DE19810519A1 - Kombination aus Heizelement und Meßfühler - Google Patents

Kombination aus Heizelement und Meßfühler

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Description

Die Erfindung betrifft eine Kombination aus Heizelement und Meßfühler mit zwei Anschlüssen, die eine Heizvorrichtung und einen darin integrierten Meßfühler umfaßt. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Kombination aus Heizelement und Meßfühler, die als Heizvorrichtung in einem Lötkolben verwendet werden kann.
In Fig. 11 ist die Spitze eines Lötkolbens dargestellt, bei dem eine stabförmige keramische Heizvorrichtung 51 gezeigt ist, die in den vorderen Teil 52 eines Lötkolbens eingepaßt ist. Diese keramische Heizvorrichtung 51 umfaßt eine um einen keramischen Kern gewickelte grüne Keramikfläche 53. Auf die grüne Keramikfläche 53 sind Bahnen für die Heizvorrichtung sowie für den Meßfühler aufgedruckt. Die topologische Anordnung der Bahnen ist beispielhaft in Fig. 12 dargestellt. Bei diesem Beispiel bestehen die Leiterbahnen 55 des Meßfühlers aus mit einer Wolframpaste in einer Breite von 0,2 mm aufgedruckten Bahnen und die Leiterbahnen 54 der Heizvorrichtung aus mit einer Wolframpaste in einer Breite von 0,4 mm aufgedruckten Bahnen, wobei diese die Bahnen 55 des Meßfühlers umgeben. Die Bahnen 55 des Meßfühlers erstrecken sich zur Rückseite über die Bahnen 54 der Heizvorrichtung hinaus und sind mit den Meßfühlerelektroden 56 verbunden, während die Bahnen 54 der Heizvorrichtung mit den Heizelektroden 57 verbunden sind, die vor den Elektroden 56 des Meßfühlers angeordnet sind.
Die in den Fig. 11 und 12 dargestellte, einen Meßfühler umfassende keramische Heizvorrichtung hat den Nachteil, daß ihr Außendurchmesser wegen ihrer vier Anschlüsse nicht unter einen Wert von 3,5 mm verringert werden kann. Soll die Größe des Lötkolbens weiter verringert werden, kann der Durchmesser des Rohres wegen der beschränkten Möglichkeiten in der Anordnung der Anschlüsse nicht weiter verringert werden. Weil der Meßfühler auf der Außenfläche des keramischen Kerns vorgesehen ist, ergibt sich als weiterer Nachteil, daß die Temperatur an der Spitze des Lötkolbens nicht genau bestimmt werden kann. Weiterhin muß bei Lötkolben, bei denen die Messung der Temperatur an deren Spitze mit Hilfe der Temperaturabhängigkeit eines Widerstandes durchgeführt wird, eine erhebliche Ausdehnung in den Materialien berücksichtigt werden, so daß jedes Material so ausgewählt werden muß, daß es sich nur innerhalb bestimmter Toleranzgrenzen verändert. Der dargestellte Lötkolben stellt insofern keine Ausnahme dar.
Inzwischen sind auch Meßfühler verfügbar, die in der Weise hergestellt sind, daß an Stelle einer um einen keramischen Kern gewickelten grünen Fläche ein elektrothermischer Draht direkt um den keramischen Kern gewunden ist und die Windungen für die erforderliche Isolation mit einem keramischen Überzug bedeckt sind.
Nachteilig an einer derartigen Heizvorrichtung ist jedoch, daß der keramische Überzug, wenn er aus dicht gepackten feinen keramischen Partikeln besteht, wegen des im Vergleich zum thermischen Ausdehnungskoeffizienten des keramischen Überzugs relativ hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des elektrothermischen Drahtes dazu neigt, Risse zu entwickeln. Werden andererseits grobkörnigere keramische Partikel für den keramischen Überzug verwendet, sinkt dadurch der Isolationswiderstand, was zu einem Abfließen des Stroms in das bearbeitete Material, z. B. einem Substrat, führt.
Um die oben geschilderten Nachteile im Stand der Technik zu überwinden, hat sich die vorliegende Erfindung die Aufgabe gestellt, eine Kombination aus Heizelement und Meßfühler zur Verfügung zu stellen, mit der es trotz ihres einfachen Aufbaus einerseits möglich ist, die Temperatur an der Spitze eines Lötkolbens genau zu messen, und die andererseits eine zuverlässige Isolierung aufweist, bei der also keine Gefahr besteht, daß Risse in der Isolierung auftreten.
Zur Lösung der Aufgabe stellt die Erfindung eine Kombination aus Heizelement und Meßfühler zur Verfügung, umfassend ein beheiztes, aus einem ersten metallischen Material bestehendes Element, ein unbeheiztes, aus dem ersten metallischen Material bestehendes Element, und ein unbeheiztes, aus einem zweiten metallischen Material bestehendes Element, wobei das aus dem ersten metallischen Material bestehende beheizte Element mit dem vorderen Ende des unbeheizten, aus dem zweiten metallischen Material bestehenden Elements verschweißt ist, und weiter das erste metallische Material eine elektrothermische Eisen-Chrom-Legierung ist, und das zweite metallische Material Nickel oder eine Nickel-Chrom-Legierung ist, wodurch zwischen ihnen ein Thermoelement gebildet ist.
Vorzugsweise umfaßt das aus dem ersten metallischen Material bestehende beheizte Element einen Draht mit vergleichsweise kleinem Querschnitt, der in Form einer Spule um ein zylinderförmiges, isolierendes Rohr gewunden ist und mit dem aus dem ersten metallischen Material bestehenden unbeheizten Element verbunden ist, das ein gerader Draht mit vergleichsweise großem Querschnitt ist und fest auf der Außenfläche des isolierenden Rohres befestigt ist, wobei das aus dem zweiten metallischen Material bestehende unbeheizte Element linear in der Bohrung des isolierenden Rohres verläuft.
Da erfindungsgemäß eine elektrothermische Eisen- Chrom-Legierung in Verbindung mit Nickel oder einer Nickel-Chrom-Legierung zur Bildung eines Thermoelements verwendet wird, kann die Temperatur an der Spitze des Lötkolbens einfach und mit hoher Genauigkeit bestimmt werden.
Die Erfindung wird in einer bevorzugten Ausführungsform unter Bezugnahme auf eine Zeichnung beschrieben, wobei weitere vorteilhafte Einzelheiten den Figuren der Zeichnung zu entnehmen sind. Funktionsmäßig gleiche Teile sind dabei mit denselben Bezugszeichen versehen.
Die Figuren zeigen im einzelnen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung, in der der grundlegende Aufbau der Kombination aus Heizelement und Meßfühler gezeigt ist, wie sie das Prinzip der Erfindung verkörpert;
Fig. 2 die in Fig. 1 dargestellte Kombination aus Heizelement und Meßfühler, wobei diese in ein Rohr aus isolierendem Material eingebaut ist;
Fig. 3 ein Diagramm, in dem das Temperaturprofil der in Fig. 1 gezeigten Kombination aus Heizelement und Meßfühler gezeigt ist;
Fig. 4 ein Diagramm, in dem die für die in Fig. 1 gezeigte Kombination aus Heizelement und Meßfühler charakteristische thermoelektrische Kraft dargestellt ist;
Fig. 5 eine Darstellung, in der die geometrische Beziehung zwischen der in Fig. 2 dargestellten Kombination aus Heizelement und Meßfühler und einer Schutzröhre gezeigt ist;
Fig. 6 eine Gesamtansicht der Heizvorrichtung des Lötkolbens;
Fig. 7 ein Schnittbild durch den Lötkolben, das dessen Aufbau zeigt;
Fig. 8 ein Diagramm, in dem ein Teil des Schaltplanes für die Temperaturüberwachung des Lötkolbens dargestellt ist;
Fig. 9 ein Diagramm, in dem der restliche Teil des Schaltplanes für die Temperaturüberwachung gezeigt ist;
Fig. 10 ein Zeitdiagramm, in dem der periodische Verlauf der Werte in den entsprechenden Abschnitten der in Fig. 8 dargestellten Temperaturüberwachung dargestellt ist;
Fig. 11 eine Darstellung des Aufbaus eines bekannten Lötkolbens;
Fig. 12 eine Darstellung der Leiterbahnen für die Heizvorrichtung und den Meßfühler.
Wie in den Fig. 1 und 2 dargestellt, umfaßt der wesentliche Teil der erfindungsgemäßen Heizvorrichtung des Lötkolbens ein zylinderförmiges isolierendes Rohr 1 mit einer axialen Bohrung 1a und einer darauf vorgesehenen Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler. Das isolierende Rohr 1 kann zum Beispiel ein Aluminiumrohr sein.
Bei der in Fig. 1 dargestellten Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler ist das Ende 3a eines spulenförmig gebogenen Heizdrahtes 3 an der Spitze 4a eines geraden unbeheizten Drahtes 4 mittels Argon-Schweißens festgeschweißt. Das andere Ende 3b des Heizdrahtes ist an einem geraden unbeheizten Draht 5 mittels Argon-Schweißens festgeschweißt. Der Heizdraht 3 besteht aus einer Eisen-Chrom-Legierung. Typische Zusammensetzungen der Legierung sind in Tab. 1 aufgeführt.
Tabelle 1
Von diesen Eisen-Chrom-Legierungen wird vorzugsweise Kanthal D (ein Kanthal-Draht der Firma Kanthal Co.) verwendet. Das Verhältnis der wesentlichen Bestandteile beträgt Cr = 22,0 und Al = 4,8. Als alternative Zusammensetzungen können auch solche mit einem Verhältnis Cr = 22,0 / Al = 5,8; Cr = 22,0, / Al 5,3 sowie Cr = 20,0 / Al = 4,0 verwendet werden.
Bei der gezeigten Ausführungsform besteht der unbeheizte Draht 4 aus Nickel, während der unbeheizte Draht 5 und der Heizdraht 3 aus derselben Kanthal D-Legierung bestehen. Um eine Wärmeentwicklung im unbeheizten Draht 5 zu vermeiden hat der Durchmesser des unbeheizten Drahtes 5 ungefähr den 2,5-fachen Wert des Durchmessers des Heizdrahtes 3.
Wird die Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler von elektrischem Strom durchflossen, wird im Heizdraht 3 Wärme erzeugt, so daß theoretisch das in Fig. 3(b) gezeigte Temperaturprofil erhalten wird. Während die Temperatur an den Enden 4b, 5b der unbeheizten Drähte 4, 5 im wesentlichen identisch und gleich T0 ist, weisen die Argon-verschweißten Stellen 4a, 3a eine Temperatur T1 auf und der Heizdraht 3 weist in seinem mittleren Abschnitt eine hohe Temperatur auf. Die Kanthal-Drähte (3, 5) und der Nickeldraht (4) bilden ein Thermoelement, was im Ergebnis zu einer elektromotorischen Kraft in der Größenordnung von
α(T1-T0)-β(T1-T0)
zwischen dem Ende 4b des unbeheizten Drahtes 4 und dem Ende 5b des unbeheizten Drahtes 5 (Kanthal-Draht) führt, wobei der Seebeck-Koeffizient des Nickels mit α und der Seebeck-Koeffizient des Kanthal-Drahtes β ist.
Da α und β entgegengesetzte Vorzeichen aufweisen, addieren sich die elektromotorischen Kräfte der unbeheizten Drähte 4, 5 gegenseitig. Die Temperatur des vorderen Endes 5a des unbeheizten Drahtes 5 steigt mit steigender Temperatur des Heizdrahtes 3 und, sofern Nickel als Material für den unbeheizten Draht 5 gewählt wird, sinkt als Folge die elektromotorische Kraft zwischen den Enden 4b, 5b der unbeheizten Drähte 4, 5.
(Werte in mV)
(Werte in mV)
Tabelle 2 zeigt Meßwerte der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler. Die Temperatur der Argon­ verschweißten Punkte 3a, 4a wurde von 0°C auf 500°C erhöht und die Spannungsdifferenz an den Enden der unbeheizten Drähte 4b, 5b gemessen. Wie aus Tabelle 2 hervorgeht, wird im Temperaturbereich von 200°C-450°C, in dem normalerweise mit Lötkolben gearbeitet wird, eine gute Linearität beobachtet. Die mit dem Meßfühler erhaltenen Werte scheinen daher geeignet für eine praktische Anwendung. Fig. 4 zeigt ein Diagramm, in dem die Meßwerte (B) der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler mit den Meßwerten (A) eines Thermoelements K verglichen werden, woraus ersichtlich ist, daß die elektromotorische Kraft der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler etwa halb so hoch ist wie die elektromotorische Kraft des Thermoelements K. Wie aus dem Diagramm entnommen werden kann, können mit der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler zuverlässige Meßwerte bis zu einer Temperatur von 600°C erhalten werden, woraus sich ergibt, daß die Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler nicht nur bei Temperaturen verwendet werden kann, wie sie bei Lötkolben auftreten, sondern auch für andere Anwendungen.
Im folgenden wird das Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Heizvorrichtung für Lötkolben beschrieben. Zunächst wird der unbeheizte Draht 4 in die Bohrung 1a des Isolationsrohres 1 eingeführt und der Heizdraht 3 um die Außenfläche des Isolationsrohres 1 gewunden. Dann wird unter Verwendung eines Befestigungsdrahtes 6 aus Kanthal- Draht der unbeheizte Draht 5 auf der Außenfläche des Isolationsrohres 1 befestigt (Fig. 2).
Anschließend wird mittels einer Tauchtechnik ein erster keramischer Überzug 7 über den argonverschweißten Punkten 3a, 4a, dem Heizdraht 3 und dem Befestigungsdraht 6 aufgetragen und der Überzug getrocknet und gebrannt. Der oben genannte erste keramische Überzug 7 besteht aus einer wäßrigen Dispersion, welche ein Bindemittel sowie ein grobes Aluminiumpulver enthält, und nachdem der Überzug getrocknet und gebrannt wurde sind die argonverschweißten Punkte 3a, 4a und der Heizdraht 3 fest mit dem Isolationsrohr 1 verbunden. Da der keramische Überzug 7 aus einer Dispersion gröberer Teilchen besteht, kann er den Unterschied in den thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Isolationsrohr 1 und dem Heizdraht 3 wirksam ausgleichen, so daß keine Risse oder Ablösungen während des Gebrauchs auftreten.
Anschließend wird im Tauchverfahren ein zweiter keramischer Überzug 8 aufgebracht, getrocknet und eingebrannt. Gleichzeitig wird durch den keramischen Überzug 8 die Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler in der im vorderen Abschnitt 9 des Lötkolbens vorgesehenen Ausnehmung 9a gesichert (Fig. 5). Natürlich besteht die Spitze 9 des Lötkolbens aus einem Material mit hoher thermischer Leitfähigkeit.
Der zweite keramische Überzug 8 besteht aus einer wäßrigen Dispersion, die ein Bindemittel sowie feinkörniges Aluminiumpulver enthält und wenn dieser Überzug getrocknet und gebrannt ist, wird eine sichere Isolation erhalten. Des weiteren wird durch den zweiten keramischen Überzug 8 die Kombination aus Heizelement und Meßfühler fest mit dem vorderen Abschnitt des Lötkolbens verbunden.
Da bei der erfindungsgemäßen Kombination aus Heizelement und Meßfühler der unbeheizte Draht 4 in der Bohrung 1a des Isolationsrohres 1 von Luft umgeben ist, wird der unbeheizte Draht 4 im wesentlichen nicht von der Temperatur des Heizdrahtes 3 beeinflußt. Da der unbeheizte Draht 4 ein Nickeldraht ist, der gegen oxidative Korrosion unempfindlich ist, kann er auch in Kontakt mit Luft stehen.
Nachdem die Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler sicher in der Ausnehmung 9a in der Spitze 9 des Lötkolbens befestigt ist, wird das Schutzrohr 10 auf der Außenseite der Spitze 9 an deren vorderen Ende befestigt (Fig. 5). Weiter wird ein synthetisches Harz 11 (Anschlußabschnitt) am Ende des Schutzrohres 10 angebracht, wobei die Anschlüsse 12, 13 aus dem synthetischen Harz vorstehen, wodurch im Ergebnis eine integrierte Heizvorrichtung für einen Lötkolben erhalten wird (Fig. 6). Diese Heizvorrichtung für einen Lötkolben kann angebracht oder abgenommen werden, indem die Anschlüsse 12, 13 mit den entsprechenden Verbindungsstücken verbunden bzw. von diesen getrennt werden. Wie in Fig. 7 dargestellt, wird das Ende des Schutzrohres 10 fest in einem Griff 14 festgehalten und ein Thermistor TH zur Temperaturmessung ist in unmittelbarer Nähe zu den Verbindungen 12, 13 vorgesehen.
Die Fig. 8 und 9 zeigen den Schaltplan für die Temperaturkontrolleinheit sowie die Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler. Der dargestellte Schaltplan für die Temperaturkontrolle umfaßt im wesentlichen die Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler um die Spitze des Lötkolbens aufzuheizen und dessen Temperatur T1 an der Spitze zu messen, wobei mit dem Thermistor TH die Temperatur T0 an der Basis der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler gemessen wird, eine Energieversorgungseinheit 15 für die Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler, einen Verstärker 16, mit dem der Output des Thermoelements der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler verstärkt wird, eine Additionseinheit 17, in der der Wert des Thermoelements und der Wert des Thermistors aufaddiert werden, ein Doppelweggleichrichter 18 um die Wechselspannung gleichzurichten (s. Fig. 9, in der auch die folgenden Elemente gezeigt sind), einen Nulldurchgangsimpulsgenerator 19, eine Schaltung 20 zur Temperaturwahl, um die Temperatur an der Spitze des Lötkolbens wählen zu können, sowie eine Mikrocomputereinheit 21, mit der der gesamte Vorgang überwacht wird. Die gewählte Temperatur der Spitze wird auf einer Anzeige 22 angezeigt, die mit der Mikrocomputereinheit 21 verbunden ist.
Bei dieser Ausführungsform wird die Mikrocomputereinheit 21 aus einem einzelnen Mikrochip N37470 (Mitsubishi) gebildet. Diese Mikrocomputereinheit weist Ausgänge, PORT1 und PORT2, auf und ist in der Weise angeordnet, daß die Energieversorgungseinheit 15 in Abhängigkeit vom Ausgabewert des PGRT1 an- bzw. ausgeschaltet wird und der Schalter SW am Ausgang der Additionseinheit 17 in Abhängigkeit vom Ausgabewert am PORT2 an- bzw. ausgeschaltet wird.
Weiter weist der Mikrocomputer analoge Eingänge ADIN1 und ADIN2 auf, die mit einem Analog/Digitalwandler verbunden sind. Der Ausgabewert des Additionsblocks 17 wird am analogen Eingang ADIN1 eingegeben und der Spannungswert, der der gewählten Temperatur entspricht, wird am analogen Eingang ADIN2 eingegeben. Der analoge Eingang Vref der Mikrocomputereinheit wird mit einer Referenzspannung (z. B. 2,55 V) für den Analog/Digitalwandler versorgt, durch die die Auflösung des Analog/Digitalwandlers bestimmt wird.
Der Mikrocomputer 21 weist ferner einen Interruptanschluß INT auf, der mit dem Nulldurchgangsimpulsgenerator 19 verbunden ist. Nimmt die Spannung des Stroms nach der Doppelgleichrichtung einen Wert von Null an, wird ein Interruptsignal an den Mikrocomputer 21 gegeben, worauf ein Programm mit einer Interrupt-Routine gestartet wird.
Wie in Fig. 8 gezeigt, umfaßt die Energieversorgungseinheit 15 einen Feldeffekttransistor FET1 und einen Widerstand R1, der mit dem Gate-Anschluß des Transistors FET1 verbunden ist. Der Drain-Anschluß des Transistors FET1 ist mit dem Ausgang des Doppelweggleichrichters 18 (+V, z. B. Amplitude = 2,4 Volt) verbunden, während der Source-Anschluß mit der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler verbunden ist.
Der Verstärker 16 umfaßt einen Strombegrenzungswiderstand R2, Dioden D1, D2, einen nicht-invertierenden Verstärker A0, Widerstände R3, R4, was einen Verstärkungsfaktor von ungefähr 250 bewirkt, einen invertierenden Verstärker A1, sowie Widerstände R5, R6. Mit dieser Schaltanordnung wird die Sensorspannung des Meßfühlers 2 um ungefähr einen Faktor von 250 verstärkt und seine Phase durch den nicht-invertierenden Verstärker A0 und den invertierenden Verstärker A1 invertiert. Werte für die Widerstände können beispielsweise R3 = 1 KΩ, R4 = 250 KΩ, und R5-R6 = 100 KΩ sein.
Da bei dieser Schaltanordnung die Source-Spannungen des nicht-invertierenden Verstärkers +VDD und -VDD sind (z. B. ±5 Volt), führt das Anlegen einer Spannung, die außerhalb des Bereichs von +VDD--VDD liegt, zu einer Verfälschung der Meßwerte oder sogar zu einem Zusammenbruch. Es sind daher Clamp-Dioden D1, D2 vorgesehen, so daß nur eine Spannung innerhalb des Bereiches von +VDD+VF - -VDD-VF am nicht­ invertierenden Verstärker A0 anliegen kann. VF bezeichnet die Grenzspannung der Dioden D1, D2.
Befindet sich der Transistor FET1 in der AN-Stellung, liegt eine Spannung von V-VDD-VF am Widerstand R2 an. Da jedoch der Widerstand R2 einen Widerstandswert von 10 KΩ aufweist, fließt ein Strom von höchstens 2 mA. Befindet sich auf der anderen Seite der Transistor FET1 im AUS-Zustand, liegt der Output des Thermoelements der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler am Widerstand R2 an, so daß Fälle auftreten können, in denen der Spannungsabfall am Widerstand R2 ein Problem darstellen kann. Da die Verstärkung jedoch erfindungsgemäß durch den nicht-invertierenden Verstärker A0 erfolgt, ist die Eingangsimpedanz Rin ausreichend groß, um die Bedingung Rin»R2 zu erfüllen, wodurch im Ergebnis der genaue Output-Wert des Thermoelements bestimmt werden kann. Wird für diese Verstärkung ein invertierender Verstärker eingesetzt, kann die Bedingung Rin»R2 möglicherweise nicht erfüllt werden.
Die Additionseinheit 17 besteht im wesentlichen aus einem invertierenden Verstärker A2 und Widerständen R7, R8, R11 und R13. Mit dem Thermistor TH ist ein Widerstand R10 parallel geschaltet und die Source-Spannung +VDD liegt über den Widerstand R9 an. Widerstandswerte können beispielsweise sein, R7 = R8 = 100 kΩ, R11 = R13 = 47 kΩ, R9 = 220 kΩ und R10 = 50 kΩ. Zwischen der Additionseinheit 17 und der Mikrocomputereinheit 21 ist ein An/Aus-Schalter SW angeordnet, der über das Ausgangsport PORT2 gesteuert wird (Fig. 9).
In der Additionseinheit 17 wird der Input aus dem invertierenden Verstärkers A1 über den Widerstand R7 dem invertierenden Verstärker A2 zugeleitet und der Input des Thermistors TH wird über den Widerstand R11 dem Verstärker A2 zugeführt. Des weiteren wird die Spannung, die über die Aufspaltung der Source-Spannung -VDD durch den Widerstand R12 und den variablen Widerstand VR1 erzeugt wird, über den Widerstand R13 an den invertierenden Verstärker A2 angelegt.
Da der Output des invertierenden Verstärkers A2 im Analog/Digital-Wandler der Mikrocomputereinheit 21 aufaddiert wird, muß der Output des invertierenden Verstärkers A2 konstant im Plus-Bereich gehalten werden, unabhängig von der temperaturabhängigen Änderung der Spannung am Ausgang der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler und am Thermistor TH. Der variable Widerstand VR1 wird daher erfindungsgemäß so eingestellt, daß der Output des invertierenden Verstärkers A2 immer innerhalb eines Bereichs von 0 V-2,55 V liegt.
Wie in Fig. 9 gezeigt, besteht die Temperaturwahleinheit 20 aus den Widerständen R14, R15, einem Puffer A3 und einem variablen Widerstand VR2. Während am variablen Widerstand VR2 eine Referenzspannung VREF anliegt, ist es so eingerichtet, daß durch eine Veränderung des variablen Widerstandes VR2 eine Spannung, die einer gewählten Temperatur zwischen 200°C bis 450°C entspricht, am analogen Eingang ADIN2 des Mikrocomputers angelegt werden kann.
Im folgenden wird die Funktion des in den Fig. 8 und 9 gezeigten Kontrollschaltkreises unter Bezugnahme auf das in Fig. 10 dargestellte Zeitdiagramm erläutert. Fig. 10 zeigt den Output des Doppelweggleichrichters (A), den Output des Nulldurchgangsimpulsgenerators (B), den Input am analogen Eingang ADIN1 (C), den Output am Ausgang PORT1 (D) und die am Ausgang der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler anliegende Spannung(E).
Nimmt der Output des Doppelweggleichrichters 18 den Wert 0 an, steigt der Output des Nulldurchgangsimpulsgenerators 19 an. Als Folge erhält der Mikrocomputer 21 durch einen am Inter­ rupt-Eingang INT eingehenden Puls ein Interruptsignal. In der Interrupt-Routine gibt der Mikrocomputer 21 zunächst ein Kontrollsignal durch die Ausgänge PORT1 und PORT2 aus, wodurch der Transistor FET1 in den AUS-Zustand überführt wird und der An/Aus-Schalter SW1 in die AN-Position gesetzt wird.
Befindet sich der Transistor FET1 im AUS-Zustand, wird die Stromversorgung der Heizvorrichtung und des Meßfühlers 2 unterbrochen, so daß nur der Output des Thermoelements an den beiden Anschlüssen der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler anliegt. Der Output des Thermoelements entspricht einem Wert der Temperaturdifferenz T1-T0 zwischen der Temperatur T1 an der Spitze und der Temperatur T0 an der Basis (4b, 5b), und der Output des Thermoelements wird um etwa das 250-fache durch den Verstärker 16 verstärkt und liegt dann am Widerstand R5 des Additionsblocks 17 an. Auf der anderen Seite liegt eine Spannung, die vom Widerstandswert des Thermistors TH abhängt am Widerstand R7 des Additionsblocks 17 an und der Widerstandswert des Thermistors TH1 ändert sich in Abhängigkeit von der Temperatur T0 des Basisabschnitts 4b, 5b der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler. Der Additionsblock 17 gibt daher eine Spannung aus, die von der Temperatur T1 an der Spitze des Lötkolbens abhängt. Da sich der An/Aus-Schalter SW zu dieser Zeit im AN-Zustand befindet, wird diese Spannung, die von der Temperatur T1 an der Spitze abhängt, über den analogen Eingang ADIN1 in den Mikrocomputer eingegeben.
Gleichzeitig wird eine Spannung, die der vorgewählten Temperatur TS entspricht, über den analogen Eingang ADIN2 eingegeben. Im Mikrocomputer 21 wird die Spannung, welche am analogen Eingang ADIN1 anliegt, mit der Spannung verglichen, die am analogen Eingang ADIN2 anliegt um zu überprüfen, ob die gegenwärtige Temperatur TP an der Spitze höher ist als der vorgewählte Temperaturwert TS oder nicht.
Entspricht der Interrupt-Puls einem der in Fig. 10 dargestellten ersten drei Pulse, bedeutet dies, daß die Temperatur TP an der Spitze niedriger ist als der vorgewählte Temperaturwert TS. Unter der Bedingung TP<TS setzt der Mikrocomputer 21 über den Ausgang PORT2 den An/Aus-Schalter SW1 in die AUS-Stellung und den Transistor FET1 über den Ausgang PORT2 in die AN-Stellung, um die Interrupt-Routine zu beenden. Da der Transistor FET1 in die AN-Stellung gesetzt wurde, wird der Output des Doppelweggleichrichters 18 direkt der Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler zugeleitet, so daß der Heizvorrichtung Energie zugeführt wird und die Temperatur an der Spitze des Lötkolbens steigt.
Entspricht der Interrupt-Puls einem der ersten drei Pulse, wird, wie aus dem Zeitdiagramm der Fig. 10 ersichtlich, derselbe Ablauf wie oben beschrieben wiederholt, so daß die Temperatur TP an der Spitze ansteigt. Als Folge des Anstiegs der Temperatur an der Spitze steigt der Input an der analogen Eingabe ADIN1 an.
Beim vierten oder einem späteren Interrupt-Puls ist die Temperatur TP an der Spitze des Lötkolbens höher als die vorgewählte Temperatur TS (TP<TS). Der An/Aus-Schalter SW1 und der Transistor FET1 wird dann durch den Mikrocomputer 21 über die Ausgänge PORT1, PORT2 in die AUS-Stellung gebracht, um die Inter­ rupt-Routine zu beenden. Da der Transistor FET1 in die AUS-Stellung gesetzt ist, unterbricht die Energieversorgungseinheit 15 die Stromzufuhr zur Kombination 2 aus Heizelement und Meßfühler auch nach Beendigung der Interrupt-Routine, so daß die Temperatur an der Spitze des Lötkolbens kontinuierlich absinkt. Fällt die Temperatur TP an der Spitze unter den vorgewählten Wert (TP<TS), nimmt die Energieversorgungseinheit 15 die Stromzufuhr zum Heizelement und zum Meßfühler 2 wieder auf.

Claims (2)

1. Kombination (2) aus Heizelement und Meßfühler umfassend ein beheiztes, aus einem ersten metallischen Material bestehendes Element (3), ein unbeheiztes, ebenfalls aus dem ersten metallischen Material bestehendes Element (5), und ein unbeheiztes, aus einem zweiten metallischen Material bestehendes Element (4), wobei das aus dem ersten metallischen Material bestehende beheizte Element (3) mit dem vorderen Ende (4a) des unbeheizten, aus dem zweiten metallischen Material bestehenden Elements (4) verbunden ist, und weiter das erste metallische Material eine elektrothermische Eisen-Chrom-Legierung ist, und das zweite metallische Material Nickel oder eine Nickel-Chrom-Legierung ist, wodurch zwischen ihnen ein Thermoelement gebildet ist.
2. Kombination aus Heizelement und Meßfühler nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das aus dem ersten metallischen Material bestehende beheizte Element (3) einen Draht mit vergleichsweise kleinem Querschnitt umfaßt, der in Form einer Spule um ein zylinderförmiges, isolierendes Rohr (1) gewunden ist und mit dem aus demselben ersten metallischen Material bestehenden unbeheizten Element (5) verbunden ist, das ein gerader Draht mit vergleichsweise großem Querschnitt ist und fest auf der Oberfläche des isolierenden Rohres (1) befestigt ist, wobei das aus dem zweiten metallischen Material bestehende unbeheizte Element (4) ein lineares, in der Bohrung (1a) des isolierenden Rohres (1) verlaufendes Element ist.
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MY (1) MY121720A (de)
TW (1) TW441218B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008011193A1 (de) * 2008-02-26 2009-09-03 Areva Np Gmbh Elektrisches Heizelement
WO2011079999A3 (de) * 2009-12-29 2011-10-20 Endress+Hauser Gmbh+Co.Kg VORRICHTUNG ZUR BESTIMMUNG MINDESTENS EINER PROZESSGRÖßE
WO2019199506A1 (en) * 2018-04-11 2019-10-17 Watlow Electric Manufacturing Company Resistive heater with temperature sensing power pins and auxiliary sensing junction

Families Citing this family (332)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7135584B2 (en) * 1995-08-07 2006-11-14 Wake Forest University Lipid analogs for treating viral infections
US6632017B1 (en) * 1999-04-28 2003-10-14 Steven B. Cress Thermocouple method and apparatas
KR20020001405A (ko) * 2000-06-28 2002-01-09 윤동한 디지털 전기 인두기 및 그의 온도 제어 방법
US6486442B2 (en) * 2000-10-12 2002-11-26 Hotset Corporation Heating device with electric heating element and thermocouple
DE10214166A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-23 David & Baader Gmbh Heizflansch, insbesondere zum Vorwärmen von Luft in einer Ansaugleitung einer Brennkraftmaschine
US6793114B2 (en) 2002-04-05 2004-09-21 Pace, Incorporated Soldering heater cartridge with replaceable tips and soldering iron for use therewith
US7030339B2 (en) * 2002-11-26 2006-04-18 Hakko Corporation Soldering iron tip with metal particle sintered member connected to heat conducting core
US20050011876A1 (en) 2002-11-26 2005-01-20 Takashi Uetani Soldering iron with replaceable tip cap
US8237091B2 (en) * 2002-11-26 2012-08-07 Hakko Corporation Soldering iron with replaceable tip
US7044354B2 (en) * 2003-04-01 2006-05-16 Hakko Corporation Soldering system with indicator lights displaying system status
CN1575900A (zh) * 2003-07-04 2005-02-09 白光株式会社 焊料加热工具
US7608805B2 (en) * 2005-01-14 2009-10-27 Hakko Corporation Control system for battery powered heating device
CA2602818C (en) * 2005-03-31 2013-03-26 Ashland Licensing And Intellectual Property Llc Apparatuses and systems for monitoring fouling of aqueous systems including enhanced heat exchanger tubes
CN100418687C (zh) * 2005-06-24 2008-09-17 深圳斯贝克动力电子有限公司 电烙铁及其温度控制方法
DE102005054521A1 (de) * 2005-11-14 2007-05-24 Ersa Gmbh Lötvorrichtung mit rechnerbasiertem Sensorsystem
US7807949B2 (en) * 2006-02-28 2010-10-05 Hakko Corporation Locking mechanism for soldering iron
EP1843138B1 (de) * 2006-04-06 2012-05-16 Sauer-Danfoss ApS Schraube mit einer Schicht aus leitfähigem Material, das einen Sensor bildet
CA2667054C (en) * 2006-10-18 2011-05-10 Bnl Biotech Co., Ltd. Endodontic instrument for root canal filling and heating tip adapted to the same
CN101334430B (zh) * 2007-06-29 2012-07-18 吴伟 一种高精确度电流检测和温度在线检测装置及其采样方法
US7699208B2 (en) * 2007-11-30 2010-04-20 Nordson Corporation Soldering tip, soldering iron, and soldering system
CN101493707B (zh) * 2008-01-21 2011-03-23 同方威视技术股份有限公司 闭环温度控制加热电路
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US9297705B2 (en) 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8382370B2 (en) * 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN101658969A (zh) * 2009-09-25 2010-03-03 深圳市欣力通科技有限公司 一种焊锡机
US8840301B2 (en) * 2010-06-08 2014-09-23 Analysis & Measurement Services Corporation Diverse and redundant resistance temperature detector
US8690423B2 (en) * 2010-09-07 2014-04-08 Stoneridge, Inc. Temperature sensor
ES2409116T3 (es) * 2010-09-23 2013-06-25 Andreas Massold Procedimiento para la medición de temperatura en un vehículo.
CN102009243B (zh) * 2010-10-27 2012-09-19 华东交通大学 一种定热量电烙铁装置及控制方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5830388B2 (ja) * 2012-01-17 2015-12-09 太洋電機産業株式会社 こて先温度測定装置用の温度センサ及びこて先温度測定装置
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9583798B2 (en) * 2013-10-17 2017-02-28 Ford Global Technologies, Llc Electric vehicle battery thermocouple
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9700951B2 (en) * 2014-05-28 2017-07-11 Hakko Corporation Heater sensor complex with high thermal capacity
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10728956B2 (en) * 2015-05-29 2020-07-28 Watlow Electric Manufacturing Company Resistive heater with temperature sensing power pins
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
JP6647817B2 (ja) 2015-08-21 2020-02-14 白光株式会社 加熱カートリッジ及び加熱工具
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
JP6650265B2 (ja) * 2015-12-28 2020-02-19 太洋電機産業株式会社 半田ごて
JP2017119295A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 太洋電機産業株式会社 半田ごて
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
TWM565084U (zh) 2016-10-26 2018-08-11 美商米沃奇電子工具公司 焊接工具
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
CN107084799B (zh) * 2017-04-20 2019-02-15 安徽春辉仪表线缆集团有限公司 一种可自行拉直的热电偶结构
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
USD852596S1 (en) 2017-10-26 2019-07-02 Milwaukee Electric Tool Corporation Soldering tool
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (de) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. Verfahren zum abscheiden eines ruthenium-haltigen films auf einem substrat durch ein zyklisches abscheidungsverfahren
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
CN108770103B (zh) * 2018-06-08 2024-04-26 宁波兴慈热动电器有限公司 电子调温器用电子加热器
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
JP6963307B2 (ja) * 2018-07-25 2021-11-05 白光株式会社 加熱工具及び加熱工具の製造方法
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US10751823B2 (en) * 2018-09-25 2020-08-25 Ok International, Inc. Smart soldering iron tip and method of authenticating same
US10751822B2 (en) * 2018-09-25 2020-08-25 Ok International, Inc. Smart soldering iron tip and method of authenticating same
TWI697252B (zh) * 2018-09-27 2020-06-21 愛烙達股份有限公司 高效率電熱裝置
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
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US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
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CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
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CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
CN111257368A (zh) * 2020-02-27 2020-06-09 南京科润工业介质股份有限公司 一种淬火介质热稳定性的测试装置
CN111398336B (zh) * 2020-02-27 2021-07-09 南京科润工业介质股份有限公司 一种淬火介质冷却性能的在线监测系统
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP7113576B1 (ja) * 2022-04-08 2022-08-05 白光株式会社 ヒータセンサ複合体及び鏝先カートリッジ

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2747074A (en) * 1949-05-24 1956-05-22 Gen Electric Electric soldering iron
US2717952A (en) * 1952-04-05 1955-09-13 Western Electric Co Temperature-controlled electrical soldering iron
US2897335A (en) * 1958-06-23 1959-07-28 Gen Electric Temperature controlled soldering iron
US3654427A (en) * 1970-09-28 1972-04-04 Alexander Schoenwald Electric heated soldering tool
US3883716A (en) * 1971-03-08 1975-05-13 William S Fortune Temperature controlled soldering instrument
US4010351A (en) * 1976-03-03 1977-03-01 Rama Corporation Cartridge heater with improved thermocouple
GB1530029A (en) * 1976-04-26 1978-10-25 Adcola Prod Ltd Soldering instruments
SE447271B (sv) * 1980-02-06 1986-11-03 Bulten Kanthal Ab Elektriskt vermeelement med ett motstandselement - bestaende av en fe-cr-al-legering - som er inbeddat i en isolerande massa av mgo
JPS6016476A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Tokai Kounetsu Kogyo Kk 炭化珪素系熱電素子
US4822979A (en) * 1987-01-02 1989-04-18 Dekam Cornelius T Temperature controlled soldering iron with a unitary electrically heated soldering tip and thermocouple
JPH02234032A (ja) * 1989-03-08 1990-09-17 Snow Brand Milk Prod Co Ltd 流体の状態を知るための計測用センサー及びそのセンサーを用いる測定方法
US5043560A (en) * 1989-09-29 1991-08-27 Masreliez C Johan Temperature control of a heated probe
US5122637A (en) * 1991-01-11 1992-06-16 Wellman Thermal Systems Corporation Temperature controlled soldering iron having low tip leakage voltage
JPH0534205A (ja) * 1991-07-29 1993-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 温度センサ
US5297716A (en) * 1993-04-12 1994-03-29 Honeywell Inc. Soldering tool with attached thermocouple
JPH0740037A (ja) * 1993-07-23 1995-02-10 Nippon Bonkooto Kk 電気半田ごて
US5406053A (en) * 1993-07-29 1995-04-11 Masreliez; C. Johan Heating probe having a heated tip forming a thermocouple

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008011193A1 (de) * 2008-02-26 2009-09-03 Areva Np Gmbh Elektrisches Heizelement
US8739621B2 (en) 2008-02-26 2014-06-03 Areva Gmbh Electrical heating element and method of measuring a filling level
WO2011079999A3 (de) * 2009-12-29 2011-10-20 Endress+Hauser Gmbh+Co.Kg VORRICHTUNG ZUR BESTIMMUNG MINDESTENS EINER PROZESSGRÖßE
CN102686988A (zh) * 2009-12-29 2012-09-19 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 用于确定至少一个过程变量的设备
CN102686988B (zh) * 2009-12-29 2015-04-22 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 用于确定至少一个过程变量的设备
US9423287B2 (en) 2009-12-29 2016-08-23 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Apparatus for determining at least one process variable
WO2019199506A1 (en) * 2018-04-11 2019-10-17 Watlow Electric Manufacturing Company Resistive heater with temperature sensing power pins and auxiliary sensing junction

Also Published As

Publication number Publication date
MY121720A (en) 2006-02-28
KR100506023B1 (ko) 2005-10-28
HK1015115A1 (en) 1999-10-08
FR2760931B1 (fr) 2001-08-24
GB2325840B (en) 2001-04-11
KR19980080206A (ko) 1998-11-25
ES2144947B1 (es) 2001-01-16
ES2144947A1 (es) 2000-06-16
FR2760931A1 (fr) 1998-09-18
DE19810519C2 (de) 2002-02-21
CN1196654A (zh) 1998-10-21
GB9805212D0 (en) 1998-05-06
ID20052A (id) 1998-09-17
CA2231924C (en) 2007-05-15
TW441218B (en) 2001-06-16
ITRM980161A1 (it) 1999-09-13
GB2325840A (en) 1998-12-02
IT1299379B1 (it) 2000-03-16
CN1133353C (zh) 2003-12-31
JP3124506B2 (ja) 2001-01-15
US6054678A (en) 2000-04-25
ITRM980161A0 (it) 1998-03-13
JPH10260083A (ja) 1998-09-29
CA2231924A1 (en) 1998-09-14

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