DE1614848A1 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1614848A1
DE1614848A1 DE19671614848 DE1614848A DE1614848A1 DE 1614848 A1 DE1614848 A1 DE 1614848A1 DE 19671614848 DE19671614848 DE 19671614848 DE 1614848 A DE1614848 A DE 1614848A DE 1614848 A1 DE1614848 A1 DE 1614848A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
protective film
semiconductor
semiconductor system
melted
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671614848
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Chem Dr Volker Doetsch
Dietrich Goy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Publication of DE1614848A1 publication Critical patent/DE1614848A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

  • "Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteran 1 ordnung" Die Erfinjung:betrifft ein Verfahren zum-Herstellen einer Halbleiteranordnung, deren Halbleitersystem in ein Glasgehäuse eingeschmolzen wird. Die Erfindung besteht bei einem solchen Verfahren darin, daß das Halbleitersystem vor dem Einschmelzen mit e.Inem Schatzfilm überzogen-wird, der die Eigenschaft-hate daß er Stoffe, die beim Einschmelzen ohne Schutzfilm schädigend auf.das Halbleitersystem einwirken wÜrden, nicht auf das Hälbleitersystem einwirken läßt. üntersuch::umgen haben ergebent daß einsolcher Schutzfilm unerlässlich ist, wenn bei Halbleiteranordnungen die Sperrs-pannungen der pn-Übergänge durch den Einschmelzprozeß nicht beeinträchtigt werdem.sollen, Der Schutzfilm wird aus einem ODff hergestellt, der verdampfbar ist und sich in filmartiger, glasiger Form kon-m densiereil läßt. Der Schutzfilm muß-gegenüber der luft-±euchtigkeit b I eständig sein und beim Einschmelzen bis zur EinsQhmelztemperatu,v beständig bleiben Für dem Schutzfilm eignet sich in besonderer Weise Arsent trioxyd. Der'Schutz#Ilm wird dabei durch Verdampfen von Arsentrioxyd hergestellt,-welches beispielsweise bei ei-0 ner Temperatur zwischen 8oo und looo- C verdampft wird. Das Hal.bleitersystera wird beimVerdampf en des Arsentrioxyds auf einer niedrigeren Temperatur als das Arsentri.oxyd gehaltene., und-zwar liegt diese niedrigere Temperatur beispielsweise zwischen 4oo un d 6oo 0 C. Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausfuhrungsbeispiel erläutert. An Halbleiteranordnungen werden bekanntlich desöfteren bestimmte Sperrspannungsbedingungen gestellt. Dies gilt beispielsweise für Halbleiterdioden'.' Um zu verhindern" daß die Sperrspannung von Halbleiteranordnungen beim Einschmelzen in ein Glasgehäuse beeinträchtigt wird, erfolgt vor dem Einschmelzen eine Arsentrioxyd-Behandlung. Neben Spitzendioden -werden beispielsweise auch heutenoch Flächendioden in Glaigehäuse eingeschmolzeng die beispielsweise in Planartechnik hergestellt sind. Die Herstellung .solcher Planardioden erfolgt dadurch"-#da-ß in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkörpers vom bestimmtem Leitungstyp, der beispielsweise aus Silizium besteht', eine
    zelne HalbleiterkörpAr aufgeteilt werden. Bringt man einzelne Halbleiterkörper in das Quarzrohr, so kann man sie beispielsweise aUf er:4L3nOM Quargtablett ausstreuen. Das Q4arzrohr wird so beheizt$ dag es Zonen mit unterschiedlicher Temperatur aufweist. Die eine Zone, in die das-Arzentrioxyd gebracht wjid, hat eine Temperatur" die beispielsweise zwischen 8oo und looö00 liegt, während die Pellets bei der ArAentrioxyd-Behandlung nicht so hoch aufgeheizt werden und sich deshalb in einer-Zone des Ofens beribjett dessen Temperatur z.13. zwischen 4oo und
    die Pellets aus dem Ofen genommen und in eine Exgikkator über einem Trockenmittel, welches beispielsweise a-u-a Silicagel bestehtt bis zum Einschmelzen der Halbleitersystenie aufbewahrt. Durch die Herstellung eines entsprechenden Schutzfilmes auf der Halbleiteroberfläche wird verhindert, daß die Sperrspannung des pn-Überganges der-Diod - en durch die nachfolgende Einschmelzung in ein Glaagehäusel.beeinträchtigt wird.

Claims (2)

  1. Patent an sprüche 1) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterenordnun deren Halbleitersystem in ein Glasgehäuse eingeschmolzen wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersystem vor dem EinschmeIzen mit einem Schutzfilm Überzogen wird, der die Eigenschaft hat, daß er Stoffe, die beim Einschmelzen ohne Schutzfilm schädigend auf das Halbleitersystem einwirkenwürden, nicht auf das Halbleitersystem einwirken läßt.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schutzfilm aus einem Stoff hergestellt wird, der verdampfbar istund sich in filmartiger, glasiger Form kondensieren läßt. 3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schutzfilm aus einem Stoff besteht, der gegenüber der Luftfeuchtigkeit beständig ist und beim Einschmelzen bis zur Einschmelztemperatur beständig bleibt. 4) Verfahren nach einem der AnsPrÜche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schutzfilm aus Arsentrioxyd besteht. 5) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
DE19671614848 1967-07-28 1967-07-28 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung Pending DE1614848A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET0034442 1967-07-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1614848A1 true DE1614848A1 (de) 1970-12-23

Family

ID=7558515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671614848 Pending DE1614848A1 (de) 1967-07-28 1967-07-28 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1614848A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2830035A1 (de) * 1977-07-15 1979-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung, welche mindestens eine arsenverbindung in einem teil derselben enthaelt

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2830035A1 (de) * 1977-07-15 1979-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung, welche mindestens eine arsenverbindung in einem teil derselben enthaelt

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1596820C2 (de) Glas auf der Basis von ZnO-B tief 2 O tief 3 -SiO tief 2 mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 44,5 bis 44,8.10 hoch -7 / Grad C (0-300 Grad C) und seine Verwendung
DE1614848A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1496586A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Glasgegenstaenden mit hoher mechanischer Festigkeit
DE1444521B2 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
DE1521950A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem vorzugsweise einkristallinen Koerper aus Halbleitermaterial
DE1237400C2 (de) Verfahren zum Vakuumaufdampfen eines feuchtigkeitsfesten isolierenden UEberzuges aufHalbleiterbauelemente, insbesondere auf Halbleiterbauelemente mit pn-UEbergang
DE1250006B (de)
DE1696061B2 (de) Hohlkoerper aus quarzglas, insbesondere rohrfoermige quarzglaskoerper, zur verwendung bei unter hohen temperaturen durchzufuehrenden herstellungsverfahren fuer halbleiterbauelemente
DE1544281B2 (de) Verfahren zum Dotieren von SiIicium-Halbleitermaterial
DE1771956A1 (de) Verfahren zum Schmelzen von infrarotdurchlaessigem Glas mit infraroter Strahlung
DE1942918C3 (de) Infrarotstrahlung-absorbierendesGlas, das sich besonders zur Umhüllung von elektronischen Bauteilen eignet, die mit Strahlungswärme eingeschmolzen werden
DE1011594B (de) Verfahren zur Herstellung von Quarzglas
DE2352033A1 (de) Verfahren zur bearbeitung von halbleiterplaettchen
CH501518A (de) Verfahren zum Behandeln von aus organischem Glas bestehenden Sichtscheiben von Luftfahrzeugen und Flugkörpern
DE1544315C3 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkristallen mit Fremdatomen
DE1248023B (de) Verfahren zum Eindiffundieren von Gallium in einen Koerper aus Halbleitermaterial
DE1544313A1 (de) Verfahren zur Eindiffusion von Fremdatomen in Halbleiterkoerper mit hohem Dampfdruck
DE1596843B1 (de) Glasgehaeuse zur Kapselung elektrischer Bauelemente,insbesondere Halbleiterdioden
DE2257047C3 (de) Diffusionsverfahren zum Dotieren von Galliumarsenid
DE560488C (de) Verfahren zum Kuehlen von Hohlglasgegenstaenden
DE1771077B2 (de) Quarzglasrohr mit auf der aussenflaeche angebrachtem ueberzug zur verwendung bei temperaturen ueber 1000 grad c, insbesondere fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer verfahren
DE2027941A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines pyroelektrischen Glases
DE1521824A1 (de) Verfahren zur Erzeugung sehr duenner oxidischer Schichten auf der Oberflaeche von amorphem Selen
DE2129931B2 (de) Vorrichtung zum Diffundieren einer Verunreinigung in Halbleiterscheiben
DE1496005B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Flachglas