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B. Dezember 1995, USA, Serial-No. 08/570,220(P)
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Beschreibung
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Die
Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bewegen
eines Substrats während
eines Sputterprozesses, und spezieller betrifft sie eine Vorrichtung
mit magnetischen Elementen zum magnetischen Ankoppeln voneinander
beabstandeter Elemente der Vorrichtung, um es zu ermöglichen,
das Substrat während
des Sputterprozesses zu drehen.
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Bei
der Herstellung integrierter Schaltungen wird typischerweise ein
Sputterprozess verwendet. Bei diesem Prozess wird eine dünne Schicht
oder ein Film aus Metall auf einem Substrat wie einem Halbleiterwafer
hergestellt. Zur Filmherstellung wird ein Sputtersystem verwendet.
Ein Sputtersystem beinhaltet eine Vakuumkammer mit einer Kathode
mit einem Quellentarget. Während
des Sputterprozesses wird Material vom Quellentarget entfernt und
anschließend
auf dem Substrat abgeschieden, um den Film auszubilden.
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Aus
JP 01 184 277 A ist
eine Vorrichtung zum Drehen eines Substrats bekannt, bei welcher
die Entstehung von Staub sowie das Auftreten eines Getriebespiels
dadurch verhindert werden, dass eine Scheibe mit magnetischen Zähnen koaxial
auf einem Substrathalter angeordnet ist. Die magnetischen Zähne der
Scheibe liegen gegenüber
Magneten, so dass die Scheibe durch die magnetischen Kräfte gedreht
wird.
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Es
ist erwünscht,
dass der auf dem Substrat ausgebildete Film eine Dicke mit hoher
Gleichmäßigkeit
aufweist. Beispielsweise ist es bei Halbleiterwafern erwünscht, dass
der Film eine Dickengleichmäßigkeit
aufweist, die bezüglich
der dicksten und dünnsten
Filmbereiche den Bereich von ±5%
nicht überschreitet.
Eine Dickengleichmäßigkeit
in diesem Bereich kann durch geeignetes Design der Kathode erzielt
werden. Für
andere Typen von Erzeugnissen, wie Köpfe für magnetische Datenspeicherung
und -suche, ist ein höheres
Ausmaß an
Dickengleichmäßigkeit
erwünscht,
das den Bereich von ±2%
oder etwas mehr nicht überschreitet.
Es hat sich herausgestellt, dass eine Dickengleichmäßigkeit
in diesem Bereich nicht alleine durch das Kathodendesign auf einfache
Weise erzielbar ist. Daher werden andere Techniken zum Verbessern
der Gleichmäßigkeit
verwendet.
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Eine
derartige Technik zum Verbessern der Gleichmäßigkeit umfasst das Bewegen
des Substrats mit vorbestimmter Bewegung bezüglich des Quellentargets, während das
Substrat besputtert wird. Es werden verschiedene Typen von Bewegungen
verwendet. Ein allgemein verwendeter Bewegungstyp umfasst das lineare
Vorbeifahren des Substrats an der Kathode. Ein anderer Bewegungstyp sorgt
für ein
Verdrehen des Substrats relativ zur Kathode. Ein weiterer Bewegungstyp
sorgt sowohl für eine
bogenförmige
Bewegung als auch eine gleichzeitige Drehung des Substrats, wodurch
ein Verbundmuster von Bewegungen erzeugt ist.
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Typischerweise
wird zum Erzeugen des Verbundmusters ein Planetengetriebemechanismus
verwendet. In 1 ist ein herkömmlicher
Planetengetriebemechanismus 10 dargestellt, wie er in Verbindung
mit einem Sputtersystem 12 verwendet wird. Der Antriebsmechanismus 10 umfasst
eine Antriebswelle 14 und einen Antriebsmotor 16 zum
drehenden Antreiben der Antriebswelle 14 um eine Mittelachse 18.
Das System 12 umfasst eine Kammer 20 mit einem
Innenhohlraum 24 und einem Pumpstutzen 22. Die
Kammer 20 umfasst ferner mindestens eine Kathode 26 zum
Herstellen eines Dünnfilms
auf einem Substrat. Die Antriebswelle 14 erstreckt sich
durch ein an der Kammer 20 befestigtes Durchführungselement 28 hindurch
in den Hohlraum 24. In der Verwendung wird der Hohlraum 24 durch
eine Vakuumpumpe oder eine andere geeignete Vorrichtung (nicht dargestellt)
durch den Pumpstutzen 22 hindurch auf einen für den Sputtervorgang
geeigneten Vakuumpegel evakuiert. Das Durchführungselement 28 dient dazu,
die Antriebswelle 14 und die Kammer 20 so abzudichten,
dass das Vakuumniveau innerhalb der Kammer im wesentlichen aufrechterhalten
bleibt.
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Der
Antriebsmechanismus 10 beinhaltet ferner ein Sonnenrad 30 mit
zentrischer Bohrung 32. Dieses Sonnenrad 30 ist
an der Kammer 20 innerhalb des Hohlraums 24 befestigt
und demgemäß stationär. Die Antriebswelle 14 erstreckt
sich durch die zentrische Bohrung 32 und erstreckt sich
bis über das
Sonnenrad 30. Radial ausgehend von der Antriebswelle 14 erstrecken
sich mehrere Armelemente 34, so dass eine speichenartige
Anordnung gebildet ist. Jedes der Armelemente 34 umfasst
ein Lagergehäuse 36 mit
einer Tragplattenwelle 38. Jede Tragplattenwelle 38 ist
zwischen einer Tragplatte 40 zum Tragen eines Substrats 42 und
einem Planetenrad 44 befestigt, das mit dem Sonnenrad 30 kämmt. Es
wird darauf hingewiesen, dass die Zähne jedes Planetenrads 44 und
des Sonnenrads 30 der Übersichtlichkeit halber
nicht dargestellt sind.
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Jedes
Lagergehäuse 36 ist
so ausgebildet, dass es eine Drehung der zugehörigen Tragplattenwelle 38,
des Planetenrads 44 und der Tragplatte 40 ermöglicht,
wobei sich das Substrat 42 um eine zugehörige Tragplattenachse 46 dreht.
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Im
Betrieb wird der Antriebsmotor 16 so aktiviert, dass er
für eine
Drehung der Antriebswelle 14 sorgt. Eine Drehung der Antriebswelle 14 bewirkt eine
entsprechende Kreisdrehung jedes der Armelemente 34, jedes
Lagergehäuses 36,
der Tragplattenwelle 38, der Tragplatte 40 und
des Substrats 42 um die Mittelachse 18. Diese
Kreisdrehung sorgt in Verbindung mit dem Eingriff zwischen jedem
Planetenrad und dem Sonnenrad 30 für eine gleichzeitige Drehung
jedes Planetenrads 44 und der zugehörigen Tragplattenwelle 38,
der Tragplatte 40 und damit jedes Substrats 42 um
die zugehörige
Tragplattenachse 46.
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Während eines
Sputterprozesses entsteht eine Abscheidungszone 49 zum
Ausbilden eines dünnen
Films auf jedem Substrat 42 benachbart zur Kathode 26 innerhalb
des Hohlraums 24. Die Kathode 26 ist typischerweise
so innerhalb der Kammer 20 positioniert, dass jedes Substrat 42 mit
einer bogenförmigen
Bewegung durch die Abscheidungszone 49 läuft, und
zwar aufgrund der Kreisbewegung jedes Substrats 42 um die
Mittelachse 18. Diese bogenförmige Bewegung führt in Verbindung
mit der gleichzeitigen Drehung jedes Substrats 42 um seine
zugehörige
Tragplattenachse 46 zu einem Verbundmuster betreffend die
Bewegung des Substrats 42, wenn sich dieses in der Abscheidungszone 49 befindet.
Es hat sich gezeigt, dass derartige Verbundmuster zum Verbessern
der Filmgleichmäßigkeit
hoch-wirkungsvoll sind.
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Jedoch
weisen derartige Antriebsmechanismen Nachteile auf. Ein Nachteil
ist der, dass das Sonnenrad 30 und jedes Planetenrad 44 aufgrund
des Kontakts abgenutzt werden, und zwar trotz der Verwendung von
Schmiermittel. Eine derartige Abnutzung führt zur Entstehung einer großen Menge
an Metallteilchen, von denen einige nur 0,2 μm groß sind, innerhalb des Hohlraums 24.
Während
des Verlaufs eines Sputterprozesses werden viele dieser Teilchen
in den auf einem Substrat ausgebildeten Film eingebettet. Dies verursacht
häufig
Fehler in Bauteilen, die den Film enthalten. Beispielsweise ist es
erwünscht,
dass die Teilchendichte in einem Film kleiner als 0,1 Teilchen pro
cm2 der Substratfläche ist. Jedoch hat es sich
herausgestellt, dass Antriebsmechanismen, die Zahnräder verwenden,
häufig
eine Teilchendichte von 100 oder mehr Teilchen pro cm2 der
Substratfläche
erzeugen, wodurch die gewünschte
Teilchendichte erheblich überschritten
ist.
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Ferner
sind jedes Planetenrad 44 und das Sonnenrad 30 so
bemessen, dass für
ein vorbestimmtes Zahnverhältnis
gesorgt ist. So dreht sich, wenn das Sonnenrad 30 500 Zähne aufweist
und jedes Planetenrad 44 50 Zähne aufweist, jedes Substrat 42 bei
jeder Drehung des Substrats 42 um die Mittelachse 18 zehn
Mal um seine zugehörige
Tragplattenachse 46. Infolgedessen liegt das Verhältnis der Drehzahl
jedes Substrats 42 um seine zugehörige Tragplattenachse 46 in
bezug auf diejenige der Mittelachse 18 fest. Häufig ist
es erwünscht,
ausgewählte
Filmungleichmäßigkeiten
dadurch zu kompensieren, dass das Verhältnis der Drehzahlen variiert
wird. Jedoch ist der Austausch jedes Planetenrads 44 und des
Sonnenrads 30 in derartigen Systemen arbeits- und zeitaufwendig.
Dies erhöht
die Kosten und ist ein weiterer Nachteil.
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Daher
ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zum Bewegen
eines Substrats zu schaffen, wobei die Vorrichtung während des
Sputterns von Substraten eine minimale Menge an Teilchen erzeugt.
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Es
ist eine weitere Aufgabe, eine Vorrichtung zum Bewegen eines Substrats
zu schaffen, bei der die Drehzahlen für Substrate um eine zugehörige Tragplattenachse,
relativ zu der um die Mittelachse, leicht und auf billige Weise
geändert
werden kann.
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Es
ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zum Bewegen
eines Substrats zu schaffen, die für eine elektrische Vorspannung
an jedem Substrat sorgt, wenn ein jeweiliges Substrat mit vorbestimmtem
Muster bewegt wird.
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Ferner
liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Bewegen
eines Substrats zu schaffen, das mit einer einfachen Vorrichtung
betrieben werden kann.
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Diese
Aufgaben sind hinsichtlich der Vorrichtung durch die Lehren der
unabhängigen
Ansprüche 1
und 5 sowie hinsichtlich des Verfahren durch die Lehre des Anspruchs
8 gelöst.
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Die
ersten und zweiten Drehbewegungen können bei der Erfindung entweder
durch gemeinsame oder unabhängige
Motorelemente erzeugt werden.
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Die
Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die 2 bis 4 beschrieben,
in denen gleiche Elemente durch gleiche Bezugszahlen gekennzeichnet
sind. Auch wird in der folgenden Beschreibung auf gleiche Elemente
in 1 Bezug genommen.
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1 ist
eine bereits beschriebene Ansicht eines herkömmlichen Planetengetriebemechanismus.
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2 ist
eine Schnittansicht einer Vorrichtung zum Drehen eines Substrats
gemäß der Erfindung.
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3A–3B sind
Ansichten, die die Relativbewegung eines beispielhaften Sonnenrads,
eines Armelements und eines Planetenrads bei der Erfindung veranschaulichen.
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4 ist
eine Ansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.
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In 2 ist
eine Schnittansicht einer Vorrichtung 48 zum Drehen von
Substraten dargestellt. Die erfindungsgemäße Vorrichtung 48 umfasst
eine Abscheidungskammer 50 mit einer Innenwandfläche 56 zum
Bilden eines Kammerhohlraums 52, und eine Außenwandfläche 58.
Die Innen- und Außenwandfläche 56, 58 sind über eine
erste Wanddicke 60 getrennt. Die Kammer 50 umfasst
eine Öffnung 54,
die sich durch die erste Wanddicke 60 hindurch erstreckt.
Außerdem
ist die Kammer 50 mit einer Vakuumpumpe oder einer anderen
Vorrichtung (nicht dargestellt) zum Evakuieren des Hohlraums 52 auf
ein zum Ausführen
eines Sputterprozesses geeignetes Vakuumniveau verbunden. Eine obere
Spinnenstruktur 62 zum Tragen mehrerer Substrate ist innerhalb des
Hohlraums 52 positioniert. Außerdem ist eine untere Spinnenstruktur 64 mit
einem sich nach unten erstreckenden Halsabschnitt 66 außerhalb
der Kammer 50 positioniert. Die Antriebswelle 14 ist
an der oberen Spinnenstruktur 62 befestigt und erstreckt sich
durch die Öffnung 54 und
den Halsabschnitt 66, und sie ist an diesem Halsabschnitt 66 befestigt.
Die Vorrichtung 48 umfasst ferner einen ersten Zahnradsatz 68 und
einen ersten Motor 70, der so ausgebildet ist, dass er
die Antriebswelle 14 und damit die obere und untere Spinnenstruktur 62, 64 um
die Mittelachse 18 dreht. Ein Abdichtungsgehäuse 72,
das das Durchführungselement 28 enthält, ist über der Öffnung 54 positioniert
und an der Außenwandfläche 58 befestigt.
Das Abdichtungsgehäuse 72 und
das Durchführungselement 28 dienen
dazu, die Antriebswelle 14 und die Kammer 50 so
abzudichten, dass ein Vakuumniveau innerhalb der Kammer 50 erhalten bleibt,
das zum Sputtern geeignet ist.
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Jede
Tragplatte 40 ist einer angetriebenen Magnetstruktur 74 zugeordnet,
die innerhalb des Hohlraums 52 positioniert ist. In 2 sind
zur Veranschaulichung nur zwei angetriebene Magnetstrukturen dargestellt.
Jede angetriebene Magnetstruktur 74 umfasst angetriebene
magnetische Nord- und Südpole 76, 78,
die benachbart zur Innenwandfläche 56 positioniert
sind. Eine obere Tragplattenwelle 80 ist zwischen jeder
Tragplatte 40 und der zugehörigen angetriebenen Magnetstruktur 74 befestigt.
Jede obere Welle 80 erstreckt sich durch die obere Spinnenstruktur 62 und
ist drehbar innerhalb dieser oberen Spinnenstruktur 62 montiert.
Dies ermöglicht
eine Drehung jeder Tragplatte 40 in Zuordnung zur angetriebenen
Magnetstruktur 74 und jedes Substrats 42 um seine
zugehörige
Tragplattenachse 46.
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Die
untere Spinnenstruktur 64 beinhaltet ein Armelement 82,
wie es jeder Tragplatte 40 zugeordnet ist. Jedes Armelement 82 umfasst
ein nach oben stehendes Spinnengehäuse 84 mit einem Lagerelement 86 und
einer unteren Tragplattenwelle 88. Jede untere Welle 88 ist
zwischen einem zugehörigen
Planetenrad 90 zum Kämmen
mit dem Sonnenrad 92 und einer antreibenden Magnetstruktur 98 befestigt. Jedes
Lagerelement 86 ist so ausgebildet, dass es eine Drehung
der unteren Welle 88 ermöglicht, um dadurch eine Drehung
des zugehörigen
Planetenrads 90 und einer antreibenden Magnetstruktur 98 zu ermöglichen.
Die antreibende Magnetstruktur 98 umfasst antreibende magnetische
Nord- und Südpole 100, 102,
die benachbart zur Außenwandfläche 58 und
den angetriebenen Nord- bzw. Südpolen 78 bzw. 76 gegenüberstehend
positioniert sind. Dies bildet eine magnetische Kopplung zwischen
den antreibenden und angetriebenen magnetischen Strukturen 98 bzw. 74,
was die Übertragung
eines Drehmoments zwischen diesen antreibenden und angetriebenen Magnetstrukturen 98 bzw. 74 ermöglicht.
Infolgedessen ruft eine Drehung jedes Planetenrads 90 eine Drehung
seiner zugehörigen
antreibenden und angetriebenen Magnetstrukturen 98 bzw. 74,
der Tragplatte 40 und damit jedes Substrats 42 um
dessen zugehörige
Tragplattenachse 46 herum hervor. Auf diese Weise erfolgt
der Eingriff zwischen jedem Planetenrad 90 und dem Sonnenrad 92 und
damit die Erzeugung von Metallteilchen außerhalb der Kammer 50. Dies
verringert die Gesamtmenge an innerhalb der Kammer 50 während eines
Sputterprozesses erzeugtem Verunreinigungsmaterial erheblich. Ferner ist
die Möglichkeit,
einen Film mit wesentlich verringerter Teilchendichte verbessert.
Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel
beinhaltet nur eine der magnetischen Strukturen, z. B. die antreibende
magnetische Struktur, Magnete. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die angetriebene
Magnetstruktur aus einem magnetisch anziehbaren Material hergestellt, was
die Ausbildung magnetischer Kopplung zur antreibenden Magnetstruktur
ermöglicht.
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Bei
einem bevorzugten Ausführungsbeispiel beinhaltet
die Kammer 50 eine Nut mit einer Nutfläche 104, die durch
eine zweite Wanddicke 106, die kleiner als die erste Wanddicke 60 ist,
von der Innenwandfläche 58 getrennt
ist. Ein Positionieren der antreibenden magnetischen Nord- und Südpole 100 bzw. 102 benachbart
zur Nutfläche 104 ermöglicht engere
Anordnung zwischen den antreibenden Nord- und Südpolen 100 bzw. 102 und
den angetriebenen Süd-
und Nordpolen 78 bzw. 76, wodurch die Stärke der
magnetischen Kopplung und das übertragbare Drehmoment
erhöht
sind. Außerdem
ist die Kammer 50 aus einem unmagnetischen Material hergestellt, um
das Ausmaß der
Magnetkraft zu verringern, die entweder durch die erste oder zweite
Wanddicke 60 bzw. 106 hindurch verlorengeht, wie
aus einer Aluminiumlegierung oder einem rostfreien Stahl vom Typ 304,
um die Stärke
der magnetischen Kopplung weiter zu erhöhen.
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Im
Betrieb wird der erste Motor 70 aktiviert, um für eine Drehung
der Antriebswelle 14 zu sorgen. Eine Drehung der Antriebswelle 14 verursacht
eine entsprechende Kreisdrehung der unteren Spinnenstruktur 64,
des Planetenrads 90, der unteren Welle 88, der
antreibenden und angetriebenen Magnetstrukturen 98 bzw. 74,
der oberen Welle 80, der oberen Spinnenstruktur 62,
jeder Tragplatte 40 und damit jedes Substrats 42 um
seine Mittelachse 18. Diese Kreisdrehung bewirkt in Verbindung
mit dem Kämmen
zwischen dem Sonnenrad 92 und jedem Planetenrad 90 auch
eine gleichzeitige Drehung jedes Planetenrads 90, der unteren
Welle 88, der antreibenden und der angetriebenen Magnetstruktur 98 bzw. 74,
der oberen Welle 80, jeder Tragplatte 40 und damit
jedes Substrats 42 um seine zugehörige Tragplattenachse 46.
Dies erzeugt ein Verbundmuster von Bewegungen für jedes Substrat 42,
gemäß dem sich jedes
Substrat 42 um seine zugehörige Tragplattenachse 46 dreht,
gleichzeitig mit einem Lauf auf einem bogenförmigen Muster, während es
sich in der Abscheidungszone 49 befindet. Es wird darauf
hingewiesen, dass die Erfindung auch bei anderen Vorrichtungen mit
alternativen Antriebsmechanismen realisiert werden kann, die für andere
geeignete Bewegungsmuster für
ein Substrat während
eines Sputterprozesses sorgen.
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Die
Vorrichtung 48 umfasst ferner eine Antriebsplatte 108,
die am Sonnenrad 92 befestigt ist. Die Antriebsplatte 108 umfasst
ein Mittelloch 110, das durch eine Innenwand 112 gebildet
ist. Der Halsabschnitt 66 der unteren Spinnenstruktur 64 ist
innerhalb des Mittellochs 110 positioniert. Eine Lageranordnung 114 ist
zwischen dem Halsabschnitt 66 und der Innenwand 112 befestigt.
Diese Lageranordnung 114 ermöglicht es dem Sonnenrad 92 und
der unteren Spinnenstruktur 64, sich relativ zueinander
um die Mittelachse 18 zu drehen. Außerdem umfasst die Vorrichtung 48 einen
zweiten Zahnradsatz 116 und einen zweiten Motor 118,
die so ausgebildet sind, dass sie die Antriebsplatte 108 und
damit das Sonnenrad 92 um die Mittelachse 18 drehen.
Gemäß der Erfindung
bewirkt die Aktivierung des zweiten Motors 118 eine Änderung
der Relativbewegung zwischen dem Sonnenrad 92 und jedem
Planetenrad 90. Dies ermöglicht es, das Verhältnis der
Drehzahl jedes Substrats 42 um seine zugehörige Tragplattenachse 46 relativ
zur Drehzahl jedes Substrats 42 um seine Mittelachse 18 zu
variieren.
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Unter
Bezugnahme auf die 3A–3B wird
nun die Relativbewegung bei der Erfindung beschrieben. In den 3A–3B sind
der Deutlichkeit halber nur das Sonnenrad 92, ein Armelement 82 und
ein Planetenrad 90 in Draufsicht veranschaulicht. Gemäß 3A in
Verbindung mit 4 wird ein erster Betriebszustand
erreicht, wenn der erste Motor 70 aktiviert wird und der
zweite Motor 118 nicht aktiviert wird. Eine Aktivierung
des ersten Motors 70 bewirkt eine Drehung des Armelements 82 und
damit des Planetenrads 90 mit einer ersten Drehzahl in
einer ersten Richtung um die Mittelachse 18 (durch einen
ersten Pfeil 120 gekennzeichnet). Dies bewirkt eine gleichzeitige
Drehung des Planetenrads 90 in der ersten Richtung um die
zugehörige
Tragplattenachse 46 (durch einen zweiten Pfeil 122 gekennzeichnet)
mit einer zweiten Drehzahl, und zwar aufgrund des Kämmens zwischen
dem Sonnenrad 92 und den Planetenrädern 90. Da der zweite
Motor 118 nicht aktiviert wird, ist das Sonnenrad 92 stationär. Infolgedessen
ist im ersten Betriebszustand (der zweite Motor 118 ist
nicht aktiviert) das Verhältnis
aus der ersten Drehzahl des Planetenrads 90 um seine zugehörige Tragplattenachse 46 (zweiter
Pfeil 122) relativ zur zweiten Drehzahl um die Mittelachse 18 (erster Pfeil 120)
konstant. Daher ist auch die Anzahl von Umdrehungen des Planetenrads 90 um
seine zugehörige
Tragplattenachse 46 bei jeder Drehung des Planetenrads 90 um
die Mittelachse 18 konstant.
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In 3B ist
ein zweiter Betriebszustand dargestellt, in dem sowohl der erste
als auch der zweite Motor 70 bzw. 118 aktiviert
sind. Wie bereits beschrieben, bewirkt die Aktivierung des ersten
Motors 70 eine Drehung des Planetenrads 90 in
einer ersten Richtung um die Mittelachse 18 (erster Pfeil 120)
mit einer ersten Drehzahl und um seine zugehörige Tragplattenachse 46 (zweiter
Pfeil 122) mit einer zweiten Drehzahl. Gemäß der Erfindung
wird der zweite Motor 118 aktiviert, um dafür zu sorgen,
das sich das Sonnenrad 92 mit einer dritten Drehzahl in der
ersten Richtung um die Mittelachse 18 dreht (durch einen
dritten Pfeil 124 gekennzeichnet). Dies bewirkt eine Änderung
der Relativbewegung zwischen dem Sonnenrad 92 und dem Planetenrad 90. Im
Ergebnis ändert
sich das Verhältnis
zwischen der ersten und der zweiten Drehzahl im zweiten Betriebszustand
gegenüber
dem Verhältnis
im ersten Betriebszustand. Dies führt zu einer entsprechenden Änderung
der Anzahl von Umdrehungen des Planetenrads 90 um seine
zugehörige
Tragplattenachse 46 bei jeder Drehung des Planetenrads 90 um
seine Mittelachse 18. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
können
der erste und der zweite Motor 70 bzw. 118 Motoren
mit variabler Drehzahl sein, jedoch wird darauf hingewiesen, dass
andere Typen von Motoren verwendet werden können. Dies ermöglicht es,
die erste und/oder die zweite Drehzahl nach Wunsch zu variieren.
Daher kann die Anzahl von Umdrehungen des Planetenrads 90 um
seine zugehörige
Tragplattenachse 46 relativ zu jeder Drehung des Planetenrads 90 um
seine Mittelachse 18 nach Wunsch erhöht oder erniedrigt werden.
Eine derartige Erhöhung oder
Verringerung der Anzahl von Umdrehungen des Planetenrads 90 ermöglicht Einstellungen
beim Sputterprozess, um ausgewählte
Filmungleichmäßigkeiten
zu kompensieren. Es wird darauf hingewiesen, dass das Verhältnis zwischen
der ersten und der zweiten Drehzahl so variiert werden kann, dass
keine Drehung des Planetenrads 90 um seine zugehörige Tragplattenachse 46 vorliegt.
Alternativ kann die Drehrichtung des zweiten Motors 118 umgekehrt werden,
um dafür
zu sorgen, dass sich das Planetenrad 90 in einer Richtung
umgekehrt zur ersten Richtung dreht.
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Während des
Sputterprozesses befindet sich die Kammer 50 typischerweise
auf Massepotential. Häufig
ist es erwünscht,
die Bedingungen, unter denen der Sputterprozess stattfindet, dadurch
zu modifizieren, dass eine elektrische Vorspannung an jedes Substrat 42 und
die Tragplatte 40 angelegt wird, die vom Massepotential
der Kammer 50 verschieden ist. Typischerweise wird jedes
Substrat 42 aus elektrisch isolierenden Materialien hergestellt.
Es hat sich herausgestellt, dass das Anlegen einer hochfrequenten Spannung
mit einer Frequenz von 13,56 MHz dazu ausreicht, in die Substratmaterialien
einzudringen, um für
die gewünschte
elektrische Vorspannung zu sorgen.
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In 4 ist
ein alternatives Ausführungsbeispiel
der Erfindung dargestellt. 4 ist eine
vergrößerte Ansicht
der linken Seite von 2. Bei diesem Ausführungsbeispiel
umfasst die Vorrichtung 48 eine elektrische Vorspannungsschaltung 126 zum
Liefern einer gewünschten
elektrischen Vorspannung für
jedes Substrat 42. Die Schaltung 126 beinhaltet
ein erstes Isolierelement 128, das dazu dient, die obere Spinnenstruktur 62 an
der Antriebswelle 14 zu befestigen. Das erste Isolierelement 128 isoliert
die Antriebswelle 14 elektrisch gegen die obere Spinnenstruktur 62.
Eine Kontaktwelle 130 ist an der oberen Spinnenstruktur 62 befestigt.
Infolgedessen dreht sich die Kontaktwelle 130 zusammen
mit der oberen Spinnenstruktur 62, wenn sich dieselbe dreht.
Die Kontaktwelle 130 erstreckt sich ausgehend von der oberen
Spinnenstruktur 62 durch den Hohlraum 52 aus der
Kammer 50 heraus. Die Kammer 50 beinhaltet ferner
ein zweites Durchführungselement 132, das
durch ein zweites Isolierelement 142 gegen die Kammer 50 isoliert
ist. Das zweite Durchführungselement 132 dient
dazu, die Kontaktwelle 130 und die Kammer 50 abzudichten,
um innerhalb der Kammer 50 ein für Sputtern geeignetes Vakuumniveau
aufrechtzuerhalten. Die Schaltung 126 beinhaltet ferner eine
Vorspannungsversorgung 134 mit einer Hochfrequenzversorgung
und einer Impedanzanpassungsschaltung (nicht dargestellt). Die Vorspannungsversorgung 134 ist
mittels eines Kontaktelements 136, das so ausgebildet ist,
dass es elektrischen Kontakt zur Kontaktwelle 130 aufrechterhält, wenn
sich diese dreht, elektrisch mit dieser verbunden. Ferner wird nur
ein Teil der Kontaktwelle 130, der außerhalb der Kammer 50 liegt,
kontaktiert. Infolgedessen erfolgt die Ausbildung metallischer Teilchen,
die vom Kontakt zwischen dem Kontaktelement 136 und der
Kontaktwelle 130 herrühren,
außerhalb
der Kammer, wodurch jedes Substrat 42 vor einer Verunreinigung
durch derartige Teilchen geschützt
ist.
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Gemäß der Erfindung
beinhaltet die obere Spinnenstruktur 62 einen äußeren Abschnitt 168,
der sich unter jeder Tragplatte 40 erstreckt und der relativ dicht
bei jeder Tragplatte 40 liegt, wodurch ein Spalt 140 gebildet
ist. Dieser bildet einen elektrischen Kondensator, bei dem der äußere Abschnitt 138 eine
erste Elektrode und jede Tragplatte 40 eine zweite Elektrode
bildet. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der Spalt
ungefähr
1,2 mm (0,05 Zoll) weit, und jede Tragplatte 40 und ein
Teil 142 des äußeren Abschnitts 138 benachart
zu jeder Tragplatte weisen jeweils eine Fläche von ungefähr 390 cm2 (65 Quadratzoll) auf. Dies bildet einen
Kondensator mit einer Kapazität
von ungefähr
300 Pikofarad. Es hat sich herausgestellt, dass dies ein Wert ist,
der dazu ausreicht, eine gewünschte
elektrische Vorspannung an jedem Substrat 42 zu erzeugen.