DE19630342A1

DE19630342A1 - Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren dafür

Info

Publication number: DE19630342A1
Application number: DE19630342A
Authority: DE
Inventors: Junko Matsubara; Toru Tajima; Shigeru Harada
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1995-08-23
Filing date: 1996-07-26
Publication date: 1997-02-27
Anticipated expiration: 2016-07-27
Also published as: KR970013070A; JPH0964037A; ITMI961748A0; IT1283799B1; US5976626A; DE19630342C2; ITMI961748A1; KR100266428B1; TW291598B

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben. Speziell betrifft sie eine Halbleitereinrichtung mit einem planarisierten Zwischenschicht- Isolationsfilm zwischen, unterhalb oder oberhalb einer Metallver drahtung und ein Herstellungsverfahren derselben.

In den letzten Jahren wurden die Reduzierung des Unterschiedes im Unterschichtniveau und die Planarisierung einer Isolationsschicht zwischen Verdrahtungen einer der kritischsten Prozesse beim Ver bessern der Ausbeute und der Zuverlässigkeit von Halbleiterein richtungen entsprechend der Erhöhung ihrer Dichte und Integrati on. Einer von diesen Prozessen enthält den Schritt des Abschei dens eines Films mit Siliziumpolymer durch ein Spin-on-Glas- Verfahren (Spin-on-glass-method) (im folgenden als SOG-Film be zeichnet) und des Durchführens einer Wärmebehandlung.

Das Material des zu bildenden SOG-Films (im folgenden als SOG-Material bezeichnet) wird in zwei Typen eingeteilt, d. h. anorga nisches SOG-Material und organisches SOG-Material mit einer Struktur, bei der eine Alkylgruppe direkt mit Silizium verbunden ist.

Wenn ein Unterschied im Unterschichtniveau unter Verwendung eines anorganischen SOG-Materials reduziert werden soll, werden ein Schritt des Aufbringens einer anorganischen SOG-Schicht 5a auf einer unterliegenden Oxidschicht 4, wie in Fig. 24 gezeigt ist, und ein Schritt des nochmaligen Aufbringens einer anorganischen SOG-Schicht 5b, wie in Fig. 25 gezeigt ist, zum Zweck der Plana risierung benötigt. Die anorganische SOG-Schicht, die den Zwi schenraum zwischen den abgestuften Abschnitten füllt, ist auf grund des Schrumpfens der Schicht zur Zeit des Schichtwachstums einer Zugspannung ausgesetzt, was in der Erzeugung eines Risses 20 resultiert.

Wenn eine SOG-Schicht als ein Teil einer Passivierungsschicht auf einer Metallverdrahtung verwendet wird, wird dieser Riß die Feuchtigkeitsbeständigkeit negativ beeinflussen. Beispielsweise wird ein Riß 21 leicht unterhalb des abgestuften Abschnittes ei ner Siliziumnitridschicht II erzeugt, die auf einer Metallver drahtung durch ein Plasma CVD gebildet ist, wie in Fig. 26 ge zeigt ist. Obwohl die SOG-Schicht 5b über den abgestuften Bereich aufgebracht ist, wird die Erzeugung eines anderen Risses 20 in dieser SOG-Schicht 5b die Feuchtigkeitsbeständigkeit zusätzlich zu dem Riß in der Siliziumnitridschicht 11 reduzieren, was zu einer Korrosion der Metallverdrahtung 7 führt.

Andererseits gibt es den Vorteil, daß ein Unterschied im Unter schichtniveau mittels der Verwendung einer organischen SOG-Schicht 5c, wie in Fig. 27 gezeigt ist, reduziert werden kann, da eine Schicht von ungefähr 1,5 µm maximaler Dicke mit nur einem Beschichten gebildet werden kann.

Dieses organische SOG-Material enthält Alkylgruppen, wie zum Bei spiel Si-CH₃ und Si-C₂H₅, die durch ein Sauerstoffplasma einfach beschädigt werden können. Es gibt dabei die Schwierigkeit, daß ein Trockenätzen 22 auftritt, wenn ein Riß oder eine Ablösung 23 der Schicht in einem Ätzschritt eines Durchgangsloches, wie in Fig. 28 gezeigt ist, erzeugt wird.

Es wird daher ein Aufbau benötigt, bei dem die organische SOG-Schicht 5c nicht an der Seitenoberfläche eines Kontaktloches freigelegt ist. Genauer wird ein allgemeines Zurückätzen nach dem Aufbringen einer Beschichtung einer organischen SOG-Schicht 5c so durchgeführt, daß die organische SOG-Schicht oberhalb des abge stuften Abschnittes entfernt wird, wie in Fig. 29 gezeigt ist. Wie in Fig. 30 gezeigt ist, ist durch diesen zusätzlichen Prozeß ein Aufbau möglich, bei dem die organische SOG-Schicht 5c nicht an der Seitenoberfläche eines Kontaktloches freigelegt ist.

Eine anorganische SOG-Schicht, die mit einer größeren Dicke als die der Anmelderin bekannten anorganischen SOG-Schicht gebildet werden kann (im folgenden als anorganische Dickschicht-SOG-Schicht bezeichnet), ist ein neues Material zum Lösen der oben beschriebenen Schwierigkeiten der der Anmelderin bekannten SOG-Schicht. Die japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 5-121572 offenbart ein Beispiel eines Materials einer anorganischen Dick schicht-SOG-Schicht mit der Formel:

l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500

Entsprechend dieser Offenbarung wird eine Zwischenschicht- Isolierschicht, die ein Siliziumpolymer der oben aufgeführten Formel enthält, auf einer ersten Metallverdrahtung 3 abgeschie den, wird dann einem Ätzprozeß für ein Kontaktloch 24 ausgesetzt, wie in Fig. 31 gezeigt ist, so daß eine in Fig. 32 gezeigte zwei te Metallverdrahtung 7 gebildet wird.

Hier dehnt sich das beschichtete und ausgeheizte Siliziumpolymer wie eine Struktur aus SiON oder SiO₂ aus. Daher wird durch Erzeu gen einer Restdruckspannung in der Schicht die Rißwiderstandsfä higkeit verbessert, so daß die Verdichtung der Schicht erhöht wird.

Entsprechend diesem Prozeß kann das Seitenätzen und die Erzeugung eines Risses unterdrückt werden. Es wird jedoch nach dem Bilden des Kontaktloches 24 ein Gas wie zum Beispiel H₂O und CO₂ von der SOG-Schicht an der Seitenoberfläche des Kontaktloches beim Bilden der zweiten Metallverdrahtung erzeugt. Die zweite Metallverdrah tung 7 wird durch das erzeugte Gas korrodiert, so daß das Fehler phänomen des sogenannten vergifteten Kontaktes verursacht wird. Dieses Phänomen wird ähnlich in dem Aufbau 27, der eine der An melderin bekannte anorganische SOG-Schicht verwendet, und auch in dem Aufbau 26, der, wie in Fig. 34 gezeigt ist, eine organische SOG-Schicht verwendet, angetroffen.

Wenn die Planarisierung einer Isolierschicht zwischen einer Ver drahtung und einer Reduzierung des Unterschiedes in einer Unter bzw. Teilschicht in einer Halbleitereinrichtung, die das der An melderin bekannte anorganische SOG-Material verwendet, bewirkt werden soll, muß eine Mehrlagenschicht durch Mehrlagenbeschichten gebildet werden. Das wird die Anzahl der Herstellungsschritte und der Kosten erhöhen. Weiter gibt es die Schwierigkeit, daß ein Riß erzeugt wird, der durch das Schrumpfen der Schicht während ihres Wachstums verursacht wird, so daß die Zuverlässigkeit der Ein richtung, wie zum Beispiel die Feuchtigkeitsbeständigkeit und ähnliches, beeinflußt wird.

Wenn ein der Anmelderin bekanntes organisches SOG-Material ver wendet wird, gibt es die Schwierigkeit, daß die freigelegte Ober fläche der organischen SOG-Schicht seitlich geätzt wird oder daß ein Riß erzeugt wird, so daß ein Verdrahtungsfehler verursacht wird.

Sogar wenn ein anorganische Dickfilm-SOG-Material verwendet wird, daß eine verbesserte Version der oben beschriebenen beiden Typen von SOG-Material ist, wird das von der freigelegten Oberfläche der anorganische Dickschicht-SOG-Schicht an der Seitenoberfläche des Kontaktloches freigesetzte Gas eine Verdrahtungskorrosion verursachen, die vergifteter Kontakt genannt wird, so daß die Zuverlässigkeit der Einrichtung verringert wird.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterein richtung zur Verfügung zu stellen, die eine verbesserte Rißbe ständigkeit und Feuchtigkeitsbeständigkeit aufweist, so daß ein Verdrahtungsfehler verhindert wird, ohne dabei die Anzahl der Herstellungsschritte und die Kosten zu erhöhen, sogar wenn ein anorganisches Dickschicht-SOG-Material verwendet wird.

Weiter soll ein Herstellungsverfahren dafür zur Verfügung ge stellt werden.

Ein Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung entspre chend einem Aspekt der vorliegenden Erfindung weist folgende Schritte auf:
Abscheiden einer anorganischen Schicht auf einem Halbleiter substrat durch das Spin-on-Glas-Verfahren bzw. Schleuderbeschich tungsverfahren und dann Durchführen einer Wärmebehandlung in ei ner Umgebung aus Stickstoff, Luft oder Wasserdampf bei einer Tem peratur von 300-500°C derart, daß eine Zwischenschicht bzw. Zwi schenschichtfilm gebildet wird.

Entsprechend diesem Herstellungsverfahren kann die Zwischen schicht in der Dicke wie eine der Anmelderin bekannte anorgani sche SOG-Schicht erhöht werden.

Weiterhin kann der Unterschied im Unterschichtniveau durch nur einen Beschichtungsprozeß reduziert werden und die Rißfestigkeit kann verbessert werden.

Ein Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung entspre chend einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist fol gende Schritte auf:
Abscheiden einer Zwischenschicht-Schicht auf einem Halbleiter substrat, die eine durch das Spin-on-Glas-Verfahren gebildete anorganische Schicht enthält, und Bilden einer Öffnung in der Zwischenschicht-Schicht derart, daß die anorganische Schicht an der Seitenoberfläche der Öffnung freigelegt wird, und dann Durch führen einer Wärmebehandlung bei einem Vakuum von nicht mehr als 0,133 Pa (10^-3 Torr) und bei einer Temperatur von 150-550°C.

Entsprechend dem vorliegenden Herstellungsverfahren kann das an der Seitenoberfläche der anorganischen Schicht anhaftende Gas durch eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 150-550°C und in einem Vakuum von nicht mehr als 0,133 Pa (10^-3 Torr) freige setzt werden.

Eine danach gebildete Metallverdrahtung wird nicht an einer Öff nung korrodiert.

Ein Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung entspre chend einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist fol gende Schritte auf:
Abscheiden einer anorganischen Schicht durch das Spin-on-Glas- Verfahren auf einem Halbleitersubstrat und Richten eines Stick stoffplasmas auf die anorganische Schicht.

Entsprechend dem vorliegenden Herstellungsverfahren kann der obe re Schichtabschnitt der Schicht durch Richten des Stickstoffplas mas auf die obere Oberfläche der anorganischen Schicht nitriert bzw. aufgestickt werden.

Da das Innere der anorganischen Schicht durch die Nitridoberflä che geschützt wird, kann die Reißfestigkeit weiter verbessert werden.

Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist die Schritte auf:
Abscheiden einer anorganischen Schicht durch das Spin-on-Glas- Verfahren auf einem Halbleitersubstrat und dann Richten einer ultravioletten Strahlung auf die anorganische Schicht.

Entsprechend dem vorliegenden Herstellungsverfahren kann die an organische Schicht durch Bestrahlen der anorganischen Schicht mit der ultravioletten Strahlung in SiO₂ umgewandelt werden.

Daher kann die Rißwiderstandsfähigkeit weiter verbessert werden.

Als das Material der anorganischen Schicht, die durch das Spin on-Glas-Verfahren gebildet wird, kann ein erstes Siliziumpolymer, das durch die folgende Formel dargestellt wird, verwendet werden:

SiH_x(OR)_y

wobei
x = 1-3, y = 3-1 und
R ein Wasserstoffatom oder eine niedrigere Alkylgruppe ist.

Oder es kann ein zweites Siliziumpolymer verwendet werden, daß durch die folgende Formel dargestellt wird:

l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500

Das Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung entspre chend dem vorliegenden Aspekt enthält den Schritt des Anwendens einer Wärmebehandlung so, daß, nachdem die anorganische Schicht unter Verwendung des oben beschriebenen ersten und/oder zweiten Siliziumpolymers gebildet ist, eine Zwischenschicht-Schicht ge bildet wird. Daher kann die Rißbeständigkeit verbessert werden und die Dicke der Zwischenschicht-Schicht kann erhöht werden.

Somit kann der Unterschied im Zwischenschichtniveau einfach redu ziert werden und die Zuverlässigkeit der Einrichtung, wie zum Beispiel die Feuchtigkeitsbeständigkeit, kann verbessert werden.

Entsprechend einem Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Halbleitereinrichtung eine anorganische Schicht auf, die unter Verwendung eines ersten Siliziumpolymers gebildet wird und die durch die folgende Formel dargestellt wird:

SiH_x(OR)_y

wobei
x = 1-3, y = 3-1 und
R ist ein Wasserstoffatom oder eine niedrige Alkylgruppe.

Oder die anorganische Schicht ist unter Verwendung eines zweiten Siliziumpolymers hergestellt, daß durch die folgende Formel dar gestellt wird:

l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500

Bei Anwendung der oben beschriebenen Wärmebehandlung auf die an organische Schicht wurde ein Desorptionsgas entsprechend der Mas senzahl 18, 22 und 44 bei der thermischen Desorptionsspektrosko pie (TDS) nicht wesentlich beobachtet.

Entsprechend einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist die Halbleitereinrichtung eine anorganische Schicht auf, die unter Verwendung eines Siliziumpolymers, der durch die fol gende Formel dargestellt ist, gebildet ist:

SiH_x(OR)_y

wobei
x = 1-3, y = 3-1 und
R ein Wasserstoffatom oder eine niedrige Alkylgruppe ist.

Oder der unter Verwendung eines zweiten Siliziumpolymers, daß durch die folgende Formel dargestellt ist, hergestellt ist:

l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500

Betreffend die anorganische Schicht, auf die die ultraviolette Strahlung gerichtet wurde, wurden eine Infrarotabsorption ent sprechend der Bindung eines Siliziumatoms und eines Wasserstoff atoms bei der Wellenzahl von 2000-2040 cm^-1 und eine Infrarotab sorption entsprechend der Bindung eine Stickstoffatoms und eines Wasserstoffatoms bei der Wellenzahl von 3200-3600 cm^-1 bei der Infrarotabsorptionsspektrometrie nicht wesentlich beobachtet.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 und 2 Querschnittsansichten einer Halbleitereinrich tung, die jeweils einen Schritt ihres Herstel lungsverfahrens entsprechend der ersten und der zweiten Ausführungsform zeigen;

Fig. 3 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 2 durchgeführten Schritt entsprechend der zweiten Ausführungsform zeigt;

Fig. 4 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 3 durchgeführten Schritt entsprechend der zweiten Ausführungsform zeigt;

Fig. 5 ein Diagramm, das Entgasungsauswertungsergeb nisse einer SOG-Schicht entsprechend der TDS der zweiten Ausführungsform zeigt;

Fig. 6 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Scheibenausbeute und der Ausheiztemperatur entsprechend der zweiten Ausführungsform zeigt;

Fig. 7 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen Schritt ihres Herstel lungsverfahrens entsprechend der dritten Aus führungsform zeigt;

Fig. 8 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 7 durchgeführten Schritt entsprechend der dritten Ausführungsform zeigt;

Fig. 9 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen Schritt ihres Herstel lungsverfahrens entsprechend der vierten Aus führungsform zeigt;

Fig. 10 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 9 ausgeführten Schritt entsprechend der vier ten Ausführungsform zeigt;

Fig. 11 und 12 Diagramme, die Ergebnisse der Entgasungsaus wertungsergebnisse einer SOG-Schicht entspre chend der TDS der vierten Ausführungsform zei gen;

Fig. 13 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen Schritt ihres Herstel lungsverfahrens entsprechend der sechsten Aus führungsform zeigt;

Fig. 14 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 13 durchgeführten Schritt entsprechend der fünften Ausführungsform zeigt;

Fig. 15 und 16 ein SOG-Schicht-Spektrum durch Infrarotabsorp tion entsprechend der fünften Ausführungsform;

Fig. 17 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen ihrer Herstellungsschritte entsprechend der sechsten Ausführungsform zeigt;

Fig. 18 eine Querschnittsansicht eines SRAMs in der Nähe eines TFTs (Dünnfilmtransistors) einer siebten Ausführungsform;

Fig. 19 den Bindungszustand von Silizium in Polysili zium entsprechend der siebten Ausführungsform;

Fig. 20 eine Querschnittsansicht eines SRAMs mit einer auf einem TFT von Fig. 18 gebildeten SOG-Schicht entsprechend der siebten Ausführungs form;

Fig. 21 einen Bindungszustand eines Siliziums in dem Polysilizium von Fig. 20 entsprechend der siebten Ausführungsform;

Fig. 22 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen Schritt ihres Herstel lungsverfahrens entsprechend einer achten Aus führungsform zeigt;

Fig. 23 eine Querschnittsansicht einer Halbleiterein richtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 19 durchgeführten Schritt entsprechend der achten Ausführungsform zeigt;

Fig. 24 Querschnittsansicht einer Halbleitereinrich tung, die einen Schritt eines Beispiels eines der Anmelderin bekannten Herstellungsverfah rens zeigt;

Fig. 25 eine Querschnittsansicht einer der Anmelderin bekannten Halbleitereinrichtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 21 durchgeführten Schritt zeigt;

Fig. 26 und 27 Querschnittsansichten einer Halbleitereinrich tung, die einen Schritt von Beispielen von ihren der Anmelderin bekannten Herstellungs verfahren zeigen;

Fig. 28 und 29 Querschnittsansichten einer der Anmelderin bekannten Halbleitereinrichtung, die nach dem Schritt von Fig. 24 ausgeführte Schritte zei gen;

Fig. 30 eine Querschnittsansicht einer der Anmelderin bekannten Halbleitereinrichtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 26 durchgeführten Schritt zeigt;

Fig. 31 eine Querschnittsansicht einer der Anmelderin bekannten Halbleitereinrichtung, die einen Schritt eines anderen Herstellungsverfahrens zeigt;

Fig. 32 eine Querschnittsansicht einer der Anmelderin bekannten Halbleitereinrichtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 28 durchgeführten Schritt entsprechend dem der Anmelderin be kannten Herstellungsverfahren zeigt;

Fig. 33 eine Querschnittsansicht einer der Anmelderin bekannten Halbleitereinrichtung, die einen nach dem Schritt von Fig. 29 durchgeführten Schritt entsprechend dem der Anmelderin be kannten Herstellungsverfahren zeigt;

Fig. 34 eine Querschnittsansicht einer der Anmelderin bekannten Halbleitereinrichtung, die einen Schritt eines anderen Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung zeigt.

Erste Ausführungsform

Eine erste Ausführungsform, die ein SOG-Material verwendet, wird im folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben.

Das in der vorliegenden Erfindung verwendete SOG-Material wird "anorganisches Dickfilm-SOG-Material" genannte und weist eine Bindung von einer anorganischen Gruppe, wie zum Beispiel Si-H und Si-N, mit Silizium auf. Das SOG-Material enthält ein erstes SOG-Material, das durch die folgende Formel dargestellt wird:

SiH_x(OR)_y

wobei
x = 1-3, Y = 3-1 und R ein Wasserstoffatom oder eine nied rige bzw. niederwertige Alkylgruppe ist.

Oder es enthält ein zweites SOG-Material, das durch die folgende Formel dargestellt wird:

l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500

Da die Si-H Bindung in diesem anorganischen Dickfilm-SOG-Material im Vergleich mit der in dem der Anmelderin bekannten anorgani schen SOG-Material aus einer Si-OH Bindung nicht einfach aufge brochen werden kann, wurde die Rißwiderstandsfähigkeit durch eine interne Spannung um ungefähr 1,3-2,0 mal verbessert. Daher kann die Dicke anders als bei einer der Anmelderin bekannten anorgani schen SOG-Schicht durch nur eine Beschichtung erhöht werden.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, wird eine anorganische Dickschicht- SOG-Schicht 5 zur Schleuderbeschichten auf eine unterliegende Oxidschicht 4 aufgebracht, gefolgt von dem Entfernen des Lösungs mittels. Dann wird eine thermische Behandlung in einer Heizkammer ("sinter chamber") in einem Temperaturbereich von 300-550°C in einer geeigneten Umgebung, wie zum Beispiel N₂, H₂O, O₂ und ähnli chem, durchgeführt.

Bei dieser thermischen Behandlung ist die Geschwindigkeit des Einführens/Herausführens der Halbleitereinrichtung in/aus der Heizkammer bevorzugt nicht mehr als 10 cm/min, um die Rißwider standsfähigkeit zu verbessern. Weiterhin ist die Temperatur, wenn die Halbleitereinrichtung in/aus der Sinterkammer eingeführt/ herausgeführt wird, bevorzugt 30-100°C niedriger als die aktuelle Prozeßtemperatur.

Tatsächlich wurde ein Riß in einer SOG-Schicht mit einer Dicke von 500 nm (5000 Å) beobachtet, wenn die Temperatur beim Einfüh ren/Herausführen der Halbleitereinrichtung identisch zu der der aktuellen Prozeßtemperatur war. Die Erzeugung des Risses in der SOG-Schicht konnte jedoch durch Erniedrigen der Temperatur um 30-100°C im Vergleich zu der aktuellen Prozeßtemperatur, wenn die Halbleitereinrichtung in die oder aus der Kammer eingeführt oder ausgeführt wurde, verhindert werden.

Weiterhin wurde ein Riß in der SOG-Schicht mit einer Dicke von 700 nm (7000 Å) beobachtet, wenn die Halbleitereinrichtung in die oder aus der Kammer mit 15 cm/min eingeführt oder herausgeführt wurde. Im Gegensatz dazu konnte die Erzeugung eines Risses in der SOG-Schicht durch Erniedrigung der Geschwindigkeit auf 10 cm/min unterdrückt werden.

Da der Unterschied in dem Unterschichtniveau reduziert werden kann und die Rißwiderstandsfähigkeit durch einmaliges Aufbringen des SOG-Materials verbessert werden kann, kann die Zuverlässig keit der Halbleitereinrichtung verbessert werden und die Anzahl der Herstellungsschritte wird nicht erhöht. Daher können die Her stellungskosten verringert werden.

Zweite Ausführungsform

Eine zweite Ausführungsform wird im folgenden beschrieben.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, wird folgend auf die Bildung einer anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht auf der unterliegenden Oxidschicht 4 eine Siliziumoxidschicht 6 durch ein Plasma CVD, wie in Fig. 2 gezeigt ist, gebildet. Unter Verwendung einer vor bestimmten Maske wird ein Kontaktloch bemustert. Dann wird ein anisotropes Ätzen derart durchgeführt, daß ein Kontaktloch 24 gebildet wird.

Dann wird, wie in Fig. 3 gezeigt ist, eine thermische Behandlung bei einem niedrigen Druck von nicht mehr als 0,133 Pa (10^-3 Torr) und bei einem Temperaturbereich von 150-550°C mit der anorgani schen Dickschicht-SOG-Schicht, die teilweise an der Seitenober fläche des Kontaktloches freigelegt ist, durchgeführt. Durch die se thermische Behandlung werden ein Restgas 25, wie zum Beispiel CO₂, H₂O und ähnliches, die an einem Abschnitt der SOG-Schicht an der Seitenoberfläche des Kontaktloches anhaften und das absor bierte Wasser freigesetzt.

Nach der thermischen Behandlung wird eine zweite Verdrahtung 7, wie in Fig. 4 gezeigt ist, gebildet, so daß verhindert wird, daß Verunreinigungen wieder an die Seitenwand des Kontaktloches an haften.

Der Temperaturbereich für die thermische Behandlung wurde durch das folgende Experiment erhalten. Genauer wurde die Menge der Entgasung durch TDS (thermische Desorptionsspektroskopie) mit einem Abschnitt der anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht, die durch die Öffnung des Kontaktloches freigelegt ist, ausgewertet. Das Ergebnis eines Beispiels, das ein erstes SOG-Material verwen det, ist in Fig. 5 gezeigt.

Fig. 5 zeigt die Beziehung zwischen der Temperatur der Scheibe (Wafer) und der Massenzahl der von der Scheibe freigesetzten Sub stanz. Von dem Diagramm von Fig. 5 kann entnommen werden, daß die Menge der Entgasung der Massenzahl 18, d. h. H₂O, groß ist und im Bereich von 150°C emittiert wird.

Daher ist die untere Grenztemperatur der thermischen Behandlung nach der Bildung eines Kontaktloches bevorzugt 150°C. Die obere Grenze der Temperatur ist bevorzugt 550°C, so daß eine Metallver drahtung nicht schmilzt.

Weiterhin wurde die Abhängigkeit der Scheibenausbeute von der Temperatur der thermischen Behandlung ausgewertet. Fig. 6 zeigt die Ergebnisse. Es kann von Fig. 6 entnommen werden, daß die Va riation in der Ausbeute größer ist, wenn die thermische Behand lungstemperatur 100°C ist, wohingegen die Ausbeute mit geringen Variationen groß ist, wenn die Temperatur oberhalb 200°C ist.

Die Korrosion der Metallverdrahtung kann durch Anwenden der ther mischen Behandlung bei einem niedrigen Druck verhindert werden, so daß ein Entgasen sogar in einer Struktur bewirkt wird, bei der eine anorganische Dickschicht-SOG-Schicht durch ein Kontaktloch freigelegt wird, wenn die anorganische Dickschicht-SOG-Schicht zwischen Metallverdrahtungen angewendet wird. Somit kann eine Halbleitereinrichtung mit einer stabilen hohen Ausbeute erhalten werden.

Dritte Ausführungsform

Im folgenden wird eine dritte Ausführungsform beschrieben.

Wie in Fig. 7 gezeigt ist, wird eine anorganische Dickschicht- SOG-Schicht 5 auf eine zweite Verdrahtung aufgebracht und einer thermischen Behandlung derart ausgesetzt, daß ein Kontaktloch gefüllt wird. Dann wird durch ein Plasma CVD eine Siliziumoxid schicht 2 abgeschieden und es wird eine dritte Verdrahtung 28, wie in Fig. 8 gezeigt ist, gebildet. Es wird dann ein Siliziu moxidschicht 4 derart abgeschieden, daß die dritte Verdrahtung 28 bedeckt wird.

Durch Wiederholen ähnlicher Schritte kann eine Mehrlagenschicht verdrahtungsstruktur von drei oder mehr Schichten gebildet wer den.

Durch Anwenden der anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht kann ein Unterschied im Unterschichtniveau reduziert werden und ein Kon taktloch kann gefüllt werden. Daher kann eine Mehrlagenschicht verdrahtung einfach gebildet werden, so daß die Integrationsdich te einer Einrichtung verbessert werden kann.

Vierte Ausführungsform

Im folgenden wird ein Verfahren der Nitrierung einer SOG-Schicht beschrieben, um die Rißwiderstandsfähigkeit weiter zu verbessern.

Wie in Fig. 9 gezeigt ist, wird eine Siliziumoxidschicht 4 durch ein Plasma CVD derart gebildet, daß die erste Verdrahtung 3 be deckt wird, und dann wird eine anorganische Dickschicht-SOG-Schicht 5 aufgebracht.

Dann wird eine Stickstoffplasma auf die Oberfläche der SOG-Schicht 5 so gerichtet, daß eine nitrierte Oberfläche 5d der SOG-Schicht erhalten wird.

Die Menge der Entgasung wurde durch TDS in Abhängigkeit der Anwe senheit/Abwesenheit des Stickstoffplasmaprozesses nach Aufbringen einer Schicht aus einer anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht ausgewertet. Die Ergebnisse sind in den Diagrammen von Fig. 11 und 12 dargestellt. Hier wurde das erste SOG-Material verwendet.

Fig. 11 ist ein Diagramm, das den Zustand zeigt, bei dem ein Stickstoffplasmaprozeß nicht angewendet wurde, und Fig. 12 zeigt den Zustand, bei dem ein Stickstoffplasmaprozeß angewendet wurde. Es kann von Fig. 12 geschlossen werden, daß fast kein Entgasen bis in die Nähe von 500°C in der Halbleitervorrichtung, die einem Stickstoffplasmaprozeß ausgesetzt war, beobachtet wurde. Das be deutet, daß der Schichtausfall bei einer Temperatur unter 500°C unterdrückt wird, und daß kein Schichtschrumpfen stattfindet. Es kann davon geschlossen werden, daß die Rißwiderstandsfähigkeit durch Nitrieren der Nachbarschaft der Oberfläche der SOG-Schicht verbessert wird.

Weiterhin wurde eine beschleunigte Auswertung der Rißwiderstands fähigkeit durchgeführt. Eine anorganische Dickschicht-SOG-Schicht, die einem Stickstoffplasmaprozeß ausgesetzt wurde, zeig te keine Erzeugung eines Risses, sogar wenn eine thermische Be handlung von 400°C für 15 Minuten in einer Stickstoffatmosphäre zehnmal wiederholt wurde. Im Gegensatz dazu wurde beim vierten Mal der wiederholten thermischen Behandlung ein Riß in der anor ganischen Dickschicht-SOG-Schicht beobachtet, die nicht einem Stickstoffplasmaprozeß ausgesetzt war.

Somit kann durch Durchführen eines Stickstoffplasmaprozesses, nachdem eine anorganische Dickschicht-SOG-Schicht aufgebracht wurde, eine Halbleitereinrichtung erhalten werden, die eine ver besserte Rißwiderstandsfähigkeit und eine höhere Zuverlässigkeit aufweist.

Fünfte Ausführungsform

Ein Verfahren zum Verbessern der Reißfestigkeit bzw. der Rißwi derstandsfähigkeit durch Fördern der Umwandlung der anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht in SiO₂ wird im folgenden als sechste Ausführungsform beschrieben.

Wie in Fig. 13 gezeigt ist, wird nach dem Bilden einer Siliziu moxidschicht 4 durch ein Plasma CVD derart, daß die erste Ver drahtung 3 bedeckt wird, eine anorganische Dickschicht-SOG- Schicht 5 aufgebracht. Dann wird ultraviolette Strahlung auf die Oberfläche der anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht 5 gerichtet.

Hier wird der Unterschied der Umwandlung von SiO₂ innerhalb der anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht in Abhängigkeit davon, ob ultraviolette Strahlung gerichtet wird oder nicht, mit Bezug zu Fig. 15 und 16 (unter Verwendung des zweiten SOG-Materials) ge schrieben. Fig. 15 zeigt ein Infrarotabsorptionsspektrum einer SOG-Schicht, die einer thermischen Behandlung von 300°C oder 400°C ohne Bestrahlung mit einer ultravioletten Strahlung, nach dem eine anorganische Dickschicht-SOG-Schicht aufgebracht ist, ausgesetzt wurde. Fig. 16 zeigt ein Infrarotabsorptionsspektrum einer SOG-Schicht, die einer thermischen Behandlung von 300°C oder 400°C mit einer Bestrahlung mit ultravioletten Strahlung, nachdem eine anorganische Dickschicht-SOG-Schicht aufgebracht ist, ausgesetzt wurde.

Es wurde festgestellt, daß eine mit ultravioletter Strahlung be strahlte anorganische Dickschicht-SOG-Schicht eine Infrarotab sorptionsintensität entsprechend der Bindung von Si-O-Si auf weist, die größer ist als die der nicht mit ultravioletten Strah lung bestrahlten anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht. Es wurde angenommen, daß die SiO₂-Umwandlung gefördert wurde.

Durch Richten einer ultravioletten Strahlung wurde, wie in Fig. 14 gezeigt ist, eine SiO₂ 5e Umwandlung gefördert. Somit kann eine Halbleitereinrichtung mit einer weiter verbesserten Rißwi derstandsfähigkeit und einer hohen Zuverlässigkeit erhalten wer den.

Die Verbesserung der Rißwiderstandsfähigkeit der anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht dient auch zur Verbesserung der Feuchtig keitsbeständigkeit.

Sechste Ausführungsform

Ein Verfahren, das auch eine Passivierungsschicht verwendet, wird im folgenden als sechste Ausführungsform beschrieben.

Wie in Fig. 17 gezeigt ist, wird ein Riß 21 leicht in der Nach barschaft eines abgestuften Abschnittes einer Siliziumnitrid schicht 11, die als eine Passivierungsschicht 11 dient, die auf einer Metallverdrahtung 7 durch Plasma CVD gebildet ist, erzeugt. Das Eindringen von Wasserdampf oder ähnlichem durch diesen Riß kann jedoch durch Aufbringen einer anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht auf die Siliziumoxidschicht oder auf das Siliziumnitrid und nachfolgender Wärmebehandlung des Blockrisses 21 verhindert werden.

Damit kann eine Halbleitereinrichtung erhalten werden, die eine verbesserte Feuchtigkeitsbeständigkeit und eine hohe Zuverlässig keit aufweist.

Siebte Ausführungsform

Im folgenden wird eine siebte Ausführungsform beschrieben.

Wie oben beschrieben wurde, ist das Aufbringen einer anorgani schen Dickschicht-SOG-Schicht direkt vorteilhaft zum Verhindern einer Verdrahtungskorrosion und zum Verbessern der Rißwider standsfähigkeit und der Planarisierung. Das Aufbringen einer an organischen Dickschicht-SOG-Schicht trägt indirekt auch zur Ver besserung der elektrischen Charakteristika einer Halbleiterein richtung bei. Wenn es eine freie Bindung in einem Si-Atom in ei ner Siliziumtypschicht außer der anorganischen Dickschicht-SOG- Schicht gibt, kann der Wasserstoff in der anorganischen Dick schicht-SOG-Schicht dazu dienen, die freie Bindung durch Verbin den mit der freien Bindung abzuschließen. In anderen Worten wird die anorganische Dickschicht-SOG-Schicht die Wasserstoffversor gungsquelle für die freie Bindung.

Ein SRAM (statischer Direktzugriffsspeicher) ist als ein Typ ei ner Speichereinrichtung bekannt. Eine Speicherzelle in einem sol chen SRAM, der verschiedene Typen von Transistoren aufweist, ist aus einem Flip-Flop gebildet. Ein Typ ist ein TFT (Dünnfilm transistor), das ist eine stabile Zelle des CMOS-Types, die für den Zweck der Reduzierung der Zellfläche entwickelt wurde.

Fig. 18 zeigt eine Querschnittsansicht eines Beispiels davon. Ein TFT enthält einen Kanalbereich aus Polysilizium 34 auf einer Gateelektrode 9, die auf einem Substrat 1 mit einem dazwischen liegenden Gateoxidfilm 31 gebildet ist, ein Paar von Source/ Drain-Anschlüssen 32 und 33 an beiden Seiten der Gateelektrode 9. Das Polysilizium 34 weist eine Korngrenze 35, wie in Fig. 19 ge zeigt ist, auf. Eine freie Siliziumbindung 36 ist an der Korn grenze 35 vorhanden, so daß ein Mittelzonenniveau bzw. ein Niveau in der verbotenen Zone gebildet wird.

Ladungsträger werden in diesem Mittelzonenniveau gefangen und andere Ladungsträger werden von der Korngrenze 35 entfernt, so daß eine Sperr-Verarmungsschicht 37 resultiert und eine Poten tialbarriere gebildet wird. Der EIN-Strom, der der Source/Drain- Strom ist, wenn die Gatespannung die Einsatzspannung erreicht, wird aufgrund dieser Potentialbarriere reduziert. Auch der AUS- Strom, der der Source/Drain-Strom ist, wenn die Gatespannung 0 V ist, wird als Leckstrom durch thermische Anregung über dieses Niveau erzeugt.

Daher sind ein höherer EIN-Strom und ein niedrigerer AUS-Strom bevorzugt als elektrische Charakteristika des TFTs.

Daher wird eine anorganische Dickschicht-SOG-Schicht 5 auf dem TFT mit einer dazwischenliegenden TEOS Typ Siliziumoxidschicht 38, wie in Fig. 20 gezeigt ist, gebildet. Der Wasserstoff in der anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht koppelt (39) an die freie Bindung in dem Unterschicht TFT, der aus Polysilizium 34 gebildet ist.

Das Binden des Wasserstoffes verursacht eine Reduzierung der La dungsträger in dem Mittelzonenniveau, so daß die Potentialbarrie re verringert wird und der EIN-Strom erhöht wird. Weiterhin kann der über das Mittelzonenniveau erzeugte Strom unterdrückt werden, so daß der AUS-Strom reduziert wird.

Tatsächlich war bei einem SRAM, der einen TFT mit einer Kanallän ge von 0,6 µm und einer Kanalbreite von 0,8 µm enthält, der EIN- Strom ungefähr 1 pA und der AUS-Strom ungefähr 100 fA, wenn eine anorganische Dickschicht-SOG-Schicht nicht aufgebracht wurde. Im Gegensatz dazu wurde ein EIN-Strom von ungefähr 10 pA und ein AUS-Strom von ungefähr 10 fA durch Aufbringen einer anorganischen Dickschicht-SOG-Schicht erhalten, so daß die Charakteristika je weils um eine Größenordnung verbessert wurden.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf ein SRAM beschränkt und kann auf ein DRAM (dynamischer Direktzugriffsspeicher) angewendet werden. Durch Sättigen der freien Bindungen können die Auffrisch- Charakteristika, wie zum Beispiel die Verzögerung des Intervalls des Auffrischbetriebes zum Reproduzieren des Speichersignales, verbessert werden. Weiterhin kann der Übergangsleckstrom des Transistors reduziert werden. Somit kann eine Halbleitereinrich tung mit guten Betriebseigenschaften und großer Zuverlässigkeit erhalten werden.

Obwohl ein Prozeß des Zurücklassens der anorganischen Dick schicht-SOG-Schicht, d. h. ein Nicht-Zurückätzprozeß, für die obi gen Ausführungsformen beschrieben wurde, kann ein Zurückätzprozeß verwendet werden, um die Planarisierung der Einrichtung zu ver bessern.

Achte Ausführungsform

Im folgenden wird eine achte Ausführungsform der Erfindung be schrieben.

Wie in Fig. 22 gezeigt ist, wird eine Oxidschicht 10 so abge schieden, daß sie eine Trennisolationsschicht 8, eine Gateelek trode 9 und ähnliches, das auf dem Halbleitersubstrat 1 gebildet ist, füllt bzw. bedeckt. Dann wird eine anorganische Dickschicht- SOG-Schicht auf die Oxidschicht 10 aufgebracht und eine thermi sche Behandlung wird so durchgeführt, daß der abgestufte Ab schnitt der Oxidschicht gefüllt wird. Als Ergebnis wird eine im wesentlichen planarisierte SOG-Schicht gebildet. Dann werden die gesamte Oberfläche der SOG-Schicht und die Oxidschicht anisotrop derart zurückgeätzt, daß die SOG-Schicht entfernt wird. Entspre chend diesem Prozeß kann eine im Niveauunterschied reduzierte Unterschicht, wie in Fig. 23 gezeigt ist, erhalten werden.

Der Ätzprozeß ist nicht auf Trockenätzen beschränkt und jedes Ätzniveau bzw. jeder Ätzprozeß kann verwendet werden, solange die Ätzrate für die SOG-Schicht und die Oxidschicht im wesentlichen gleich sind.

Da der Unterschied im Unterschichtniveau reduziert werden kann, kann ein vorbestimmtes Muster mit hoher Zuverlässigkeit in einem nachfolgenden Photolithographieschritt gebildet werden. Somit kann eine Halbleitereinrichtung mit hoher Zuverlässigkeit erhal ten werden.

Claims

1. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung mit den Schritten:
Abscheiden einer anorganischen Schicht (5) durch ein Schleuderbe schichtungsverfahren auf einem Halbleitersubstrat (1)
und dann Anwenden einer thermischen Behandlung bei einer Tempera tur von 300-550°C in einer Umgebung von Stickstoff, Luft oder Wasserdampf derart, daß eine Zwischenschicht-Schicht gebildet wird.

2. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach An spruch 1, gekennzeichnet durch den Schritt des Anpassens der anorganischen Schicht (5) für eine Passivierungsschicht.

3. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach An spruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch den Schritt des gesamten Zurückätzens einer unterliegenden Ober fläche einschließlich der anorganischen Schicht (5), nachdem die anorganische Schicht (5) auf die unterliegende Oberfläche auf dem Halbleitersubstrat (1) aufgebracht ist.

4. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die anorganische Schicht (5) eine anorganische Schicht, die mit einem ersten Siliziumpolymer mit der Formel SiH_x(OR)_ywobei
x = 1-3, y = 3-1 und R ein Wasserstoffatom oder eine nied rige Alkylgruppe ist, oder mit einem zweiten Siliziumpolymer mit der Formel l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500gebildet ist, aufweist.

5. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch die Schritte Abscheidens einer Zwischenschicht-Schicht, die die anorganische Schicht (5) enthält, auf dem Halbleitersubstrat (1), Bilden einer Öffnung (24) in der Zwischenschicht-Schicht, Freilegen der anorganischen Schicht (5) an einer Seitenwandober fläche der Öffnung (24), und dann Durchführen einer Wärmebehand lung bei einer Temperatur von 150-550°C und einem Vakuum von nicht mehr als 10^-3 Torr.

6. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch den Schritt des Durchführens der thermischen Behandlung in einer Sinterkam mer.

7. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach An spruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Rate des Einführens oder des Herausnehmens des Halbleiter substrates (1) in oder aus der Sinterkammer nicht größer als 10 cm/min ist.

8. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch den Schritt des Richtens eines Stickstoffplasmas auf die anorganische Schicht (5) nach dem Abscheiden der anorganischen Schicht (5) auf dem Halb leitersubstrat (1).

9. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch den Schritt des Richtens eines ultravioletten Strahls auf die anorganische Schicht (5) nach dem Abscheiden der anorganischen Schicht (5) auf dem Halbleitersubstrat (1).

10. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung mit den Schritten:
Abscheiden einer Zwischenschicht-Schicht, die eine anorganische Schicht (5) enthält, durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren auf ein Halbleitersubstrat (1),
Bilden einer Öffnung (24) in der Zwischenschicht-Schicht, Freilegen der anorganischen Schicht (5) an einer Seitenwandober fläche der Öffnung (24) und
dann Durchführen einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 150-550°C und in einem Vakuum von nicht mehr als 10^-3 Torr.

11. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach An spruch 10, gekennzeichnet durch den Schritt des Durchführens der Wärmebehandlung mit einer Sinterkammer.

12. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach An spruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß eine Rate des Einführens oder des Herausnehmens des Halbleiter substrates (1) in oder aus der Sinterkammer nicht mehr als 10 cm/min ist.

13. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung mit den Schritten:
Abscheiden einer anorganischen Schicht (5) durch ein Schleuderbe schichtungsverfahren auf ein Halbleitersubstrat (1) und
dann Richten eines Stickstoffplasmas auf die anorganische Schicht (5).

14. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung mit den Schritten:
Abscheiden einer anorganischen Schicht (5) durch ein Schleuderbe schichtungsverfahren auf ein Halbleitersubstrat (1) und
dann Richten eines ultravioletten Strahls auf die anorganische Schicht (5).

15. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung mit den Schritten:
Beschichten eines Halbleitersubstrates (1) mit einem ersten Sili ziumpolymer mit der Formel: SiH_x(OR)_ywobei
x = 1-3, y = 3-1 und R ein Wasserstoffatom oder eine nied rige Alkylgruppe ist,
oder mit einem zweiten Polymer mit der Formel l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500und dann Durchführen einer Wärmebehandlung derart, daß eine Zwi schenschicht-Schicht gebildet wird.

16. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach An spruch 15, gekennzeichnet durch den Schritt des Anpassens der Zwischenschicht-Schicht für eine Passivierungsschicht.

17. Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung nach An spruch 15 oder 16, gekennzeichnet durch den Schritt des gesamten Zurückätzens einer unterliegenden Oberfläche einschließlich der Zwischenschicht-Schicht, nach dem Bilden der Zwischenschicht- Schicht auf der unterliegenden Oberfläche auf dem Halbleiter substrat (1).

18. Halbleitereinrichtung mit einer auf einem Halbleitersubstrat (1) unter Verwendung eines ersten Siliziumpolymers mit der Formel SiH_x(OR)_ywobei
x = 1-3, y = 3-1 und R ein Wasserstoffatom oder eine nied rige Alkylgruppe ist,
oder eines zweiten Siliziumpolymers mit der Formel l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500gebildeten anorganischen Schicht,
wobei Desorptionsgas entsprechend der Massenzahl von 18, 28 und 44 nicht wesentlich in der anorganischen Schicht durch thermische Desorptionsspektroskopie beobachtet wird.

19. Halbleitereinrichtung mit einer auf einem Halbleitersubstrat (1) unter Verwendung eines ersten Siliziumpolymers mit der Formel SiH_x(OR)_ywobei
x = 1-3, y = 3-1 und R ein Wasserstoffatom oder eine nied rige Alkylgruppe ist, oder eines zweiten Siliziumpolymers mit der Formel l = 1-3, m = 0-1
n = 20-2500gebildeten anorganischen Schicht,
wobei eine Infrarotabsorption entsprechend einer Bindung eines Siliziumatoms mit einem Wasserstoffatom bei der Wellenzahl 2000-2400 cm^-1 und eine Infrarotabsorption entsprechend einer Bindung eines Stickstoffatoms und eines Wasserstoffatoms bei einer Wel lenzahl von 3200-3600 cm^-1 nicht wesentlich in der anorganischen Schicht durch Infrarotabsorptionsspektrometrie beobachtet wird.