DE1621177A1 - Verfahren zur Herstellung eines metallischen UEberzuges auf Niob sowie Legierungen aus Niob-Zirkon durch galvanische AEtzplattierung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines metallischen UEberzuges auf Niob sowie Legierungen aus Niob-Zirkon durch galvanische AEtzplattierungInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 title claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 title claims description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- GFUGMBIZUXZOAF-UHFFFAOYSA-N niobium zirconium Chemical compound [Zr].[Nb] GFUGMBIZUXZOAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 claims description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 Indiua Chemical compound 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 101100493705 Caenorhabditis elegans bath-36 gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001357 Galvanic etching Methods 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIIFPDUMQWZISY-UHFFFAOYSA-L [H][Cl][Ni](Cl)Cl Chemical compound [H][Cl][Ni](Cl)Cl RIIFPDUMQWZISY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005028 tinplate Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
- C25D5/38—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated of refractory metals or nickel
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0156—Manufacture or treatment of devices comprising Nb or an alloy of Nb with one or more of the elements of group IVB, e.g. titanium, zirconium or hafnium
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Description
Verfahren zur Herstellung eines metallischen Überzuges auf Niob sowie Legierungen aus Niob-Zirkon durch galvanische Ätzplattierung
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum
galvanischen Ätzplattieren von schwer elektroplattierbaren . Metallen oder deren Legierungen, insbesondere Supraleitermaterialien.
Es ist bekannt, daß sich durch galvanische Plattierung auf passiven
Metalloberflächen keine festhaftenden Überzüge erzielen lassen. Es ist deshalb auch schon vorgeschlagen worden, die Passivität
derartiger Metalle vor Aufbringen der Plattierschichten durch eine
Neue
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l*ft 1§1 Abs. 2 Nr. 1 Satz 3 dw«|Mtaning«M. v. A. -*.. -·
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geeignete Beizbehandlung aufzuheben, beispielsweise durch Behandlung
mit starken Säuren, wobei es gemäß "Archiv für Metallkunde"
1949, Seiten 38/42, zweckmäßig ist, gleichzeitig oder unmittelbar danach außerordentlich dünne Metallschichten auf das
Grundmetall aufzubringen, um eine erneute Passivierung zu verhindern.
In der amerikanischen Patentschrift 2 285 548 wird weiterhin ein Verfahren zur galvanischen Verkupferung von chromhaltigen legierungen
aus Eisen und/oder Nickel beschrieben, bei welchem zunächst .neben der chemischen Ätzung in einer salzsauren Nickelchlorid-Lösung
gleichzeitig eine anodische Ätzung stattfindet und anschließend in dem gleichen Elektrolytbad eine Nickelschicht kathodisch abgeschieden
wird. Derartig vorbehandelte Legierungen können gemäß dieser Patentschrift ohne besondere Vorsichtsmaßnahmen in das Galvanisierbad
eingebracht werden.
Wie sich jedoch gezeigt hat, kann bei vielen Metallen auf diese Weise eine über die gesamte Oberfläche gleichmäßig gute Haftfestigkeit
nicht erzielt werden.
Wie aus »Metalloberfläche» Bd. 60, (1966), Seiten 441/44, bekannt ist, beruhen die beim Galvanisieren bestimmter Metalle, beispielsweise
Titan, Zirkon, Vanadin, Niob und Tantal beobachteten Unzulänglichkeiten
auf der Affinität dieser Metalle zum Sauerstoff sowie ihrer Neigung zur Wasserstoffadsorption bzw. Hydridbildung.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nun, ein Verfahren zur
Herstellung von Überzügen aus Uiekel,: Kupfer, Zink, Indium und
Gold auf Uiob sowie legierungen aus Niob Zirkon durch galvanische
Ätzplattierung zu finden, bei dem -die vorstehenden Nachteile nicht
auftreten.
Die Lösung der gestellten Aufgabe besteht darin, daß das Grundmetalüjzunäehst
in einer wäßrigen Lösung aus Flußsäure, Ammoniumfluorid und einem Fluorid des abzuscheidenden Metalles
anodisch geätzt und anschließend in gleichem Bad kathodisch behandelt
wird, wobei die Umpolzeit so kurz gewählt wird, daß dabei
eine Inaktivierung der Oberfläche des Grundmetalles nicht eintritt.
Uiob und seine Legierungen mit Zirkon haben heute auf dem Supraleitergebiet
eine große Bedeutung erlangt und werden in Draht- oder
Bandform zu supraleitenden Magnetspulen gewickelt. Um die Magnetspulen
elektrisch zu schützen, wird der Draht zuvor mit einem gut normalleitenden Metall wie Kupfer oder Silber plattiert. Der Schutz
beruht auf der Isolierwirkung im unterkritischen Temperaturbereich
sowie auf der guten Strom- und Wärmeleitung im überkritischen Gebiet. Eine Magnetwicklung kann dann örtlich begrenzt normalleitend
werden, ohne daß sie deshalb durchbrennt. Wie sich jedoch gezeigt hat, kann das galvanisch aufgebrachte Schutzmetall
nur dann optimal wirksam sein, wenn es am Grundmetall atomar-kohasi^
gebunden ist, was mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens erreicht
wird.
Es muß als überraschend bezeichnet werden, daß mittels des neuen
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Verfahrens derart festhaftende Schutzschichten auf Mob bzw.
dessen legierungen erhalten werden. Nach dem Stand der Technik war dies vor allem deshalb nicht zu erwarten, weil bei der aus
"Metalloberfläche" Bd.60, (1966), Seiten 444 bekannten anodischen Vorbehandlung mit wäßriger Flußsäure auf den genannten Metallen
stets schlecht haftende Metallüberzüge erhalten werden. (Metal Finishing 52, 72/75 [1954] ). '
In dem gemäß der Erfindung verwendeten Elektrolytbad werden während
der anodischen Behandlung sowohl die das Grundmetall bedeckenden passiven Schichten wirksam angegriffen, als auch die dabei entstehenden
Produkte gelöst, so daß die Oberfläche für die im gleichen
Bad vorgenommene kathodische Abscheidung im aktiven Zus.tand vorliegt.
Durch sehr schnelles Umpolen wird erreicht, daß die frisch hergestellte aktive Oberfläche des G-rundmetalles in "statu nascendi"
kathodisch so schnell beschichtet wird, daß eine nennenswerte Aufnahme von Wasserstoff im Grundmetall nicht stattfinden kann. Die
gemäß der Erfindung verwendeten Elektrolytbäder zeichnen sich weiterhin
dadurch aus, daß in ihnen die zur kathodischen Abscheidung erforderlichen Metalle in komplexer Form gelöst sind und eine Zementation
während der Atzphase nicht stattfindet.
Geeignete Fluoride der abzuscheidenden Metalle sind NiF2* AuF, OuF2,
SnF2, ZnFp und InF,. Das Verhältnis von Flußsäure zu Ammoniumfluorid
wird man zweckmäßigerweise so wählen, daß in dem Elektrolytbad das
Fluorid des abzuscheidenden Metalles in ausreichender Konzentration vorliegt und eine optimale galvanische Abscheidung stattfindet.
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Die Gegenelektrode!! können aus den abzuscheidenden Metallen, beispielsweise
Nickel und Kupfer, bestehen oder falls diese in dem Elektrolytbad anodisch nicht löslich sind, können auch unlösliche
Anoden, beispielseise Graphit und Kohle, eingesetzt werden.
Die anzuwendenden Stromdichten sind abhängig von den jeweils abzuscheidenden
Metallen sowie dem Grundmetall. Bei der Abscheidung von Nickel auf einer aus 66 Gew.-^ Niob und 33 Gew. -$ Zirkon bestehenden
legierung haben sich Stromdichten von 8 bis 35 A/dm gut bewährt, während eine Goldabseheidung vorzugsweise bei Stromdichten
zwischen 2 und 7 A/dm durchgeführt wird.
Die Stromdichte bei der anodischen Ätzung kann sowohl größer als auch kleiner sein als die bei der Abscheidung herrschende Stromdichte.
Für eine anodische Ätzung der eben genannten Niob-Zirkon-Legierung
sind Stromdichten von 0,05 bis 1,2 A/dm , vorzugsweise jedoch solche von 0,1 bis 0,9 A/dm geeignet.
Sie Ätzplattierung wird vorteilhaftervra.se bei Raumtemperatur durchgeführt,
jedoch sind auch höhere Temperaturen zulässig.
Nach der einfachsten Ausführungsform der Erfindung befindet sich
der zu plattierende Metallkörper in einem Behälter, der die, beispielsweise
aus 10 bis 12 g/l NH+, 20 bis 25 g/l Ni2+ und 40 bis
50 g/l I1" bestehende Elektrolytflüssigkeit enthält. Die erforderliche
Gegenelektrode kann dabei zylinderförmig ausgebildet sein,
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so daß sie das Grundmetall allseitig umschließt;, jedoch können
auch 2 oder mehrere Elektroden beidseitig des Mctallkörpors angeordnet
nein. Das zu Beginn anodisch geschal tel.e Grundmetall wird
durch rasches Umpolen kathodisch geschaltet, wobei in der ersten Behandlungsphase die anodischc Ätzung und in der zweiten Phase die
Elektroplattierung stattfindet. Die Umschaltung wird mittels bekannter
schnell arbeitender Kontakte ausgelöst, beispielsweise einem Schütz, Relais, Transistor oder Thyristor. Die Umschaltzeit liegt
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hierbei zwischen 10 bis 10 Sek., kann jedoch auch kleiner gewählt
werden. Zur Vermeidung einer Inaktivierung der anodisch geätzten Metalloberfläche sollte die Umpolzeit jedoch nicht größer
als 3 Sek.' sein.
Sollen Drähte oder Bänder ätzplattiert werden, so kann die eben beschriebene
Ausführungsform in der Weise abgeändert werden, daß man
das zu plattierende Metall ruckweise durch das Ätzplattierbad transportiert. Gemäß der in der Fig. 1 schematisch wiedergegebenen
Anordnung kann dies in der Weise geschehen, daß der zu behandelnde
Draht kontinuierlich über die Rolle 1 des Transportkopfes in die Speicherschlinge E gezogen und von dort über die Umlenkrollen 2 und
3 in das Elektrolytbad 4 transportiert wird. Dabei bewegt sich der Transportkopf mit den Rollen 1 und 7 in der mit einem Pfeil anrcdeuteten
Richtung.
Von dem in der Einlaufachlinge E gespeicherten Draht wird bei Rücklauf des Transportkopfes ein der Länge des Elektrolytbades 4 entsprechender
Drahtabschnitt sehr rasch in das Elekt.rolytbad einge-
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zogen und anodisch belastet. Gleichzeitig wird Draht aus dem
Elektrolytbad 4 über die Umlenkrollen 5 und 6 sowie die Rolle 7
des Transportkopfes entfernt« ITach erfolgter Ätzung und Ümpolung _ -geschieht
die Abscheidung des Metalls im gleichen Bad, wobei sich das Zeitverhältnis von anodischer zu kathodischer Belastung sowohl
nach den abzuscheidenden Metallen als auch dem Grundmetall richtet,
Für eine Mckelabscheidung auf einer Legierung aus 66 Gew.-$ niob
und 33 Gew.-$ Zirkon hat sich ein Verhältnis 5 Sek,/i5 Sekunden gut
bewährt.
Während des Ätzplattiervorganges bewegt sich der Transportkopf
wieder langsam nach rechts, wobei erneut Draht in der Speicherschlinge B gespeichert wird.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann die eben beschriebene,
am abschnittsweise bewegten Draht vorgenommene periodische galvanische Ätzung und Plattierung auch an einem stetig bewegtem
Draht vorgenommen werden. Infolge der kontinuierlichen Bewegung des Drahtes wird hierbei eine gleichmäßige Abdeckung des
Grundmetalles jedoch nicht erreicht und es müssen periodisch auftretende
Veränderungen in den Eigenschaften der Plattierschichten
in Kauf genommen werden.
Gemäß der in den Fig. 2 und 3 beschriebenen Arbeitweise können jedoch
diese periodischen Schwankungen derart vermindert werden, daß die erzielten Plattierungen den für verschiedene Anwendungszwecke
gestellten Anforderungen genügen.
— 7 —
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Bot drin in Pip:* 2 .benohr i.ebon'on Vorfahren α teil, t 1'5 ο inc Kammer ;-dar,
Ln der die Ätzung und Plattierung des mit 14· bezeichneten und
in Richtung des Pfeiles:bewegten Drahtes stattfindet. Der Kammer ■
13 ist eine Vorkammer ]*) vorgeschaltet, die den gleichen Elektrolyten
enthält wie die Hauptkammer 13 und von di.oaer .durch die, eine
Draht!auföffnung aufweisende und aus einem Isoliermaterial bestehende Wand 16 abgetrennt ist, so daß ein Stromdurchgang durch
den Elektrolyten weitgehend vermindert wird. Die Elektrode 17 der Vorkammer ist dabei so geschaltet, daß sie während der Ätzphase
kathodisch gepolt und während der Plattierphase.neutral ist. Wird
dabei die Länge der Vorkammer so bemessen, daß sie mindestens der während der kathodischen Abscheidungsphage einlaufenden Drahtlänge
entspricht, so ist gewährleistet, daß die Plattierung nur auf vorgeätztem Draht erfolgt. Die Gegenelektrode der Hauptkammer 13 ist
in Fig. 2 mit 18»bezeichnet.
Wie aus Fig. 3 zu ersehen ist, können jedoch Vor- und Hauptkammer
auch räumlich und elektrisch voneinander getrennt'sein. Die der anodischen Vorätzung dienende Vorkammer wird hierbei mit 19 be- ·
zeichnet und die sowohl zur anodinchen Ätzung als auch kathodischen
Abscheidung eingesetzte Hauptkammer mit 20. Vor- und Hauptkammer
sind hierbei verschiedenen Stromquellen angeschlossen, wobei die Elektrode 21 ausschließlich kathodisch und die-Elektrode 22 entsprechend
der eingestellten Ätzplattier-Frequenz abwechselnd anodisch und kathodisch gepolt wird. Um eine Inaktivierung zu vermeiden, soll
der Abstand der beiden Kammern sehr klein gewählt werden, bnispiels-
- 0 1098 21/149
·.*.-&: se einige c'.r.. . Jcv in Pfet!richtung kontinuierlich bewegte
Draht 23 wird demnach wie in Flg. 2 zunächst in der Vorkammer geätzt und anschließend in der Hauptkammer geätzt und plattiert.
Die Badlänge kann hierbei so bemessen werden» dai3 bei der eingestellten Laufgeschwindigkeit des Drahtes auf einen Baddurchgang
mehrere Perioden entfallen, wobei eine Periode jeweils, einen Ätzvorgang
und Plattiervorgang umfaßt«
Beträgt beispielsweise die Durchlaufzeit des zu elektröplatticrenden
Drahtabschnittes 24 Sek. so kann man einen festhaftenden N-ickelüberzug
in der Weise herstellen, daß man den eingezogenen Draht in der Hauptkammer zunächst 5 Sek. mit 0,4 Λ/dm anodisch und nach Umpolung mit Hilfe eines Wechselstromsohützes 7 Sek. kathodisch mit
1f> A/dm" behandelt. Nach erneute'r Umpolung wird der Zyklus wiederholt,
so daß während eines Baddurchgange3 2 Perioden durchlaufen v/erden. Die.Durch Laufgeschwindigkeit des Drahtes beträgt hierbei
ca. 24 m/h. Die zugehörige anodische Einwirkung in dör' Vorkammer
dauert 9 Sek.
besonders
Nach einer/apparativ günstigen Ausführungsform der Erfindung kann das Ätzplattieren von Drähten und Bändern auch in der Weise erfolgen, daß diese als Eittelleiter geschaltet werden. Der Transport der zu ätzenden und plattierenden Drähte geschieht hier ebenfallo kontinuierlich, wobei im Gegensatz zu dem eben beschriebenen Verfahren die
Nach einer/apparativ günstigen Ausführungsform der Erfindung kann das Ätzplattieren von Drähten und Bändern auch in der Weise erfolgen, daß diese als Eittelleiter geschaltet werden. Der Transport der zu ätzenden und plattierenden Drähte geschieht hier ebenfallo kontinuierlich, wobei im Gegensatz zu dem eben beschriebenen Verfahren die
j··
Ätzung und Plattierung über die ganze Länge gleichmäßig abläuft* Der
kontinuierlich bewegte Draht stellt einen bipolaren Leiter dar. Das
Ätzen und Plattieren wird in räumlich voneinander getrennten, mit
dem gleichen Elektrolyten gefüllten Zellen vorgenommen« In Pig» 4
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IO
ist der als Mittelleiter in Pfeilrichtung bewegte Draht mit 24 "bezeichnet,
die Ätzzelle mit 25 und die Plattierzelle mit 26. Die in der Zelle 25 enthaltene Elektrode 27 is^ausschließlioh kathodisch
und die Elektrode 28 ausschließlich anodisch geschaltet. Die
Eäume 25 und 26 sind durch eine aus Isoliermaterial, "beispielsweise
Kunststoffen, bestehende und ein Draht^durchlaufloch aufweisende
Wand 29 voneinander getrennt.
Ein Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, daß elektrische Schaltgeräte
und zusätzliche mit Speichervorrichtungen ausgerüstete Transportvorrichtungen nicht erforderlich sinl Das Einstellen der
.;,„ unterschiedlichen Stromdichten in den Elektrolyträumen 25 und 26
kann an sich bekannter Weise mittels Stromteiler im Ätzplattierbad erfolgen. Als geeignet erwiesen hat sich jedoch auch eine Stro^-
teilung mittels einer oder mehreren Hilfsanoden.- Selbstverständlich
muß die Hilfsanode bei Strombelastung im Elektrolyten löslich sein.
Die anodisch wirksame Ätzstromdichte kann ferner dadurch ver-"
ringert werden, daß der Draht auf der anodischen Seite mit dem kathodischen Anschluß verbunden wird, d.h. über eine Stromverzmgung.
Anhand der in fig. 5 bis 8 wiedergegebenen Schaltskizzen wird nun das Verfahren nach der Erfindung noch weiter erläutert.
In Pig. 5 stellt 30 das Ätzplattierbad dar, 31 die Stromzuführung für den zu behandelnden Draht und 32 die Stromzuführung für die
Gegenelektrode, die zweckmäßigerweise aus dem Plattiermetall, bei-
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._ . £ΊίΆ Oi/ I \) J I
spieloweise Nickel, beatehi,. Mit 33 ist ein clektri richer V/id-ore lam:
zur Stromdichteregelung bezeichnet und 'mit 34 jeweils ein Schaltkontakt,
beispielsweise ein Relais.
• Gemäß der in Fig. 6 gezeigten Schaltung kann die Umpolung auch
durch Zuschaltung einer zweiten Stromquelle entgegengesetzter Polün
geschehen. Hierbei wird, das im Elektrolytbad 36 befindliche Grundmetall 35 zunächst über den Stromkreis 37 anodisch und· ansch] iei3end
durch Zuschaltung des Stromkreises 30 kathodisch gepolt. Der Schalt
kontakt ist hierbei rail: 39 bezeichnet und der zur optimalen Stromdichteregelung
eingesetzte Widerstand mit 40 bzw.. 41.
Nach einer besonders günstigen Ausführungsform der' Erfindung kann
bei der Umpolung entsprechend Fig. 7 auch ein Stromimpuls zugegeben werden, was einen steilen kathodischen Stromanstieg zur Folge hat.
Hierbei ist das zu plattierende Grundmetall zunächst wie in Fig. b
im Elektrolytbad 42 anodisch gepolt. Bei der Umpolung wird, es jedoch
gleichseitig mit dem Kondensator 43 verbunden und erhält von
diesem eine Impulsladung. Infolge des dadurch bewirkten steilen kathodischen Stromanstieges wird eine besonders gute Haftfestigkeit
de3 aufzubringenden Metalles bewirkt.
Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann die in Fig.
I··
beschriebene Umpolung mittels Zuischaltung eines zweiten Stromkreise
ebenfalls mit einem Impuls überlagert werden. Eine derartige Ausführungsform ist in Fig. F wiedergegeben. Das im Elektrolytbad 4 4
- 11 - By/Or
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befindliche Grundmetall ist über den Stromkreis 45 zunächst anodisch,
gepolt. Bei der Umpolung über den Schaltkontakt 46 erfolgt die Zuschaltung des Stromkreises 47 sowie die Entladung des Kondensators
48. Diese Schaltanordnung zeichnet sich ebenfalls durch einen steilen kathodischen Stromanstieg aus. Die in den Mg.7 und 8
eingezeichneten Sperrdioden 49 sorgen -für die Fernhaltung des ka+hodischen Stromimpulses von der anodischen Stromquelle.
Die nachstehenden Beispiele dienen zur weiteren Erklärung des neuen Verfahrens.
Drahtstücke von 1/2 m Länge aus FbZr 25 bzw. FbZr 33 wurden in
einer Haltevorrichtung aufgespannt und an beiden Enden elektrisch kontaktiert. Die vom Drahtziehprozeß oxidisch bedeckte Oberfläche
wurde zunächst mechanisch durch Schmirgeln gereinigt und anschließen!
1 Minute lang chemisch mit einem Salpetersäure-Plußsäure-Wasser-Gemisch
(Yerh. 5i4j1i3»6) "gebeizt. Das FiP2-Ätzbad bestand aus einem
Gemisch aus 39 g FiP2, 35 g FH4 · HP2, und 6,6 ml 40#iger Plußsäure,
das mit dest. Wasser auf 1 1 aufgefüllt worden war. Als Gegenelektrode diente ein Fickelblech. In diesem Bad wurden die zu
plattierenden Drähte im Zeittakt 5/15 bis 15/5 Sekunden mit 0,4A/dm
anodisch geätzt bzw. nach Umpolung mit 16 A/dm plattiert. Das Umpolen erfolgte entweder nach Pig. 5 oder nach Pig. rö.-durch Zuschaltung
einer zweiten Stromquelle entgegengesetzter Polung.
Anschließend wurdeidie so ätzplattierten Drähte 1 Minute einer
- 12 -
8AD ORIGINAL 1 09821 / U94
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galvanischen Vorverkupferung in einem üblichen OuCF-Bad unterworfen.
Die Stromdichte "betrug hierbei 1 A/dm . Nach einer Zwischenspülung
in Wasser wurde schließlich noch in einem OuSO.-Bad (50 g Cu/l) mit
5 A/dm auf die gewünschte Schichtdicke verkupfert. Die so erzeugten Plattierungen wiesen eine hohe Haftfestigkeit auf den Drahtkern
auf und ergeben ein für den Magnet spulenbau sehr gut stabilisiertes
Material.
Ein sandgestrahlter UbZr33-Draht von 0,5 μ Durchmesser durchlief
eine kathodische Entfettung, wurde wie im Beispiel 1 eine Minute chemisch gebeizt und nach Spülung mit dest.Wasser eine Minute ätzplattiert.
Der Draht wurde hierbei gemäß Pig. 2 kontinuierlich bewegt. Das Elektrolytbad bestand wie im vorstehenden Beispiel aus
UiP2I ΜΉ,ΗΡρ und Plußsäure. Während des Baddurchlaufes wirken
2 1/2 Cyclen unter Vernickelung ein. Abschließend wurde noch 75 Sekunden cyanidisch vorverkupfert und dm Kupfer sulfat bad mit 20 $-ig
CuSO.-lösung plattiert. Die so hergestellte Schicht besaß eine sehr
gute mechanische Haftfestigkeit.
Die gemäß den Beispielen 1 und 2 auf Niob und legierungen aus
Uiob-Zirkon zunächst aufgetragenen Überzüge stellen Zwischenschichte
dar, mit deren Hilfe die später aufgebrachten G-alvanisierschichten
auf dem Grundmetall über die gesamte Oberfläche fest haften. Bei
manchen Nioblegierungen kann es hierbei von Vorteil sein, daß die
A'tzplattierung nach der Erfindung mehrmals vorgenommen wird.
- 13 -
SAD
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1 1 des wässrigen Elektrolyten enthält 20 g ZnP2, 190 g NH4P . HP
und 2b ml 40#-ige Fluflsäure. Die Ätzung und Beschichtung wurde bei
ca. 25 0C durchgeführt. Die Stromdichte bei der kathodiachen Abachoidunß
betrug 5 A/dm . und bei der anodinchen Ätzung 0<5 A/dm .
Als Gegenelektrode wurde eine Zinkplatte eingesetzt.
1 1 der wässrigen Lösung enthält etwa 120 g InP., und 100 g NH4P ·· HP.
Die Stromdichte betrug bei der kathodischen Abscheidung 18 A/dm und
2 *
bei der Ätzung 1 A/dm . Die Ätzplattierung wurde bei Zimmertemperatur
ausgeführt und die Gegenelektrode bestand aus Indium.
Beispiel b ' .
1 1 des wässrigen Elektrolyten enthält 150 β SnP2 und 120 g NH4P · HP.
' ■ 2
Die Stromdichte bei der kathodischen Abscheidung betrug 3 A/dm und
bei der Ätzung 0,5 A/dm . Als Anode wurde eine Zinnplatte verwendet.
Ätzung und Plattierung wurden bei Zimmertemperatur vorgenommen.
Beispiel .6 .
1 1 des wässrigen Elektrolyten enthält 37 g CuP2, 100 g NH4P · HP und
60 g 40^-ige Plußsäure. Die Stromdichte bei der kathodischen Abschei-
P · 2
dung betrug 1 *A/dm and bei der anodiochen Ätzung 0,1 A/dm .
- 14 - - ——» By/0r
• 8AD ORiGiNAL ·
109821/U94
Claims (14)
1. Verfahren zur Herstellung einee Überzuges aus Nickel, Kupfer,
Zink, Indiua, Zinn und Gold auf Niob sowie Legierungen aus
• Niob und Zirkon durch galvanische Xtzplattierung, dadurch gekennzeichnet,'daß das gereinigte Grundnetall zunächst in einer
wässrigen Lösung aus Flußsäure, Ammoniurafluorid und einem Fluori
des abzuscheidenden Metalles anodisch geätzt und'anschließend in gleichen Bad kathodisch behandelt wird, wobei die Umpolzeit·
eo kurs gawählt wird, daß eine Inaktivierung der Oberfläche .■··':; -.
des Grundnetalies nicht eintritt.. .· '»'■
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,- daß die '-■■'
Umpolzeit maximal 3 Sekunden beträgt. '
3· Verfahren nach den-Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Xtzplattierung in einer wässrigen Lösung aus HiF2*
NH.HF- und Flüßsäure vorgenommen wird.
4, Verfahren nach den Ansprüchen V und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Xtzplattierung auf den» nicht bewegten Grundnetall vorgenommen wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen ,1 und 2, dadurch gekennzeichnot,
• daß die Xtzplattierung periodisch auf dem .kontinuierlich be- wegten
Grundmetall vorgenommen wird.
Ne4Je Unterlagen (Art 7 f 1 Abe. 2 Nr. 1 SMz 3 dta Andfnjivmw. v. 4, β, UV.
10982-1X^494
BAD OrUGtNAL
6. Verfahren nach don AneprUchen 1 bio l>, dadurch gekennzeichnet,
daß die Umpolung mittels schnell arbeitender Schaltkontakte erfolgt, beispielsweise einem Relais, Schütz, Transistor oder
Thyristor.
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Umpolung-mittels Zuschaltung einer zweiten 8pannung3-quelle entgegengesetzter polung erfolgt.
8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß der kathodische Stromanstieg bei der Umpolung durch eine Kondensatorentladung verstärkt wird.
0» Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einstellung unterschiedlicher Stromdichten bei der anodisehen und kathodischen Behandlung mit Hilfe eines elektrischen
Widerstandes erfolgt. '
10. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einatellung unterschiedlicher Stromdichten bei der anodischen und kathodischen Behandlung mit Hilfe einer oder mehrerer
Hilfsanoden erfolgt.
11. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einstellung unterschiedlicher Stromdichten bei der anodischen und kathodischen Behandlung mit Hilfe einer Stromverzweigung erfolgt.
12. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3 und b bis 11, dadurch ge-~
kennzeichnet, daß daa Grundmeta.il vor der Ä'tzplattierung durch
eine Vorkammer Oi)) bewegt wird, die mit der Ät^plattierkammer
(.13) in elektrolytischer Verbindung, steht und eine Elektrode aufweist,,
die nur in der anodisch wirksamen Stromphase.belastet
wird.
13. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3 und 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daß das Grundmetall vor der Ä'tzplattierung durch eine Vorkammer (19) bewegt wird, die von der Ätzplatt ierkanimer
(20) raumlich getrennt ist und in der dao Grundmetall anodisch
vorgeätzt wird. '
14. Verfahren nach den Ansprüchen .1 bis 3 und 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ätzung und Plattierung auf einem kontinuierlich bewegten und als bipolarer Leiter geschaltetem Grundmetall
in getrennten Räumen vorgenommen wird.
- 1 7 - . -~ By/Or
109821/U94
Leerseite
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CH1531468A CH527911A (de) | 1967-12-08 | 1968-10-14 | Verfahren zur Herstellung eines Überzuges aus Nickel, Kupfer, Zink, Indium, Zinn oder Gold auf Niob sowie Niob-Zirkonium-Legierungen |
SE14546/68A SE335936B (de) | 1967-12-08 | 1968-10-28 | |
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DE1621177B2 DE1621177B2 (de) | 1976-09-30 |
Family
ID=7532329
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3582479A (de) |
CH (1) | CH527911A (de) |
DE (1) | DE1621177B2 (de) |
FR (1) | FR1597726A (de) |
GB (1) | GB1253858A (de) |
NL (1) | NL162148C (de) |
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