DE1564354A1 - Metallteil fuer Halbleiter-Bauelemente - Google Patents
Metallteil fuer Halbleiter-BauelementeInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 239000006223 plastic coating Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S425/00—Plastic article or earthenware shaping or treating: apparatus
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49163—Manufacturing circuit on or in base with sintering of base
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/4998—Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
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Description
6 Frankfurt am Main 70 19.-Sept. 1966
MOTOEOLA Inc., 9401 West Grand Avenue, Franklin Park, 111./TJSA.
Metallteil für Halbleiter-Bauelemente
Die Erfindung betrifft Halbleiter-Bauelemente und insbesondere ein metallisches Halterungsteil, auf dem ein aktives Element
(Halbleiterkörper) montiert und angeschlossen werden kann, so daß unter Verwendung automatischer Einrichtungen zur Montage
und Kapselung ein fertiges Halbleiter-Bauelement erhalten wird. Die Erfindung bezieht sich ferner auf Halbleiter-Bauelemente,
bei denen derartige Metallteile vorgesehen sind.
Das aktive Element oder der Halbleiterkörper eines halbleiter-Bauelements
hat im allgemeinen sehr geringe Abmessungen. Der Halbleiterkörper wird bei einem derartigen Bauelement vorteilhafterweise
derart montiert, daß ein guter ohmacher Kontakt zwischen dem Halbleiterkörper und der Montagefläche erhalten
wird. Die Montagefläche dient ferner der Abführung von Wärme vom Halbleiterkörper sowie als elektrischer Anschluß zwischen
dem Halbleiterkörper und der äußeren Schaltung. In der Halbleitertechnik ist es üblich, den Halbleiterkörper auf einem
Sockel anzubringen, von dem die äußeren Zuleitungen ausgehen. Der Sockel ist unmittelbar mit einer der äußeren Zuleitungen
verbunden und führt infolgedessen Wärme ab und stellt die Verbindung des Halbleiterkörpers mit der äußeren Schaltung her.
Nachdem der Halbleiterkörper angeschlossen ist, was im allgemeinen mittels feinen Drähten geschieht, die zu den weiteren
äußeren Zuleitungen führt, wird die Anordnung in ein geeignetes Schutzmedium eingebracht, im allgemeinen in ein Iwetallgehäuse,
das mit dem Sockel dicht verbunden wird. Bei dieser Art
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der Montage des Bauelements müssen im Rahmen der Herstellung des Sockels und der nachfolgenden Montage zahlreiche Einzelteile
gehandhabt werden. Ein erheblicher Teil des Preises eines auf diese Weise montierten Halbleiter-Bauelemente ergibt sich
aus Arbeitskosten für die Handhabung kleiner einzelner Teile sowie aus der Vormontage den? Sockel.
In der modernen Halbleitertechnik wurden die Herstellungskosten der verhältnismäßig kleinen Halbleiterkörper erheblich gesenkt.
Im Rahmen dieser fortschrittlichen Technologie wurden jedoch die Kosten für die Unterbringung des Halbleiterkörpers nicht
entsprechend vermindert, so daß die Kosten eines derartigen Halbleiter-Bauelements den fortgeschrittenen Stand der Halbleitertechnik
nicht voll wiederspiegeln.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrund, ein kunststoffgekapseltes
Halbleiter-Bauelement zu schaffen, dessen Teile sich für eine automatische Montage eignen, das aber dessen ungeachtet
in Massenfertigung völlig gleichförmig gehalten werden kann.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Metallteils
zur Montage eines Halbleiterkörpers, das die Montagekosten eines Halbleiter-Bauelements dadurch verringert, daß
es den Einsatz mit hohem Durchsatz arbeitender Montage- und Kapselvorrichtungen gestattet.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Metallteils
zur Halterung eines Halbleiterkörpers, das derart beschaffen ist, daß das montierte Halbleiter-Bauelement die übliche
Emitter-Basis-Kollektor-Grruppierung der Zuleitungen aufweist,
wobei die Zuleitungen abgerundet sind, um das Einsetzen in herkömmliche Aufnahmevorrichtungen elektrischer Schaltungen
zu ermöglichen.
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Mit der Erfindung wird ein kunststoffgekapseltes Halbleiter-Bauelement
mit gestanzten Zuleitungen erhalten, dessen Abmessungen äußerst klein sind, das im Gebrauch robust ist und
das in Verbindung mit herkömmlichen Passungen und Aufnahmevorrichtungen
verwendbar ist.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung wird ein Metallteil
geschaffen, das eine Anzahl von einzelnen, einteilig verbundenen Zuleitungen mit zugehörigen Drahtanschluß- und Halbleitermontageflächen
aufweist. Die Zuleitungen sind derart miteinander verbunden, daß die Drahtanschluß- und Halbleitermontageflächen
während der Montage des Halbleiterkörpers und dem Anschließen
der Drähte genau ausgerichtet bleiben. Dies erleichtert außerdem die Handhabung einer Mehrzahl von Zuleitungsgruppen als einteilige
Einheit während der Montage und Kapselung des Halbleiter-Bauelements·
Ein weiteres Merkmal der Erfindung ist die Schaffung eines gestanzten Metallteils mit feilmarken in zwei einander gegenüberliegenden
Abschnitten, die mit Teilen der Zuleitung des Metallteils einteilig verbunden sind, was eine genaue Ausrichtung
der Drahtanschluß- und Halbleitermontageflächen in Einrichtungen zur automatischen Montage und Kapselung erlaubt.
Ein weiteres Merkmal der Erfindung ist die öchaffung eines
einteiligen Metallteils mit mehreren Zuleitungsgruppen, bei dem eine Zuleitung eine Halbleitermontagefläche aufweist, die
in einer zur Ebene der Leitergruppen parallelen Ebene unter einem Winkel von 90° absteht. Die Halbleitermontagefläche ist so angeordnet,
daß sie mit den weiteren Zuleitungen derart zusammenwirkt, daß das Halbleiter-Bauelement z. B. eine Gruppierung der
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"bad
- 4 Zuleitungen in der folge Emitter-Basis-Kollektor aufweist.
Weitere Merkmale, Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung eines
Ausführungsbeispiels in Verbindung mit· den beiliegenden Zeichnungen:
Es zeigt:
Figur 1 in größerem Maßstab eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäß
ausgebildetes Metallteil,
Figur 2 einen Schnitt entlang der linie 2-2 der Fig. 1, der den Abstand der Ebenen der Halbleitermontageflächen
und der Drahtanschlußflächen erkennen läßt,
Figur 3 in größerem Maßstab eine perspektivische Ansicht des Metallteils nach Figur 1,
Figur 4 eine perspektivische Ansicht einer Prgssspritzform, die
zur Ausbildung der kapselung um den Halbleiterkörper verwendet wird, der auf einem erfindungsgemäß hergestellten
Metallteil montiert und mit den betreffenden Zuleitungen verbunden ist,
Figur 5 eine Draufsicht auf eine Reihe von Transistoren nach Kapselung in Kunststoff und
Figur 6 eine perspektivische Ansicht eines einsatzbereiten, gekapselten Transistors in natürlicher Größe.
Ein erfindungsgemäß gestaltetes Metallteil wird von einem Metallstreifen
derart ausgestanzt und geformt, daß es einen durchlaufenden Zuleitungshaltesteg und Zuleitungen aufweist, die von
diesem abstehen. Die Zuleitungen liegen in der gleichen Ebene wie der Zuleitungshaltesteg und bilden mit diesem einen Winkel
'von 9o°. Die Zuleitungen sind in parallelen Gruppen angeordnet,
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—· 5 —
die in gegenseitigem Abstand liegen und jeweils eine erste, zweite und dritte Zuleitung aufweisen. Die erste und zweite
Zuleitung sind am einen Ende mit Drahtanschlußflächen versehen. Die dritte Zuleitung, weist eine Halbleitermontagefläche
auf, die mit der Zuleitung einen Winkel von 90° bildet und in der gleichen längsebene wie die Drahtanschlußflächen liegt.
Die Halbleitermontagefläche ist in Abstand von den Drahtanschlußflächen angeordnet und mit einer Verlängerung einer
der Zuleitungen ausgestattet. Bin parallel zu dem Zuleitungshaltesteg
verlaufender Verbindungsstreifen verbindet die Zuleitungen innerhalb einer Gruppe. Ein oberer Verbindungssteg,
der paralell zu dem Zuleitungshaltesteg verläuft, steht mit der dritten Zuleitung in Verbindung. Der Zuleitungshaltesteg
und der obere Verbindungssteg sind mit Teilmarken versehen, die die Ausrichtung des Metallteils in den Montage- und Pressspritzmaschinen
erleichtern.
Die Halbleitermontagefläche liegt vorzugsweise in der gleichen Längsebene wie die Drahtanschlußflächen der zugehörigen Zuleitungen
einer Dreileitergruppe. Die Halbleitermontagefläehe
liegt zweckmäßig etwa tiefer als die Ebene der Zuleitungen, obwohl auch eine Ausführungsform brauchbar ist, bei der sie sich
in der gleichen Ebene befindet. Die Anwendung einer etwa tiefer liegenden Ebene erleichtert die Montage des Halbleiterbauelements
und vermindert das Auftreten von Kurzschlüssen, die dadurch verursacht werden, daß die feinen Anschlußdrahte mit
falschen Teilen des montierten Halbleiterkörpers in Kontakt kommen. Ein solcher Aufbau ist auch insofern von Vorteil, als
er es erlaubt, das Metallteil senkrecht zur Achse der Halbleitermontage- und Drahtanschlußgeräte zu bewegen. Beim Anschließen
der Drähte hat der Winkel, mit dem die feinen Drähte' mit Bezug auf dieAnschlußfläche ausgerichtet sind, auf die Pestigkeitder
Verbindung einen erheblichen Einfluß. Die Haftfestigkeit - ;
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des Anschlusses ist im allgemeinen um so größer, je gerader der Draht gehalten wird.
Ein Halbleiter-Bauelement, bei dem das Metallteil nach der Erfindung als Hauptbauteil d.er Einheit vorgesehen ist, muß
in Schaltungen anwendbar sein, die für bekannte Transistoren mit üblichen Drahtzuleitungen von kreisförmigem Querschnitt
ausgelegt sind. Aus diesem Grunde haben die Zuleitungen des
Transistors eine Emitter-Basis-Kollektor-Gruppierung- und sind hinreichend abgerundet, so daß sie in vorhandene Fassungen einsteckbar
sind. Das Metallteil ist so ausgebildet, daß es mit Hilfe rasch laufender Lochstanzen gefertigt werden kann, wodurch
eine rasche Produktion zahlreicher Metallteile mit einem hohen Maß an Reproduzierbarkeit möglich wird. Das Lochstanzen
erleichtert außerdem das Prägen oder Abrunden der zunächst flachen Zuleitungen sowie die Ausbildung der Drahtanschluß-
und Halbleitermontageflächen als Arbeitsschritt des Stanzvorgangs.
Der Streifen kann auch mit hoher Reproduzierbarkeit durch eine Kombination von Ätzen und Stanzen hergestellt werden.
Ein erfindungsgemäß ausgebildetes Metallteil 14 (Figur· 1·) ; ermöglicht
die Montage einer Mehrzahl von '.Transistoren auf einem
zusammenhängenden einteiligen Streifen. Zwischen ungefähr 5o und 100 Transistoren mit Gruppen von je drei Zuleitungen können bequem
und rasch auf einem einzigen Metallteil 14 montiert werden.
Ein Zuleitungshaltesteg 16 läuft über die volle Länge des Metallteils H. VOn dem Zuleitungshaltesteg stehen mehrere Zuleitungsgruppen ab, die jeweils eine Emitterzuleitung 18, eine
Basiszuleitung 2o und eine Kollektorzuleitung 22 umfassen. Der Haltesteg 16 ist breiter als die Zuleitungen, so daß er ausreichende
Festigkeit besitzt, um die Zuleitungen in der ge-
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wünschten Lage zu halten und während der Montage die Handhabung einer großen Anzahl von flalbleiterbauelementen zu
erleichtern. Während der Ausbildung des ketallteils werden
Teilmafrken in Form von Markierlöchern 24 aus dem Haltesteg
16 ausgestanzt. Mittels der Markierlöcher 24 wird das Metallteil H während der wichtigen Schritte des Stanzen des Teils
sowie der Montage und Kapselung der Transistoren ausgerichtet.
Die Zuleitungen 18, 20 und 22 sind entlang dem Haltesteg 16 in
Abstand voneinander angeordneten parallelen Dreiergruppen ausgerichtet. Die Emitterzuleitung 18 und die Basiszuleitung 2o
enden an einem ünde in Drahtanschlußflächen 26, die während
des Stanzvorgangs ausgebildet werden. Die Ko^lektorzuleitung 22 ist mit einer Halbleitermontagefläche 28 versehen, die mit
der Zuleitung einen Kinkel von 9o° bildet. Die Halbleitermontagefläche
28 befindet sich benachbart von und in Abstand zu den Drahtanschlußflächen 26 in einer Ebene, die etwa tiefer
ale die Drahtanschlußflächen liegt, sowie in der gleichen
Längsebene wie die ümitterzuleitung 18 und die Basiszuleitung 2o. Auf diese ./eise ist die Halbleitermontagefläche 28 mit der
Emitterzuleitung 18 und der Basiszuleitung 2o sowie den Drahtanschlußflächen
26 dieser Zuleitungen'geradlinig ausgerichtet. Die Halbleitermontagefläche 28 liegt in einer anderen Ebene als
die Zuleitungen 18, 2o und 22 sowie der Haltesteg 16, um die Fertigung1dee Transistors zu erleichtern, wie weiter unten
erläutert ist. Die gegenseitige Lage dieser Flächen ist deutlicher aus Figur 2 zu erkennen, die einen Schnitt entlang der
Linie 2-2 einer Dreiergruppe von Zuleitungen nach Figur 1 veranschaulicht. Sabei ist deutlich festzustellen, daß die
Drahtanschlußflächen 26 in der gleichen Ebene wie die Kollektorzuleitungen
22 liegen. Das Ausmaß der Versetzung der Halbleitermontagefläche kann in Abhängigkeit von dem zu montierenden
Halbleiter-Bauelement schwanken.
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Entlang dem Metallteil H verlaufen ein oberer Verbindungssteg 38 (Figur 1) und ein Verbindungsstreifen 34» die parai-'
IeI zueinander und zum Zuleitungshaltesteg 16 liegen. Der
obere Verbindungssteg 38 ist mit der Kollektorzuleitung 22 einteilig verbunden und hilft mit, dieise Zuleitung und die
Halbleitermontagefläche 28 in korrekter Ausrichtung zu halten. Der obere Verbindungssteg 38 ist mit Markierlöchern 4o ausgestattet,
um die Ausrichtung des Metallteils I4 in. der Montageeinrichtung
weiter zu erleichtern· Der Verbindungsstreifen 34 liegt zwischen dem oberen Verbindungssteg 38 und dem Haltesteg
16. Er ist mit sämtlichen Zuleitungen einteilig verbunden und hilft mit, die Halbleitermontagefläche 28 mit Bezug auf die
Drahtanschlußflächen 26 richtig ausgerichtet zu halten. Das Metallteil 14 kann nach dem Stanzen und vor Durchführung irgendwelcher
Montagevorgänge mit Gold überzogen werden, um das' Anschließen der Drähte und die Montage des Halbleiterkörpers
zu erleichtern.
Durch Verwendung des Metallteils I4 wird die Anzahl der zur
Montage eines Transistors erforderlichen Arbeitsschritte verringert und ergibt sich eine höhere Produktionsrate. Bei der
Montage eines Transistors unter Verwendung des Metallteils Η
wird ein Halbleiterkörper 42 (Figur 3) auf der H3H3I6itermontagefläche
28 angeordnet. Die Halbleitermontagefläche 28 wird mittels eines Schaltzapfens der Harbieitermontagemaschine, der
mit den Markierlöchern 24 und 44 zusammenwirkt, selbsttätig in der Maschine ausgerichtet. Bei der Anbringung des Halbleiterkörpers
beobachtet der Maschinenführer der Halbleitermontagemaschine nur die Auswahl des Halbleiterkörpers. Nachdem der
Halbleiterkörper ausgewählt ist, wird er selbsttätig auf der Halbleitermontagefläche angebracht. Dieser Arbeitsvorgang kann
infolge der genauen Ausrichtung der Halbleitermontagefläehe sehr rasch erfolgen.
8AD 909837/079 5
Der Halbleiterkörper 42 wird dann mittels feinen Drähten 44 mit den Drahtanschlußflächen 26 verbunden« Auch hier dienen
die Markierlöcher 24 und 44 einer genauen Ausrichtung dieser Flächen. Bei diesem Arbeitsvorgang wird einer der Drähte 44
mit der gewünschten Zone des Halbleiterkörpers 42 und dann selbsttätig mit der zugehörigen Zuleitung verbunden. Dieser
Arbeitsvorgang wird dann für die andere Zone des Halbleiterkörpers
4$ und die andere Zuleitung wiederholt. Auf diese
Weise wird der Halbleiterkörper mit den drei äußeren Zuleitungen eines Transistors verbunden. Da die Hai"bieitermontageflache
28 mit den Drahtanschlußflächen 26 unmittelbar ausgefluchtet ist, werden praktisch geradlinige Drahtanschlüsse erhalten,
wodurch die selbsttätige Herstellung der "Verbindungen erleichtert wird. Da die Halbleitermontagefläche 28 etwas
tiefer liegt, wird die Wahrscheinlichkeit von Kurzschlüssen zwischen den Drähten 44 und Teilen des Halbleiterkörpers 42
sowie dem Metallteil Η verringert.
Nachdem der Halbleiterkörper 42 angebracht ist und die Drahtanschlüsse
hergestellt sind, wird der obere Verbindungssteg vom Metallteil I4 abgetrennt. Das Metallteil H>
das ungefähr 50 bis 100 Einheiten mit je einem Halbleiterkörper 42 und den
zugehörigen Anschlußdrähten trägt,-wird in eine Mehrfachform (Figur 4)· eingebracht, wobei die Markierlöcher 24 in "Verbindung
mit Stiften 48 der Form dazu dienen, die einzel montierten
Halbleitereinheiten in den gesonderten Ausnahmungen 51 zweckentsprechend
auszurichten. Auf diese Weise können die Einheiten
rasch in -einem Epoxydharz oder einem anderen hochwertigen Kunststoff
gekapselt werden. ■
Das VOrhergegangene Abtrennen des oberen Verbindungsstegs 58
läßt eine Mehrzahl von miteinander verbundenen Transistoren (figur 5) entsteheil, von denen nur die erwünschten Zuleitungen
- ίο -
18, 2ο, 22 abstehen. Die Transistoren 53 werden dann getrennt,
indem der Verbindungsstreifen 34 und der Haltesteg 16 abgeschnitten werden. Figur 6 zeigt die natürliche Größe eines
Transistors 53» der unter Verwendung des Metallteils nach der Erfindung hergestellt wurde.
In Figur 5 ist eine weitere Ausführungsform eines Halbleiter-Bauelements
veranschaulicht, die zweckmäßig ist, .wenn eine zusätzliche wärmeabfuhr erwünscht ist. Die Halbleitermontagefläche
28 (Figur 3) ist nach oben in Richtung auf den oberen Verbindungssteg 38 verlängert, so daß ein Teil dieser Fläche
einen Kühlkörper 54 (Figur 5) bildet, der von dem kunststoffgekesselten
Transistor 53 vorsteht. Da der Halbleiterkörper unmittelbar auf einem Teil des Kühlkörpers 54 angebracht ist,
wird eine ausgezeichnete Wärmeabfuhr erhalten.
Ein in der vorliegend offenbarten Weise gefertigtes Metallteil erleichtert die Verwendung automatischer Maschinen bei der
Montage und Kapselung eines Transistors und steigert den Ausstoß an brauchbaren Einheiten, indem die Arbeitsgänge, die zur
Herstellung jedes Transistors erforderlich sind, vereinfacht und in ihrer Zahl verringert werden. Der mit einem derartigen
Metallteil ausgestattete Transistor hat die gewünschte Emitter-Basis-Kollektor-Zuleitungsgruppierung
für die anschließende Anwendung im Rahmen elektrischer Schaltungen oder Geräte.
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909837/0795
Claims (5)
1. Gestanztes Metallteil mit von einem Haltesteg abstehenden
Zuleitungen zur Verwendung bei der Fertigung einer Mehrzahl von Halbleiter-Bauelementen, die während des abschliessenden
Teils des Fertigungsvorgangs voneinander getrennt werden, dadurch gekennzeichnet, daß das gestanzte Metallteil
(H) den Haltesteg (16) und einen oberen Verbindungssteg (38)
aufweist, wobei eine Mehrzahl von Zuleitungen (18, 2o, 22) in Gruppen zu vorzugsweise jeweils drei Zuleitungen über die
Längsabmessung des Metallteils (H) verteilt sind, daß ferner die Zuleitungen mit dem Haltesteg einteilig verbunden sind,
mindestens eine Zuleitung jeder Gruppe mit dem oberen Verbindungssteg
in einteiliger Verbindung steht, ein Verbindungsstreifen (34) über die Längsabmessung deB Metallteils
parallel zu dem Haltesteg und dem oberen Verbindungssteg
verläuft und mit den Zuleitungen einteilig verbunden ist, um die Zuleitungen in vorbestimmtem Abstand zu halten, und
daß die mit dem oberen Verbindungssteg und dem Haltesteg einteilig verbundene Zuleitung an ihrem einen Ende eine
Halbleitermontagefläche (28) bildet, die rechtwinklig zu der Zuleitung (22) verläuft und gegenüber sowie in Abstand von
Anschlußflächen (26) angeordnet ist, die am Ende der übrigen
Zuleitungen (18, 2o) jeder Zuleitungsgruppe vorgesehen sind.
2. Gestanztes Metallteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Haltesteg (16) und der obere Verbindungssteg (38) mit Markierlöchern (24 bzw. 4o) versehen sind, die der Ausrichtung
des Metallteils in den Montage- und Kapselungsmaschinen während der Fertigung des Halbleiter-Bauelements
dienen. -
BAD
909837/0795
156435A
3. Gestanztes Metallteil nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die HalDleitermontageiläche (28) in
einer anderen Ebene als die Zuleitungen (18, 2o, 22) liegt und mit einer der Zuleitungen über einen abgestuften
Abschnitt verbunden ist.
4. Gestanztes Metallteil nach Ansprüchen 1 bis 3> dadurch gekennzeichnet, daß Abschnitte der Zuleitungen (18, 2o, 22)
unter Bildung von Bogen entsprechend Segmenten einer gewünschten Kreisform abgerundet sind.
5. Mittels Automaten unter Verwendung eines gestanzten Metallteils
nach Ansprüchen 1 bis 4 hergestelltes kunststoffgekapseltes Halbleiter-Bauelement, dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleitermontageflache (28) L-förmig ausgebildet
ist und in einer anderen Ebene als die Drahtanschlußflächen (26) liegt, sowie daß die Halbleitermontagefläche
und die Drahtanschlußfläehen (26) mit einem Kunststoffüberzug versehen sind, wobei ein Teil der L-förmigen Halbleitermontagefläche
unter Bildung eines Kühlkörpers aus dem Kunststoffüberzug vorsteht.
909837/079H
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |