DE1764765A1 - Halbleiter-Bauelement - Google Patents

Halbleiter-Bauelement

Info

Publication number
DE1764765A1
DE1764765A1 DE19681764765 DE1764765A DE1764765A1 DE 1764765 A1 DE1764765 A1 DE 1764765A1 DE 19681764765 DE19681764765 DE 19681764765 DE 1764765 A DE1764765 A DE 1764765A DE 1764765 A1 DE1764765 A1 DE 1764765A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
silicon
semiconductor component
zone
component according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19681764765
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Kleppinger Robert Earl
Middings Sterling Hall
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1764765A1 publication Critical patent/DE1764765A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40—Crystalline structures
    • H10D62/405—Orientations of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
DE19681764765 1967-08-03 1968-08-01 Halbleiter-Bauelement Pending DE1764765A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US65808367A 1967-08-03 1967-08-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1764765A1 true DE1764765A1 (de) 1971-07-08

Family

ID=24639826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19681764765 Pending DE1764765A1 (de) 1967-08-03 1968-08-01 Halbleiter-Bauelement

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1764765A1 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR1574577A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL6811021A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT376844B (de) * 1972-12-29 1985-01-10 Sony Corp Halbleiterbauteil
AT377645B (de) * 1972-12-29 1985-04-10 Sony Corp Halbleiterbauteil

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL171309C (nl) * 1970-03-02 1983-03-01 Hitachi Ltd Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium.
FR2454697A1 (fr) * 1979-04-20 1980-11-14 Thomson Csf Procede de formation d'une couche epitaxiee homopolaire sur un substrat semiconducteur

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT376844B (de) * 1972-12-29 1985-01-10 Sony Corp Halbleiterbauteil
AT377645B (de) * 1972-12-29 1985-04-10 Sony Corp Halbleiterbauteil

Also Published As

Publication number Publication date
FR1574577A (enrdf_load_stackoverflow) 1969-07-11
NL6811021A (enrdf_load_stackoverflow) 1969-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2618733C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2317577C2 (de) Verfahren zur Herstellung dielektrisch isolierter Halbleiteranordnungen
DE10137369B4 (de) Halbleitersubstrat, Feldeffekt-Transistor, Verfahren zur Bildung einer SiGe-Schicht und Verfahren zur Bildung einer gespannten Si-Schicht unter Verwendung derselben, und Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekt-Transistors
DE1544329A1 (de) Verfahren zur Herstellung epitaxialer Schichten bestimmter Form
DE2823967C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE2752439A1 (de) Verfahren zur herstellung von silicium-halbleiteranordnungen unter einsatz einer ionenimplantation und zugehoerige halbleiteranordnung
DE2655341A1 (de) Halbleiteranordnung mit passivierter oberflaeche und verfahren zur herstellung dieser anordnung
DE2238450A1 (de) Halbleiterbaugruppe und verfahren zur herstellung derselben
DE2605830A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
DE1298189B (de) Verfahren zum Herstellen von isolierten Bereichen in einer integrierten Halbleiter-Schaltung
DE19615324A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines vertikalen bipolaren Transistors
DE2109352C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines lateralen bipolaren Halbleiter-Bauelements
DE2154386C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat durch Abscheiden aus einem Reaktionsgas/Trägergas-Gemisch
DE69229927T2 (de) Integrierte Struktur einer bipolaren Leistungsanordnung mit hoher Stromdichte und einer schnellen Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2611559B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen
DE2904480A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung und verfahren zu ihrem herstellen
DE1764765A1 (de) Halbleiter-Bauelement
DE1914745A1 (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem UEbergang
DE1802849B2 (de) Verfahren zum herstellen einer monolithischen schaltung
DE2732582C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE2219696A1 (de) Verfahren zur Isolationsbereichsbildung
DE1102287B (de) Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern von Halbleiter-anordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer n-leitenden Zone in einem Erhitzungs-prozess
DE2527076B2 (de) Integriertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1644025A1 (de) Halbleiter-Anordnung mit diffundierten Zonenuebergaengen
DE1564958C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einem hochohmigen einkristallinen Galliumarsenid-Substrat und Verfahren zu ihrer Herstellung