DE19751294A1 - Halbleiter-Einrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiter-Einrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Einrichtung (ein Halbleiter-Bauelement) und ein Verfahren zu ihrer (seiner) Herstellung, sie betrifft insbesondere einen monokristallinen Galliumnitrid-Kristall (Galliumnitrid-Einkristall) und ein Verfah­ ren zu seiner Herstellung.
Es ist zu erwarten, daß ein monokristalliner Galliumnitrid-Kristall ein geeigne­ tes Material für eine kurzwellige Laserlichtemission mit einer Wellenlänge von etwa 400 nm oder ein geeignetes Material für einen Hochtemperatur- und Hochgeschwindigkeits-Transistor ist, es ist bisher jedoch noch nicht gelungen einen homogenen monokristallinen Galliumnitrid-Kristall herzustellen.
Ein konventionelles Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Einrichtung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 6(a), 6(b) und 6(c) beschrieben.
Wie in den Fig. 6(a) und 6(b) dargestellt, wird auf einem monokristallinen (einkristallinen) Substrat 1 aus Saphir bei einer Temperatur von 500°C in einer Sauerstoff-Atmosphäre unter Verwendung einer Zerstäubungs-Vorrichtung eine Zinkoxidschicht 2 mit einer Filmdicke von 500 Å (50 nm) gebildet. Danach wird das monokristalline Substrat 1, das der Bildung der Zinkoxidschicht 2 dient, aus der Zerstäubungs-Vorrichtung entfernt, die Temperatur des mono­ kristallinen Substrats 1 wird unter Verwendung einer Halogenid-VPE-Vor­ richtung auf 1000°C erhöht und Ammoniak und Galliumchlorid, gebildet durch Umsetzung zwischen metallischem Gallium und Chlorwasserstoffsäure­ gas, werden in die Halogenid-VPE-Vorrichtung eingeleitet zur Bildung eines Galliumnitrid-Kristalls 3 in einer Filmdicke von etwa 100 µm, wie in Fig. 6(c) dargestellt.
Auf diese Weise erfolgt das Kristallwachstum des Galliumnitrid-Kristalls im allgemeinen durch heteroepitaxiales Wachstum unter Verwendung von Saphir als monokristallinem Substrat 1.
Die Gitterkonstante der Zinkoxidschicht 2 beträgt 3,250 Å (0,3250 nm) in Richtung der a-Achse des hexagonalen Systems, liegt somit nahe bei der Git­ terkonstanten 3,189 Å (0,3189 nm) von Galliumnitrid und wird somit verwendet zum Ausgleich der Gitter-Fehlanpassung zwischen Saphir und Galliumnitrid.
Bei der Herstellung des Galliumnitrid-Kristalls nach dem konventionellen Ver­ fahren zur Herstellung einer Halbleiter-Einrichtung kann jedoch, da das mono­ kristalline Substrat auf eine hohe Temperatur von etwa 1000°C erhitzt wird, die eine für das Wachstum von Galliumnitrid geeignete Temperatur ist, aus der Zinkoxidschicht Sauerstoff verdampfen, so daß sich die Zinkoxidschicht zer­ setzt, oder die Zinkoxidschicht kann durch Ammoniumchlorid, das durch Reak­ tion des Ausgangsmaterial-Gases gebildet worden ist, geätzt werden. Infolge­ dessen ist es möglich, daß die Zinkoxidschicht ungleichförmig ist, und es war daher schwierig, auf der gesamten Oberfläche auf der Zinkoxidschicht einen homogenen Galliumnitrid-Kristall mit einer guten Reproduzierbarkeit zu erzeu­ gen.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Halbleiter-Einrichtung aus einem homogenen Galliumnitrid-Kristall und ein Verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe es möglich ist, eine solche Halbleiter-Einrichtung mit einer guten Reproduzierbarkeit herzustellen.
Die vorliegende Erfindung ist charakterisiert durch die Bildung einer Zinkoxid­ schicht auf einem monokristallinen (einkristallinen) Substrat und die Bildung einer ersten Galliumnitridschicht in einem Temperatur-Bereich von 0 bis 900°C und die anschließende Bildung einer zweiten Galliumnitridschicht in einem Temperatur-Bereich von 900 bis 2000°C. Daher wird erfindungsgemäß in dem Verfahren zur Bildung der zweiten Galliumnitridschicht eine Zersetzung der Zinkoxidschicht als Folge der Verdampfung von Sauerstoff aus der Zinkoxid­ schicht oder durch eine Ätzung durch das Reaktionsgas wirksam verhindert, da die Zinkoxidschicht durch die erste Galliumnitridschicht geschützt ist.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1(a), 1(b), 1(c) und 1(d) Schnittansichten, die das Verfahren zur Herstel­ lung einer Halbleiter-Einrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Er­ findung erläutern;
Fig. 2 ein charakteristisches Diagramm, das die Beziehung zwischen der Zeit, der Temperatur und dem Reaktionsgas in dem gleichen Herstellungsverfahren zeigt;
Fig. 3(a), 3(b), 3(c) und 3(d) Schnittansichten, die das Verfahren zur Herstel­ lung einer Halbleiter-Einrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigen;
Fig. 4 ein charakteristisches Diagramm, das die Beziehung zwischen der Zeit, der Temperatur und dem Reaktionsgas in dem gleichen Herstellungsverfahren zeigt;
Fig. 5(a), 5(b), 5(c), 5(d) und 5(e) Schnittansichten, die das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Einrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung erläutert; und
Fig. 6 eine Schnittansicht, die ein konventionelles Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Einrichtung erläutert.
Ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Halbleiter-Einrichtung wird nachstehend anhand bevorzugter Ausführungsformen näher beschrieben.
Ausführungsform 1
Wie in den Fig. 1(a) und 1(b) dargestellt, wird durch Zerstäuben eines Zin­ koxid-Targets in einer Sauerstoff-Atmosphäre von 0,01 Torr (1,33 Pa) unter Verwendung einer Zerstäubungs-Vorrichtung eine Zinkoxidschicht 2 in einer Filmdicke von etwa 500 Å (50 nm) auf einem monokristallinen (einkristallinen) Substrat 1 aus Saphir gebildet und dann wird, wie in Fig. 1(c) dargestellt, durch Zerstäuben eines Galliumnitrid-Targets, während die Substrat-Tempera­ tur in einer Stickstoff-Atmosphäre von 0,01 Torr (1,33 Pa) bei 500°C gehalten wird, ein erster Galliumnitrid-Kristall 4 in einer Filmdicke von etwa 500 Å (50 nm) gebildet.
Da der erste Galliumnitrid-Kristall 4 bei einer niedrigen Temperatur von 500°C gebildet wird, wird die Zinkoxidschicht 2 nicht zersetzt durch Verdampfen von Sauerstoff aus der Zinkoxidschicht 2 oder die Zinkoxidschicht 2 wird nicht ge­ ätzt durch Ammoniumchlorid, das durch Reaktion des Ausgangsmaterialgases gebildet worden ist, andererseits wird, da der erste Galliumnitrid-Kristall 4 bei einer niedrigen Temperatur von 500°C gebildet wird, dieser polykristallin.
Infolgedessen wird in einer Ammoniak-Atmosphäre der erste Galliumnitrid-Kri­ stall 4 von einem Zeitpunkt T1 bis zu einem Zeitpunkt T2 von Raumtempe­ ratur auf 1000°C erhitzt. Durch dieses Erhitzungs-Verfahren wird der polykri­ stalline erste Galliumnitrid-Kristall 4 schwach monokristallin (einkristallin) ge­ macht. Da dieses Erhitzungs-Verfahren in einer Ammoniak-Atmosphäre durch­ geführt wird, kann eine Verdampfung von Stickstoff aus dem ersten Galliumni­ trid-Kristall 4 verhindert werden.
Darüber hinaus wird, während die Substrat-Temperatur von dem Zeitpunkt T2 bis zum Zeitpunkt T3 bei 1000°C gehalten wird, durch Einführung von Ammo­ niak und Galliumchlorid, das durch Umsetzung zwischen metallischem Gallium und Chlorwasserstoffsäuregas gebildet wird, in eine Halogenid-VPE-Vorrich­ tung ein zweiter Galliumnitrid-Kristall 5 in einer Filmdicke von etwa 100 µm gebildet, wie in Fig. 1(d) dargestellt. Dieser zweite Galliumnitrid-Kristall 5 wird auf dem ersten Galliumnitrid-Kristall 4 mit einem passenden Gitter gebildet und die Bildungs-Temperatur beträgt bis zu 1000°C, so daß auf der gesamten Oberfläche ein einheitlicher Einkristall gebildet wird.
Bei dieser Ausführungsform kann eine Oberflächen-Kontamination der Zin­ koxidschicht 2 verhindert werden, da der erste Galliumnitrid-Kristall auf der Zinkoxidschicht 2 gebildet wird, ohne daß die Zinkoxidschicht 2 der Atmosphä­ re ausgesetzt ist.
Ausführungsform 2
Nachstehend wird ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Halbleiter-Einrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung näher beschrieben.
Zuerst wird durch Zerstäubung eines Zinkoxid-Targets in einer Sauerstoff-Atmo­ sphäre von 0,01 Torr (1,33 Pa) eine Zinkoxidschicht 2 mit einer Filmdicke von etwa 500 Å (50 nm) auf einem monokristallinen (einkristallinen) Substrat 1 aus Saphir gebildet, wie in den Fig. 3(a) und 3(b) dargestellt.
Danach wird in einer Halogenid-VPE-Vorrichtung, während das monokristalline Substrat von einem Zeitpunkt T6 bis zu einem Zeitpunkt T7 bei einer Tempera­ tur von 500°C gehalten wird, ein erster Galliumnitrid-Kristall 4 mit einer Filmdicke von etwa 500 Å (50 nm) auf der Zinkoxidschicht 2 gebildet, wie in Fig. 3(c) dargestellt, durch das Reaktionsgas, das aus Ammoniak und Galli­ umchlorid besteht, das durch Umsetzung von metallischem Gallium mit Chlor­ wasserstoffsäuregas gebildet worden ist.
Danach wird der erste Galliumnitrid-Kristall 4 von einem Zeitpunkt T7 bis zu einem Zeitpunkt T8 in einer Ammoniak-Atmosphäre erhitzt. Durch dieses Er­ hitzungs-Verfahren wird der erste Galliumnitrid-Kristall 4 schwach monokri­ stallin gemacht. Da dieses Erhitzungs-Verfahren in einer Ammoniak-Atmo­ sphäre durchgeführt wird, kann eine Verdampfung von Stickstoff aus der ersten Galliumnitridschicht 4 verhindert werden.
Darüber hinaus wird, während die Substrat-Temperatur von dem Zeitpunkt T8 bis zum Zeitpunkt T9 bei 1000°C gehalten wird, durch Einführen von Ammoni­ ak und Galliumchlorid in die Halogenid-VPE-Vorrichtung ein zweiter Galliumni­ trid-Kristall 5 in einer Filmdicke von etwa 100 µm gebildet, wie in Fig. 3(d) dargestellt.
Bei dieser Ausführungsform kann in gleicher Weise wie bei der ersten Ausfüh­ rungsform ein einheitlicher monokristalliner (einkristalliner) zweiter Galliumni­ trid-Kristall 5 auf der gesamten Oberfläche erhalten werden.
Auch bei dieser Ausführungsform kann, da der zweite Galliumnitrid-Kristall 5 auf dem ersten Galliumnitrid-Kristall 4 gebildet wird, ohne daß der erste Galli­ umnitrid-Kristall 4 der Atmosphäre ausgesetzt ist, eine Oberflächen-Kon­ tamination des ersten Galliumnitrid-Kristalls 4 verhindert werden.
Ausführungsform 3
Die Fig. 5(a) bis 5(e) zeigen Verfahrens-Schnittansichten, die ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Einrichtung gemäß einer dritten Ausführungs­ form der Erfindung erläutern, und das in den Fig. 5(a) bis 5(d) dargestellte Verfahren ist das gleiche Verfahren, wie es in den Fig. 1(a) bis 1(d) oder in den Fig. 3(a) bis 3(d) dargestellt wird, nach dem der monokristalline (einkristalline) zweite Galliumnitrid-Kristall 5 hergestellt wird.
Nach der Bildung des zweiten Galliumnitrid-Kristalls 5 in dem in Fig. 5(d) dar­ gestellten Verfahren, wird das monokristalline (einkristalline) Substrat 1, auf dem nacheinander die Zinkoxidschicht 2, der erste Galliumnitrid-Kristall 4 und der zweite Galliumnitrid-Kristall 5 gebildet worden sind, in Königswasser (Salpetersäure:Chlorwasserstoffsäure = 1 : 3) eingetaucht und die Zinkoxid­ schicht 2 wird durch Ätzen entfernt, wie in Fig. 5(e) darstellt, so daß das monokristalline (einkristalline) Substrat 1 abgezogen und entfernt wird. Als Folge davon werden der erste Galliumnitrid-Kristall 4 und der zweite Galliumni­ trid-Kristall 5 in Form eines einzigen Galliumnitrid-Substrats erhalten. Das so erhaltene Galliumnitrid-Substrat weist eine elektrische Leitfähigkeit vom n-Typ auf.
Auf diesem Galliumnitrid-Substrat vom n-Typ werden Galliumnitrid vom n-Typ und Galliumnitrid vom p-Typ nacheinander gebildet, beispielsweise unter An­ wendung eines organischen Metall-Gasphasen-Wachstums-Verfahrens, und auf beiden Seiten des Galliumnitrid-Substrats vom n-Typ und des Galliumni­ trid-Substrats vom p-Typ werden Elektroden gebildet, so daß nach einem sehr einfachen Verfahren eine Diode mit pn-Übergang hergestellt werden kann. Da dieses organische Metallgasphasen-Wachstums-Verfahren ein Kristallwachs­ tums-Verfahren darstellt, das frei von einer Gitterfehlanpassung ist, weist das erhaltene Galliumnitrid eine ausgezeichnete Kristallinität auf und bei dieser Ausführungsform werden daher ausgezeichnete elektrische Eigenschaften, beispielsweise ein hoher Lichtemissions-Wirkungsgrad und eine hohe Feuch­ tigkeits-Beständigkeit in umgekehrter Richtung erhalten.
Bei den erfindungsgemäßen Ausführungsformen sollte vom praktischen Standpunkt aus betrachtet die Bildungs-Temperatur des ersten Galliumnitrid-Kri­ stalls 4 und des zweiten Galliumnitrid-Kristalls 5 vorzugsweise 0°C oder mehr bzw. 2000°C oder weniger betragen.
Wie vorstehend beschrieben, können nach dem erfindungsgemäßen Verfah­ ren zur Herstellung einer Halbleiter-Einrichtung Galliumnitrid-Kristalle aus ei­ nem einheitlichen Einkristall erhalten werden.

Claims (6)

1. Halbleiter-Einrichtung, gekennzeichnet durch ein monokristallines (einkristallines) Substrat, eine auf dem monokristallinen (einkristallinen) Substrat gebildete Zinkoxidschicht, einen auf der Zinkoxidschicht gebildeten ersten Galliumnitrid-Kristall und einen auf dem ersten Galliumnitrid-Kristall gebildeten zweiten Galliumnitrid-Kristall.
2. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Einrichtung, dadurch ge­ kennzeichnet, daß es die folgenden Stufen umfaßt:
Bildung einer Zinkoxidschicht auf einem monokristallinen (einkristallinen) Substrat,
Bildung eines ersten Galliumnitrid-Kristalls auf der genannten Zinkoxidschicht in einem Temperatur-Bereich von 0 bis 900°C und
Bildung eines zweiten Galliumnitrid-Kristalls auf dem ersten Gallium­ nitrid-Kristall in einem Temperatur-Bereich von 900 bis 2000°C.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Bildung des zweiten Galliumnitrid-Kristalls die Zinkoxidschicht und der erste Galliumnitrid-Kristall voneinander getrennt werden
4. Verfahren nach Anspruch 2 und/oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem die Stufe umfaßt: Erhitzen des monokristallinen (einkristallinen) Substrats in einer Stickstoff-Ver­ bindungs-Atmosphäre nach der Bildung des erstes Galliumnitrid-Kristalls und vor der Bildung des zweiten Galliumnitrid-Kristalls.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Zinkoxidschicht und der erste Galliumnitrid-Kristall kon­ tinuierlich gebildet werden, ohne der Atmosphäre ausgesetzt zu sein.
6. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Zinkoxidschicht, der erste Galliumnitrid-Kristall und der zweite Galliumnitrid-Kristall kontinuierlich gebildet werden, ohne der Atmo­ sphäre ausgesetzt zu sein.
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