DE1812130A1 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter- oder Dickfilmanordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter- oder Dickfilmanordnung

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DE1812130A1 DE19681812130 DE1812130A DE1812130A1 DE 1812130 A1 DE1812130 A1 DE 1812130A1 DE 19681812130 DE19681812130 DE 19681812130 DE 1812130 A DE1812130 A DE 1812130A DE 1812130 A1 DE1812130 A1 DE 1812130A1
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Description

Telefunken —-^γ~Τ
Patentverwertungsgesellschaft Βθ1βρ«ΧβΓΓ.ρΙ3Γ m,b.H. j Dvtt.icht ändert *»
Ulm / Donau, Elisabethenstr, 3
Heilbronn, den 19»11.1968 FE/PT-Ma/Na HN 52/68
"Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteroder Dickfilmanordnung"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter- oder Dickfilmanordnung, zu deren Fertigung eine Oberflächenseite eines Trägerkörpers mit einer bestimmte Strukturen oder Aussparungen enthaltenden Mr.skierungsschicht zu versehen is to
In der Elektrotechnik erhält die Mikrominiaturisierung von Bauelementen und Schaltungen eine immer größere Bedeutung» Die Fertigung von Transistoren, Dioden, integrierten Halbleiterschaltungen, Dick- und Dünnfilmschaltungen läßt sich nur mit besonderen Hilfsmitteln ausführen» Eines dieser Hilfsmittel ist die sogenannte Maskierungs-und Ätztechnik. Wenn beispielsweise in bestimmte Oberflächenbereiche eines Halbleiterkörpers W Zonen bestimmten Leitungstyps eindiffundiert werden sollen, muß die Halbleiteroberfläche zunächst mit einer diffusions hemmenden Schicht, die beispielsweise aus einem Oxyd besteht, bedeckt werden. In diese Oxydschicht werden an bestimmten Stellen Öffnungen eingebracht. Hierzu wird bei der bekannten Technik die Oxydschicht mit einer lichtempfindlichen Photolackschicht
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bedeckt, die rait Hilfe einer vorgefertigten Photomaske derart, belichtet und entwickelt wird, daß der Photolack:, der •ätzbeständig ist, nur über den nicht zu entfernenden'Stellen der Oxydschicht stehen bleibt» Die übrigen Oberfiächenbereiche der Oxydsehicht werden durch die Entwicklung der Photolackschicht freigelegt und können nun; in einer Ätzlosung 1 eicht entfernt werden= Durch diese Öffnungen in der Oxydsehicht werden dann beispielsweise aus der Gasphase Störstellen in die freigelegten Bereiche der Halbleiteroberfläche eindiffundiert, die im Halbleiterkörper Zonen bestimmten Leitungstyps bilden«, Die beschriebene Technik wird auch zum Strukturieren von Metallschichten, also beispielsweise zur Herstellung von Leitbahnen auf Isolierstoff- oder Halbleiterkörpern verwendet» Zur partiellen Abscheidung von Epitaxieschichten wird eine auf ■'·""" der Halbleiteroberfläche befindliche Isolierschient gleichfalls mit Hilfe der bekannten Maskierungs- und Ätztechnik strukturiert,
Leitbahnen auf Halbleiteroberflächen oder Isolier stoffkörpern ' sollen möglichst niederohmig sein. Aus diesem Grund werden die meist auf ge damp ft en■, galvanisch oder s treulos abgeschiedenen Leitbahnen möglichst breit ausgebildet. Dieser Verbreiterung der Leitbahnen sind jedoch durch die zur Verfügung stehewde * Fläche Grenzen gesetzt. Besonders bei integrierten Schaltungen oder gar bei integrierten Großsehaltungen, die aus einer Vielzahl von elektrisch miteinander zu verknüpfenden Grundschäl tungeit f>e-
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stehen, werden zur Verschaltung der einzelnen Bauelemente sehr viele Leitbahnen benötigt, so daß die elektrische Verdrahtung der Schaltung entweder in verschiedenen Ebenen ausgeführt oder die Leitbahnen sehr schmal gewählt werden müssen,, Die Herstellung verschiedener durch Jsolierstoffschichten voneinander getrennter Verdrahtungsebenp. ist technisch schwierig und aufwendig«,
Zur Verbesserung der bekannten Maskierungs- und Ätztechnik wird daher erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß zur Herstellung der Maskierungsschicht auf eine Oberflächenseite des Trägerkorpers eine Schicht aus einem ätzbeständigen, temperaturbeständigen und lichtunempfindlichen Kunststoff aufgebracht wird, daß über diese Kunststoffschicht ein Elektronenstrahl derart gel* ihr. τι ,1 gesteuert wird, daß vorbestimmte Bereiche der Kunststoffschicht abgetragen werden, und daß schließlich in den freigelegten Bereichen der Trägeroberflache weiteres Material abgetragen, abgeschieden und/oder in den Trägerkörper eingebracht wird« ä
Die Verwendung von Kunststoffschichten hat den Vorteil, daß diese atzbeständig sind und sehr dick ausgebildet werden können. Die Dicke dieser Kunststof fse '-ichten kann beispielsweise zwischen einem ,xm und einigen zehnte trtrn 'legen. Als Kunststoffe eignen sich beispielsweise Tetrafluoräthylen oder Polyurethane, die auf den Halbleiter- oder Isolierstoffkörper vorzugsweise auf;,e-
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sprüht werd®*1· Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich be··» sonders zur Herstellung sehr schmaler aber dicker Reitbahn·en·, die auf Grund ihrer beträchtlichen Dicke sehr niederohroig; sind»
Zur Herstellung einer Dickfilmschaltung wird als Trägerkorper ein Halbleiterkörper öder ein einem isolierenden Material verwendete &Mf eine seite dieses Ir ag er körpers wird eine dünne metaiiisehie Schicht aufgebracht, die ansohließend mit einer Kunststoffschicht bedeckt wird» Bestimmte Bereiche dieser Kunststoffschicht werden danach mit Hilfe eines Elektronenstr©hls wieder · entfernt, se* daß auf die so freigelegten Bereiche der dünnen Metall schicht weiteres Metall galvanisch oder stromlos abgeschieden werden kann. Dieser- Abscheidungsprozeß wird so lange durehgefuhrtt bis die öffnung-ejtt in der Kunst stoff schicht ganz ©der teilweise mit Metall gefüllt sind..
Zur Herstellung; von hei;tbahnen auf einem wenigstens ein Halbleiterbauelement enthaltenden Halble.it er körper wird bei der Durchführung des erfindungsgemaßen Verfahrens beispeisweise eine Oberfläehenseite des Halbleiterkörpers mit einer Oxyd» ader Nitridschicht bedeckte In diese diffusionshemmende Schicht werden über den für die Kontakte vorgesehenen oberflächenbereichen: Öffnungen eingebracht. Danach wird die Oxyd- oder Nltridschicht und die freigelegten Bereiche der Halbleiteroberfläche mit einer
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dünnen Metallschicht und die Metallschicht wiederum mit einer relativ dicken Kunststoffschicht überzogen. Die Kunststoffschicht wird danach in den für die Kontakte und Leitbahnen vorgesehenen Oberflächenberexchen mit Hilfe eines Elektronenstrahls entfernt, so daß die in der Kunststoffschicht erzeugten Aussparungen und Kanäle schließlich durch eine galvanisch? oder stromlose Abscheidung mit. dem Leitbahn- bzw. Kontaktmaterial aufgefüllt werden können«
Zur Herstellung partieller Epitaxieschichten mit dem erfindungs- ™ gemäßen Verfahren wird ein Halbleiterkörper bestimmten Leitungstyps mit einer Oxydschicht oder Niti id.schicht und diese diffusionshemmende Schicht wiederum mit einer Kunststoffschicht bedeckt ο Danach werden mit Hilfe eines steuerbaren Elektronenstrahls in die Kunststoffschicht bis zur Oxyd- bzw. Nitridschicht reichende Aussparungen eingebracht» Mit Hilfe der an-sich bekannten Ätztechnik werden die freigelegten Teile der Oxyd- bzw, Nitridschicht abgetragen und in den Halbleiterkörper die für die Aufnahme der partiellen epitaktischen Halbleiterbereiche vorge- ä sehenen Vertiefungen eingebracht« Schließlich wird die Kunststoffschicht wieder entfernt und in einem epitaktischen Abscheidungsprozeß werden die Vertiefungen mit Halbleitermaterial ganz oder teilweise wieder aufgefüllt,
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Die Erfindung wird im weiteren noch anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert«
Die Figuren 1 und 2 zeigen;verschiedene Fertigungsphasen einer auf einem isolierenden Trägerkörper angeordneten Dickfilmschaltungo
Die Figuren 3 und k i i .· ustrieren die Herstellungsweise einer integrierten Halbleiterschaltung mit auf der Halbleiteroberfläche verlaufenden Leitbahnen.
Anhand der Figuren 6 bis 9 wird die Herstellung partieller epitaktischer Halbleiterbereiche näher erläutert.
Die Figur 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht einen Teil eines isolierenden Trägerkörpers 1, der beispielsweise aus Keramik oder Glas besteht» Eine Oberflächenseite dieses Trägerkörpers wird mit einer ca» 5oo bis looo A dicken Metallschicht 2, die beispielsweise aus Kupfer besteht, überzogen. Diese Lecallschicht 2 wird vorzugsweise auf den Trägerkörper aufgedampft. Auf die Metallschicht wird schließlich eine 2o ,um dicke Kunststoffschicht 3 aus Tetrafluoräthylen oder Polyurathyn aufgesprüht» Über die Kunststoffschicht 3 wird ein Elektronenstrahl k derart geführt, daß bestimmte, scharf begrenzte Bereiche der Kunststoffschicht erhitzt und verdampft werden. Hierbei hat es sich als möglich und vorteilhaft erwiesen, den Querschnitt, die Strahlungsintensität, den Intervallrythmus aus
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Strahlungszeit en und -pausen und die Bewegung des Elektronen-Strahls mit Hilfe eines programmierten Computers zu steuernο Die in die Kunststoffschicht eingebracht en, bis zur Metallschicht reichenden Kanäle 6 bzw. 7 und Aussparungen 5 haben beispielsweise die Struktur von Wider Standsmäandern, Leitbahnen: und ÄnschlußkontaktenV Es ist iidglich, mit Hilfe eines Elektronenstrahls in die Kunststoffschicht Kanäle einzubringen, . die nur einige /um breit und von einem benachbarten Kanal gleichfalls nur einige ,um entfernt sind. Durch stromlose oder galvanische Abscheidung können die in der Figur 1 dargestellen Kanüle und Aussparungen m der Kunststoffschicht vollständig oder teilweise mit Metall» beispielsweise mit Kupfer, aufgefüllt werden» Auf diese Weise lassen sich auf kleinstem Raum zahlreiche Leitbahnen oder Kontakte herstellen,: die durch ihre Dicke von ca. 2o/Um sehr niederahmig sind.
In der Figur 2 ist die fertige Dickschicht anordnung dargestellt,, nachdem die K· nststoffschicht 3 im Anschluß an die stromlose Metallabscheidtt-ig in einem geeigneten Lösungsmittel wieder ent" J fernt wurde« Vom Widerstandsmäander 8 und von den großflächigen Anschlußkontakten 9 und Io führt je eine Leitbahn It bis 13 zu je einem kleinflächigen Ansehlußkontakt I^ bis l60 Diese drei zuletzt genannten Ansehlußkontakte sind so angeordnet« daß beim Auflegen eines Halbleit erbauelementes, beispielsweise ei~tes Planartransistors 17, die Elektroden dieses Transistors mit den Anschluß-
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kontakten lh bis l6 in Berührung kommen» Durch Erwärmung #er dargestellten Anordnung können die Trans is tor M>n takte fest mit den elektrischen Anschlußköntäkten auf dem isolierenden TrS-gerkörper Verbunden werdsn« Die Diekfilmanordnüng ader Figur 2 weist weitere Kontakte 181 19 und 2,0 s-öwie t-eltbalineiii 2i -bis 2J auf* Utti die einzelnen Leitbähnen -und Ansehliißkoiitälite el ektriscii voneinander zu trennen, wird die in der Figur 2 dargestellte Dickrilmanordnung vor dem Einsetzen der Halb! eitertoäxaelemente in eine Ätislösuixg getaüclit, in der die dünne Metallsfetiitut Ij (Figur 1.) die noch zwischen den Leitbähnen und Kontakten vorhanden ist, abgetragen wirde
Anhand der Figuren 3 bis $ wird die Leitbahnherstellung bei integrierten Halbleitersehältungen erläutert. Die Figur 3 zeigt teils
im Schnitt „ teils in einer perspektivische*! Ansicht einen leiterkSrper 24 vom ersten Leitungstyp, beispielsweise aus Silizium, in dem drei voneinander isoliert© Halbl ei t erber eiche 2;5 bis &f vöiö zweiten Leitungstyp angeordnet sind., Diese tärei Ser«iGhe voii Sperrsthichten 28 umgeben * die sich zu einer Oberflächen* seite des HalbleiterköriJers hin erstreckenB iil die eimizelnen Hälbleiterbereith« 25 bis 2? wurden mit Hilfe der bekannten technik weitere äonen eingebracht, die beispielsweise einen Transistor 2'9* eine Dio#e $ö oder einen diffundierten Widerstand Ji bilden* Die Halbieiteroberflache ist beispielsweise mit einer Siliziumdioxydschieht 32 bedeckt, die bei sämtlichen Arbeits«
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schritten, die zur Erzeugung der genannten Zonen erforderlich sind, von neuem vervollständigt und ,den Anforderungen entsprechend strukturiert wird» Zuletzt werden in die Oxydschicht· mit Hilfe der bekannten Photolack-, Maskierungs- und Ätztechnik Kontaktierungsfenster über den verschiedenen Halbleiterzonen eingebrachte Die in den Kontaktierungsfens tern freiliegenden Bereiche der Halbleiteroberfläche und die Oxydschicht werden danach mit einer dünnen Metallschicht 2 und die Metallschicht ihrerseits mit einer dickeren Kunststoffschicht 3 überzogen» j Mit einem Elektronenstrahl 4 werden in die Kunststoffschicht linien- und mäanderförmige Kanäle 33 bzw» 34, sowie großflächige Aussparungen 35 eingebracht» Die bis zu der dünnen Metallschicht reichenden Öffnungen in der Kunststoffschicht werden schließlich, wie die Figur 4 ze igt,durch stromlose Abscheidung ganz oder teilweise mit dem Kontakt bzw» Leitbahnmetall 36 aufgefüllt,
Die Figur 5 zeigt teils im Schnitt, teils in einer perspektivischen Ansicht.einen Teil der fertigen Halbleiteranordnung nach dem die Kunststoffschicht 3 und die dünne Metallschicht 2 in ™ geeigneten Lösungen wieder entfernt wurden» Von dem einen Diodenkontakt der Diode Jl erstreckt sich auf die Oxydschicht 32 ein Widerstandsmäander 37» der über eine Leitbahn 38 mit dem Kollektorkontakt 39 des Transistors verbunden ist» Der Basiskontakt des Transistors ist wie auch der Emitterkontakt als sich auf die Oxydschicht erstreckende Leitbahn 4o bzw. 4l ausgebildet.» Der eindiffundierte Widerstand 31 ist einerseits mit einem groß-
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- Io -
flächigen Anschlußkontakt 42, der sich auf der Oxydschicht befindet, elektrisch leitend verbunden, während der zweite Widerstandskontakt über eine auf der Oxydschxcht verlaufende Leitbahn 43 gleichfalls an die Kollektorzone 26 des Transistors angeschlossen ist.
Anhand der Figuren 6 bis 9 wird die partielle epitaktische Abscheidung mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens erläutert. Auf einen beispielsweise aus einkristallinem Silizium bestehenden Halbleiterkörper 24 bestimmten Leitungstyps wird auf die eine Oberflächenseite des Halbleiterkörpers bedeckende Sxliziumdioxydschicht 32 eine beispielsweise 1 bis Io ,um dicke Kunststoffschicht 3 aus Tetrafluoräthylen oder PoIyuräthan aufgespritzt. Mit einem Elektronenstrahl -ί werden danach, wie die Figur 7 zeigt, vorausbestimmte Stellen der Kunststoffschicht bis zur Oxydschieht wieder entfernt. So entstehen beispielsweise rechteckförmige Fenster 44 in der Kunststoffschicht. Die so freigelegten Teile der Oxydschicht werden gemäß Figur 8 beispielsweise in gepufferter Flußsäure abgeätzt. In einem weiteren Atzprozeß, der beispielsweise in einer Lösung aus Fluß- und Salpetersäure durchgeführt wird, entstehen dort Vertiefungen 45 im Halbleiterkörper, wo die Halbleiteroberfläche dem Ätzmittel ungeschützt ausgesetzt ist. Diese Vertiefungen reichen beispielsweise ein..-'? /um in den HäLbleiteriorper. Da die auf der Halbleiteroberfläche befindliche Maskierungsschir Vi t
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aus Kunststoff sehr atzresistent ist, kann die Ätzdauer beliebig lang gewählt werden. Die Gefahr, daß die Kunststoffschicht abgelöst oder aufgelöst wird, besteht nicht.
Nach dem Ablösen der Kunststoffschicht 3 werden die Vertiefungen 45, wie die Figur 9 zeigt, mit epitaktisch gebildete» Halbleitermaterial 46 aufgefüllt. Dieser Epitaxiepr οζeß vollzieht sich nach einer bekannten Technologie in einer geeig-
neten TJeaktionskatnmer» Das in den Vertiefungen einkristallin aufgewachsene Halbleitermaterial 46 kann durch entsprechende Dotierung während des epitaktischen Abscheidungsprozesses mit einem Leitungstyp versehen werdci, der d η des Halbleiterkörpers 2% beispielsweise entgegengesetzt iät. In die einzelnen somit durch Sperrschichten voneinander isolierten Halbleiterbereiche 46 können schließlich mit Hilfe der bekannten ι _ ■ . \rtechnik eindiffundierte Bauelemente oder Halbleiterschaltungen eingebracht werden. Selbstverständlich können die Halbleiterbereiche 46 auch den gleichen Leitungstyp wie der Halbleitergrundkörper auf- ä weisen. Die geschilderte partielle Bildung epitaktischer Halfen leiterbereiche wird vor allem dann eingesetzt, wenn zur Herstellung von Halbleiterbauelementen ein Halbleitermaterial ohne StörStellengradient gefordert wird.
Bei dem beschriebenen Verfahren knn besonders bei der Leitbahnherstellung in vielen Fällen die Kunststoffschicht auch auf dem Halbleiterkörper belassen werden. Auf diese Kunststoffschicht
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lassen sich dann weitere Metallschichten beispielsweise aufdampfen. Zur Bildung mehrerer Verdrahtungsebenen kann auf die erste Kunststoffschicht eine zweite Kunststoffschicht aufgesprüht werden, die sich als Träger für weitere metallische Leitbahnen oder Bauelemente verwenden läßt»
Die für das neue Verfahren beispielshaft als geeignet angegebenen Kunststofffschichten aus Tetrafluoräthylen und Polyuräthan sind bis ca. 2oo C temperaturbeständig und gegen Säuren sehr resistant, so daß störende Rissbildungen oder gar ein Abplatzen der Kunststoffmaskierungsschicht ausgeschlossen ist.
Das geschilderte Verfahren eignet sich besonders zur Herstellung von integrierten, monolithischen, nach der Planartechnik hergestellfeen Halbleiters· Haltungen, sowie für Großschaltungen, die aus einer Vielzahl in einer Halbleiterscheibe befindlichen und durch Leitbahnen elektrisch miteinander verknüpften Einzelschaltungen bestehen.
Zur Herstellung von Mesadioden und Mesatransistoren Mnd beträchtliche Teile der Halbleiterkörper abzuätzen. Auch für die Durchführung dieser Ätzprozesse eignet sich das vorgeschlagene Maskierungsverfahren in vorzüglicher Weise.
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Bei der Durchführung des in Ausführungsbeispielen beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahrens lassen sich selbstverständlich die Oxydschichten durch andere isolierende Schichten ersetzen. Die Art der Halbleiterkörper und deren Dotierung lassen sich frei wählen. Die Dicke der lichtunempfindlichen Kunststoffschicht kann ohne Schwierigkeiten an die jeweiligen Anforderungen angepasst werden.
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Claims (13)

Patentansprüche
1)^Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter- oder Diekfiimanordnimg zu deren Fertigung eine Oberflächenseite eines Trägerkörpers mit einer bestimmte Strukturen oder Aussparungen enthaltenden Maskierungsschicht zu versehen ist, dadurch gekenn-. zeichnet, daß zur Herstellung dieser Maskierungsschicht auf eine Oberflächenseite des Trägerkörpers eine Schicht aus einem ätzbeständigen, temperaturbeständigen und 1ichunempfindlichen Kunststoff aufgebracht wird, daß über diese Kunststoffschicht ein Elektronenstrahl derart geführt und gesteuert wird, daß vorbestimmte Bereiche der Kunststoffschicht abgetragen werden, und daß schließlich in den freigelegten Bereichen ier Trägeroberfläche weiteres Material abgetragen, abgeschieden und/oder in den Trägerkörper eingebracht wird.
2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
ψ Kunststoffschicht ca. 1 ,um bis einige zehntel Millimeter dick gewählt wird.
3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Kunststoffschichten aus Tetrafluoräthylen oder Polyuräthan gewählt werden. .
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4) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffschichten auf den Halbleiterkörper aufgesprüht werden.
5) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägerkörper ein Halbleiterkörper oder ein Körper aus isolierendem Material verwendet und auf eine· Oberflächenseite dieses Trägerkörpers eine ,dünne metallische
Schicht aufgebracht wird, daß diese Metallschicht mit einer M
Kunststoffschicht bedeckt und bestimmte Bereiche dieser Kunststoffschicht mit Hilfe eines Elektronenstrahls wieder entfernt werden, daß auf die so freigelegten Bereiche der dünnen Metallschicht weiteres Metall galvanisch oder stromlos abgeschieden wird, bis die Offnungen in der Kunststoffschicht ganz oder teilweise mit Metall ausgefüllt sind.
6) Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß
ein wenigstens ein Halbleiterbauelement enthaltender Halbleiterkörper an seiner einen Oberflächenseite mit einer Oxyd- oder ™ Nitridschicht bedeckt v.ird. in die über den für Kontakte an die im Halbleiterkörper befindlichen Zonen vorgesehenen Oberflächenbereichen Öffnungen eingebracht werden, daß die Oxyd- oder Nitridschicht und die freigelegten Bereiche der Halbleiteroberfläche mit einer dünnen Metallschicht und die Metallschicht mit einer relativ dicken Kunststoffschicht bedeckt wird, daß die
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Kunststoffschicht in den für die Korfakte und Leitbahnen vorgesehenen Oberflächenbereichen mit Hilfe eines Elektronenstrahls entfernt wird, und daß die so in der Kunststoffschicht erzeugten Aussparungen und Kanäle schließlich durch galvanische oder stromlose Abscheidung mit dem Leitbahn»- und Kontaktmaterial aufgefüllt werden.
7) Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Metallabscheidung die Kunststoffschicht mit einem Lösungsmittel wieder entfernt und die nicht verdickten Bereiche der dünnen Metallschicht in einer Ätzlösung abgetragen werden.
8) Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die dünne Metallschicht ca. 5oo bis looo A dick gewählt wird und in die r3lativ dicke Kunststoffschicht ca. 5 bis lo,um breite, für die Aufnahme der Leitbahnen vorgesehene Kanäle mit Hilfe eines steuerbaren Elektronenstrahls eingebracht werden«
9) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper bestimmten Leitungstyps mit einer Oxyd- oder Nitridschicht und diese Schicht mit einer Kunststoffschicht bedeckt wird, daß mit Hilfe eines steuerbaren Elektronenstrahls in die Kunststoffschicht bis zur Oxyd- bzw. Nitridschicht reichende Aussparungen eingebraht werden, daß mit Hilfe der ansich bekannten Ätztechnik der freigelegte Teil der Oxyd- bzw. Nitridschicht abgetragen und in den Halbleiterkörper
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für die Aufnahme partieller epitaktischer Halbleiterbereiche vorgesehene Vertiefungen eingebracht werden, daß die Kunststoffschicht wieder entfernt wird, und daß die Vertiefungen mit epitaktisch abgeschiedenem Halbleitermaterial ganz oder teilweise aufgefüllt werden»
10) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt, die Intensität, der Intervallrythmus und die Bewegung des Elektronenstrahls mit Hilfe (| eines programmierten Computers gesteuert wird.
11) Verfahren nach Anspruch 55 gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Herstellung von Dickfilmanordnungen auf einem isolierenden Keramik- oder Glaskörper mit eingesetzten Halbleiterbauelementen.
12) Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Herstellung von integrierten, monolithischen, j nach der Planartechnik hergestellten Halbleiterschaltungen mit auf einer die Halbleiteroberfläche bedeckenden Isolierschicht verlaufenden metallischen Leitbahnen·
13) Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Herstellung von Großschaltungen, die aus einer
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Vielzahl in einer Halbleiterscheibe befindlichen durch Leitbahnen elektrisch miteinander verknüpften Einzelschaltungen bestehen.
lA) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Herstellung von Mesadioden oder Mesatransistoreö«
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