DE19622650A1 - Gehäuse für digitalen Hochleistungs-IC, welcher ein BGA(Kugelgitterarray)-Ein/Ausgabe-Format verwendet sowie keramisches Einschicht-Substrat mit Bimetall gefüllter Durchgangstechnologie - Google Patents

Gehäuse für digitalen Hochleistungs-IC, welcher ein BGA(Kugelgitterarray)-Ein/Ausgabe-Format verwendet sowie keramisches Einschicht-Substrat mit Bimetall gefüllter Durchgangstechnologie

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DE19622650A1
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M P Ramachandra Panicker
Jorge M Hernandez
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    • H10W74/117—
    • H10W70/682—
    • H10W70/685—
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TW (1) TW299487B (OSRAM)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054338A (en) * 1996-05-17 2000-04-25 National Semiconductor Corporation Low cost ball grid array device and method of manufacture thereof
US6140708A (en) * 1996-05-17 2000-10-31 National Semiconductor Corporation Chip scale package and method for manufacture thereof
US6284566B1 (en) 1996-05-17 2001-09-04 National Semiconductor Corporation Chip scale package and method for manufacture thereof
DE10010461A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Verpacken elektronischer Bauteile mittels Spritzgußtechnik
EP0997934A3 (en) * 1998-08-26 2002-09-04 Elliott Industries Limited An electronic component package assembly and method of manufacturing the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11219984A (ja) * 1997-11-06 1999-08-10 Sharp Corp 半導体装置パッケージおよびその製造方法ならびにそのための回路基板
US6198166B1 (en) * 1999-07-01 2001-03-06 Intersil Corporation Power semiconductor mounting package containing ball grid array
GB2377080B (en) * 2001-09-11 2003-05-07 Sendo Int Ltd Integrated circuit package and printed circuit board arrangement
JP6397806B2 (ja) 2015-09-11 2018-09-26 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5355283A (en) * 1993-04-14 1994-10-11 Amkor Electronics, Inc. Ball grid array with via interconnection
US5490324A (en) * 1993-09-15 1996-02-13 Lsi Logic Corporation Method of making integrated circuit package having multiple bonding tiers
TW272311B (OSRAM) * 1994-01-12 1996-03-11 At & T Corp

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054338A (en) * 1996-05-17 2000-04-25 National Semiconductor Corporation Low cost ball grid array device and method of manufacture thereof
US6140708A (en) * 1996-05-17 2000-10-31 National Semiconductor Corporation Chip scale package and method for manufacture thereof
US6284566B1 (en) 1996-05-17 2001-09-04 National Semiconductor Corporation Chip scale package and method for manufacture thereof
DE19820319B4 (de) * 1997-07-08 2005-12-01 National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara Halbleiterbaustein
EP0997934A3 (en) * 1998-08-26 2002-09-04 Elliott Industries Limited An electronic component package assembly and method of manufacturing the same
DE10010461A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Verpacken elektronischer Bauteile mittels Spritzgußtechnik

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