht-Reflexionsfilm mit einer geringen Differenz von Reflexionsvermögen vor und nach einer Harzversiegelung zu bilden.
Fig. 10 ist ein Graph, der eine Änderung im Schwellen­ strom vor und nach einer Harzversiegelung des Reflexionsfilms der sechsten Ausführungsform (einschließlich der ersten bis dritten Modifikationen) in der in Fig. 6 gezeigten Laserdiode darstellt, wobei die Änderung durch ein Verhältnis des Schwellenstroms nach der Harzversiegelung zu demjenigen vor der Harzversiegelung dargestellt wird.
Eine in Fig. 10 gezeigte polygonale Liniengruppe c gibt die Änderung in dem Schwellenstrom an, wenn der Dreischicht- Reflexionsfilm der sechsten Ausführungsform verwendet wird, und eine polygonale Liniengruppe d gibt die Änderung im Schwellenstrom an, wenn ein herkömmlicher Einzelschicht- Reflexionsfilm verwendet wird. Im Fall des herkömmlichen Re­ flexionsfilms nimmt der Schwellenstrom durch Verwenden einer Harzversiegelung um 20% oder mehr zu. Im Gegensatz dazu ist die Änderung im Schwellenstrom ± 5% oder kleiner, wenn der Dreischicht-Reflexionsfilm der sechsten Ausführungsform ver­ wendet wird. Durch Verwenden des Dreischicht-Reflexionsfilms der sechsten Ausführungsform kann eine Änderung im Schwellen­ strom, die durch eine Harzversiegelung zu verursachen ist, unterdrückt werden.
Die vorliegende Erfindung wurde in Verbindung mit den be­ vorzugten Ausführungsformen beschrieben. Die Erfindung ist nicht nur auf die obigen Ausführungsformen beschränkt. Es ist offenkundig, daß verschiedene Modifikationen, Verbesserungen, Kombinationen und dergleichen vom Fachmann vorgenommen werden können.

Claims (26)

1. Optisches Halbleitermodul mit:
einer Plattform mit einer Trägeroberfläche;
einem optischen Halbleiterelement, das auf der Träger­ oberfläche der Plattform angeordnet ist;
einem optischen Element, das auf der Trägeroberfläche der Plattform angeordnet ist und eine optische Kopplungsfacette aufweist, welches optische Element mit dem optischen Halblei­ terelement an der optischen Kopplungsfacette optisch gekop­ pelt ist; und
einem Schutzelement, das aus einem Gel-Acryl-Modifika­ tionsharz hergestellt ist, das optische Halbleiterelement be­ deckt und mindestens in einem Lichttransmissionsbereich in einem Zwischenraum zwischen dem Halbleiterelement und der op­ tischen Kopplungsfacette des optischen Elements angeordnet ist.
2. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 1, worin das Schutzelement aus einem Harz vom ultraviolett-aushärtenden Typ hergestellt ist.
3. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 1, worin das optische Element eine optische Faser ist.
4. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 3, ferner mit:
einem Außenrahmen mit einer Öffnung, welche Plattform in dem Außenrahmen untergebracht ist und welche optische Faser aus dem Außenrahmen herausragt, indem sie durch eine Wand des Außenrahmens durchgeht; und
einer ersten Klebstoffschicht zum Ankleben der Plattform an dem Außenrahmen;
worin die erste Klebstoffschicht aus einem Harz vom ul­ traviolett-aushärtenden Typ hergestellt ist.
5. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 4, ferner mit einer zweiten Klebstoffschicht aus einem Harz vom ultravio­ lett-aushärtenden Typ zum Ankleben der optischen Faser an der Wand des Außenrahmens, durch die die optische Faser durch­ geht.
6. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 5, worin die Plattform und der Außenrahmen zum Aushärten des im Schutz­ element und den ersten und zweiten Klebstoffschichten enthal­ tenen Harzes vom ultraviolett-aushärtenden Typ für ultravio­ lette Strahlen transparent sind.
7. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 4, ferner mit:
einem Deckel zum Schließen der Öffnung des Außenrahmens; und
einer dritten Klebstoffschicht aus einem Harz vom ultra­ violett-aushärtenden Typ zum Ankleben des Deckels am Außen­ rahmen.
8. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 7, worin der Deckel für ultraviolette Strahlen transparent ist.
9. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 4, worin das Schutzelement in den Außenrahmen gefüllt ist.
10. Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiter­ moduls mit den Schritten:
Anordnen des optischen Halbleiterelements und eines opti­ schen Elements auf einer Trägeroberfläche einer Plattform, um die optische Halbleitervorrichtung und das optische Element optisch zu koppeln;
Plazieren der Plattform auf einer Innenfläche eines Au­ ßenrahmens, wobei zwischen der Plattform und der Innenfläche ein Klebstoff vom ultraviolett-aushärtenden Typ angeordnet ist;
Anordnen einer Acryl-Modifikationsharzzusammensetzung, die das Halbleiterelement auf der Plattform bedeckt und in einen Lichttransmissionsbereich zwischen dem optischen Halb­ leiterelement und dem optischen Element gefüllt ist, welche Acryl-Modifikationsharzzusammensetzung bei Strahlung von ul­ travioletten Strahlen ausgehärtet wird und ein Gel wird; und
Aushärten des Klebstoffs und der Acryl-Modifikationsharz­ zusammensetzung durch Strahlen von ultravioletten Strahlen.
11. Optisches Halbleitermodul mit:
einer Plattform mit einer Trägeroberfläche;
einem optischen Halbleiterelement, das auf der Träger­ oberfläche der Plattform angeordnet ist;
einem optischen Element, das auf der Trägeroberfläche der Plattform angeordnet ist und eine optische Kopplungsfacette aufweist, welches optische Element mit dem optischen Halblei­ terelement an der optischen Kopplungsfacette optisch gekop­ pelt ist;
einem Schutzelement, das aus einem isolierenden Harz her­ gestellt ist, das optische Halbleiterelement bedeckt und min­ destens in einem Lichttransmissionsbereich in einem Raum zwi­ schen dem Halbleiterelement und der optischen Kopplungsfacet­ te des optischen Elements angeordnet ist; und
einem Abschirmelement, das aus einem leitenden Harz her­ gestellt ist und eine Oberfläche des Schutzelements bedeckt.
12. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 11, worin das Abschirmelement aus einem Basisharz besteht, das eine gleiche Zusammensetzung wie das isolierende Harz des Schutzelements aufweist und mit einem leitenden Material gemischt ist.
13. Optisches Halbleitermodul nach Anspruch 11, worin das optische Halbleiterelement ein photoelektrisches Umwandlungs­ element zum Umwandeln eines optischen Signals in ein elektri­ sches Signal ist, das optische Halbleitermodul ferner ein elektronisches Element zum Verstärken des von dem optischen Halbleiterelement abgegebenen elektrischen Signals aufweist, welches elektronische Element auf der Plattform angeordnet ist und welches Schutzelement das elektronische Element be­ deckt.
14. Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiter­ moduls mit den Schritten:
Anordnen eines optischen Halbleiterelements und eines op­ tischen Elements auf einer Trägeroberfläche eines Träger­ substrats, um die optische Halbleitervorrichtung und das op­ tische Element optisch zu koppeln;
Verteilen eines isolierenden Harzes vom ultraviolett­ aushärtenden Typ auf dem Trägersubstrat, um das Halbleiter­ element auf dem Träger zu bedecken und in einen Lichttrans­ missionsbereich zwischen dem optischen Halbleiterelement und dem optischen Element gefüllt zu werden;
Verteilen eines leitenden Harzes auf dem verteilten iso­ lierenden Harz, um eine Oberfläche des isolierenden Harzes mit dem leitenden Harz zu bedecken; und
Aushärten des isolierenden Harzes und des leitenden Ge­ biets auf eine Strahlung von ultravioletter Strahlen hin.
15. Verfahren zum Herstellen eines Reflexionsfilms mit den Schritten:
Präparieren eines optischen Mediums mit einer Refle­ xionsoberfläche und einem Brechungsindex n0;
Bestimmen einer Wellenlänge λ von zu reflektierendem Licht;
Bestimmen von zwei verschiedenen Referenzbrechungsindizes ns1 und ns2;
Laminieren von k (k ist eine positive ganze Zahl) Paaren aus einer ersten Schicht mit einem Brechungsindex n1 und ei­ ner zweiten Schicht mit einem Brechungsindex n2 auf der Re­ flexionsoberfläche des optischen Mediums, worin eine Dicke der ersten Schicht:
(λ/4 + (λ/2) × N1)/n1
ist, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist; und eine Dicke der zweiten Schicht:
(λ/4 + (λ/2) × N2)/n2
ist, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist;
Bestimmen einer Dicke d3 einer dritten Schicht mit dem Brechungsindex n1, welche erfüllt:
d3 = d + (λ/2n1) × N3
wo N3 0 oder eine positive ganze Zahl ist; und
und
Bilden des dritten Films mit der Dicke d3, die bei dem Schritt zum Bestimmen der Dicke d3 bestimmt wurde, auf einer Oberfläche der zweiten Schicht bei dem k-ten Paar.
16. Laservorrichtung mit:
einem Lasermedium, das eine Oszillationswellenlänge λ und zwei Reflexionsfacetten aufweist und einen optischen Resona­ tor definiert;
einer Laminierungsstruktur, die auf mindestens einer Re­ flexionsfacette des optischen Resonators gebildet ist, der durch das Lasermedium definiert wird, welche Laminierungs­ struktur durch Laminieren von k (k ist eine positive ganze Zahl) Paaren aus einer ersten Schicht mit einem Brechungsin­ dex n1 und einer zweiten Schicht mit einem Brechungsindex n2 gebildet wird, worin eine Dicke der ersten Schicht:
(λ/4 + (λ/2) × N1)/n1
ist, wo N1 0 oder eine positive ganze Zahl ist, und eine Dic­ ke der zweiten Schicht:
(λ/4 + (λ/2) × N2)/n2
ist, wo N2 0 oder eine positive ganze Zahl ist;
einer dritten Schicht mit dem Brechungsindex n1, die auf der zweiten Schicht bei dem k-ten Paar der Laminierungsstruk­ tur gebildet ist; und
einem Schutzelement, das aus einem Material mit einem Brechungsindex ns hergestellt ist und eine Oberfläche der dritten Schicht bedeckt,
worin, falls die Dicke d3 der dritten Schicht:
d3 = d + (λ/2n1) × N3
lautet, wo N3 0 oder eine positive ganze Zahl ist, dann:
erfüllt ist.
17. Optische Vorrichtung mit:
einem optischen Medium, das einen Brechungsindex n0 und eine definierte Reflexionsfacette aufweist;
einer Laminierungsstruktur, die auf der Reflexionsfacette des optischen Mediums gebildet ist, welche Laminierungsstruk­ tur gebildet wird, indem k (k ist eine positive ganze Zahl) Paare aus einer ersten Schicht mit einem Brechungsindex n1 und einer zweiten Schicht mit einem Brechungsindex n2 lami­ niert werden, worin optische Dicken der ersten Schicht und der zweiten Schicht in bezug auf Licht mit einer Wellenlänge λ beide:
λ/4 + (λ/2) × N
sind, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist;
einer dritten Schicht, die den Brechungsindex n1 aufweist und auf der zweiten Schicht bei dem k-ten Paar der Laminie­ rungsstruktur gebildet ist; und
einem Schutzfilm, der aus einem Material mit einem Bre­ chungsindex ns hergestellt ist und eine Oberfläche der drit­ ten Schicht bedeckt,
worin, falls die Dicke d3 der dritten Schicht:
d3 = d + (λ/2n1) × N
lautet, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist, dann
erfüllt ist.
18. Optische Vorrichtung mit:
einem optischen Medium, das einen Brechungsindex n0 und eine definierte Reflexionsfacette aufweist;
einer Laminierungsstruktur, die auf der Reflexionsfacette des optischen Mediums gebildet ist, welche Laminierungsstruk­ tur gebildet wird, indem k (k ist eine positive ganze Zahl) Paare aus einer ersten Schicht mit einem Brechungsindex n1 und einer zweiten Schicht mit einem Brechungsindex n2 lami­ niert werden, worin optische Dicken der ersten Schicht und der zweiten Schicht in bezug auf Licht mit einer Wellenlänge λ beide:
λ/4 + (λ/2) × N
lauten, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist; und
einer dritten Schicht, die den Brechungsindex n1 hat und auf der zweiten Schicht bei dem k-ten Paar der Laminie­ rungsstruktur gebildet ist,
worin, falls die Dicke d3 der dritten Schicht:
d3 = d + (λ/2n1) × N
ist, wo N 0 oder eine positive ganze Zahl ist; dann
erfüllt ist.
19. Laservorrichtung mit:
einem Lasermedium mit einer Oszillationswellenlänge λ[nm], einem effektiven Brechungsindex n0 und zwei einen op­ tischen Resonator definierenden Reflexionsfacetten;
einer ersten Schicht, die auf mindestens einer Refle­ xionsfacette des Lasermediums gebildet ist, aus Siliziumoxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] aufweist;
einer zweiten Schicht, die auf einer Oberfläche der er­ sten Schicht gebildet ist, aus Silizium mit einem Brechungs­ index nsi hergestellt ist und eine Dicke d2[nm] aufweist;
einer auf einer Oberfläche der zweiten Schicht gebildeten dritten Schicht aus Siliziumoxid mit einer Dicke d3[nm];
worin der effektive Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 bis 3,28 liegt, die Dicke d1 in einem Bereich von:
(0,11 - 9,2 × 10-3R + 2,2 × 10-4R2)λ/1,45 ± 15,
liegt, die Dicke d2 in einem Bereich von:
(-8,7 × 10-3 + 3,5 × 10-3R - 1,2 × 10-5R2) × (-3,6 + 17/nsi)λ ± 15,
liegt, und die Dicke d3 in einem Bereich von:
(0,23 - 4,9 × 10-3R + 7,7 × 10-5R2)λ/1,45 ± 15
liegt, und R[%] in einem Bereich von 15 bis 30 liegt.
20. Verfahren zum Herstellen eines Reflexionsfilms, mit den Schritten:
Präparieren eines optischen Mediums mit einer Refle­ xionsoberfläche und einem Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 oder größer bis 3,28 oder kleiner; und
Bestimmen einer Wellenlänge λ von zu reflektierendem Licht und eines Reflexionsvermögens R[%];
Bilden einer ersten Schicht auf der Reflexionsoberfläche des optischen Mediums, welche erste Schicht aus Siliziumoxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] aufweist, die in einem Bereich von
(0,11 - 9,2 × 10-3R + 2,2 × 10-4R2)λ/1,45 ± 15
liegt,
Bilden einer zweiten Schicht auf einer Oberfläche der er­ sten Schicht, welche zweite Schicht aus Silizium mit einem Brechungsindex nsi hergestellt ist und eine Dicke d2[nm] auf­ weist, die in einem Bereich von
(-8,7 × 10-3 + 3,5 × 10-3R - 1,2 × 10-5R2) × (-3,6 + 17/ns1)λ ± 15,
liegt; und
Bilden einer dritten Schicht auf einer Oberfläche der zweiten Schicht, welche dritte Schicht aus Siliziumoxid mit einer Dicke d3[nm] hergestellt ist, die in einem Bereich von
(0,23 - 4,9 × 10-3R + 7,7 × 10-5R2)λ/1,45 ± 15
liegt.
21. Laservorrichtung mit:
einem Lasermedium, das eine Oszillationswellenlänge λ[nm], einen effektiven Brechungsindex n0 und zwei, einen op­ tischen Resonator definierende Reflexionsfacetten aufweist;
einer ersten Schicht, die auf mindestens einer Refle­ xionsfacette des Lasermediums gebildet ist, aus Aluminium­ oxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] aufweist;
einer zweiten Schicht, die auf einer Oberfläche der er­ sten Schicht gebildet ist, aus Silizium mit einem Brechungs­ index ns1 hergestellt ist und eine Dicke d2[nm] aufweist;
einer auf einer Oberfläche der zweiten Schicht gebildeten dritten Schicht aus Aluminiumoxid mit einer Dicke d3[nm];
worin der effektive Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 bis 3,28 liegt, die Dicke d1 in einem Bereich von:
(1,7 × 10-3 + 1,1 × 10-3R + 3,1 × 10-5R2)λ/1,72 ± 15
liegt, die Dicke d2 in einem Bereich von
(2,3 × 10-2 + 3,5 × 10-3R - 5,6 × 10-5R2) × (-1,4 + 8.9/nsi)λ ± 15
liegt, und die Dicke d3 in einem Bereich von
(0,21 - 1,9 × 10-3R + 2,1 × 10-5R2)λ/1,72 ± 15
liegt, und R[%] in einem Bereich von 15 bis 30 liegt.
22. Verfahren zum Herstellen eines Reflexionsfilms, mit den Schritten:
Präparieren eines optischen Mediums, das eine Refle­ xionsoberfläche und einen Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 bis 3,28 aufweist;
Bestimmen einer Wellenlänge λ von zu reflektierendem Licht und eines Reflexionsvermögen R[%];
Bilden einer ersten Schicht auf der Reflexionsoberfläche des optischen Mediums, welche erste Schicht aus Aluminiumoxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] aufweist, die in einem Bereich von
(1,7 × 10-3 + 1,1 × 10-3R + 3,1 × 10-5R2)λ/1,72 ± 15
liegt;
Bilden einer zweiten Schicht auf einer Oberfläche der er­ sten Schicht, welche zweite Schicht aus Silizium mit einem Brechungsindex nei und mit einer Dicke d2[nm] hergestellt ist, die in einem Bereich von
(2,3 × 10-2 + 3,5 × 10-3R - 5,6 × 10-5R2) × (-1,4 + 8.9/nsi)λ ± 15
liegt; und
Bilden einer dritten Schicht auf einer Oberfläche der zweiten Schicht, welche dritte Schicht aus Aluminiumoxid mit einer Dicke d3[nm] hergestellt ist, die in einem Bereich von
(0,21 - 1,9 × 10-3R + 2,1 × 10-5R2)λ/1,72 ± 15
liegt.
23. Laservorrichtung mit:
einem Lasermedium mit einer Oszillationswellenlänge λ[nm], einem effektiven Brechungsindex n0 und zwei, einen op­ tischen Resonator definierenden Reflexionsfacetten;
einer ersten Schicht, die auf mindestens einer Refle­ xionsfacette des Lasermediums gebildet ist, aus Siliziumoxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] aufweist;
einer zweiten Schicht, die auf einer Oberfläche der er­ sten Schicht gebildet ist, aus Silizium mit einem Brechungs­ index nsi hergestellt ist und eine Dicke d2[nm] aufweist;
einer auf einer Oberfläche der zweiten Schicht gebildeten dritten Schicht aus Aluminiumoxid mit einer Dicke d3[nm];
worin der effektive Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 bis 3,28 liegt, die Dicke d1 in einem Bereich von:
(-3,1 × 10-5 + 3,6 × 10-3R - 3,5 × 10-5R2)λ/1,45 ± 15
liegt, die Dicke d2 in einem Bereich von
(3,5 × 10-2 + 2,5 × 10-3R - 3,6 × 10-5R2) × (-2,6 + 1,4/nsi)λ ± 15
liegt, und die Dicke d3 in einem Bereich von
(0,21 - 1,9 × 10-3R + 2,1 × 10-5R2)λ/1,72 ± 15
liegt und R[%] in einem Bereich 15 bis 30 liegt.
24. Verfahren zum Herstellen eines Reflexionsfilms mit den Schritten:
Präparieren eines optischen Mediums mit einer Refle­ xionsoberfläche und einem Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 bis 3,28;
Bestimmen einer Wellenlänge λ von zu reflektierendem Licht und eines Reflexionsvermögens R[%];
Bilden einer ersten Schicht auf der Reflexionsoberfläche des optischen Mediums, welche erste Schicht aus Siliziumoxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] aufweist, die in einem Bereich von
(-3,1 × 10-5 + 3,6 × 10-3R - 3,5 × 10-5R2)λ/1,45 ± 15
liegt;
Bilden einer zweiten Schicht auf einer Oberfläche der er­ sten Schicht, welche zweite Schicht aus Silizium mit einem Brechungsindex nsi hergestellt ist und eine Dicke d2[nm] auf­ weist, die in einem Bereich von
(3,5 × 10-2 + 2,5 × 10-3R - 3,6 × 10-5R2) × (-2,6 + 1,4/nsi)λ ± 15
liegt; und
Bilden einer dritten Schicht auf einer Oberfläche der zweiten Schicht, welche dritte Schicht aus Aluminiumoxid mit einer Dicke d3[nm] hergestellt ist, die in einem Bereich von:
(0,21 - 1,9 × 10-3R + 2, 1 × 10-5R2)λ/1,72 ± 15
liegt.
25. Laservorrichtung mit:
einem Lasermedium, das eine Oszillationswellenlänge λ[nm], einen effektiven Brechungsindex n0 und zwei, einen op­ tischen Resonator definierende Reflexionsfacetten aufweist;
einer ersten Schicht, die auf mindestens einer Refle­ xionsfacette des Lasermediums gebildet ist, aus Aluminiumoxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] aufweist;
einer zweiten Schicht, die auf einer Oberfläche der er­ sten Schicht gebildet ist, aus Silizium mit einem Brechungs­ index nsi hergestellt ist und eine Dicke d2[nm] aufweist;
einer auf einer Oberfläche der zweiten Schicht gebildeten dritten Schicht aus Siliziumoxid mit einer Dicke d3[nm];
worin der effektive Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 oder größer bis 3,28 oder kleiner liegt, die Dicke d1 in einem Bereich von:
(0,12 - 1,2 × 10-2R + 3,2 × 10-4R2)λ/1,72 ± 15
liegt, die Dicke d2 in einem Bereich von
(-2,7 × 10-2 + 3,4 × 10-3R + 2,4 × 10-5R2) × (-3,8 + 2,8/nsi)λ ± 15
liegt, und die Dicke d3 in einem Bereich von
(0,23 - 4,9 × 10-3R + 7,7 × 10-5R2)λ/1,45 ± 15
liegt, und R[%] in einem Bereich von 15 bis 30 liegt.
26. Verfahren zum Herstellen eines Reflexionsfilms, mit den Schritten:
Präparieren eines optischen Mediums mit einer Refle­ xionsoberfläche und einem Brechungsindex n0 in einem Bereich von 3,18 bis 3,28;
Bestimmen einer Wellenlänge λ von zu reflektierendem Licht und eines Reflexionsvermögens R[%];
Bilden einer ersten Schicht auf der Reflexionsoberfläche des optischen Mediums, welche erste Schicht aus Aluminiumoxid hergestellt ist und eine Dicke d1[nm] aufweist, die in einem Bereich von
(0,12 - 1,2 × 10-2R + 3,2 × 10-4R2)λ/1,72 ± 15
liegt;
Bilden einer zweiten Schicht auf einer Oberfläche der er­ sten Schicht, welche zweite Schicht aus Silizium mit einem Brechungsindex nsi hergestellt ist und eine Dicke d2[nm] auf­ weist, die in einem Bereich von
(-2,7 × 10-2 + 3,4 × 10-3R + 2,4 × 10-5R2) × (-3,8 + 2,8/nsi)λ ± 15
liegt; und
Bilden einer dritten Schicht auf einer Oberfläche der zweiten Schicht, welche dritte Schicht aus Siliziumoxid mit einer Dicke d3[nm] hergestellt ist, die in einem Bereich von
(0,23 - 4,9 × 10-3R + 7,7 × 10-5R2)λ/1,45 ± 15
liegt.
DE19942470A 1998-09-08 1999-09-06 Optisches Halbeitermodul und Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleitermoduls Expired - Fee Related DE19942470B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19964228A DE19964228B4 (de) 1998-09-08 1999-09-06 Verfahren zur Herstellung eines Reflexionsfilms und Herstellung optischer Vorrichtungen die einen Reflexionsfilm verwenden

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPP10-254335 1998-09-08
JP25433598 1998-09-08
JP7034699 1999-03-16
JPP11-70346 1999-03-16
JPP11-200254 1999-07-14
JP20025499A JP3865186B2 (ja) 1998-09-08 1999-07-14 光半導体モジュール及びその製造方法
JP20902099A JP4497251B2 (ja) 1999-03-16 1999-07-23 半導体レーザの製造方法
JPP11-209020 1999-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19942470A1 true DE19942470A1 (de) 2000-05-04
DE19942470B4 DE19942470B4 (de) 2013-04-11

Family

ID=27465230

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19964228A Expired - Fee Related DE19964228B4 (de) 1998-09-08 1999-09-06 Verfahren zur Herstellung eines Reflexionsfilms und Herstellung optischer Vorrichtungen die einen Reflexionsfilm verwenden
DE19942470A Expired - Fee Related DE19942470B4 (de) 1998-09-08 1999-09-06 Optisches Halbeitermodul und Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleitermoduls

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19964228A Expired - Fee Related DE19964228B4 (de) 1998-09-08 1999-09-06 Verfahren zur Herstellung eines Reflexionsfilms und Herstellung optischer Vorrichtungen die einen Reflexionsfilm verwenden

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6448583B1 (de)
DE (2) DE19964228B4 (de)
FR (3) FR2783094B1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022106941A1 (de) 2022-03-24 2023-09-28 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2334202A1 (en) * 1998-06-05 1999-12-09 Herzel Laor Optical switch for disk drive
KR100447673B1 (ko) * 2000-04-27 2004-09-08 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 광학접속부품
DE10041079A1 (de) * 2000-08-22 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lasermodul mit Ansteuerschaltung
JP4450965B2 (ja) 2000-09-29 2010-04-14 日本碍子株式会社 光学部品の接着構造
CN1259732C (zh) * 2000-09-29 2006-06-14 欧姆龙株式会社 光学器件及其应用
US6847660B2 (en) * 2000-12-28 2005-01-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Short-wavelength laser module and method of producing the same
FR2819895B1 (fr) 2001-01-19 2003-10-03 Cit Alcatel Dispositif laser a couplage compensateur passif
US6777613B2 (en) * 2001-08-28 2004-08-17 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd Multifunctional crystal unit and method of manufacturing the same
JP3792174B2 (ja) * 2002-05-02 2006-07-05 株式会社巴川製紙所 光学接続部品
JP3802844B2 (ja) * 2002-06-14 2006-07-26 古河電気工業株式会社 光半導体モジュール
JP2004031215A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Toyota Industries Corp カラー表示デバイス
JP2005243053A (ja) * 2003-03-24 2005-09-08 Ricoh Co Ltd 色素系追記型ｄｖｄ媒体の記録再生方法及び装置
JP4148932B2 (ja) * 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法
JP4760713B2 (ja) * 2004-10-13 2011-08-31 住友ベークライト株式会社 受光装置
US8409658B2 (en) * 2007-06-27 2013-04-02 Rf Micro Devices, Inc. Conformal shielding process using flush structures
US8053872B1 (en) 2007-06-25 2011-11-08 Rf Micro Devices, Inc. Integrated shield for a no-lead semiconductor device package
US8062930B1 (en) 2005-08-08 2011-11-22 Rf Micro Devices, Inc. Sub-module conformal electromagnetic interference shield
US8959762B2 (en) 2005-08-08 2015-02-24 Rf Micro Devices, Inc. Method of manufacturing an electronic module
JP2008059658A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Sanyo Electric Co Ltd 光検出器
DE102008025491A1 (de) * 2008-05-28 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Leiterplatte
JP5507096B2 (ja) * 2009-03-05 2014-05-28 株式会社フジクラ 歯科用プローブの製造方法
US9137934B2 (en) 2010-08-18 2015-09-15 Rf Micro Devices, Inc. Compartmentalized shielding of selected components
CN102074609B (zh) * 2010-10-13 2012-07-04 清华大学 一种紫外雪崩光电二极管探测器及其制作方法
US8835226B2 (en) 2011-02-25 2014-09-16 Rf Micro Devices, Inc. Connection using conductive vias
US9627230B2 (en) 2011-02-28 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Methods of forming a microshield on standard QFN package
US9293390B2 (en) * 2013-01-11 2016-03-22 Mitsubishi Electric Corporation Heat radiation structure for semiconductor device
US9807890B2 (en) 2013-05-31 2017-10-31 Qorvo Us, Inc. Electronic modules having grounded electromagnetic shields
JP6664897B2 (ja) * 2015-07-22 2020-03-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6412042B2 (ja) 2016-03-29 2018-10-24 ファナック株式会社 レーザ発振器
JP6903534B2 (ja) * 2017-09-21 2021-07-14 Ntn株式会社 インホイールモータ駆動装置
US11127689B2 (en) 2018-06-01 2021-09-21 Qorvo Us, Inc. Segmented shielding using wirebonds
US11219144B2 (en) 2018-06-28 2022-01-04 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields for sub-modules
US11114363B2 (en) 2018-12-20 2021-09-07 Qorvo Us, Inc. Electronic package arrangements and related methods
JP7421840B2 (ja) * 2019-02-08 2024-01-25 古河電気工業株式会社 光モジュール
US11515282B2 (en) 2019-05-21 2022-11-29 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields with bonding wires for sub-modules
US11476637B2 (en) * 2019-12-16 2022-10-18 Nichia Corporation Light-emitting device

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0114258A1 (de) * 1982-11-30 1984-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Kunstharzgekapselte lichtelektrische Halbleiteranordnungen
JPS59145588A (ja) * 1983-02-09 1984-08-21 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS6090315A (ja) * 1983-10-24 1985-05-21 Dainichi Nippon Cables Ltd 遮水形光フアイバケ−ブル
US4510607A (en) * 1984-01-03 1985-04-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Semiconductor laser end-facet coatings for use in solid or liquid environments
JPS60242689A (ja) * 1984-05-16 1985-12-02 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
US4659765A (en) * 1985-02-19 1987-04-21 General Electric Company Elastomeric compositions
JPS6314489A (ja) * 1986-07-04 1988-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPH01214809A (ja) * 1988-02-23 1989-08-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 光伝送用フアイバ
JPH0793474B2 (ja) * 1988-03-01 1995-10-09 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置
DE68911420T2 (de) * 1988-08-18 1994-05-11 Seiko Epson Corp Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung.
JPH02152285A (ja) 1988-12-02 1990-06-12 Nec Corp 光伝送リンク用内部光素子
US4971927A (en) * 1989-04-25 1990-11-20 International Business Machines Corporation Method of making embedded integrated laser arrays and support circuits
DE4022234A1 (de) * 1990-07-12 1992-01-16 Herberts Gmbh Verfahren zur herstellung von schutz-, hilfs- und isoliermaterialien auf faserbasis, fuer elektrische zwecke und optische leiter unter verwendung von durch energiereiche strahlung haertbaren impraegniermassen
JPH04176180A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Fuji Electric Co Ltd 半導体レーザ素子のチップ
JPH04207091A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
DE4130175A1 (de) * 1991-09-11 1993-03-18 Nourney Carl Ernst Prof Dipl I Saiteninstrument wobei die mechanischen schwingungen der saiten in elektromagnetische schwingungen umwandelbar sind
DE4134548A1 (de) * 1991-10-18 1993-04-22 Dsg Schrumpfschlauch Gmbh Abschirmungsueberbrueckung und verfahren zu deren montage
US5228101A (en) * 1992-03-02 1993-07-13 Motorola, Inc. Electrical to optical links using metalization
DE4243874C2 (de) * 1992-12-23 1997-09-18 Fraunhofer Ges Forschung Optische Kopplungsvorrichtung
US5434874A (en) * 1993-10-08 1995-07-18 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for optimizing output characteristics of a tunable external cavity laser
US6784511B1 (en) * 1994-01-20 2004-08-31 Fuji Electric Co., Ltd. Resin-sealed laser diode device
JPH0818163A (ja) * 1994-06-24 1996-01-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光装置
JPH08110447A (ja) * 1994-10-12 1996-04-30 Hitachi Ltd 光半導体モジュ−ル及びその組立て方法
JPH08240739A (ja) 1995-03-03 1996-09-17 Fujikura Ltd 光部品と光部品の接続方法
DE19509793C2 (de) * 1995-03-17 1997-04-30 Audi Ag Zündkerzenstecker
JPH08335744A (ja) * 1995-06-06 1996-12-17 Hitachi Ltd 光半導体モジュール及びその組み立て方法
JP3966429B2 (ja) * 1996-04-18 2007-08-29 山陽石油化学株式会社 芳香族炭化水素製造用触媒
JPH10126000A (ja) * 1996-10-18 1998-05-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置モジュール
JP3881074B2 (ja) * 1996-11-21 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体レーザモジュール
JP3087676B2 (ja) * 1997-02-13 2000-09-11 日本電気株式会社 ゲル状樹脂を用いた光結合系及び実装構造
EP0864893A3 (de) * 1997-03-13 1999-09-22 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Montageplattform, optischer Modul mit dieser Montageplattform, und Verfahren zur Herstellung der Plattform und des Moduls
JP3783411B2 (ja) * 1997-08-15 2006-06-07 富士ゼロックス株式会社 表面発光型半導体レーザ
US6137121A (en) * 1997-10-01 2000-10-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Integrated semiconductor light generating and detecting device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022106941A1 (de) 2022-03-24 2023-09-28 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
FR2798518A1 (fr) 2001-03-16
FR2798519A1 (fr) 2001-03-16
US20030020076A1 (en) 2003-01-30
FR2798519B1 (fr) 2005-05-27
FR2783094B1 (fr) 2006-07-28
US6448583B1 (en) 2002-09-10
FR2798518B1 (fr) 2005-05-27
FR2783094A1 (fr) 2000-03-10
DE19942470B4 (de) 2013-04-11
US6579737B2 (en) 2003-06-17
DE19964228B4 (de) 2008-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19942470B4 (de) Optisches Halbeitermodul und Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleitermoduls
EP2047526B1 (de) Beleuchtungsanordnung
DE102005034649B4 (de) Optische Halbleitervorrichtung, optischer Verbinder und damit ausgerüstete elektronische Einrichtung
EP2132789B1 (de) Elektromagnetische strahlung emittierendes optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE102012209325B4 (de) Optoelektronisches Modul
EP1911104B1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und dünnfilm-halbleiterbauelement
EP1597776A2 (de) Beleuchtungsmodul und verfahren zu dessen herstellung
EP2510558B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102010026343A1 (de) Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102007029369A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
EP2345074A1 (de) Trägerkörper für ein halbleiterbauelement, halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines trägerkörpers
WO2013117700A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102004040277B4 (de) Reflektierendes Schichtsystem mit einer Mehrzahl von Schichten zur Aufbringung auf ein III/V-Verbindungshalbleitermaterial
DE102018118697A1 (de) Bauelement mit Begrenzungselement
EP2327110B1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102014117983A1 (de) Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen
WO2014207037A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102016103059A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
WO2018219687A1 (de) Halbleiterlaser-bauteil und verfahren zur herstellung eines halbleiterlaser-bauteils
WO2007076842A2 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und optoelektronisches bauelement mit solch einem halbleiterchip
DE10227544A1 (de) Vorrichtung zur optischen und/oder elektrischen Datenübertragung und/oder -verarbeitung
WO2022152534A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112014002703B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP2586069B1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
WO2017178525A1 (de) Lichtemittierendes bauteil

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8181 Inventor (new situation)

Free format text: YONEDA, YOSHIHIRO, YAMANASHI, JP FUKUSHIMA, AKIRA, YAMANASHI, JP SHOJI, HAJIME, YAMANASHI, JP SODA, HARUHISA, YAMANASHI, JP

8172 Supplementary division/partition in:

Ref document number: 19964228

Country of ref document: DE

Q171 Divided out to:

Ref document number: 19964228

Country of ref document: DE

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: SEEGER SEEGER LINDNER PARTNERSCHAFT PATENTANWAELTE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20130712

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee