DE19523580A1 - Geformte optische Zwischenverbindung - Google Patents
Geformte optische ZwischenverbindungInfo
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Description
Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf opto-elektronische Vorrich
tungen und noch spezieller auf geformte bzw. gegossene Wellenleiter.
Die Informationsmenge ebenso wie die Geschwindigkeit einer Übertragung von
Informationen zwischen elektronischen Komponenten steigt an, opto-elek
tronische Techniken oder Verfahren, die für diese Übertragung verwendet
werden, werden wichtiger. Zum Beispiel werden in einigen Hochgeschwindig
keitscomputern opto-elektronische Techniken für eine Taktverteilung ver
wendet, um dadurch standardmäßigen, elektronischen Komponenten zu ermög
lichen, daß sie korrekt zeitabgestimmt werden, um so die Übertragung von
Informationen effizienter durchzuführen. Allerdings besitzt derzeit eine
Verwendung opto-elektronischer Techniken verschiedene größere Nachteile
oder Probleme, da sie komplex, ineffizient, kostspielig und allgemein
nicht für eine Großserienproduktion geeignet sind. Demzufolge wird, da die
Menge an Informationen und die Geschwindigkeit, unter der diese Informa
tionen Übertragen werden müssen, ein Erfordernis für eine Struktur und für
ein Herstellverfahren, das eine effiziente und kosteneffektive Herstellung
ermöglicht, aber auch die Verwendung opto-elektronischer Verfahren und
opto-elektronischer Vorrichtungen erforderlich.
Herkömmlich werden Wellenleiter durch eine Kombination photolitographi
scher und Ätz-Prozesse hergestellt. Zum Beispiel wird ein herkömmlicher
Wellenleiter durch Aufbringung eines geeigneten optischen Materials auf
einem Zwischenverbindungssubstrat, wie bespielsweise eine gedruckte Lei
terplatte, hergestellt. Ein photobeständiges Material wird dann auf das
optische Material aufgebracht und darauffolgend durch einen photolitho
graphischen Prozeß gemustert. Das Muster, das durch den photolithographi
schen Prozeß festgelegt wird, wird darauffolgend auf das optische Material
durch einen Ätz-Prozeß übertragen, der freigelegte Bereiche, die nicht
durch das photobeständige Material abgedeckt sind, wegnimmt. Die Schalt
kreisleiterplatte mit dem geatzten Muster wird dann darauffolgend gerei
nigt, was das restliche, photobeständige Material wegnimmt und ein sich
ergebendes, optisches Muster an der Stelle der Schaltkreisleiterplatte
beläßt. Wie vorstehend beschrieben ist, ist eine herkömmliche Herstellung
optischer Schichten, die für Wellenleiter verwendet werden, die diese
Abfolge von Vorgängen verwenden, nicht nur kompliziert und teuer, sondern
sie eignen sich selbst nicht für eine Massenherstellung.
Es kann leicht ersichtlich werden, daß herkömmliche Verfahren zur Her
stellung von Wellenleitern verschiedene Grenzen haben. Auch ist es er
sichtlich, daß herkömmliche Prozesse, die zum Herstellen von Wellenleitern
verwendet werden, nicht nur komplex und teuer sind, sondern auch nicht
zugänglich hinsichtlich einer Massenherstellung sind. Deshalb sind ein
Verfahren und eine Struktur, die selbst zum Herstellen von Wellenleitern
und zum Integrieren dieser Wellenleiter in eine Schaltkreisleiterplatte
geeignet sind, in höchstem Maß erwünscht.
Kurz ausgeführt wird ein Verfahren und ein Gegenstand zum Herstellen einer
geformten, gespritzten bzw. gegossenen, optischen Zwischenverbindung ge
schaffen. Ein Zwischenverbindungssubstrat, das eine Hauptoberfläche be
sitzt, wird bereitgestellt. Eine Vielzahl elektrischer Bahnen wird auf der
Hauptoberfläche des Zwischenverbindungssubstrats mit der Vielzahl der
elektrischen Bahnen, die eine Kontakteinrichtung besitzen, um elektrische
Signale zu empfangen und zu übertragen, angeordnet. Ein opto-elektroni
sches Modul, das eine optische Oberfläche und eine photonische Einrichtung
besitzt, sind betriebsmäßig darauf montiert und mit der Vielzahl der elek
trischen Bahnen verbunden. Ein geformter bzw. gegossener optischer Be
reich, der einen Kernbereich mit einem ersten Ende und einen Mantelbereich
besitzt, ist mit dem ersten Ende des Kernbereichs benachbart und betriebs
mäßig verbunden mit der optischen Oberfläche des opto-elektronischen Mo
duls so positioniert, daß er betriebsmäßig mit dem ersten Ende des Kernbe
reichs an der optischen Oberfläche des integrierten Schaltkreises verbun
den ist.
Fig. 1 zeigt eine stark vergrößerte, vereinfachte Schnittansicht einer
geformten, optischen Zwischenverbindung;
Fig. 2 stellt eine vergrößerte, vereinfachte Teilexplosionsansicht eines
opto-elektronischen Moduls dar;
Fig. 3 stellt eine stark vergrößerte, vereinfachte Schnittansicht eines
opto-elektronischen, integrierten Schaltkreises dar;
Fig. 4 zeigt eine vergrößerte, vereinfachte, perspektivische Ansicht einer
Ausführungsform der geformten, optischen Zwischenverbindung; und
Fig. 5 zeigt eine vergrößerte, vereinfachte, perspektivische Ansicht einer
anderen Ausführungsform der geformten, optischen Zwischenverbindung.
Fig. 1 stellt eine vergrößerte, vereinfachte Schnittansicht einer Ausfüh
rungsform einer geformten, optischen Zwischenverbindung 100 dar, die
opto-elektronische Module 123 und 124 besitzt. Es sollte verständlich
werden, daß die geformte, optische Zwischenverbindung 100 eine Schnittan
sicht ist, wodurch der geformten, optischen Zwischenverbindung 100 ermög
licht wird, in die und aus der Fig. 1 fortzuführen. Weiterhin kann die
geformte, optische Zwischenverbindung 100 auch über die Fig. 1 ausgedehnt
sein, ebenso wie andere standardmäßige, elektronische Komponenten in dem
Gesamtaufbau der geformten, optischen Verbindung 100 eingesetzt werden
können. Auch sollte verständlich werden, daß die geformte, optische Zwi
schenverbindung 100, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist, nur eine verein
fachte Darstellung ist, wodurch demzufolge ein weiter Bereich von Aufbau
modifikationen in der geformten, optischen Zwischenverbindung 100 einge
setzt werden können.
Die geformte, optische Zwischenverbindung 100 ist aus verschiedenen Kom
ponenten oder Elementen hergestellt, wie beispielsweise ein Zwischenver
bindungssubstrat 101 mit einer Oberfläche 141, eine Vielzahl elektrischer
Bahnen 102, ein geformter, optischer Bereich 116, der so dargestellt ist,
daß er einen ersten optischen Bereich 117, einen zweiten optischen Be
reich 118, einen Kernbereich 119 und einen Mantelbereich 120, der den
Kernbereich 119 umgibt, besitzt, optische Module 123 und 124, die optische
Oberflächen 125 und 126 jeweils besitzen, und eine verbindende Anord
nung 129, die so dargestellt ist, daß sie ein Leiterrahmen- bzw. Lead
frame-Tell 130 und einen Stift 131 aus einer Vielzahl von Stiftverbin
dungsstrukturen darstellt.
Allgemein ist das Zwischenverbindungssubstrat 101 aus irgendeinem geeig
neten Zwischenverbindungssubstrat, wie beispielsweise einer Schaltkreis
leiterplatte (PCB), einer gedruckten Verdrahtungsplatte (PWB), einem kera
mischen Zwischenverbindungsteil und dergleichen hergestellt. Allerdings
Ist in einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung das
Zwischenverbindungssubstrat eine gedruckte Verdrahtungs- bzw. Leiterbahnplatte.
Wie in Fig. 1 dargestellt ist, ist eine Vielzahl elektrischer
Bahnen 102 an dem und durch das Zwischenverbindungssubstrat 101 durch irgendein
geeignetes Verfahren angeordnet. Die Vielzahl der elektrischen
Bahnen 102 ist weiterhin durch elektrische Bahnen 103 bis 112 dargestellt,
die in einer Vielzahl von Niveaus oder Schichten in dem Zwischenverbin
dungssubstrat 101 gezeigt sind. Elektrische Bahnen 103, 104, 105 und 106
dienen als Verbindungsflächenstellen bzw. -Lötpads, um elektrisch und
mechanisch optische Module 124 und 123 jeweils mit der Vielzahl elektri
scher Bahnen 102 zu verbinden. Weiterhin sollte verständlich werden, daß
Komplexitäten, die in dem Zwischenverbindungssubstrat 101 dargestellt
sind, nicht zur praktischen Durchführung der vorliegenden Erfindung not
wendig sind. Zum Beispiel kann das Zwischenverbindungssubstrat 101 eine
einzige Ebene der Vielzahl der elektrischen Bahnen 102 haben. Eine elek
trische Verbindung der geformten, optischen Zwischenverbindung 100 mit den
anderen elektrischen Komponenten wird durch irgendein geeignetes Verfahren
ausgeführt. Wie durch die verbindende Anordnung 129 dargestellt ist, sind
zwei solcher Verfahrensweisen dargestellt, d. h. eine elektrische Bahn 107
ist elektrisch mit einem Leiterrahmenteil 130 verbunden und eine elektri
sche Bahn 113 ist elektrisch mit einem Stift 131 verbunden, um dadurch zu
ermöglichen, daß elektrische Signale in die verbindende Anordnung 129
eingegeben und durch diese abgegeben werden, ebenso wie für eine betriebs
mäßige Verbindung optischer Module 123 und 124.
Die optischen Module 123 und 124 können irgendeine geeignete, opto-elek
tronische Vorrichtung sein, wie beispielsweise ein integrierter Schalt
kreis, der photonische Fähigkeiten besitzt, eine opto-elektronische
Schnittstelle bzw. ein Interface, oder dergleichen.
Allgemein kommunizieren die opto-elektronischen Module 123 und 124 Signale
oder lassen diese durch über sowohl eine elektrische Verbindung als auch
eine optische Verbindung der opto-elektronischen Module 123 und 124 mit
dem Zwischenverbindungssubstrat 101. Eine elektrische Kommunikation wird
durch irgendein geeignetes Verfahren, wie beispielsweise durch Sockel und
Stifte, eine Preßverbindung, die an den Leiterrahmenteilen gebildet sind,
und dergleichen erreicht. Wie in Fig. 1 dargestellt ist, wird eine elek
trische Kommunikation von opto-elektronischen Modulen 123 und 124 zu dem
Zwischenverbindungssubstrat 101 durch Oberflächen-Erhebungen (bumps) 132
und 133, 134 und 135 durchgeführt, die leitend sind, wodurch die
opto-elektronischen Module 123 und 124 mit elektrischen Bahnen 106, 105,
104 und 103 jeweils der Vielzahl elektrischer Bahnen 102 elektrisch und
mechanisch verbunden werden. Jede elektrische Verbindung der opto-elektro
nischen Module 123 und 124 mit der Vielzahl elektrischer Bahnen 102 des
Zwischenverbindungssubstrats 101 ermöglicht, daß elektrische Signale durch
die verbindende Anordnung 129 von außenseitigen, elektronischen Komponen
ten und Systemen, wie beispielsweise andere elektronische Leiterplatten,
andere integrierte Schaltkreise und dergleichen, eingegeben werden können,
um die opto-elektronischen Module 123 und 124 zu beeinflussen. Alternativ
ermöglicht eine elektrische Verbindung der opto-elektronischen Module 123
und 124 mit dem Zwischenverbindungssubstrat 102, daß optische Signale in
die opto-elektronischen Module 123 und 124 eintreten, die darauffolgend in
elektrische Signale konvertiert werden, damit sie zu der Vielzahl elektri
scher Bahnen 102 des Zwischenverbindungssubstrats 101 durch leitende Er
hebungen 132, 133, 134 und 135 und darauffolgend in elektrische Bah
nen 106, 105, 104 und 103 geschickt werden, die weiterhin durch die ver
bindende Anordnung 129 geführt und ausgegeben werden, um außenseitige
elektronische Komponenten, wie beispielsweise andere elektronische Leiter
platten, andere IC′s, andere elektronische Systeme und dergleichen, zu
beeinflussen.
Wie in Fig. 1 dargestellt ist, besitzen opto-elektronische Module 123 und
124 jeweils optische Oberflächen 125 und 126, die ermöglichen, daß Licht
signale, die durch Pfeile 140 dargestellt sind, in die optischen Modu
le 123 und 124 eintreten und diese verlassen, um dadurch optisch die op
tischen Module 123 und 124 mit dem Kernbereich 119 des geformten, opti
schen Bereichs 116 zu verbinden.
Weiterhin werden, wie in Fig. 1 dargestellt ist, die opto-elektronischen
Module 123 und 124 optisch mit dem Kernbereich 119 verbunden, um dadurch
eine optische Kommunikation zwischen opto-elektronischen Modulen 123 und
124 zu ermöglichen. Auch wird verständlich werden, daß, während Fig. 1
eine optische Verbindung der opto-elektronischen Module 123 und 124 dar
stellt, viel mehr opto-elektronische Module durch die geformte, optische
Zwischenverbindung 100 hindurch angeordnet werden können, die optisch
verbunden werden, ebenso wie andere, standardmäßige, elektronische Kompo
nenten. Es wird weiterhin ersichtlich werden, daß IC′s durch die geformte,
optische Zwischenverbindung 101 hinweg befestigt und elektrisch mit der
Vielzahl elektrischer Bahnen 102 des Zwischenverbindungssubstrats 101
verbunden werden können, um dadurch eine optische Kommunikation und eine
elektrische Verbindung mit standardmäßigen, elektronischen Komponenten
einzuschließen.
Durch eine optische Verbindung der optischen Module 123 und 124 ebenso wie
von anderen opto-elektronischen Modulen werden Informationen zwischen
optischen Modulen 123 und 124 unter einer schnelleren Geschwindigkeit
kommuniziert als dann, wenn die Informationen elektrisch durch die Viel
zahl elektrischer Bahnen 102 geführt wurden, um dadurch eine Kommunika
tionsgeschwindigkeit zwischen den optischen Modulen 123 und 124 zu erhö
hen, was eine Kommunikationsgeschwindigkeit zwischen anderen elektroni
schen Komponenten und opto-elektronischen Komponenten erhöht und eine
elektromagnetische Interferenz (electromagnetic interference - EMI) redu
ziert.
Der geformte, optische Bereich 116 ist durch irgendeinen geeigneten
Gieß- bzw. Spritz- oder Überspritzprozeß hergestellt. Allgemein ist der
geformte, optische Bereich 116 einschließlich eines ersten optischen Be
reichs 117 und eines zweiten optischen Bereichs 118 hergestellt. Eine
Herstellung des optischen Bereichs 116 wird durch Plazieren des Zwischen
verbindungssubstrats 101 in ein Gießsystem (nicht dargestellt) durchge
führt. Ein Gießsystem spezifiziert einen Kanal, wie dies in Fig. 1 darge
stellt ist, und zwar als fertiggestellten Kernbereich 119, und Öff
nungen 142 und 143, die freigelegte Verbindungsflächen oder elektrische
Bahnen 103, 104, 105 und 106 der Vielzahl der elektrischen Bahnen 102
besitzen, um dadurch den optischen Modulen 123 und 124 zu ermöglichen, daß
sie elektrisch und mechanisch mit dem Zwischenverbindungssubstrat 101 in
den Öffnungen 142 und 143 befestigt werden. Weiterhin ist der geformte,
optische Bereich 116 so hergestellt, daß der Kanal für eine eventuelle
optische Verbindung zwischen optischen Oberflächen 125 und 126 der op
to-elektronischen Module 123 und 124 und des fertiggestellten Kernbe
reichs 119 ausgerichtet oder positioniert ist, um dadurch eine optische
Kommunikation zwischen den optischen Modulen 123 und 124 zu schaffen.
Typischerweise wird eine Gießmischung oder ein Gießmaterial in das Gieß
system bzw. Spritzsystem und auf die Oberfläche 141 des Zwischenverbindungssubstrats
101 gespritzt, wodurch ein erster, optischer Bereich 117
mit der Nut und den Öffnungen 142 und 143 gebildet wird. Die Gießmischung,
die in die form eingespritzt ist, ist aus optisch transparenten Materia
lien hergestellt, wie beispielsweise Polymeren, Epoxidharzen, Kunststof
fen, Polyimiden oder dergleichen, die so ausgewählt sind, daß sie bei
einer erwünschten Wellenlänge des Lichts transparent sind. Allgemein rei
chen Brechungsindizes dieser optischen, transparenten Materialien von 1,4
bis 1,7. Allerdings reichen in einer bevorzugten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung die Brechungsindizes der optisch transparenten Mate
rialien von 1,54 bis 1,58.
Verarbeitungsbedingungen dieser Gießmaterialien oder Gießmischungen rei
chen von 22,0 bis 200,0 Grad Celsius für die Gießtemperaturen und von
200,0 bis 2.000 Pound pro Quadratinch für Gieß- bzw. Spritzdrücke. Ein
darauffolgendes Härtverfahren, wie beispielsweise eine Behandlung mit
ultraviolettem Licht, Temperaturbehandlungen oder dergleichen, wird mit
einer permanenten Übertragung von schwierig herstellbaren bzw. geformten
oder negativen Abbildungen der Form in dem ersten optischen Bereich 117
vorgenommen.
Wenn die Härtverfahren abgeschlossen sind, wird das Gießsystem und der
erste, gegossene bzw. geformte optische Bereich 117, der an dem Zwischen
verbindungssubstrat 101 befestigt ist, freigelegt und darauffolgend von
dem Gießsystem entfernt.
Allgemein ist der zweite optische Bereich 118 in einer ähnlichen Art und
Weise und gleichzeitig mit dem ersten optischen Bereich 117 hergestellt,
wodurch eine schnelle und automatisierte Herstellung des gegossenen, ge
spritzten bzw. geformten (molded) optischen Bereichs 116 mit dem Mantel
bereich 120, der den Kernbereich 119 umgibt, vorgenommen wird. Der opti
sche Bereich 117 mit dem befestigten Zwischenverbindungssubstrat 101 wird
weiterhin durch Beaufschlagen eines optischen Mediums, wie beispielsweise
ein Epoxidharz, ein Ployimid, ein Kunststoff oder dergleichen, auf die
Nuten, die in dem ersten optischen Bereich 117 gebildet sind, bearbeitet.
Darauffolgend werden der erste optische Bereich 117 und der zweite opti
sche Bereich 118 zusammen verklebt oder verbunden, um den optischen Be
reich 116 zu bilden, der einen Kernbereich 119 besitzt, der durch den
Mantelbereich 120 umgeben wird.
Typischerweise füllt das optische Medium die Nuten auf, um einen Kernbe
reich 119 zu bilden, und verklebt den zweiten optischen Bereich 118 an dem
ersten optischen Bereich 117. Die Aufbringung des zweiten optischen Be
reichs 120 an dem ersten optischen Bereich 117 vervollständigt den Mantel
bereich 120, der den Kernbereich 119 umgibt. Allerdings sollte verständ
lich werden, daß Lichtsignale 140, die durch den Kernbereich 119 laufen,
geeignet sind, zu deren Bestimmungsstellen hin zu laufen, und zwar ohne
den zweiten optischen Bereich 120, der auf dem ersten optischen Be
reich 117 aufgebracht ist. Allerdings sollte weiterhin verständlich wer
den, daß durch Nichtvervollständigung oder Nichtumgebung des Mantelbereichs
um den Kernbereich 119 optische Signale nicht so effektiv durch den
Kernbereich 119 übertragen und geführt werden.
Fig. 2 stellt eine vereinfachte Teilexplosionsdarstellung eines Bereichs
des opto-elektronischen Moduls 200 dar. Ein geformter, optischer Wellen
leiter 201 ist elektrisch mit standardmäßigen, elektronischen Komponenten
einer Zwischenverbindungsleiterplatte 206 durch irgendein geeignetes Ver
fahren, wie beispielsweise ein Drahtbonden, ein Lötfahnen-Bonden oder ein
Erhebungsstellen-Bonden, oder dergleichen, verbunden. Allerdings sind,
während irgendein geeignetes Verfahren zum Verbinden des geformten, opti
schen Wellenleiters 201 mit dem Zwischenverbindungssubstrats 206 geeignet
Äst, ein Draht-Bonden und ein Leiterrahmen-Bonden insbesondere in Fig. 2
dargestellt, wobei sie die bevorzugtesten Möglichkeiten bei der vorliegen
den Erfindung sind. Zum Beispiel verbindet eine Drahtverbindung 216 eine
Lasche bzw. eine Lötfahne 207 mit einer Verbindungskontaktstelle bzw. mit
Bonding-Pads 217, und Leiterrahmenteile 211, 212 sind betriebsmäßig mit
Verbindungskontaktflächen 213, 214 jeweils verbunden. Weiterhin sollte
verstanden werden, daß das opto-elektronische Modul ein Beispiel vieler
Verfahren zum Herstellen optischer Elektronik-Module 200 ist, die dazu
geeignet sind, daß sie gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
Ein geformter, optischer Wellenleiter 201, der eine Vielzahl Kernberei
che 203 besitzt, ist mit photonischen Komponenten 208, wie beispielsweise
ein Phototransmitter oder ein Laser 202, ein Photodetektor oder eine Pho
todiode 203 oder einer Kombination von sowohl Lasern als auch Detektoren
befestigt. Alternativ ist eine Feldanordnung 204 an dem Wellenleiter 202
befestigt, die eine Vielfalt unterschiedlicher, photonischer Komponenten
umfassen kann.
Photonische Komponenten 208 sind an dem geformten, optischen Wellenlei
ter 201 derart befestigt, daß individuelle Arbeitsbereiche, die durch
einen Pfeil 240 angezeigt sind, der photonischen Komponenten 208 zu indi
viduellen Kernbereichen der Vielzahl der Kernbereiche 203 des Wellenlei
ters 201 ausgerichtet sind, wodurch demzufolge eine maximale Lichtüber
tragung durch die einzelnen Kernbereiche der Vielzahl der Kernbereiche 203
des Wellenleiters 201 erzielt wird.
Zum Beispiel ist ein Laser 202 an der Lasche bzw. Lötfahne 207 und einer
Lasche (nicht dargestellt) mittels einer elektrischen und mechanischen
Verbindung 209 befestigt. Typischerweise wird eine elektrische und mecha
nische Verbindung 209 durch irgendein geeignetes Verfahren, wie beispiels
weise durch leitende Oberflächen-Erhebungen, oder dergleichen, z. B.
Lot-Erhebungen, Gold-Erhebungen, leitende Epoxidharz-Erhebungen, oder
dergleichen, erreicht. Durch ein akkurates Befestigen eines Lasers 202 an
dem geformten, optischen Wellenleiter 201 und durch Herstellen von elek
trischen und mechanischen Verbindungen 209 wird eine Lichtübertragung von
einem Arbeitsbereich des Lasers 209 durch einen der Kernbereiche der Viel
zahl der Kernbereiche 203 des geformten optischen Wellenleiters 201 ge
führt.
Der geformte, optische Wellenleiter 201, der photonische Komponenten 208
umfaßt, ist mit der Zwischenverbindungsleiterplatte 206 durch irgendein
geeignetes Verfahren, wie beispielsweise Ankleben, Preßbefestigen, Gießen
oder dergleichen befestigt. Allerdings wird in einer bevorzugten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung eine Epoxidklebemittel auf die Zwi
schenverbindungsleiterplatte 206 an einer angenäherten Stelle aufgebracht,
wo ein geformter, optischer Wellenleiter 201 und die Zwischenverbindungs
leiterplatte 206 aneinander angebondet oder verbunden werden sollen. Der
Wellenleiter 201 wird dann auf dem Klebemittel durch ein automatisiertes
System plaziert, wie beispielsweise mittels eines Roboterarms, um dadurch
eine akkurate Anordnung und Orientierung des Wellenleiters 201 zu erzielen.
Eine elektrische Verbindung standardmäßiger, elektronischer Komponenten
auf der Zwischenverbindungsleiterplatte 206 durch optische Komponenten 208
ist durch eine Drahtverbindung 216 von einer Verbindungsfläche 217 zu der
Lasche 207 ebenso wie durch Leiterrahmenteile 211 und 212, die an den
Verbindungsflächen 213 und 214 jeweils befestigt und elektrisch verbunden
sind, dargestellt. Es sollte für den Fachmann auf dem betreffenden Fachge
biet ersichtlich werden, daß viel mehr elektrische Verbindungen typischer
weise notwendig sind, um vollständig Eingänge und Ausgänge sowohl der
standardmäßigen, elektronischen Komponenten als auch der optischen Kompo
nenten vollständig zu verwenden. Es sollte weiterhin ersichtlich werden,
daß standardmäßige Ausgangs- und Eingangseinrichtungen, die durch Lei
ter 218, Erhebungen 209 und dergleichen dargestellt sind, dazu geeignet
sind- daß sie verwendet werden, um optisch und elektrisch photonische
Komponenten 208 und Wellenleiter 201 miteinander zu verbinden.
Weiterhin wird eine Kunststoffeinkapselung des Zwischenverbindungssub
strats 206 und des geformten, optischen Wellenleiters 201 typischerweise
durch ein Übergieß- bzw. Überspritzverfahren, das durch Kunststofftei
le 220 dargestellt ist, die das Zwischenverbindungssubstrat 206 und den
optischen Wellenleiter 201 einkapseln, erreicht, wodurch ein Zugang zu den
Kernbereichen des Wellenleiters 201 einfach verwendet wird, ebenso wie es
möglich ist, elektrische Signale in optische Signale zu konvertieren.
Fig. 3 zeigt eine stark vergrößerte, vereinfachte Schnittansicht eines
opto-elektronischen, integrierten Schaltkreises 300. Der opto-elektroni
sche, integrierte Schaltkreis 300 stellt einen Bereich eines opto-elektro
nischen, integrierten Schaltkreises 300 dar, der eine reflektive Oberflä
che 301, einen geformten, optischen Bereich 302, eine photonische Vorrich
tung 303, die einen Arbeitsbereich 304 besitzt, eine sich verbindende
Anordnung 320, die leitende Erhebungen 305, 306 besitzt, Verbindungsflä
chen 308, 307, die jeweils ein integriertes Schaltkreissubstrat 309, sowie
Lichtsignale, die durch Pfeile 316, 317 dargestellt sind, eine (Mar
kier-)Platte 311, und eine sich verbindende Anordnung 312, umfaßt. Es
sollte verständlich werden, daß nur ein schmaler Bereich des opto-elektro
nischen, Integrierten Schaltkreises 300 dargestellt ist, um deutlicher die
vorliegende Erfindung erläuternd darzustellen.
Die photonische Vorrichtung 303 ist an dem integrierten Schaltkreissub
strat 309 durch irgendein geeignetes Verfahren, wie beispielsweise ein
Erhebungsstellenverbinden, ein Drahtverbinden bzw. -bonden oder derglei
chen, befestigt. Allerdings ist, wie in Fig. 3 dargestellt ist, die photo
nische Vorrichtung 303 an dem integrierten Schaltkreissubstrat 309 durch
leitende Erhebungen 305, 306 und Verbindungsflächen 308, 307 befestigt um
dadurch elektrisch und mechanisch die photonische Vorrichtung 303 an dem
Integrierten Schaltkreissubstrat 309 zu verbinden. Wenn die photonische
Vorrichtung 303 an dem integrierten Schaltkreissubstrat 309 befestigt ist,
wird das integrierte Schaltkreissubstrat 309 in einem Gieß- bzw. Spritz
system plaziert und überspritzt. Zusätzlich wird während eines Über
spritzens des integrierten Schaltkreissubstrats 309 die reflektive Ober
fläche 301 in dem Gieß- bzw. Spritzsystem so positioniert, daß die reflek
tive Oberfläche 301 in dem opto-elektronischen, integrierten Schalt
kreis 300 eingeschlossen wird. Zusätzlich wird die reflektive Oberflä
che 301 aus irgendeinem geeigneten Material, wie beispielsweise einem
Kunststoff, z. B. ein Kunststoff, der einen unterschiedlichen Brechungsin
dex besitzt, einem Metall, z. B. ein Leiterrahmenteil oder dergleichen,
hergestellt.
Allgemein sind Gieß- bzw. Spritzmaterialien, die für den geformten, opti
schen Bereich 302 verwendet werden, ähnlich, wenn nicht dieselben, wie sie
vorstehend unter Bezugnahme auf Fig. 1 besprochen sind. Kurz gesagt wird
Irgendein geeignetes Material zum Herstellen des geformten, optischen
Bereichs 302, wie beispielsweise Kunststoffe, Epoxidharze, Polyimide oder
dergleichen, verwendet, das einen geeigneten Brechungsindex von 1,3 bis
1,7 mit einem bevorzugten Bereich eines Brechungsindex hat, der zwischen
1,4 und 1,5 liegt. Allerdings wird, da der opto-elektronische, integrierte
Schaltkreis 300 in der geformten, optischen Zwischenverbindung 100 pla
ziert ist, die einen Kernbereich 119 mit einem spezifischen Brechungsindex
besitzt, die Gießmaterialauswahl so vorgenommen, daß der Brechungsindex
des geformten, optischen Bereichs 302 zu dem Brechungsindex des Kernbe
reichs 119 der geformten, optischen Zwischenverbindung 100 angepaßt ist
oder ähnlich ist. Demzufolge wird eine Übertragung der Lichtsignale 304
und 317 verstärkt, um so eine Übertragung von Lichtsignalen 304 und 317 in
die geformten, optischen Bereichen 302 hinein und aus diesen heraus zu
erleichtern. Im Betrieb laufen optische Signale aus Lichtsignalen, die
durch die Pfeile 316 und 317 angezeigt sind, durch den geformten, opti
schen Bereich 302, um so Informationen zu und von dem opto-elektronischen,
integrierten Schaltkreis 300 zu kommunizieren. Wie in Fig. 3 dargestellt
ist, werden Lichtsignale 316, die von dem Arbeitsbereich 304 einer photo
nischen Vorrichtung 303 aus strahlen, von der reflektiven Oberfläche 301
weg und zu der optischen Oberfläche 315 hin reflektiert. Falls zum Bei
spiel der opto-elektronische, integrierte Schaltkreis 300 in der geform
ten, optischen Zwischenverbindung 100 befestigt ist, wie dies vorstehend
dargestellt ist, würden optische Signale 317, die von der reflektiven
Oberfläche 301 und durch den geformten, optischen Bereich 302 reflektiert
sind, durch eine optische Oberfläche 315 hindurchführen und in den Kernbe
reich 119 gelangen. Alternativ trifft Licht, das auf die optische Ober
fläche 315 auftrifft und in den geformten, optischen Bereich 302 eintritt,
wie dies durch die Pfeile 317 dargestellt ist, auf die reflektive Ober
fläche 301 auf und wird von dieser weg reflektiert. Lichtsignale 317, die
von der reflektiven Oberfläche 301 weg reflektiert werden, wie dies durch
die Pfeile 304 angezeigt ist, werden zu der photonischen Vorrichtung 303
hin gerichtet.
Fig. 4 stellt eine stark vergrößerte Teilansicht eines Vielfach-Chip-Mo
duls (multichip module - MCM) 400 mit einem Bereich 410 davon entfernt
dar, die verschiedene Hauptelemente oder Ausgestaltungen des MCM 400 dar
stellt, wie geformte, optische Bereiche 401, die einen ersten geformten,
optischen Bereich 402 und einen zweiten geformten, optischen Bereich 403,
eine Vielzahl von Kernbereichen 404, die eine Vielzahl optischer Oberflä
chen oder Enden 405 besitzen, ein Zwischenverbindungssubstrat 406, einen
optischen Verbinder 407, ein optisches Modul 408, das eine Vielzahl opti
scher Oberflächen 409 besitzt, eine Vielzahl von Verbindungsflächentei
len 411, Öffnungen 413 und 414 und einen integrierten Schaltkreis 420
erläuternd zeigt.
Ein Zwischenverbindungssubstrat 406 ist ähnlich dem Zwischenverbindungs
substrat 101 der Fig. 1, das vorstehend besprochen ist, das demzufolge
keiner weiteren Besprechung an dieser Stelle bedarf. In Fig. 4 sind mit
einem Bereich 410, der von dem MCM 400 entfernt ist, und mit dem optischen
Modul 408 angehoben innere Arbeiten des MCM 400 deutlicher sichtbar darge
stellt. Die Vielzahl der Kernbereiche 404 ist freigelegt und sie können
dahingehend erkannt werden, daß sie durch den ersten optischen Bereich 403
laufen.
Eine Öffnung 413 des geformten, optischen Bereichs 401 gibt eine Vielzahl
von Verbindungsflächenteilen 411 an dem Zwischenverbindungssubstrat 406
ebenso wie eine Vielzahl optischer Oberflächen 405 der Vielzahl der Kern
bereiche 404 frei, die an der Öffnung 413 enden. Die Befestigung des op
tischen Moduls 408 an dem Zwischenverbindungssubstrat 406 wird durch ir
gendein geeignetes Verfahren, das hier und vorstehend beschrieben ist,
erreicht. Allerdings sind nur zu Darstellungszwecken Verbindungsflächen 411
elektrisch mit dem optischen Modul 408 durch ein leitendes Oberflächen-Er
hebungs- bzw. Bump-Verfahren verbunden, um dadurch elektrisch und mecha
nisch das optische Modul 408 und das Zwischenverbindungssubstrat 406 eben
so wie positionierende, optische Oberflächen 414 des optischen Moduls 408
an den optischen Oberflächen oder Enden 405 der Vielzahl der Kernberei
che 404 zu verbinden. Falls das optische Modul 408 in der Öffnung 413
befestigt wird und betriebsmäßig an den Verbindungsflächen 411 verbunden
wird, sind die Vielzahl der optischen Oberflächen 409 des optischen Mo
duls 408 zu der Vielzahl der optischen Oberflächen 405 der Vielzahl der
Kernbereiche 404 ausgerichtet und betriebsmäßig verbunden, um dadurch
sowohl elektrisch als auch optisch das optische Modul 408 mit dem Zwi
schenverbindungssubstrat 406 zu verbinden, um demzufolge standardmäßige
elektronische Komponenten mit optischen Komponenten zu integrieren.
Weiterhin stellt der optische Verbinder 407 eine optische Verbindung von
einer anderen Quelle, wie beispielsweise einer anderen Leiterplatte, einem
anderen opto-elektronischen System, oder dergleichen, mit dem MCM 400
erläuternd dar, um dadurch zu ermöglichen, daß Lichtsignale, d. h. Infor
mationen optisch zu dem MCM 400 eingegeben und von diesem abgegeben wer
den. Genauer gesagt werden optische Fasern (nicht dargestellt) in dem
optischen Verbinder 407 zu optischen Oberflächen 416 von Kernbereichen 417
ausgerichtet, um dadurch betriebsmäßig das MCM 400 mit dem optischen Ver
binder 407 zu verbinden.
Ein integrierter Schaltkreis 420 stellt erläuternd eine Einarbeitung und
Integration standardmäßiger, elektronischer Komponenten in das MCM 400
dar, um dadurch standardmäßige, elektronische Komponenten mit optischen
Komponenten zu vereinigen, so daß eine größere Geschwindigkeit oder Bewe
gung der Informationen erreicht wird.
Fig. 5 zeigt eine stark vergrößerte, vereinfachte, perspektivische Ansicht
einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie anhand der Fig. 5
gesehen werden kann, ist ein Multichip-Modul (multichip module - MCM) 500
so hergestellt, daß es verschiedene Hauptkomponenten oder Merkmale be
sitzt, wie beispielsweise ein Zwischenverbindungssubtrat 501 mit einer
Oberfläche 522, das eine Vielzahl elektrischer Bahnen 509 besitzt, die
durch Verbindungsflächenteile 511, 512, 513, 514, 516 und elektrische
Bahnen 517, 518, 519 und 520 dargestellt sind, ein optisches Modul 508,
ein geformter, optischer Bereich 521 mit optischen Bereichen 541, 542, die
eine Vielzahl Kernbereiche 527 besitzen, eine optische Verbindungsstel
le 524, einen integrierten Schaltkreis 530 und opto-elektronische
Sockel 525, 528 und 540.
Allgemein ist das Zwischenverbindungssubstrat 501 ähnlich den zuvor be
schriebenen Zwischenverbindungssubstraten 101, 206, 309 und 406, so daß
demzufolge keine tiefgehende Beschreibung des Zwischenverbindungssub
strats 501 notwendig ist. Allerdings sind, da das Zwischenverbindungs
substrat 501, wie es in Fig. 5 dargestellt ist, als eine perspektivische
Darstellung dargestellt ist, verschiedene Merkmale oder Elemente deut
licher erläuternd dargestellt als in den früheren Darstellungen. Wie in
Fig. 5 dargestellt ist, ist die Vielzahl der elektrischen Bahnen 509 auf
der Oberfläche 522 des Zwischenverbindungssubstrats 501 angeordnet. Ge
nauer gesagt erläutern die elektrischen Bahnen 517 bis 520 elektrische
Bahnen, die elektrische Signale durch das Zwischenverbindungssubstrat 522
leiten. Diese elektrischen Bahnen 517 bis 520 leiten auch elektrische
Signale zu geeigneten Verbindungsflächenteilen, um so elektrisch Signale
zu geeigneten, integrierten Schaltkreisen und optischen Modulen zu leiten,
die durch einen integrierten Schaltkreis 530 und ein optisches Modul 508
dargestellt sind, wodurch standardmäßige, elektronische Komponenten und
optische Module auf dem Zwischenverbindungssubstrat 501 integriert werden.
Der geformte, optische Bereich 521 ist auf der Oberfläche 522 des Zwi
schenverbindungssubstrats 501 so angeordnet, wie dies vorstehend beschrie
ben ist; allerdings ist in dieser besonderen Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung der geformte, optische Bereich 521 auf der Oberfläche 522
so angeordnet, daß er eine Vielzahl von Kernbereichen 523 zu deren geeig
neten Bestimmungen hin ohne eine vollständige Überspritzung auf der Ober
fläche 522 führt, um dadurch Bereiche auf der Oberfläche 522 des Zwi
schenverbindungssubstrats 501 offen oder frei von Gießkomponenten zu be
lassen, die zum Herstellen des geformten, optischen Bereichs 521 verwendet
werden.
Hie aus Fig. 5 ersichtlich werden kann, ist der geformte, optische Be
reich 521 so hergestellt, daß er einen optischen Verbindungsanschluß 524
besitzt, der optisch mit einem opto-elektronischen Sockel 525 durch einen
geformten, optischen Bereich 526 verbunden ist, der einen Kernbereich 527
besitzt. Der opto-elektronische Sockel 525 ist betriebsmäßig mit einem
opto-elektronischen Sockel 540 verbunden, der auch betriebsmäßig mit einem
opto-elektronischen Sockel 528 durch geformte, optische Bereiche 541 und
542 jeweils geformt ist. Weiterhin sollte verständlich werden, daß die
opto-elektronischen Sockel 525 und 540 und 528 Verbindungsflächentei
le 514, 516 und 513 umfassen. Um demzufolge zu ermöglichen, daß die op
to-elektronischen Module in opto-elektronischen Sockeln befestigt werden
können, um dadurch eine Integration sowohl opto-elektronischer als auch
standardmäßiger, elektronischer Komponenten, wie beispielsweise einen
integrierten Schaltkreis 530, zusammen in einem Multichip-Format zu ermög
lichen.
An dieser Stelle sollte ersichtlich werden, daß eine neuartige, opto-elek
tronische Multichip-Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen davon
beschrieben worden ist. Die opto-elektronische Multichip-Zwischenverbindung
setzt opto-elektronische und standardmäßige, elek
tronische Komponenten ein, und zwar unter Verwendung geformter, optischer
Wellenleiter, um betriebsmäßig standardmäßige, elektronische Komponenten
mit optischen Vorrichtungen zu verbinden, um dadurch von dem Vorteil der
Geschwindigkeit von Opto-Elektroniken Gebrauch zu machen, während noch
standardmäßige, elektronische Komponenten beibehalten oder eingesetzt
werden. Weiterhin ermöglicht eine Verbindung geformter, optischer Wellen
leiter und geformter, optischer Module eine kosteneffektive Herstellung
von Multichip-Modulen. Zusätzlich setzen die Verfahren zum Herstellen
beider, geformter Wellenleiter zur Zwischenverbindung von Substraten stan
dardmäßige, elektronische Komponenten mit optischen Modulen in einem hoch
fertigungstechnisierbaren Prozeß ein.
Claims (12)
1. Geformte, optische Zwischenverbindung (100), gekennzeichnet durch:
ein Zwischenverbindungssubstrat (101), das eine Hauptoberfläche besitzt;
eine Vielzahl elektrischer Bahnen (102) mit einem ersten elektrischen Kontakt (106), der auf der Hauptoberfläche des Zwischenverbindungssubstrats (101) angeordnet ist;
einen geformten, optischen Bereich (116), der einen Kernbereich (119) mit einem ersten Ende, einen Mantelbereich (120) und eine Öff nung (142), die auf dem Zwischenverbindungssubstrat (101) angeordnet Ist, besitzt, wobei die Öffnung (142) den ersten elektrischen Kon takt (106) der Vielzahl elektrischer Bahnen (102) und das erste Ende des Kernbereichs (119) freilegt, wobei der Kernbereich (119) und der Mantelbereich (120) einen ersten Brechungsindex und einen zweiten Brechungsindex jeweils besitzen; und
einen integrierten Schaltkreis (123), der eine optische Oberflä che (125), eine photonische Vorrichtung und einen zweiten elektrischen Kontakt besitzt, wobei der zweite elektrische Kontakt des integrierten Schaltkreises (123) betriebsmäßig mit dem ersten elektrischen Kon takt (106) der Vielzahl der elektrischen Bahnen (102) und der opti schen Oberfläche (125) betriebsmäßig mit dem ersten Ende des Kernbe reichs (119) des geformten, optischen Bereichs (116) verbunden ist.
ein Zwischenverbindungssubstrat (101), das eine Hauptoberfläche besitzt;
eine Vielzahl elektrischer Bahnen (102) mit einem ersten elektrischen Kontakt (106), der auf der Hauptoberfläche des Zwischenverbindungssubstrats (101) angeordnet ist;
einen geformten, optischen Bereich (116), der einen Kernbereich (119) mit einem ersten Ende, einen Mantelbereich (120) und eine Öff nung (142), die auf dem Zwischenverbindungssubstrat (101) angeordnet Ist, besitzt, wobei die Öffnung (142) den ersten elektrischen Kon takt (106) der Vielzahl elektrischer Bahnen (102) und das erste Ende des Kernbereichs (119) freilegt, wobei der Kernbereich (119) und der Mantelbereich (120) einen ersten Brechungsindex und einen zweiten Brechungsindex jeweils besitzen; und
einen integrierten Schaltkreis (123), der eine optische Oberflä che (125), eine photonische Vorrichtung und einen zweiten elektrischen Kontakt besitzt, wobei der zweite elektrische Kontakt des integrierten Schaltkreises (123) betriebsmäßig mit dem ersten elektrischen Kon takt (106) der Vielzahl der elektrischen Bahnen (102) und der opti schen Oberfläche (125) betriebsmäßig mit dem ersten Ende des Kernbe reichs (119) des geformten, optischen Bereichs (116) verbunden ist.
2. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) nach Anspruch 1, die da
durch gekennzeichnet ist, daß der erste elektrische Kontakt (106) und
der zweite elektrische Kontakt betriebsmäßig mittels eines elektri
schen Sockels und eines elektrischen Stifts (131) verbunden sind.
3. Geformte, optische Zwischenverbindung nach Anspruch 1, die weiterhin
dadurch gekennzeichnet ist, daß der erste elektrische Kontakt (106)
und der zweite elektrische Kontakt betriebsmäßig durch eine elektrisch
leitende Oberflächen-Erhöhung (132) verbunden sind.
4. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) nach Anspruch 1, die wei
terhin dadurch gekennzeichnet ist, daß der erste Brechungsindex und
der zweite Brechungsindex des Kernbereichs (119) und des Mantelbe
reichs (120) von 1,4 bis 1,7 reichen.
5. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) nach Anspruch 1, die wei
terhin dadurch gekennzeichnet ist, daß der erste Brechungsindex der
Kernbereichs (119) 0,01 höher als der zweite Brechungsindex des Man
telbereichs (120) liegt.
6. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) nach Anspruch 1, die wei
terhin dadurch gekennzeichnet ist, daß die erste photonische Vorrich
tung ein Laser ist.
7. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) nach Anspruch 6, die wei
terhin dadurch gekennzeichnet ist, daß der Laser ein in einer vertika
len Hohlraumoberfläche emittierender Laser ist.
8. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) nach Anspruch 1, die wei
terhin dadurch gekennzeichnet ist, daß die erste photonische Vorrich
tung ein Photodetektor ist.
9. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) nach Anspruch 8, die wei
terhin dadurch gekennzeichnet ist, daß der Photodetektor eine Photo
diode ist.
10. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) nach Anspruch 1, die wei
terhin dadurch gekennzeichnet ist, daß sie einen geformten, optischen
Bereich (118) umfaßt, der auf dem geformten, optischen Bereich (116)
positioniert ist.
11. Geformte, optische Zwischenverbindung (100) gekennzeichnet durch:
ein Zwischenverbindungssubstrat (101), das eine Hauptoberfläche be sitzt;
eine Vielzahl elektrischer Bahnen (102), die einen ersten elektrischen Kontakt (106), der auf der Hauptoberfläche des Zwischenverbindungs substrats (101) angeordnet ist, besitzt;
einen geformten, optischen Bereich (116), der einen Kernbereich (119) mit einem ersten Ende, das eine erste optische Oberfläche besitzt, einen Mantelbereich (120) und eine Öffnung (142), die auf dem Zwi schenverbindungssubstrat (101) angeordnet ist, besitzt, wobei die Öffnung (142) den ersten elektrischen Kontakt (106) und die erste optische Oberfläche des ersten Endes des Kernbereichs (119) freilegt, wobei der Kernbereich (119) und der Mantelbereich (120) einen ersten Brechungsindex und einen zweiten Brechungsindex jeweils besitzen; und
einen integrierten Schaltkreis (123), der eine zweite optische Ober fläche (125), eine photonische Vorrichtung, einen zweiten elektrischen Kontakt besitzt, wobei die zweite optische Oberfläche des integrierten Schaltkreises (123) parallel zu der ersten optischen Oberfläche (125) des Kernbereichs (119) zur optischen Verbindung des Kernbereichs (119) mit dem integrierten Schaltkreis (123) verbunden ist, wobei der zweite elektrische Kontakt des integrierten Schalkreises betriebsmäßig mit dem ersten elektrischen Kontakt (106) der Vielzahl der elektrischen Bahnen (102) und der ersten optischen Oberfläche der zweiten optischen Oberfläche des integrierten Schaltkreises verbunden ist.
ein Zwischenverbindungssubstrat (101), das eine Hauptoberfläche be sitzt;
eine Vielzahl elektrischer Bahnen (102), die einen ersten elektrischen Kontakt (106), der auf der Hauptoberfläche des Zwischenverbindungs substrats (101) angeordnet ist, besitzt;
einen geformten, optischen Bereich (116), der einen Kernbereich (119) mit einem ersten Ende, das eine erste optische Oberfläche besitzt, einen Mantelbereich (120) und eine Öffnung (142), die auf dem Zwi schenverbindungssubstrat (101) angeordnet ist, besitzt, wobei die Öffnung (142) den ersten elektrischen Kontakt (106) und die erste optische Oberfläche des ersten Endes des Kernbereichs (119) freilegt, wobei der Kernbereich (119) und der Mantelbereich (120) einen ersten Brechungsindex und einen zweiten Brechungsindex jeweils besitzen; und
einen integrierten Schaltkreis (123), der eine zweite optische Ober fläche (125), eine photonische Vorrichtung, einen zweiten elektrischen Kontakt besitzt, wobei die zweite optische Oberfläche des integrierten Schaltkreises (123) parallel zu der ersten optischen Oberfläche (125) des Kernbereichs (119) zur optischen Verbindung des Kernbereichs (119) mit dem integrierten Schaltkreis (123) verbunden ist, wobei der zweite elektrische Kontakt des integrierten Schalkreises betriebsmäßig mit dem ersten elektrischen Kontakt (106) der Vielzahl der elektrischen Bahnen (102) und der ersten optischen Oberfläche der zweiten optischen Oberfläche des integrierten Schaltkreises verbunden ist.
12. Verfahren zum Herstellen einer optischen Zwischenverbindung für ein
Multichip-Modul, gekennzeichnet durch die Schritte:
Bereitstellen eines Zwischenverbindungssubstrats (101), das eine Hauptoberfläche mit einer Vielzahl elektrischer Bahnen (102), die darauf angeordnet sind, besitzt, wobei eine der Vielzahl der elektri schen Bahnen (102) einen Kontakt (106) besitzt;
Formen eines optischen Bereichs (116), der einen Kernbereich (119) mit einem ersten Ende, einen Mantelbereich (120) und eine Öffnung (143) besitzt, wobei die Öffnung (143) des optischen Bereichs so positio niert ist, um den Kontakt (106) der Vielzahl der Bahnen (102) freizu legen;
Bereitstellen eines integrierten Schaltkreises (123), der eine opti sche Oberfläche (125) mit einer photonischen Vorrichtung und mit einem elektrischen Ausgang besitzt; und
Verbinden der optischen Oberfläche (125) des integrierten Schaltkrei ses (123) mit dem ersten Ende des Kernbereichs (119) und Verbinden des elektrischen Ausgangs des integrierten Schaltkreises (123) mit dem Kontakt (106) der Vielzahl der elektrischen Bahnen (102).
Bereitstellen eines Zwischenverbindungssubstrats (101), das eine Hauptoberfläche mit einer Vielzahl elektrischer Bahnen (102), die darauf angeordnet sind, besitzt, wobei eine der Vielzahl der elektri schen Bahnen (102) einen Kontakt (106) besitzt;
Formen eines optischen Bereichs (116), der einen Kernbereich (119) mit einem ersten Ende, einen Mantelbereich (120) und eine Öffnung (143) besitzt, wobei die Öffnung (143) des optischen Bereichs so positio niert ist, um den Kontakt (106) der Vielzahl der Bahnen (102) freizu legen;
Bereitstellen eines integrierten Schaltkreises (123), der eine opti sche Oberfläche (125) mit einer photonischen Vorrichtung und mit einem elektrischen Ausgang besitzt; und
Verbinden der optischen Oberfläche (125) des integrierten Schaltkrei ses (123) mit dem ersten Ende des Kernbereichs (119) und Verbinden des elektrischen Ausgangs des integrierten Schaltkreises (123) mit dem Kontakt (106) der Vielzahl der elektrischen Bahnen (102).
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Legal Events
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---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G02B 6/42 |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |