DE1191336B - Zonenschmelzverfahren zum Umwandeln von mindestens einem polykristallinen Stab in einen Einkristall - Google Patents
Zonenschmelzverfahren zum Umwandeln von mindestens einem polykristallinen Stab in einen EinkristallInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 claims 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- 235000007487 Calathea allouia Nutrition 0.000 description 1
- 244000278792 Calathea allouia Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000001617 migratory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/911—Seed or rod holders
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/108—Including a solid member other than seed or product contacting the liquid [e.g., crucible, immersed heating element]
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
BOIj
Deutsche Kl.: 12c-2
Nummer: 1191336
Aktenzeichen: J19691IV c/12 c
Anmeldetag: 1. April 1961
Auslegetag: 22. April 1965
Zonenschmdzverfahren, bei dem durch ein sich in einem Tiegel, befindliches Material eine Schmelzzone
geführt wrd, sind bekannt. Dabei muß jedoch der entstehende Kristall innerhalb einer einen Druck
auf den Kristall ausübenden Form gehalten und abgekühlt werden. Dieser Druck ist meist unerwünscht,
weil er unsymmetrisch wirkt. Das Fehlen vollständiger radialer Synmetrie erschwert aber das Problem
der Beherrschung des Temperaturgradienten im gerade gewachseten Kristall, wie es im Interesse
einer möglichst fehlerfreien Kristallstruktur notwendig ist, und es gibt Schwankungen des spezifischen
Widerstandes quer zur horizontalen Längsachse des Kristalls, entsprechend den Konvektionsströmen in
der flüssigen Zone nahe der Kristallwachstumsfläche.
Zwar können einige der genannten Nachteile durch Anwendung des tiegelfreien Zonenschmelzverfahrens
vermieden werden. Beim tiegelfreien Zonenschmelzverfahren
besteht jedoch eine Grenze hinsichtlich der Größe der Kristalle.
Es ist zwar bekannt, Halbleitermaterial in einer zylinderförmigen senkrecht stehenden Form Zonen
zu schmelzen, beim Erstarren des Kristalls entsteht jedoch meist ein starker Druck zwischen Form und
Einkristall, wobei die Form zerstört werden kann.
Diese Nachteile werden bei einem Zonenschmelzverfahren zum Umwandeln von mindestens einem
polykristallinen Stab in einen Einkristall von innerhalb weiten Grenzen vorgegebenen Abmessungen,
bei dem ein Keimkristall mit einem in einer Form befindlichen polykristallinen Stab in Berührung gebracht
wird und eine durch einen Heizkörper erzeugte geschmolzene Zone, vom Keimkristall ausgehend,
durch diesen Stab bewegt wird, vermieden, wenn erfindungsgemäß ein Zwischenraum zwischen
Stab und Form mit einem elastischen feuerfesten Futter ausgefüllt wird, welches von dem Material der
geschmolzenen Zone weder benetzt wird noch mit diesem chemisch reagiert, und, nachdem der Stab mit
Form und Futter durch den Heizkörper geführt wurde, gegebenenfalls anschließend an den Stab und
in Berührung mit ihm weitere polykristalline, in Formen und Futter eingeschlossene Stäbe durch den
Heizkörper bewegt werden.
Zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung wird vorzugsweise eine langgestreckte zylinderförmige
Form aus feuerfestem Material zur Aufnahme eines polykristallinen Einsatzstabes einer zu
kristallisierenden Substanz verwendet, die in einem Heizkörper zur Erzeugung einer geschmolzenen Zone
innerhalb des Einsatzstabes in Längsrichtung der Form bewegt wird. Das Verfahren der vorliegenden
Zonenschmelzverfahren zum Umwandeln von
mindestens einem polykristallinen Stab in
einen Einkristall
mindestens einem polykristallinen Stab in
einen Einkristall
Anmelder:
INTERMETALL Gesellschaft für Metallurgie
ίο und Elektronik m. b. H.,
ίο und Elektronik m. b. H.,
Freiburg (Breisgau), Hans-Bunte-Str. 19
Als Erfinder benannt:
Chih-Chung Wang, Lexington, Mass. (V. St. A.)
Chih-Chung Wang, Lexington, Mass. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 11. April 1960 (21195)
Erfindung unterscheidet sich somit wesentlich von einem bereits vorgeschlagenen Verfahren zum tiegel-
s5 losen Zonenschmelzen von relativ dicken Stäben
oder Röhren, bei dem ein frei auf der Schmelze schwimmender Zylinder als Tiegel verwendet wird.
Die Erfindung ermöglicht das Herstellen von gegebenenfalls dotierten Einkristallen aus Halbleitermaterial
mit einem im wesentlichen einheitlichen spezifischen Widerstand und großer Fehlerfreiheit.
Die Erfindung ermöglicht ferner kontinuierlich langgestreckte Einkristalle von vorgegebenen Querschnittsmaßen
und Formen herzustellen.
Die weitere Ausbildung und Vorteile der Erfindung werden im folgenden an Hand von in der
Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
F i g. 1 zeigt ausschnittsweise im Aufriß und teilweise
im Schnitt eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung;
F i g. 2 dient zur Erläuterung des Verfahrens nach der Erfindung zum Herstellen von Einkristallen in
einem kontinuierlichen Prozeß.
Vor Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung wird ein polykristalliner Einsatzstab aus dem
zu kristallisierenden Material hergestellt. Wenn der Kristall zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
benutzt werden soll, muß das Material von großer Reinheit sein. Unter dieser Voraussetzung können
auch bestimmte dotierende Verunreinigungen durch geeignete Verfahrensschritte eingebracht werden.
509 540/23*
Der polykristalline Einsatzstab wird z. B. durch mechanische Bearbeitung oder Gießen in einen gestreckten
Körper von symmetrischem vorzugsweise kreisförmigem Querschnitt geformt.
Die Vorrichtung 10 in F i g. 1 enthält eine zylindrische Form 12, z. B. aus Quarz, mit kreisförmigem
Querschnitt und einer zylindrischen Längsbohrung. Der innere Durchmesser der Form 12 ist etwas
größer als der äußere Durchmesser des Einsatzstabes 14, wodurch ein ringförmiger Raum 16 zur Aufnahme
eines Futters 18 entsteht.
Das Futter 18 kann aus einer rohrförmigen Manschette aus relativ schmiegsamem Material bestehen,
das weder benetzt wird noch mit der flüssigen Phase des zu kristallisierenden Materials bei den Arbeitstemperaturen reagiert. Zum Beispiel kann das Futter
18 aus einer Manschette aus anorganischem Papier oder Gewebe aus Quarz oder keramischen Fasern
oder aus einer Lage von lose verfilzten Fasern von Glas, Quarz oder keramischer Wolle bestehen, die
an der inneren Oberfläche der Form 12 anliegt. Das Futter 18 kann auch in Bandform ausgeführt werden,
wobei die Breite des Bandes gleich dem Umfang des Einsatzstabes ist. Das Band wird so um den Stab gewickelt,
daß die Längskanten des Bandes entlang einer Seite des Stabes stumpf zusammenstoßen. Vorzugsweise
wird ein zweites Band über das erste in ähnlicher Weise gewickelt, jedoch so, daß seine Stoßkante
gegenüber der Stoßkante des ersten Bandes versetzt ist, d. h. daß diese nicht übereinander zu
liegen kommen. Ein oder zwei Bänder können auch spiralförmig um den Stab gewickelt werden, wobei
die Breite des Bandes nicht notwendigerweise gleich dem Umfang des Stabes zu sein braucht.
Es ist auch möglich, den polykristallinen Einsatzstab 14 zunächst in das Futter 18 und dann sowohl
Futter 18 wie auch Stab in die Form 12 hineingleiten zu lassen. Wahlweise kann die Form aus Halbzylinderabschnitten
hergestellt werden, die über Einsatzstab und Futter zusammengeklammert sind.
Nachdem der Einsatzstab in die Form eingeführt worden ist, wird ein einkristalliner Keimkristall
(nicht gezeigt) mit einem Ende des Einsatzstabes in Berührung gebracht.
Der Heizkörper besteht aus einer Hochfrequenzinduktionsspule 20, die konzentrisch einen relativ
kurzen Abschnitt der Form 12 umgibt. Selbstverständlich können jedoch auch ein Widerstandsheizkörper oder andere geeignete Mittel zur Erzeugung
der geschmolzenen Zone verwendet werden. Ein geeigneter, nicht gezeigter Antriebsmechanismus
ist vorgesehen, um eine Längsbewegung relativ zwischen Heizkörper und Form zu erzeugen. Die geschmolzene
Zone wandert längs durch den polykristallinen Einsatzstab, vom Keimkristall ausgehend.
An der Rückseite der geschmolzenen Zone erstarrt das Material in einkristalliner Form. Die Spannungen,
welche sonst die Bildung eines polykristallinen Materials hervorrufen könnten, werden durch die
günstige Wirkung des Futters 18 gemildert.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung ermöglicht eine abgewandelte Form der Vorrichtung 10'
nach Fig.2 das Herstellen von Einkristallen unbegrenzter
Länge in einem fortlaufenden Prozeß. Diese abgewandelte Vorrichtung besteht aus einem festgehaltenen
rohrförmigen Führungsteil 22 aus einem feuerfesten Material, wie Graphit, Quarz oder hochschmelzendem Metall. Konzentrisch um den mitt
leren Abschnitt des Führungsteiles 22 siiri verschiedene
Windungen 20 eines Hochfrequenzieizsystems angeordnet. Wie im Falle des oben beschriebenen
Beispiels können auch andere Mittel benitzt werden, die die Erzeugung einer durch das Material 14
wandernden geschmolzenen Zone bewinen können. Das Führungsteil 22 ist so ausgebildrt, daß es in
Längsrichtung eine durchbohrte zylindrische Form 12' aufnehmen kann, die aus einer Anzihl von halbzylindrischen
Abschnitten 12 a, 120, 12c... 12 g besteht
und die sowohl an den Längskalten aneinanderstoßen wie auch in Längsrichtung aif beiden Seiten
einer Ebene durch die Achse des "ührungsteiles 22 gestaffelt sind. Die Formabschnite 12a... 12g
können aus halbrunden Abschnitten einer Quarzröhre bestehen.
Jeder einzelne Formabschnitt ist sdbst wesentlich langer als das Führungsteil 22, so daß bei Längsbewegung
eines Abschnittes durch cas Führungsteil
ao ein wesentlicher Teil des Formabsclnittes stets aus wenigstens einer Öffnung des Führmgsteiles herausragt.
An jedem Ende des Führungsteiles 22 sind Antriebsrollen oder ähnliche Mittel vagesehen, um die
Formabschnitte durch das Führungsteil zu bewegen. Bei der abgebildeten Ausführung sind die Antriebsrollen
in Paaren 24 und 26 an der Eintritts- und Austrittsöffnung des Führungsteiles ingeordnet. Die Umfangsfläche
der einzelnen Antriebsrollen wird vorzugsweise der äußeren Oberfläcle der Formabschnitte
angepaßt und wird aus einem elastischen Material zum Zwecke der Fortbewegung der Formteile mittels
Reibung ausgeführt. Die Geschwindigkeit der Antriebsrollen wird synchronisiert. Selbstverständlich
können drei, vier oder mehr Rollen an jedem Ende des Führungsteiles vorgesehen werden.
Ein Futter 18', das bis auf die unbegrenzte Länge dem bereits beschriebenen gleicht, umgibt polykristalline
Einsatzstäbe, die aufeinanderpassende Endflächen aufweisen und sowohl einfach aneinandergereiht
als auch mechanisch verbunden werden können.
Zur Durchführung des Verfahrens wird der erste Einsatzstab mit einem Keimkristall an einem Ende
in einen Abschnitt des Futters 18' eingesetzt, und zwei oder drei der Formabschnitte 12a.. .12g werden
um Stab und Futter befestigt, um einen wesentlichen Teil der Stablänge einzuschließen. Darauf
wird die Anordnung mit dem Keimkristall zuerst zwischen die Antriebsrollen 24 in den Einlaß des
Führungsteiles 22 eingeschoben. Darauf werden das Heizelement 20 eingeschaltet und die Rollen in Tätigkeit
gesetzt, so daß die Formabschnitte mit dem Futter und dem darin eingeschlossenen Einsatzstab in
Längsrichtung innerhalb des Führungsteiles 22 bewegt werden. Wie aus der Zeichnung ersichtlich, bewegt
sich die Stirnfläche des Einsatzstabes mit fortschreitender Aufwärtsbewegung in die von der Induktionsspule
20 umgebene Zone unter Bildung einer geschmolzenen Zone, die sich fortschreitend entlang
des Einsatzstabes während der Durchwanderung des Führungsteiles bewegt. Nachdem die Stirnfläche des
Einsatzstabes die Erhitzungszone verlassen hat, erstarrt sie in einkristalliner Form. Mit fortschreitender
Aufwärtsbewegung tauchen die Stirnflächen der Form 12' und der Einkristall aus dem Ausgang des
Führungsteiles 22 auf und werden darauf von den Antriebsrollen 26 mitgenommen. Auf diese Weise
wird eine Antriebskraft auf die Elemente auch dann noch aufrechterhalten, wenn ihre Hinterkanten schon
von den Antriebsrollen 24 freigegeben worden sind. Vorher wird ein zweiter Abschnitt des Einsatzstabes
mit einem Futter und einem zusätzlichen halbzylinderförmigen Formabschnitt, wie bereits beschrieben,
versehen und in die Vorrichtung eingeführt. Diese weiteren Elemente passieren die Rollen 24, werden
in den Führungsteil hineingezogen und durchfahren die heiße Zone.
Die unteren Enden der Einsatzstababschnitte verbinden sich naturgemäß bei Durchquerung der geschmolzenen
Zone, so daß der Einkristall als fortlaufender Stab erscheint. Der Einkristallstab kann in
Teile von gewünschter Länge ohne Unterbrechung des Prozesses zerteilt werden. Es ist ersichtlich, daß
auf diese Weise durch fortwährendes Zufügen von Einsatzstababschnitten, Formen und Futtersegmenten
jede beliebige Menge von polykristallinen Einsatzstäben in Einkristalle durch einen kontinuierliehen
Prozeß verwandelt werden können.
Um Unterbrechungen zu vermeiden, sollte das band- oder röhrenförmige Futter 18' mehrfach so
lang sein als die einzelnen Einsatzstababschnitte, die in das Futter eingeführt und an die entsprechenden
vorausgehenden Stababschnitte anstoßen.
Das Futtermaterial kann auch mehr oder weniger dauerhaft auf die inneren Oberflächen der Form 12
oder 12' aufgebracht werden. Dies erleichtert vor allem bei der in F i g. 2 gezeigten Vorrichtung den
Beschickungsprozeß.
Claims (9)
1. Zonenschmelzverfahren zum Umwandeln von mindestens einem polykristallinen Stab in
einen Einkristall von innerhalb weiten Grenzen vorgegebenen Abmessungen, bei dem ein Keimkristall
mit einem in einer Form befindlichen polykristallinen Stab in Berührung gebracht wird
und eine durch einen Heizkörper erzeugte geschmolzene Zone, vom Keimkristall ausgehend,
durch diesen Stab bewegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Zwischenraum zwischen
Stab und Form mit einem elastischen feuerfesten Futter ausgefüllt wird, welches von dem
Material der geschmolzenen Zone weder benetzt wird noch mit diesem chemisch reagiert, und
daß, nachdem der Stab mit Form und Futter durch den Heizkörper geführt wurde, gegebenenfalls
anschließend an den Stab und in Berührung mit ihm weitere polykristalline, in Formen und
Futter eingeschlossene Stäbe durch den Heizkörper bewegt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Futter eine verwobene, verflochtene
oder verfilzte anorganische Faser verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als verfilzte anorganische Faser
anorganisches Papier verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Futter um den Stab bandförmig
gewickelt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Futter eine um den Stab
passende Hülse verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Futter die Form belegt
wird.
7. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Form wenigstens im Bereich
der geschmolzenen Zone durch einen von dem Heizkörper teilweise erhitzten Führungsteil
geführt wird.
8. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Form mittels Rollen
durch den Heizkörper geführt wird, welche außen an der Form anliegen.
9. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine in halbzylinderförmige
Abschnitte geteilte Form verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 747 971;
französische Patentschrift Nr. 1132 101;
Pf ann: Zone Meltign, 1958, S. 63/64.
USA.-Patentschrift Nr. 2 747 971;
französische Patentschrift Nr. 1132 101;
Pf ann: Zone Meltign, 1958, S. 63/64.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 540/234 4.65 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21195A US3026188A (en) | 1960-04-11 | 1960-04-11 | Method and apparatus for growing single crystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1191336B true DE1191336B (de) | 1965-04-22 |
Family
ID=21802883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ19691A Pending DE1191336B (de) | 1960-04-11 | 1961-04-01 | Zonenschmelzverfahren zum Umwandeln von mindestens einem polykristallinen Stab in einen Einkristall |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3026188A (de) |
DE (1) | DE1191336B (de) |
GB (1) | GB932504A (de) |
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