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GEBIET DER
ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine ferroelektrische Speichervorrichtung,
die ferroelektrische Speicherzellen verwendet; und insbesondere
auf eine Speichervorrichtung, die keine getrennte Referenzzelle
für das
Erzeugen einer Referenzspannung, die beim Messen des Datenpegels
der Speicherzelle verwendet wurde, verwendet.
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Eine
aus der Praxis bekannte ferroelektrische, nicht flüchtige Speichervorrichtung
verwendet einen Speicherkondensator, der aus einem ferroelektrischen
Material besteht, das sandwichartig zwischen zwei Metallelektroden
eingeschlossen ist. 1 zeigt
eine Hystereseschleife der Ladungsvariation bezüglich der Spannung, die an
die beiden Elektroden A und B angelegt wird, der als ein Symbol in 1 dargestellt ist. Da der
ferroelektrische Kondensator zwei stabile Ladezustände P1 und
P2 aufweist, wenn die angelegte Spannung 0 V beträgt, können binäre Daten
sogar gespeichert werden, wenn keine Leistung geliefert wird. Diese
beiden stabilen Zustände
können
als bistabiler Kondensator betrachtet werden, der als ein Speicherelement
einer nichtflüchtigen
Speichervorrichtung verwendet wird. Beim ferroelektrischen Kondensator
wird der Polarisationszustand (parallele Ausrichtung) innerhalb
des ferroelektrischen Materials in Abhängigkeit vom Wert der angelegten
Spannung, die die Variation der gespeicherten Ladungen verursacht,
variiert. Beispielsweise schaltet, wenn der ferroelektrische Kondensator
den Polarisationszustand P1 der 1 aufrecht hält, und
eine genügend
große
negative Spannung, beispielsweise –3 V oder weniger an den Kondensator
gelegt wird, der Kondensator entlang der Hystereseschleife zum Polarisations zustand
P3. Wenn die negative Spannung dann vom Kondensator entfernt wird,
um die Spannung auf den Wert 0 V zu bringen, so wechselt der Kondensator
in den Zustand P2. Der Ladezustand des ferroelektrischen Kondensator wechselt
entlang der Pfeilrichtung in Abhängigkeit von
der angelegten Spannung, so daß man
eine digitale Information durch das Messen der Variation der Ladung,
die im Kondensator als Funktion der angelegten Spannung induziert
wird, erhalten kann.
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Während der
Leseoperation der ferroelektrischen Speichervorrichtung zeigt, wenn
eine Wortleitung ausgewählt
wird, eine positive Bitleitung (BL) eine andere Spannung V0 oder
V1, die von den gespeicherten Daten in der Speicherzelle ("0" oder "1") bestimmt
wird. Die Spannungssignale V0 und V1 sind kleine Signale, die beispielsweise
unter Verwendung eines Meßverstärkers verstärkt werden
müssen.
Für das
Messen und Verstärken
der Spannungssignale V0 und V1 muß ein Referenzsignal Vref an eine
negative Bitleitung (/BL) angelegt werden. Der Meßverstärker mißt, ob die
Spannung von BL größer oder
kleiner als die Referenzspannung Vref ist, die an/BL angelegt wird,
und verstärkt
die Spannungsdifferenz, um die Daten "0" oder "1", die in der Speicherzelle gespeichert
sind, auszulesen.
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Somit
muß der
Wert Vref zwischen V0 und V1 liegen, und wenn die Spannungsdifferenz
zwischen V0 und V1 größer wird,
dann ist eine genauere Leseoperation möglich. Weiterhin kann, wenn
die Kapazität
der Hauptspeicherzelle größer wird,
die Spannungsdifferenz von V1 und V0 größer gemacht werden. Diese Zwangsläufigkeit
bewirkt jedoch eine Erhöhung
der Zellgröße.
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Um
Vref in der Mitte von V0 und V1 auf/BL anzuwenden, wurden viele
Referenzzellen im Stand der Technik entwickelt, wie das beispielsweise
beschrieben ist in "1994,
Int. Solid State Circuit Conf., Papier FA16.2", 1996, Int. Solid State Circuit Conf., Papier
SP23.1", und "1996, Symp., VLSI
Circuit, Papier 5.2 ".
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Obige
Referenzzellen sind jedoch nicht ausreichend, um einen zuverlässigen mittleren
Wert zwischen V0 und V1 zu erzeugen. Darüberhinaus verbraucht die Referenzzelle
selbst Chipgebiet, kann ein Rauschen verursachen und macht den Chipbetrieb kompliziert.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, eine Speichervorrichtung
ohne eine Verwendung einer getrennten Referenzzelle für das Erzeugen
einer Referenzspannung, die beim Messen des Datenpegels der Speicherzelle
verwendet wurde, zu schaffen.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine ferroelektrische Speichervorrichtung
geschaffen, die mit Speicheranordnungen versehen ist, die eine Vielzahl
von Wortleitungen und eine Vielzahl positiver und negativer Bitleitungen
umfassen, die einander in Matrixform kreuzen, und Meßverstärker, um
eine Spannungsdifferenz zwischen den positiven und negativen Bitleitungen
zu messen und zu verstärken;
und die Speichervorrichtung umfaßt: Eine Spannungserzeugungsvorrichtung
für das Erzeugen
einer positiven gepumpten Versorgungsspannung; eine Vorladungsspannungs-Auswahlvorrichtung,
die mindestens auf die niederwertigsten Bits von Zeilenadressen
von einer Wortleitungsansteuerschaltung reagiert, für das Auswählen der
positiv gepumpten Versorgungsspannung als eine Vorladungsspannung
für die
positive Bitleitung und einer normalen Versorgungsspannung als eine
Vorladungsspannung für
die negative Bitleitung; und eine Vorladungsvorrichtung für das Vorladen
der positiven beziehungsweise negativen Bitleitungen auf die positiv
gepumpte Versorgungsspannung und die normale Versorgungsspannung
von der Vorladungsspannungs-Auswahlvorrichtung.
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Somit
wird gemäß der vorliegenden
Erfindung die Vorladungsspannung der positiven Bitleitung erhöht, so daß die Spannungsdifferenz
zwischen den positiven und negativen Bitleitungen unabhängig vom
Status des Kondensators auch erhöht wird.
Somit kann ein Meßabstand
der Meßverstärker und
die Zuverlässigkeit
der Speichervorrichtung verbessert werden. Zusätzlich verwendet die Speichervorrichtung
der vorliegenden Erfindung keine getrennten Referenzzellen, sondern
sie verwendet den Spannungspegel der negativen Bitleitung als Referenzspannung
für das
Messen der Spannungsdifferenz zwischen den positiven und negativen
Bitleitungen. Dies führt
zu einer Verkleinerung des Chips und zu niedrigeren Kosten.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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Die
obige Aufgabe und andere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden
Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung be vorzugter Ausführungsformen
in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen deutlich:
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1 zeigt
ein Symbol eines ferroelektrischen Kondensators und dessen Hystereseschleife für das Darstellen
der Beziehung zwischen der Ladung und den Spannungen, die an die
Elektroden A und B des Kondensators angelegt werden;
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2 ist
ein Schaltungsdiagramm einer ferroelektrischen Speichervorrichtung;
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3 zeigt
eine Hystereseschleife einer Ladung Q bezüglich der angelegten Spannung
V eines ferroelektrischen Kondensators für das Vergleichen der Spannungsvariation
der BL in der vorliegenden Erfindung mit der des Standes der Technik;
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4A ist
ein Zeitdiagramm für
eine Leseoperation einer konventionellen ferroelektrischen Speichervorrichtung;
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4B ist
ein Zeitdiagramm für
eine Leseoperation einer ferroelektrischen Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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5 ist
ein Schaltungsdiagramm einer ferroelektrischen Speichervorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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6 ist
ein Schaltungsdiagramm einer Vorladungsspannungs-Auswähleinheit
der vorliegenden Erfindung; und
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7 ist
eine Signalwellenform einer ferroelektrischen Speichervorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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2 ist
ein Schaltungsdiagramm einer ferroelektrischen Speichervorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung. Eine Hauptspeicherzelle 200 der Speichervorrichtung
umfaßt
einen ferroelektrischen Kondensator C1, der zwischen einer Zellenplatte
und einem Knoten B verbunden ist, und einen Schalttransistor T1,
der zwischen dem Knoten B und einer positiven Bitleitung BL verbunden
ist. Ein Meßverstärker 210 mißt und verstärkt die
Spannungsdifferenz zwischen den positiven und negativen Bitleitungen BL
und/BL. Bei einer Operation, um gespeicherte Daten aus der Zelle
in der ferroelektrischen Speichervorrichtung zu lesen, wird eine
Spannungsdifferenz an beiden Elektroden des ferroelektrischen Kondensators
C1 der Hauptzelle 200 angelegt.
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Für das Anlegen
der Spannung werden im Stand der Technik die Potentiale beider Elektroden des
Kondensators C1 anfänglich
auf Erdpotential, das ist 0V, oder VSS-Pegel gehalten, und dann
wird BL auf den VSS-Pegel vorgeladen. Durch das Anheben der Zellplatte
auf den VCC-Pegel (positiver Spannungspegel der Leistungsversorgung),
beim Anschalten des Schalttransistors T1 wird die Spannungsdifferenz
zwischen zwei Elektroden des ferroelektrischen Kondensators C1 erzeugt.
Alternativ wird das anfängliche
Potential der Kondensatorelektroden auf dem Erd- oder VSS-Pegel
gehalten, und dann wird eine Spannungsdifferenz an den ferroelektrischen
Kondensator C1 angelegt, indem die BL auf den VCC-Pegel angehoben
wird, gefolgt von einem Einschalten des Transistors T1, während die
Zellplattenspannung bei VSS verbleibt. Die obigen beiden Schemata
für das
Anwenden einer Spannungsdifferenz auf den Kondensator sind im wesentlichen
dieselben wie bei dem ferroelektrischen Kondensator C1. In der folgenden
Beschreibung werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung mit dem letzteren Fall, bei dem die BL auf eine höhere Spannung
als die Zellplatte vorgeladen wird, erläutert.
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3 zeigt
eine Hystereseschleife der Ladung Q bezüglich der angelegten Spannung
V eines ferroelektrischen Kondensators für das Vergleichen der Spannungsvariation
der BL in der vorliegenden Erfindung mit der des Standes der Technik.
Wenn die anfänglichen
Spannungen, die auf den Kondensator C1 angewandt werden, VSS betragen,
so wird sich der ferroelektrische Kondensator C1 entweder in einem
Punkt "0" (wenn die gespeicherten
Daten "0" betragen) oder in
einem Punkt "1" (wenn die gespeicherten
Daten "1" betragen) befinden,
da keine Spannungsdifferenz vorhanden ist.
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Wenn
die BL auf die VCC vorgeladen wird, und dann der Schalttransistor
T1 angeschaltet wird, so treten elektrische Ladungen in den ferroelektrischen
Kondensator ein, so daß die
Spannung des Knoten B erhöht
wird, während
die Spannung von BL erniedrigt wird, bis die beiden Spannungen einen schließlich identischen
Potentialpegel als Ergebnis eines sogenannten Ladungsteilungseffekts
erreichen. Der endgültige
Spannungswert wird durch die Q-V-Schleife des ferroelektrischen
Kondensators und die Kapazität
der BL bestimmt. Wenn der anfänglichen
Punkt des Kondensators "0" beträgt, so bewegt
sich die Spannung des Knotens B zu V0 vom Punkt "0" durch
den Ladungsfluß von
Q0, wenn der Schalttransistor einschaltet. Zu dieser Zeit schaltet die
BL auf Punkt V0 vom anfänglichen
Punkt VCC0, der die BL darstellt, die die anfängliche Spannung des VCC-Pegels
hat. Der absolute Wert des Gradienten einer Linie, die die Punkte
VCC0 und V0 verbindet, ist die Kapazität der BL.
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Wenn
andererseits der Kondensator anfänglich
auf den Punkt "1" gesetzt wird, so
fließt
die Ladung Q1 aus dem Kondensator C heraus, wenn der Schalttransistor
Q1 anschaltet. Somit geht die Spannung des Knoten B des ferroelektrischen
Kondensators zu Punkt V1 vom anfänglichen
Punkt "1", und BL bewegt sich
von Punkt VCC1 zu V1. Zu dieser Zeit sind, da der Gradient der Q-V-Schleife
in Abhängigkeit
vom anfänglichen
Zustand des ferroelektrischen Kondensator C1 variiert, die Ladungen
Q0 und Q1 verschieden, und auch die Spannungen V0 und V1 haben unterschiedliche
Pegel. Mit anderen Worten, die Anfangszustände "0" oder "1" des ferroelektrischen Kondensators
C1 ergeben die BL Spannung von V0 beziehungsweise V1.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird BL auf VCC + α (positiv
gepumpter Versorgungsspannungspegel) höher als der VCC-Pegel vorgeladen. Wenn
der anfängliche
Zustand des ferroelektrischen Kondensators C1 "0" ist,
so bewegt sich der Knoten B vom anfänglichen Punkt "0" zum Punkt V0', wenn die Ladung von Q0' fließt, wenn
sich der Schalttransistor anschaltet. Die Ladung Q0' ist größer als
Q0, und die Spannung V0' ist
höher als
V0, da die anfängliche
Spannung von BL erhöht
wird, während
die Kapazität
von BL konstant gehalten wird. Wenn sich der Kondensator C1 anfänglich am
Punkt "1" befindet, so fließt die Ladung
von Q1' so, wenn
sich der Schalttransistor anschaltet, daß der Knoten B vom Punkt "1" auf den Punkt V1' geändert
wird. Das Potential des Punktes V1' ist höher als das des Punktes V1.
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Wie
man aus der Natur der Q-V-Schleife eines ferroelektrischen Kondensators
sieht, ist die Spannungsdifferenz V1' – V0' immer größer als
die Spannungsdifferenz V1 – V0,
da die Linie, die die Punkte V0 und V0' verbindet, steiler als die Linie ist, die
V1 und V1' verbindet,
und somit ist die Spannungsdifferenz V0' – V0
immer kleiner als die Spannungsdifferenz V1' – V1.
Somit wird der Meßabstand und
die Zuverlässigkeit
der ferroelektrischen Speichervorrichtung in der vorliegenden Erfindung
verbessert, indem die Spannungsdifferenz von BL beim Lesen der Daten
0 und 1 mit der höheren
Bitleitungsvorladungsspannung größer gemacht
wird.
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Zusätzlich ist
es durch das Steuern des Wertes von α, wenn die Bitleitung BL auf
VCC + α vorgeladen
wird, möglich,
die VCC in der Mitte der Punkte V0' und V1' anzuordnen. Mit dem BL-Vorladungspegel
von VCC + α und
dem/BL-Vorladungspegel von VCC ist es während einer Leseoperation für den Meßverstärker auch
möglich,
die Spannungsdifferenz zwischen BL und/BL ohne die Verwendung einer getrennten
Referenzzelle zu messen und zu verstärken, da die/BL die Rolle der
Referenzspannung spielt.
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Die 4a und 4b sind
Zeitdiagramme für
Leseoperationen der ferroelektrischen Speichervorrichtungen des
Standes der Technik beziehungsweise der vorliegenden Erfindung. 4a zeigt
ein konventionelles Zeitdiagramm, wenn die Spannungen von BL und/BL
auf VCC vorgeladen sind, und sich der Schalttransistor T1 nach der
Vorladungsoperation anschaltet. Bei der konventionellen Zeitgebung werden,
wenn ein gespeichertes Datum "1" ausgelesen wird,
die BL und/BL-Spannungen durch das Leiten des Schalttransistors
erniedrigt, um eine kleine Spannungsdifferenz zu erzeugen. Und der
Meßverstärker 210 arbeitet,
um die Spannungsdifferenz mit einer Referenzspannung Vref, die durch
eine Referenzzelle erzeugt wird, zu messen und zu verstärken, so
daß BL
auf den VCC-Pegel verstärkt
wird, während/BL
auf den VSS-Pegel verstärkt
wird. Andererseits wird im Falle, bei dem die Lesedaten "0" sind, die BL und die/BL ebenso erniedrigt,
wenn sich der Schalttransistor T1 anschaltet, um eine kleine Spannungsdifferenz
zu erzeugen. Und der Meßverstärker 210 arbeitet,
um die Spannungsdifferenz mit einer Referenzspannung Vref, die durch
eine Referenzzelle erzeugt wird, zu messen und zu verstärken, so daß/BL auf
VCC-Pegel verstärkt
wird, während
BL auf VSS-Pegel verstärkt
wird.
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4b zeigt
ein Zeitdiagramm gemäß der vorliegenden
Erfindung, in welchem BL auf VCC + α und/BL auf VCC vorgeladen wird.
Der Schalttransistor wird nach der Vorladungsoperation angeschaltet. Wenn
das Datum "1" ausgelesen wird,
so wird die Spannung auf BL auf einem Pegel, der höher als
der VCC-Pegel liegt, erniedrigt, während die/BL-Spannung auf dem
VCC-Pegel verbleibt. Und dann arbeitet der Meßverstärker, um die BL auf VCC und
die/BL auf VSS zu verstärken,
wobei der VCC-Pegel von/BL die Referenzspannung darstellt. Andererseits
wird, wenn das Datum "0" ausgelesen wird,
das Potential von BL auf einen Pegel erniedrigt, der niedriger als der
VCC-Pegel liegt, während
das Potential von/BL auf dem VCC-Pegel gehalten wird. Und dann arbeitet der
Meßverstärker, um
BL auf VSS und/BL auf VCC zu verstärken, wobei VCC von/BL die
Rerferenzspannung darstellt.
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5 ist
ein Schaltungsdiagramm einer ferroelektrischen Speichervorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung. Wie oben beschrieben wurde, ist die Speichervorrichtung
der vorliegenden Erfindung konstruiert, um BL auf VCC + α und/BL auf
VCC vorzuladen, um Daten aus der Speichervorrichtung ohne getrennte
Referenzzelle auszulesen. Eine Speicherzelle besteht aus einem Schalttransistor
und einem ferroelektrischen Kondensator. Eine Speicheranordnung 500 umfaßt eine
Vielzahl von Wortleitungen und eine Vielzahl von Bitleitungen, die
einander kreuzen, um eine Matrix zu bilden. Meßverstärker 510 messen und
verstärken
die Spannungsdifferenz zwischen BL und/BL. Zeilenadressenpuffer 540 geben
extern ankommende Zeilenadressen für eine auszuwählende Speicherzelle
weiter, und die empfangenen Zeilenadressen werden durch die Wortleitungsansteuerschaltung 550 dekodiert,
um eine ausgewählte
Wortleitung WL freizuschalten. Eine Vorladungsspannungs-Auswahleinheit 520 gibt
ohne Spannungsverlust VCC + α und
VCC zu einer Vorladungseinheit 560 weiter, indem sie auf
die niederwertigsten Bits (LSB) der erstmalig geladenen Zeilenadressen,
die von der Wortleitungsansteuerschaltung 550 kommen, reagiert,
so daß VCC
+ α und
VCC ausgewählt
zu BL und/BL weitergegeben werden können. Die Vorladungseinheit 560 lädt BL und/BL auf
VCC + α beziehungsweise
VCC vor, die von der Vorladungsspannungsauswahleinheit 520 geliefert werden.
Ein VCC + α-Generator 530 erzeugt
den Spannungspegel von VCC + α für das Vorladen
der BL.
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6 ist
ein Schaltungsdiagramm der Vorladungsspannungsauswahleinheit 520.
Die Vorladungsspannungsauswahleinheit 520 umfaßt einen ersten
Schaltungsblock 521 für
das Wählen
der Vorladungsspannung für
BL, einen zweiten Schaltungsblock 523 und einen dritten
Schaltungsblock für
das Wählen
der Vorladungsspannung für/BL.
Der erste Schaltungsblock 521 umfaßt einen PMOS-Transistor P361
und einen NMOS-Transistor N386, die seriell zwischen VCC + α und VCC
verbunden sind und als gemeinsame Gate-Eingabe die vorgeladenen
LSB empfangen. Der zweite Schaltungsblock 523 ist mit einem
PMOS-Transistor P384 und einem NMOS-Transitor N382, die seriell
zwischen einer positiven Versorgungsspannung Vpp und dem VSS verbunden
sind, versehen, um/BL auf einen verlustlosen VCC-Pegel vorzuladen.
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Der
dritte Schaltungsblock 522 umfaßt einen PMOS-Transistor P377
und einen NMOS-Transistor N387, die seriell zwischen VCC + α und VCC
verbunden sind, und als gemeinsame Gate-Eingabe das Ausgangssignal
des zweiten Schaltungsblocks 523 empfangen.
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Der
Betrieb der Speichervorrichtung der vorliegenden Erfindung wird
unter Bezug auf die 5 und 6 erläutert.
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Wenn
das LSB, das aus dem Zeilenadressenpuffer 540 kommt, niedrig
ist, so wird das niedrige LSB in die Vorladungsspannungsauswahleinheit 520 über die
Wortleitungsansteuerschaltung 550 eingegeben. Diese niedrige
Signal wird als gemeinsame Gate-Eingabe in die Vorladungseinheit 560 eingegeben,
so daß VCC
+ α, das
durch den VCC + α-Generator 530 erzeugt
wird, BL zugewiesen wird und VCC/BL zugewiesen wird. Die Vorladungseinheit 560 lädt in Erwiderung
auf ein Bitleitungsvorladungssignal HPB die BL (BL0 bis BLn), die
mit den geradzahligen Wortleitungen (WL0 bis WLn-1) über einen NMOS-Transistor
verbunden ist, auf VCC + α vor, und
lädt/BL
auf VCC vor. Andererseits wird, wenn LSB einen hohen Pegel aufweist,
dieses hohe Signal zu einem höheren
Pegel durch die Wortleitungstreiberschaltung 550 verstärkt und
gelangt dann in die Vorladungsspannungsauswahleinheit 520.
Die Vorladungsspannungsauswahleinheit 520 wählt, indem sie
das hohe Signal als ihre gemeinsame Gate-Eingabe empfängt, VCC
+ α vom
Generator 530 für
BL und VCC für/BL.
In Erwiderung auf das Bitleitungsvorladungssignal HPB lädt die Vorladungseinheit 560 BL
(BL0 bis BLn), die mit der ungeradzahligen Wortleitung (WL1 bis
WLn) verbunden ist, auf den VCC + α Pegel und/BL (/BL0 bis/BLn)
auf den VCC-Pegel.
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Wenn
die ausgewählte
Wortleitung angesteuert wird, wird die vorgeladene Spannung VCC
+ α auf
jeder BL zu einem Spannungspegel geändert, der in Abhängigkeit
vom gespeicherten Datenwert "0" oder "1" entweder höher oder niedriger als VCC
auf der/BL ist. Zu dieser Zeit werden Ansteuersignale SAP und SAN
für den
Meßverstärker freigeschaltet, um
die Spannung auf der BL zu verstärken,
und um die gespeicherten Daten "0" oder "1" auszulesen. Die Signalwellenform während dieser
Operation ist in 7 gezeigt.
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Unter
Bezug auf die 5 bis 7 wird eine
Leseoperation, um die Daten "0" oder "1", die im ferroelektrischen Kondensator
C1 gespeichert sind, auszulesen, erläutert.
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Zuerst
wird in einem Stand-by-Zustand ein hoher Pegel des PBL eingegeben,
um BL und/BL auf VSS vorzuladen. Im Zeitintervall A, das in 7 gezeigt
ist, wird das HPB-Signal auf einen niedrigen Pegel gebracht, um
BL auf VCC + α vorzuladen,
während/BL
auf VCC gebracht wird. Wenn das WL-Signal im Zeitintervall B auf
einen hohen Pegel geht, so wird eine große positive Spannung an die
Elektroden des ferroelektrischen Kondensators gelegt, so daß sich der
Kondensator von einem Punkt 'a' zu einem Punkt 'b' (wenn das Datum "0" gelesen
wird) oder von einem Punkt 'g' zu einem Punkt 'h' bewegt (wenn das Datum "1" gelesen wird). Zusätzlich hat BL durch den Ladungsteilungseffekt
einen konstanten Potentialpegel 700 zwischen VCC + α und VCC,
wenn das Datum "1" aus der Zelle ausgelesen
wird. Andererseits hat BL beim Lesen des Datums "0" einen
Spannungspegel 710, der niedriger ist als VCC. Zu dieser Zeit
wird die Zellenplatte mit VSS versorgt, und/BL wird auf seinem vorherigen
VCC-Spannungspegel gehalten.
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Im
Zeitintervall C beginnt der Meßverstärker seinen
Betrieb, um BL unter Bezug auf VCC von/BL zu verstärken, so
daß BL
auf VSS (Lesen des Datums "0") oder VCC (Lesen
des Datums "1") gebracht wird.
Zu dieser Zeit bewegt sich der Punkt auf der Q-V-Schleife vom Punkt 'b' zu Punkt 'c' (Lesen
des Datums "0") oder von Punkt 'h' zu Punkt 'i' (Lesen
des Datums "1").
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Nachdem
die Leseoperation für
die Daten beendet ist, werden in den Zeitintervallen D, E und F Wiederherstellungsoperationen
für das
Zurückkehren
in den anfänglichen
Zustand durchgeführt.