DE1769481C3 - Verfahren zum Ziehen eines einkristallinen Körpers aus der Schmelze eines kongruent und hochschmelzenden Materials und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.Anm: Tyco Laboratories Inc., Waltham, Mass. (V.StA.) - Google Patents
Verfahren zum Ziehen eines einkristallinen Körpers aus der Schmelze eines kongruent und hochschmelzenden Materials und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.Anm: Tyco Laboratories Inc., Waltham, Mass. (V.StA.)Info
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Description
60 Schmelze weniger wird. Ist die Höhe des Tiegels verhältnismäßig
groß, so daß ein nennenswerter Tempe-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ziehen raturgradient zwischen der Oberfläche und derr
eines einkristallinen Körpers aus der Schmelze eines Boden besteht, so hat die Temperatur die Tendenj
kongruent und hochschmelzenden Materials, die in sich zu verändern, wenn die Strahlungsabschirmung
einer Kapillare angeordnet ist, welche mit einer Vor- 65 nach unten absinkt. Deshalb kann eine periodische
ratsschmelze in Verbindung steht, bei dem ein Impf- Nachstellung der Heizleistung notwendig werden, urr
kristall durch die obere öffnung der Kapillare in die in der unmittelbaren Nähe der öffnung die Tempe-
Schmelze eingeführt und mit einer die Krislallwachs- raturbedingungen aufrechtzuerhalten, die ein verti-
kales Kristallwachstum begünstigen. Eine Alternative besteht darin, den vertikalen Temperaturgradienten
dadurch zu vermindern, daß man einen verhältnismäßig flachen Tiegel verwendet. Dieser1 Weg ist jedoch
ungünstig, da hierbei das fassungsvermögen des Tiegels beschränkt ist.
Aus der deutschen Auslegescnrift 1 141 977 ist ein Verfahren zum Ziehen von dünnen, im wesentlichen
einkristallinen Halbleiterstäben, insbesondere aus Germanium aus einer Schmelze bekannt, wobei die
einkristallinen Halbleitersiäbchen aus einer Öffnung
herausgezogen werden, die derart gewählt ist, daß der Schmelzspiegel des Halbleitermaterials in der
Öffnung mittels Kapillardepression unter dem Spiegel des Schmelzvorrats gehalten wird. Nachteilig hieran
ist vor allem die Tatsache, daß die Temperatur in der Öffnung von der Temperatur der Vorratsschmelze
abhängig ist und nicht unabhängig von dieser geregelt werden kann. Der Kristallisationsvorgang kann daher
nur schwer gesteuert werden.
Aus der schweizerischen Patentschrift 399 744 ist ferner ein Verfahren zur Erzeugung eines Einkristalls,
z. B. aus Germanium, bekannt, bei dem auf die Vorratsschmelze Druck ausgeübt wird, um sie in einen
engen Durchgang zu pressen, in dem ein Impfkristall eingeführt wird und die Einkristalle gezogen werden.
Dieses Verfahren ist abhängig von der fehlerfreien Funktion der druckerzeugenden Vorrichtung. Bei
einem Ausfall derselben wird der Ziehprozeß beendet. Auch läßt sich dieses Verfahren eicht kontinuierlich
durchführen, da die Schmelze nicht fortlaufend ergänzt werden kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Ziehen unbestimmt langer einkristalliner
Körper aus der Schmelze eines kongruent und hochschmelzenden Materials anzugeben, das es gestattet,
die Temperaturen an der Flüssigkeits-Feststoffgrenze genau zu kontrollieren, und zwar unabhängig
von der Temperatur der Vorratsschmelze und bei dem störende Beeinträchtigungen, wie sie bei
dem Verfahren nach dem älteren Vorschlag noch auftreten, vermieden werden.
Diese Aufgabe wird, ausgehend von einem Verfahren der eingangs genannten Art, dadurch gelöst,
daß erfindungsgemäß nur das untere Ende der Kapillare in die Vorratsschmelze eingetaucht und die
Kapillare ausschließlich mit Hilfe der Kapillaraszension aus der Vorratsschmelze so mit Schmelze gefüllt
wird, daß in der Kapillare eine Schmelzsäule gebildet wird, die sich von der Vorratsschmelze bis hinauf zu
der oberen öffnung der Kapillare erstreckt.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es möglich,
Aluminiumoxyd in Fadenform zu erzeugen. So konnten Saphirfäden mit einer Länge von etwa
30 cm und einem Durchmesser von 0,05 bis 0,50 mm bei Ziehgeschwindigkeiten bis zu 150 mm/Min, erzeugt
werden.
Weiterhin schlägt die Erfindung eine Vorrichtung zum Ziehen eines einkristallinen Körpers aus einem
kongruent und hochschmelzenden Material vor mit einer Kapillaren, in der sich eine Schmelze befinde!,
die mit einer Vorratsschmelze in Verbindung steht und mit einem Impfkristall, der durch die öffnung
der Kapillaren in die Schmelze eingeführt und mit einer das Kristallwachstum nicht überschreitenden
Geschwindigkeit herausgezogen werden kann, wobei erfindungsgemäß die Kapillare derart angeordnet ist,
daß ihr oberes Ende aus der Vorratsschmelze herausragt und ihr unteres Ende in die Vorratsschmelze in
einer solchen Tiefe eintaucht, daß sich durch Kapillaraszension
eine Säule der Schmelze bildet, die aus der Vorratsschmelze bis zu der oberen öffnung der
Kapillaren emporragen.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiek der Erfindung
an Hand der Figuren beschrieben. In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 einen senkrechten Schnitt (teilweise in ίο schematischer Form) einer Ausführungsform eines
Ofens zum Züchten von kristallinen Fäden gemäß der Erfindung,
Fig. 2 einen Längsschnitt durch die Einrichtung zur Bildung einer flüssigen Säule der Schmelze durch
Kapillarwirkung,
F i g. 2 A eine Draufsicht eines Teils der in F i g. 2 dargestellten Vorrichtung,
F i g. 3 einen Längsschnitt einer anderen Ausführungsform der Einrichtung, in der die flüssige Säule
ao gebildet wird,
F i g. 4 eine Ansicht ähnlich der von F i g. 3 einer
weiteren Ausführungsform der Einrichtung, in der die Flüssigkeitssäule gebildet wird,
Fig. 4A eine Draufsicht der in Fig. 4 dargestellten
Ausführungsform und
F i g. 5 eine Ansicht ähnlich der von F i g. 2, jedoch von einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
Die nachstehende Beschreibung bezieht sich auf das Züchten von Saphir-Fäden (Λ-Aluminiumoxyd);
die Erfindung ist jedoch generell auch auf das Züchten von anderen hochtemperaturbeständigen Substanzen,
die kongruent schmelzen, anwendbar.
Bei der vorliegenden Erfindung wird ein einkristalliner Faden aus einer Schmelze gezogen, die in
einer durch ein Rohr oder durch einen Stab mit einem Längsschnitt gebildeten Kapillare angeordnet ist und
die in einem eine Vorratsschmelze enthaltenden Tiegel angeordnet sind und über diesen hinausragen.
Die Kapillarwirkung hat zur Folge, daß das Material der Schmelze im hohlen Rohr (oder im Schlitz des
Stabes) aufsteigt und diese ausfüllt. Die Höhe, auf die die Säule des geschmolzenen Aluminiumoxyds
ansteigt, ist eine Umkehrfunktion des; Rohrdurchmessers. Da die Oberflächenenergie des geschmolzenen
Aluminiumoxyds bekannt ist ((59O erg/cm2), kann die Entfernung, auf die eine geschmolzene
Aluminiumoxydsäule in einem bestimmiten Rohr über die Oberfläche des großen Schmelzevoirrates infolge
der Kapillarwirkung steigen kann, näherungsweise durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden:
h = 2 Tldrg,
worin /1 die Steighöhe der Säule in ein, T die Oberflächenspannung
in dyn/cm, d die Dichte des geschmolzenen Aluminiumoxyds in g/cm!l, r der Innenradius
des Rohres in cm und g die Gravitationskonstanle in cm/sec2 darstellt. So kann man z.B. be
einem Rohr mit einem Innendurchmesser vor 0,75 mm erwarten, daß die Säule um mehr als 11 crr
ansteigt. So können also verhältnismäßig lange Säuler durch Kapillarwirkung erzielt werden.
Die in F i g. 1 dargestellte Vorrichtung gemäß de Erfindung enthält ein vertikal verschiebbares hori
zontales Bett 2, das eine Ofenumkleidung mit zwe konzentrisch zueinander angeordneten Quarzrohren und
6 trägt. An seinem unteren Ende ist das inner Rohr 4 in einem L-Ring S im Bett angebracht. Da
Rohr 4 ist von einer Hülse 8 umgeben, die in eine
Manschette 10 eingeschraubt ist. Zwischen der Hülse 8 und der Manschette 10 befindet sich ein
O-Ring 12 und ein Trcnnelcment 13. Der O-Ring 12
wird gegen das Rohr 4 gepreßt, um einen dichten Abschluß zu bilden. Das obere Ende der Hülse 8
hat einen Abstand zum Rohr 4, so daß das untere Ende des Rohres 6 eingefügt wurden kann. Das untere
Ende des Rohres 6 wird durch einen O-Ring 14 und ein Abstandselement 15 festgehalten, die zwischen
eine Manschette 16 gepreßt sind, die auf die Hülse 8 aufgeschraubt ist. Die Hülse 8 ist mit einer Zulei-
20 eingepaßt ist. Die oberen L
und 6 s.nd in einem KtJf 2^C oos' nkt wi^d Der
stationär bleiben, wenn das Bett gesenkt wira utr
Kopf 22 besitzt eine Austrittsöffnung mit einem biegsamen
Schlauch 24. Der Kopf 22 enthält (nicht dargestellt) Einrichtungen ähnlich ^uUe 8 den
SS ie i\nedbeideUnnRdon?en SÄ-tcn
un'd gegeneinander abgedichtet werden können D.c Schläuche 20 und 24 sind mit einer Pumpe (nicht
dargestellt) verbunden mit deren H.lfe JK»Wwasser
der OfcnumhüHung ist über ein Rohr 28 mit einer
Vakuumpumpe oder mit einer geregelten Quelle von inertgas wie Ai8^ oder HdiumjertandejD«
Ofcnumhullung wird' «£" ^^βΓ «*°_
rrequcnz-He.zspuIe 30 ^geben die mit «nerrege
baren Ene^icquclle von 5M ^z (nich dargem)
Tm Körper 40 ist auf einem kurzen Wolframstab 44 ein Tiegel gehalten (gestrichelt bei 46 dargestellt),
der einen geeigneten Vorrat an Aluminiumoxyd enthält. Der Tiegel besteht aus einem Material, das die
Betriebstemperaturen aushält und nicht mit dem geschmolzenen Aluminiumoxyd reagiert oder sich
d?rin auflöst. Bei der erläuterten Ausführungsform ist der Tiegel aus Molybdän hergestellt, er kann aber
auch aus Iridium oder einem anderen Material mit ίο ähnlichen Eigenschaften gegenüber geschmolzenem
Aluminiumoxyd bestehen. Der Molybdänticgcl muß in einem gewissen Abstand 7\i dem Körper 40 stehen,
da bei etwa 2200 C eine eutektische Reaktion zwischen Kohlenstoff und Molybdän stattfindet. Innen
hat der Tiegel einen konstanten Durchmesser und gegebenenfalls einen halbkugeligen Boden. Um die
für das Verfahren notwendigen hohen Betriebstemperaturen zu erreichen, wickelt man eine zylindrische
Strahlungsabschirmung 50 aus Kohlenstoffluch um ao den Körper 40 aus Kohlenstoff. Das Kohlcnslofftuch
scheint nicht direkt mit dem Radiofrequenzfeld gekoppelt zu sein; es setzt jedoch die Wärmeverlustc
des Kohlenstoffkörpcrs 40 stark herab. Bei einer bestimmten
Einstellung der Radiofrcquenzleistung i»5 bewirkt die Abschirmung 50 eine Temperaturerhöhung
des Körpers 40 von bis zu 500 C.
Nach F i g. 2 ist der im Körper 40 gehaltene Tiegel 46 mit einer Hitzeabschirmung aus Molybdän in
Form eines Deckels 52 versehen. Diese Hitzeabschir-
den, und es sind Einrichtungen (nicht dargestellt) vorgesehen, um die Spule auf jeder gewählten Höhe
zu halten. An dieser Stelle sei vermerkt, daß das umlaufende Wasser nicht nur das Innere des Quarzrohrs
auf einer sicheren Temperatur hält, sondern auch den größten Teil der Infrarotenergic absorbiert,
wodurch die Beobachtung des Kristallwachstums bequemer ist.
Der Kopf 22 ist so konstruiert, daß ein Ziehstab 32 in die OfcnumhüHung eingeführt werden kann.
Der Ziehstab 32 ist mit einem an sich bekannten Kristallziehmechanismus 34 (schematisch dargestellt)
verbunden und bildet einen Teil dieses Mechanismus. Die Art des Kristallziehmcchanismus ist erfindungsgemäß
nicht kritisch, und seine Bauweise kann stark variiert werden. Vorzugsweise wird jedoch ein
hydraulisch gesteuerter Kristallziehmechanismus verwendet, da ein solcher den Vorteil hat, daß er
frei von Schwingungen ist und eine gleichmäßige Ziehgeschwindigkeit iiefert. unabhängig von seiner
genauen Bauweise, die nicht näher erläutert zu werden braucht, soll der Ziehmechanismus 34 den Ziehstab
32 axial mit einer geregelten Geschwindigkeit bewegen. Der Ziehstab 32 ist koaxial zu den Quarzrohren
4 und 6 angeordnet und besitzt an seinem unteren Ende eine Verlängerung in Form eines
Metallstabes 36, der als Halterung für einen Impfkristall 38 dient.
Innerhalb der OfcnumhüHung befindet sich ein die Energie aufnehmender Körper 40 (Susceptor) aus
Kohlenstoff. Das obere Ende des Körpers 40 ist offen, während sein unteres Ende durch einen Boden abgeschlossen
ist. Der Körper 40 wird von einem Wolframstab 42 gehalten, der im Bett 2 befestigt ist.
mung U^,,.-. w...w . „
kleinere öffnung 56 an einer Seite der öffnung 54.
Ein Thermoelement 58 befindet sich im Tiegel unter der Oberfläche der darin enthaltenen Schmelze 59,
wobei die Zulcitungsdrähte des Thermoelements durch die Öffnung 56 hindurchgehen und mit einem
empfindlichen Temperaturanzeigegerät (nicht dargestellt) üblicher Bauweise verbunden sind. Die Öffnung
54 ist, wie es in F i g. 2 dargestellt ist, konisch verjüngt.
Im Tiegel befindet sich ein Element 61 mit einer Ringplattc 60. die einen abgesetzten Rand 62 aufweist.
Der Rand 62 hält die Ringplatte 60 in einem gewissen Abstand über dem Boden des Tiegels. Die
Platte 60 bildet mit dem länglichen Rohr 64 eine Einheit, wobei das Rohr in der dargestellten Ausführungsform
über das obere Ende des Tiegels hinausragt. Das obere Ende des Rohres 64 ist verjüngt,
damit es in die Öffnung 54 paßt und damit sein oberer Rand schmal ist. Das Rohr 64 ist an beiden
Enden offen und hat einen praktisch konstanten Durchmesser vom Boden bis unmittelbar zum oberen
Ende, wobei der restliche Teil einen verminderten Innendurchmesser hat, der eine Wachstumsöffnung 68 bildet. Die Platte 60 ist mit einer Anzah
55 von Öffnungen 70 versehen, die um das Rohr 64 an geordnet sind. Bei einer typischen Ausführungsforn
der Erfindung, bei der ein Tiegel 46 mit einem Innen
durchmesser von etwa 15,9 mm verwendet wird, ha das Rohr 64 einen Innendurchmesser von ctwi
60 1,59 mm, ausgenommen das obere Ende, das eim Wachstumsöffnung mit einem Durchmesser von etw;
0,25 mm und einer Länge von etwa 1,59 mm hat weiterhin hatte das Rohr eine Gesamtlänge von etw
17 mm. Die Platte 60 war etwas kleiner als 15,9 mir
65 und ihr Rand hatte eine Höhe von etwa 3,2 mn Diese Abmessungen sind jedoch nicht kritisch, un
der Innendurchmesser des Rohres sowie seine Läng können über einen verhältnismäßig weiten Bcreic
variiert werden, wobei immer noch befriedigende Ergebnisse erhalten werden. Wichtig ist. daß der
Innendurchmesser des Rohres so klein ist, daß eine Säule aus geschmolzenem Aluminiumoxyd bis zu
seinem oberen Ende aufsteigt, wie es etwa bei 72 in F i g. 2 dargestellt ist. Weiterhin wurde beispielsweise
(jedoch nicht in einschränkender Weise) ein Wachstum von Aluminiumoxydfäden in Rohren erzielt,
deren WachstumsölTnung im Bereich von etwa 0,075
bis etwa 0,64 mm lag. Die Rohrlänge liegt Vorzugsweise im Bereich von etwa 12,7 bis 76 mm. Der
Innendurchmesser des Rohres unterhalb der WachstumsöfTnung
kann beträchtlich schwanken und ist nur dadurch begrenzt, daß die erforderliche Kapillarwirkung
vorhanden sein muß. Deswegen kann der Innendurchmesser des Rohres auf seiner ganzen
Länge der gleiche sein wie der der WachstumsölTnung. doch ist dies zur Erzielung einer befriedigenden
Arbeitsweise nicht nötig. Bei der Ausführung der Erfindung tritt ein Fadenwachstum in oder immittelbar
unterhalb der WachstumsölTnung auf. Infolge des Wachstums und der Entfernung des Fadens
hat das geschmolzene Aluminiumoxyd die Neigung abzunehmen; jedoch bleibt infolge der fortlaufenden
Auffüllung der Säule durch das geschmolzene Material, das aus dem Tiegel 46 über die Öffnungen 70
nachströmt, die Grenzfläche zwischen festem StoiT und Flüssigkeit auf der gleichen Höhe. Das fortgesetzte
Wachstum der Fäden führt zu einem Absinken des Niveaus der Schmelze im Tiegel 46. doch
besteht die Flüssigkeitssäule fort, bis kein weiterer Vorrat an Schmelze :m Tiegel 46 mehr vorhanden ist.
Fig. 3 zeigt eine andere Form des Elements 72,
das zur Förderung des Anstiegs einer Säule aus geschmolzenem Aluminiumoxyd im Tiegel 46 verwendet
werden kann. In diesem Fall bildet ein Rohr 64,-1 mit der WuchstumsölT.uing 68 eine Verlängerung
einer Ringplatte 6(M, die auf dem Boden des Tiegels liegt. Das Rohr 64 Λ ist identisch mit dem Rohr 64
von F i g. 2, mit der Abweichung, daß es einen oder mehrere radiale Öffnungen 74 am unteren Ende besitzt.
Wird dieses Element in den Tiegel 46 gestellt, so geht die Schmelze durch die Öffnungen 74 hindurch
und steigt dann durch Kapillarwirkung im Rohr auf ein Niveau, das über dem Niveau der
Oberfläche der Schmelze im Tiegel liegt.
F i g. 4 zeigt eine weitere Ausführungsform des Elements 75 zur Förderung des Aufsteigcns einer
Aluminiumoxydsäulc im Tiegel 46. Diese Ausführungsform
besteht aus einem länglichen Stab 76. der von"einer ebenen Ringplatte 80 nach oben ragt. Der
Stab 76 enthält einen Längsschnitt 82, dessen Querschnitt so klein ist, daß die Oberflächenspannung das
Ansteigen einer Säule aus geschmolzenem Aluminiumoxyd bis zum oberen Ende des Schlitzes verursacht,'
wenn das Element 75 an Stelle des entsprechenden Elements 61 von F i g. 2 in einen Tiegel
gestellt wird. Bei einem Modell der Ausführungsform nach F i g. 4 hat der Stab einen Durchmesser von
3 mm und einen Längsschlitz entlang seiner Achse mit einem Querschnitt von 0,5 · 2 mm und einer
Länge von etwa 10 mm. Die letztgenannte Abmessung hängt natürlich von der Höhe des Tiegels ab,
in den das Element gestellt wird. Der Vorteil der Ausführungsform nach Fig. 4 besteht darin, daß sie
eine s'ctige Beobachtung der Säule aus geschmolzenem
Material bei entferntem Deckel ermöglicht, während bei den Rohren 64 und 64 A nur der obere
Rand des Meniskus der geschmolzenen Säule beobachtet werden kann. Bei allen drei Ausführungsformen bleibt die Strahlungsabschirmung, d. h. der
Deckel 52. zum oberen Ende der Flüssigkeitssäule, in der das Kristallwachstum auftritt, in einem praktisch
konstanten Abstand, wenn die Schmelze im Tiegel 46 verbraucht wird. Genauer gesagt ist das
obere Ende der Säule dauernd von der Strahlungsabschirmung umgeben.
F i g. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung. In diesem Fall wird ein Tiegel 46 A mit
Deckel 52 verwendet, dessen Innendurchmesser so groß ist. daß zwei Elemente 61 (bzw. 72 oder 75)
aufgenommen werden können. Ein Element 61A wird zum Ziehen des Fadens auf dem an einem Stab
36 befestigten Impfkristall 38 verwendet. Das andere Element 61W ist eine geschmolzene Säule, deren
Temperatur durch das Thermoelement 58 überwacht wird. Da die Anordnung der beiden Rohre 61 radialsymmetrisch
ist, haben die darin enthaltenen Säulen der Schmelze praktisch die gleiche Tcmpcraturvcrtcilung.
Durch Einfügen des Thermoelements 58 in das Element 61B ist es also möglich, eine angenäherte
Temperaturanzeige in der Zone der geschmolzenen Säule im Element 61 A zu erhalten, in
der ein Fadenwachstum stattlindct. Die durch das Thermoelement 58 erzeugte Anzeige trägt zum Verständnis
des Wachstumsprozesses, der gleichzcitin im Element 61 A auftritt, bei und erleichtert die Programmierung
der Regeleinrichtungen für das Heizelement 30, so daß die Temperaturbedingungen der
Schmelze richtig eingestellt werden können. I: nt fern;
man das Thermoelement 58 und setzt man einen Impfkristall 38/1 in das Rohr 61 Ii ein. so ist es
selbstverständlich möglich, zwei Fäden glcich/eitiu
zu ziehen. Es ist weiterhin möglich, den Tiegel 46/Ϊ
zu vergrößern, so daß mehr als zwei Elemente 61. z. B. sechs Elemente, in einer symmetrischen Anordnung
angebracht werden können, so daß mehr als zwei Fäden gleichzeitig gezogen werden können.
Beim Ziehen mehrerer Fäden können die einzelnen Impfkristalle an einem gemeinsamen Ziehmcehanismus
oder auch an getrennten Ziehmechanismen befestigt werden, und ein Element 61 kann für ein
Thermoelement reserviert bleiben, das, wie in F i g. 5
dargestellt, eingefügt wird.
Nachstehend ist die Arbeitsweise der Vorrichtunc von F i g. 1 unter Verwendung der Ticgelanordnunf
von F i g. 2 und als Beispiel die Züchtung von \-Aluniiniumoxyd-Fäden
gemäß der Erfindung beschrieben. Ein \-Alurniniumoxycl-limpfkristall 38 wird ii
der Halterung 36 befestigt, wobei eine c-Achsc par allel zur Bewegungsrichtung der Halterung angcord
net ist. Gleichzeitig wird eine gewisse Menge praktiscJ reines Λ-Aluminiumoxyd in den Tiegel 46 eingefüllt
dieser wird mit dem Deckel 52 verschen, worauf de Tiegel 46 auf einen Wolframstab 44 innerhalb de
die Energie aufnehmenden Körpers 40 angcbrach wird. Der Zugang zu der Halterung des Impfkristall
und dem Körper 40 wird dadurch erreicht, indcti das Bett 2 von der Ofenumhüllung nach unten bcwcti
und die Halterung des Impfkristalls unter das Boden ende des Rohrs 4 bewegt wird. Ist dann das Bei
wieder in die in F i g. 1 dargestellte Lage gebrach so wird Kühlwasser zwischen die Wände der beide
Quarzrohrc eingeleitet, und die Umhüllung wir evakuiert und dann mit Helium gefüllt. Letztere
wird anschließend bei einem Druck von etwa 1 ί
gehalten. Dann wird die Radiofrequenzspule unter
Strom gese'/l, his das \-Aluminiumo.\\d geschmolzen
ist. Das wMuminiumoxyd wird auf eine Temperatur etwas oberhalb der Schmelztemperatur gebracht,
die im Hereich von 2040 bis 2050 C liegt. Im geschmolzenen Zustand steigt das Aluminiumoxyd
im Kapillarrohr 64 hoch, so daß sein Meniskus praktisch mit dem oberen Ende des Rohres zusammenfällt.
Sobald das Temperaturgleichgewicht eingestellt ist. wird der /.iehmechanismus betätigt, um
den Impfkristall 38 in die Wachstiimsötlnung 68 bis
auf eine Tiefe von etwa 0.5 mm unterhalb des Meniskus der geschmolzenen Säule einzuführen. Man läßt
den Impfkristall etwa 5 Sekunden in dieser Stellung. Dann wird der Ziehmechanismus betätig!, um den
Impfkristall mil einer Geschwindigkeit von etwa 150 mm min herauszuziehen. Es sei darauf hingewiesen,
daß die Verfahrensparameter, nämlich die Tiefe, die Haltezeit des Impfkristalls in der geschmolzenen
Säule und die Ziehgeschwindigkeit miteinander in Beziehung stehen und durch Versuche für die jeweils
verwendete Vorrichtung und die Temperatur der den Impfkristall umgebenden geschmolzenen
Säule bestimmt werden. Die Temperatur der Schmelze ist kritisch, und gewöhnlich findet beim ersten Her- 2;
ausziehen des Impfkristalls kein kontinuierliches Wachstum statt. An dieser Stelle sei bemerkt, daß
bei Berührung des Meniskus durch den Impfkristall nichts geschieht, wenn das obere Ende der geschmolzenen
Säule zu kalt ist: ist dagegen das obere Ende der geschmolzenen Säule zu heiß, so schmilzt der
Impfkristall. Die Temperatur der Schmelze wird dann entsprechend eingestellt, und der Impfkristall wird
wieder mit der Schmelze in Berührung gebracht. Daß die richtige Temperatur der Schmelze erreicht ist,
wird durch den Beginn eines dendritischen Wachstums am Ende des Impfkristalls angezeigt. Danach
wird der Impfkristall mit einer Geschwindigkeit her- " ausgezogen, die der Geschwindigkeit entspricht, mit
der das dendritische Wachstum sich in die Schmelze fortpflanzt. Es ist jedoch möglich, daß man die Temperatur
der Schmelze und die Ziehgeschwindigkeit noch etwas ändern muß. um den Wachstumsprozeß
zu optimieren. Wird der Impfkristall stetig mit der richtigen Geschwindigkeit herausgezogen, so erfolgt
ein stetiges Wachstum, bis die Schmelze erschöpft ist. Die maximale Fadenlänge ist nur durch die maximale
Ziehlänge des Ziehmechanismus 34 begrenzt. Der Durchmesser des gezüchteten Fadens kann durch
Einstellen der Ziehgeschwindigkeit und oder der so Temperatur der geschmolzenen Säule variiert werden.
Verwendet man ein Thermoelement, das in der in F i g. 5 angegebenen Weise angebracht ist. so daß es
Temperaturen registriert, die ähnlich denen in der Umgebung des Impfkristalls 38 sind, wenn dieser in
die Wachstumsöffnung gebracht wird, so braucht die Temperatur in der Wachstuniszone nicht konstant
gehalten zu werden, um ein steliges Fadenwachstum zu erzielen. Statt dessen kann die Temperatur innerhalb
eines engen Bereiches schwanken, wobei die Größe des Bereiches von der Ziehgeschwindigkeit
abhänet. Der verwendbare Temperaturbereich verenct
sich mit höheren Ziehgeschwindigkeiten und verbreitert sich mit niedrigeren Ziehgeschw'Lndigkeiten.
Der Habitus der fadenförmigen Kristalle, die nach dem vorstehend angegebenen Verfahren hergestellt
wurden, zeigt Variationen, die allgemein in vier verschiedene
Klassen eingeteilt werden können, von denen alle unter Verwendung eines Saphir-Impfkristalls,
dessen c-Achse parallel zur Achse der Impfkristall-Halterung orientiert war. erzeugt wurden.
Ein Habitus ist durch eine ziemlich gleichmäßige äußere Oberfläche und einen kreisförmigen Querschnitt
gekennzeichnet. Die anderen Habitus haben alle mehr oder weniger rechteckige Querschnitte,
doch hat die äußere Oberfläche eines Habitus unregelmäßige Weilen, die eines anderen Stufen in
Längsrichtung und die des dritten scheint in Längsrichtung verdrillt zu sein. Alle diese verschiedenen
Habitu-, haben leicht erkennbare Merkmale. Nachdem ein bestimmter Habitus als Keim angelegt ist
und sich fortgepflanzt hat. kann man den gewachsenen Faden durch schnelles Herausziehen aus der
Schmelze entfernen, ihn wieder in die Schmelze einführen und dann den normalen Wachstumsprozeß
wieder aufnehmen. Der dann wachsende Dendritenfaden ist von der gleichen Art wie de1" ursprünglich
gewachsene, bevor er von der Schmelze getrennt wurde.
Laue Röntgenrückslrahlaufnahmen von \-Aluminiumoxyd-Fäden.
die nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren hergestellt wurden, zeigen gewisse
interessante Merkmale, insbesondere, daß die Fäden aus ein oder zwei, in einigen Fällen drei oder \ ier
Kristallen bestehen, die in Längsrichtung zusammenwachsen
und durch eine Korngrenze mit einem niedrigen Winkel (innerhalb von 3 nach der c-Richtung)
voneinander getrennt sind. So zeigte eine Laue-Aufnahme eines Fadens, der mit einem nach der c-Achse
orientierten Saphir-Impfkristall gezogen wurde, eine dreizählige Symmetrie, jedoch mit der Abweichung,
daß jede Reflexion in drei oder vier Flecken gespalten war. was auf die Anwesenheit von drei oder vier
Kristallen hindeutete, deren c-Achsen ungefähr parallel zur Fadenachse verliefen, aber zueinander etwas
fehlorientiert waren. Andere Fäden ergaben noch kompliziertere Beugungsfiguren. die aber im allgemeinen,
immer noch die Merkmale der dreizähligen Symmetrie hatten. Die Fäden, die in Längsrichtung
verdrillt erscheinen, sind wahrscheinlich in Wirklichkeit auch verdrillt, da die Kristallenden oft durch
zwei diskrete Punkte gekennzeichnet sind. Der wesentliche Gesichtspunkt der Erfindung besteht
jedoch darin, daß der Impfkristall so angebracht ist. daß das Wachstum entlang der c-Achse <0001
> erfolgt, d. h., daß die c-Achse parallel zur Bewegungsachse der Kristallhalterung verläuft. Obgleich ein
Wachstum auch dann stattfindet, wenn der Impfkristall
so angebracht ist, daß seine r-Achse in einem Winkel zur Impfkristallhalterung steht, erhält man
unter diesen Bedingungen ein Produkt mit schlechteren Eigenschaften. Fäden, die in c-Richtung wachsen,
haben glattere Oberflächen und eine bessere Festigkeit, während Fäden, die in einem Winkel zur
c-Achsc wachsen. z.B. in einem Winkel bis zu 10". unregelmäßige Oberflächen und eine geringere Festigkeit
haben.
Aus Gründen der Einfachheit und um den Schluß zu vermeiden, daß die Fäden polykristallin sind,
werden die Fäden gemäß der Erfindung als »monokristaIline«-Fäden bezeichnet. Dieser Begriff umfaßt
Fäden mit unbestimmter Länge, die über einen bestimmten Teil ihrer Länge, der die maximalen Qucr-
schnittsabmessungen überschreitet, aus einem Einkristall oder zwei oder mehreren Einkristallen, die
zusammen in Längsrichtung wachsen, die jedoch
durch eine verhältnismäßig klcinwinkligc (d.h. weniger
als 4 ) Korngrenze voneinander getrennt sind, bestehen.
Eine weitere interessante Erscheinung ist die, daß die Querschnittsform und die Querschnittsgröße der
Fäden nicht mit der Form und der Größe der Öffnungen übereinstimmen, durch die sie gezogen
werden. Die erfindungsgemäß verwendeten Rohre und Schlit/stangcn formen den Faden nicht bzw. nur
insoweit, als sie die Temperaturgradienten bestimmen. Die Form des Fadens scheint durch die Temperaturgradienten,
die Durchschnittstemperalur der Schmelze und die Orientierung des Impfkristalls beeinflußt zu
sein. Die Ziehgeschwindigkeit beeinflußt die Größe des Fadens und scheint in gewissem Umfang auch
seine Form zu beeinflussen.
Es sei noch darauf hingewiesen, daß das Verfahren nicht in einer Helium- oder Argonatmosphärc durchgeführt
zu werden braucht; die Umhüllung des Ofens kann vielmehr auch bis auf einen geeigneten Wert ao
e\ akuicrt werden.
Obgleich die Deckplatte aus Molybdän nicht unbedingt notwendig ist. wird bei ihrer Verwendung
die Temperaturverteilung in der Schmelze, sowohl im Tiegel als auch im Kapillarrohr verbessert.
In diesem Zusammenhang scheint das Molybdän eine niedrigere Gesaintabstrahlung als Aluminiumoxyd
bei Temperaturen in der Größenordnung von 2000 C zu haben. Man nimmt an, daß diese Eigenschaft dafür
verantwortlich ist, daß das Molybdän in der Lage ist, die Wärmeverluste aus der Schmelze niedrig zu
halten und die radialen und longitudinalen Temperaturgradienten im größeren Schmelzvorrat und im
Kapillarrohr zu regeln. Dieser WärmeabschirmungsefTckt begünstigt nicht nur die Einstellung der genauen
Temperaturverteilung, die zur Förderung des vertikalen Kristallwachstums nötig ist, sondern gestattet
auch eine Unterkühlung der Säule in der Zone, in die der Impfkristall eingeführt wird. Natürlich
wirkt auch das Rohr selbst als Hitzeabschirmung und liefert weiterhin eine freiliegende zentrale WuchstumsöfTnung
mit einem beliebigen Durchmesser.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zum Ziehen eines einkristallinen tung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Körpers aus der Schmelze eines kongruent und Es ist bekannt, daß eine Anzahl von bekannten
hochschmelzenden Materials, die in einer Ka- 5 Substanzen eine ausgeprägte Verbesserung gewisser
pillare angeordnet ist, welche mit einer Vorrats- mechanischer Eigenschaften, insbesondere eine große
schmelze in Verbindung steht, bei dem ein Impf- Zunahme der Zugfestigkeit zeigt, wenn diese Sub-
kristall durch die obere Öffnung der Kapillare in stanzen in Form von kleinen Einkristallfasern (auch
die Schmelze eingeführt und mit einer die Kristall- Whisker genannt) hergestellt werden. Es ist weiter
Wachstumsgeschwindigkeit nicht überschreitenden io bekannt, daß Verbundbaustoffe mit hoher Festigkeit
Geschwindigkeit herausgezogen wird, dadurch durch Einschluß dieser Fasern in ausgewählte Metall-
gekennzeichnet, daß nur das untere Ende oder Kunststoffgefüge hergestellt werden können,
der Kapillare in die Vorratsschmelze eingetaucht Derartige Verbundwerkstoffe finden bei der Herstel-
und die Kapillare ausschließlich mit Hilfe der lung einer Vielzahl von Bauteilen, z. B. von Teilen
Kapillaraszension aus der Vorratsschmelze so 15 für Fahrzeuge, Motoren,, elektrischen Geräten usw.
mit Schmelze gefüllt wird, daß in der Kapillare Verwendung. Beryllium, Bor und hochtemperatur-
eine Schmelzsäule gebildet wird, die sich von der beständige Oxvde wie BeO, MgO, Cr2O3, ZrO2 und
Vorratsschmelze bis hinauf zu der oberen Öff- \-Al.,O., wären prinzipiell zur Verstärkung von Me-
nung der Kapillare erstreckt. tallgefügen für die Herstellung von hoditemperatur-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- ίο beständigen Bauteilen geeignet. Es ist jedoch schwiekennzeichnet,
daß mehrere Kapillaren in die Vor- rig, kurze Fasern dieser Stoffe mit kleinen Kristallen
ratsschmelze eingetaucht und aus jeder von ihnen gleichförmig in einem Gefügematerial zu verteilen,
gleichzeitig einkristalline Körper gezogen werden. Ein älterer Vorschlag des Erfinders betrifft ein
gleichzeitig einkristalline Körper gezogen werden. Ein älterer Vorschlag des Erfinders betrifft ein
3. Vorrichtung zum Ziehen eines einkristallinen Verfahren, bei dem Aluminiumoxyd und andere
Körpers aus einem kongruent und hochschmel- as hochschmelzende anorganische Substanzen als unzenden
Material mit einer Kapillaren, in der sich bestimmt lange Fäden mit günstigen mechanischen
eine Schmelze befindet, die mit einer Vorrats- Eigenschaften" aus der Schmelze gezogen werden
schmelze in Verbindung steht und mit einem können. Obgleich diese Fäden nicht ganz die Zug-Impfkristall,
der durch die öffnung der Kapillare festigkeit von kleinen Whiskern haben, so haben sie
in die Schmelze eingeführt und mit einer das 30 doch den Vorteil, daß sie wegen ihrer größeren
Kristallwachstum nicht überschreitenden Ge- Durchmesser und wegen ihrer größeren Länge leichschwindigkeit
herausgezogen werden kann zur ter verarbeitet werden können. Weiterhin bietet die
Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, Herstellung von ausgedehnten Fäden die Möglichkeit,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kapillare (61, die Herstellungskosten zu erniedrigen. Nach diesem
61a, 61 b, 72, 75) derart angeordnet ist, daß ihr 35 älteren Verfahren wird eine Strahlungsblende oder
oberes Ende aus der Vorratsschmelze (59) her- eine Strahlungsabschirmung verwendet, die auf der
ausragt und ihr unteres Ende in die Vorrats- Oberfläche der Schmelze schwimmt und die eine
schmelze in einer solchen Tiefe eintaucht, daß ' öffnung aufweist, durch die ein Impfkristall in die
sich durch Kapillaraszension eine Säule der Schmelze eingeführt und aus der Schmelze heraus-Schmelze
bildet, die aus der Vorratsschmelze bis 40 gezogen wird. Der Impfkristall wird nur so lange in
zu der oberen öffnung der Kapillaren emporragt. die Schmelze gehalten, bis auf dem Kristall ein
4. Vorrichtung nach Anspruch 3 zur gleich- Kristallwachstum auftritt, und wird dann mit einer
zeitigen Herstellung mehrerer monokristalliner Geschwindigkeit, die die Geschwindigkeit des Kri-Körper,
dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Stallwachstums in einer axialen Richtung nicht über-Kapillaren
gleichzeitig in die Vorratsschmelze 45 schreitet, herausgezogen, so daß die aufeinandereintauchen
und daß mehrere Impfkristalle vor- folgenden Anwachsungen des gewachsenen Kristalls
gesehen sind, die durch die öffnungen der Ka- einen ausgedehnten Faden mit unbestimmter Länge
pillaren in die Schmelze eintauchen. ergeben.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, da- Das ältere Verfahren arbeitet gut, hat jedoch gedurch
gekennzeichnet, daß der .die Vorrats- 50 wisse Beschränkungen. Die Strahlungsabschirmung
schmelze enthaltende Schmelztiegel (46) mit muß gleichmäßig auf der Oberfläche der Schmelze
einem Deckel (52) bedeckt ist und die Kapillare schwimmen. Gelegentlich kippt sie jedoch im Tiegel
bzw. die Kapillaren durch eine bzw. mehrere und richtet sich nicht mehr von selbst auf; in diesem
Öffnungen (54) dieses Deckels hindurchgehen. Fall kann der Winkel zwischen der Achse der öff-
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der 55 nung und der Achse, entlang der der Impfkristall
Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß herausgezogen wird, so groß sein, daß eine Unterdie
Kapillare(n) durch den Schmelztiegel gehaltert brechung des Wachstumsprozesses auftritt. Eine
ist bzw. sind. weitere Schwierigkeit besteht darin, daß die Strahlungsabschirmung
im Tiegel absinkt, wenn die
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Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3650702A (en) * | 1970-04-15 | 1972-03-21 | Gen Motors Corp | Crystal growth of tetragonal germanium dioxide from a flux |
US3687633A (en) * | 1970-08-28 | 1972-08-29 | Tyco Laboratories Inc | Apparatus for growing crystalline bodies from the melt |
US3765843A (en) * | 1971-07-01 | 1973-10-16 | Tyco Laboratories Inc | Growth of tubular crystalline bodies |
BE791024A (fr) * | 1971-11-08 | 1973-05-07 | Tyco Laboratories Inc | Procede pour developper des cristaux a partir d'un bain d'une matiere |
US4012213A (en) * | 1973-06-14 | 1977-03-15 | Arthur D. Little, Inc. | Apparatus for forming refractory fibers |
US3998686A (en) * | 1975-03-10 | 1976-12-21 | Corning Glass Works | Sapphire growth from the melt using porous alumina raw batch material |
US4082423A (en) * | 1976-08-19 | 1978-04-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fiber optics cable strengthening method and means |
US4158038A (en) * | 1977-01-24 | 1979-06-12 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Method and apparatus for reducing residual stresses in crystals |
US4118197A (en) * | 1977-01-24 | 1978-10-03 | Mobil Tyco Solar Energy Corp. | Cartridge and furnace for crystal growth |
US4269652A (en) * | 1978-11-06 | 1981-05-26 | Allied Chemical Corporation | Method for growing crystalline materials |
US4267010A (en) * | 1980-06-16 | 1981-05-12 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Guidance mechanism |
US5336360A (en) * | 1986-08-18 | 1994-08-09 | Clemson University | Laser assisted fiber growth |
US5126200A (en) * | 1986-08-18 | 1992-06-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Laser assisted fiber growth |
US5114528A (en) * | 1990-08-07 | 1992-05-19 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Edge-defined contact heater apparatus and method for floating zone crystal growth |
US5370078A (en) * | 1992-12-01 | 1994-12-06 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for crystal growth with shape and segregation control |
US5778960A (en) * | 1995-10-02 | 1998-07-14 | General Electric Company | Method for providing an extension on an end of an article |
US5904201A (en) * | 1996-01-18 | 1999-05-18 | General Electric Company | Solidification of an article extension from a melt using a ceramic mold |
US5673745A (en) * | 1996-06-27 | 1997-10-07 | General Electric Company | Method for forming an article extension by melting of an alloy preform in a ceramic mold |
US5673744A (en) * | 1996-06-27 | 1997-10-07 | General Electric Company | Method for forming an article extension by melting of a mandrel in a ceramic mold |
US5743322A (en) * | 1996-06-27 | 1998-04-28 | General Electric Company | Method for forming an article extension by casting using a ceramic mold |
US5676191A (en) * | 1996-06-27 | 1997-10-14 | General Electric Company | Solidification of an article extension from a melt using an integral mandrel and ceramic mold |
JP4059639B2 (ja) * | 2001-03-14 | 2008-03-12 | 株式会社荏原製作所 | 結晶の引上装置 |
TW200505932A (en) * | 2003-04-23 | 2005-02-16 | Stella Chemifa Kk | Apparatus for producing fluoride crystal |
US7348076B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-03-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Single crystals and methods for fabricating same |
JP5479732B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2014-04-23 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 透明セラミック複合材料 |
EP2082081B1 (de) * | 2006-09-22 | 2015-05-06 | Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. | Verfahren für einen c-plane-saphir |
US7682452B2 (en) * | 2007-04-09 | 2010-03-23 | Sapphire Systems Inc. | Apparatus and methods of growing void-free crystalline ceramic products |
US20090130415A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-21 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | R-Plane Sapphire Method and Apparatus |
US11047650B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-06-29 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Transparent composite having a laminated structure |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2809135A (en) * | 1952-07-22 | 1957-10-08 | Sylvania Electric Prod | Method of forming p-n junctions in semiconductor material and apparatus therefor |
US2944875A (en) * | 1953-07-13 | 1960-07-12 | Raytheon Co | Crystal-growing apparatus and methods |
NL237834A (de) * | 1958-04-09 | |||
NL244873A (de) * | 1958-11-17 | |||
NL238924A (de) * | 1959-05-05 | |||
US3212858A (en) * | 1963-01-28 | 1965-10-19 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus for producing crystalline semiconductor material |
-
1967
- 1967-05-29 US US641837A patent/US3471266A/en not_active Expired - Lifetime
-
1968
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BE715819A (fr) | 1968-11-29 |
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GB1195947A (en) | 1970-06-24 |
BR6899425D0 (pt) | 1973-05-10 |
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CH530818A (de) | 1972-11-30 |
ES354476A1 (es) | 1969-11-01 |
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---|---|---|
DE1769481C3 (de) | Verfahren zum Ziehen eines einkristallinen Körpers aus der Schmelze eines kongruent und hochschmelzenden Materials und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.Anm: Tyco Laboratories Inc., Waltham, Mass. (V.StA.) | |
DE3228037C2 (de) | ||
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