DE2738021A1 - Verfahren zur herstellung von halbleiter-bauelementen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von halbleiter-bauelementenInfo
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Description
-A-
Beschreibung;
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, insbesondere auf
nach der Befestigung von Elektroden an Halbleiterplättchen auszuführende Herstellungsschritte.
Im allgemeinen werden Halbleiter-Bauelemente, beispielsweise
Transistoren unter Benutzung einer als Leiterrahmen bezeichneten Metallplatte hergestellt. Der Leiterrahmen
zur Herstellung von beispielsweise 25 Transistoren enthält 25 Leitereinheiten mit gleichem Muster, das wiederholt
in einem Band angeordnet ist. Jede Leitereinheit weist drei zueinander parallele Leiter auf. An der Spitze
des mittleren Leiters wird ein Halbleiterelement (Plättchen) mittels Goldfolie befestigt, während die Enden der
restlichen Leiter über einen feinen Draht mit den Elektroden des Plättchens verbunden werden. Die Enden der
Leitereinheit, die die Verbindungsdrähte umfassen, und
das Plättchen werden in Harz vergossen und die aus dem Harz hervorstehenden Leiterteile werden mit Lötmittelschichten
abgedeckt. Darauf werden die Rippen und Stege, die die Leiter Jeder Leitereinheit miteinander und die
Leitereinheiten untereinander verbinden, abgeschnitten, so daß einzelne Transistoren entstehen. Die so hergestellten
Transistoren werden in einer automatischen Einrichtung nach ihren Kenndaten aussortiert und mit die
Qualitätsklasse angebenden Kennzeichen versehen.
Dieses Herstellungsverfahren, das abschnitte- oder chargenweise durchgeführt wird, wobei ein Leiterrahmen mit
25 Leitereinheiten für 25 Halbleiter-Bauelemente verwendet wird, hat folgende Nachteile:
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1. In jedem Verfahrensschritt ist ein Magazin zur Aufnahme
des Leiterrahmens zur leichten Handhabung desselben erforderlich.
2. Der Leiterrahmen kann leicht verformt werden oder am
Magazin verklemmen, wenn er in dasselbe eingebracht oder aus demselben herausgenommen wird, so daß die Fehlermöglichkeiten
beim Zusammenbau verhältnismäßig hoch sind.
3. Da mehrere Transfer-Formmaschinen zum Vergießen mit Harz verwendet werden, ist das Eingeben und Herausnehmen des
Leiterrahmens schwierig. Wird der Vorgang des Eingebens und Herausnehmens automatisiert, so sind für die Lade-
und Entnahmeeinrichtung komplizierte und teure Mechanismen erforderlich.
4. Wenn die einzelnen Transistoren zu einer Wähleinrichtung geschickt werden, so müssen sie in bestimmter V/eise angeordnet
und ausgerichtet sein. Außerdem können sich die Leiter oder Anschlußdrähte leicht verbiegen, v/enn voneinander
getrennte Transistoren zur Wähl- oder Sortiereinrichtung gebracht werden.
Zur Vermeidung der vorstehenden Nachteile wurde bereits ein Verfahren vorgeschlagen, nach dem auf eine Rolle gewickeltes
Leiterrahmenband verarbeitet wird. Die Erfindung ist ebenfalls auf ein Herstellungsverfahren gerichtet, bei
dem bandförmiges Lei terrahmenma ter ial verwendet wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Mangel und
Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden. Insbesondere soll ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen
angegeben werden, das mit möglichst wenig Arbeitsschritten auskommt, bei dem zur Verminderung der Gerätekosten
kein Magazin erforderlich ist und bei dem zur Erleichterung der Überwachung des Produktionsganges, zur
Erhöhung der Zusammenbaugeschwindigkeit und zur Verbesserung
der Ausbeute beim Zusammenbau Bildung und Aufbau der Halbleiter-Bauelemente automatisiert werden kann.
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Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Leiterrahmenband verwendet, das kontinuierlich den einzelnen Stufen oder
Schritten des Herstellprozesses zugeführt wird, so daß ein kontinuierlicher Produktionsgang entsteht. Bei der Hitzehärtung
nach dem Vergießen wird das um eine Rolle gewickelte Bandmaterial in einem Chargenprozeß einer Wärmebehandlung
unterworfen. Beim Sortieren wird die Baueleraentcharge durch Schneiden in einzelne Elemente getrennt, bevor die Kennwerte
gemessen v/erden und die einzelnen Bauelemente beispielsweise einer automatischen Weiterverarbeitungseinrichtung
zugeführt werden, während sie ähnlich oder gleich in vorbestimmter Weise angeordnet sind.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird also ein von einer Spule zugeführtes Leiterrahmenband zu einer Reihe
von IIerstcllun£sschritten weitergeführt. Nachdem die Plättchen und Drähte befestigt sind und nach dem Vergießen
mit Harz wird das Band auf eine Aufnahmespule aufgewickelt. Die Hitzehärtung erfolgt bei auf die Spule aufgewickeltem
Leiterrahmenband. Das von der Spule abgewickelte Leiterrahmenband wird zu einzelnen Halbleiter-Bauelementen zerschnitten,
worauf die Kennwerte gemessen und die so hergestellten Bauelemente klassifiziert und sortiert werden,
wobei die Stellungen der Bauelemente beibehalten werden, wie sie beim Schneiden bestanden. Das erfindungsgemäße
Verfahren umfaßt demzufolge eine geringere Anzahl von Arbeitsschritten, so daß die Herstellungskosten vermindert
und die Arbeitsgeschwindigkeit erhöht wird.
Anhand des in der Zeichnung dargestellten bevorzugten
Ausführungsbeispiels wird die Erfindung näher erläutert. Die Pig. 1a bis 1d zeigen einzelne Arbeitsschritte eines
erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen.
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In den Figuren sind die links oder rechts oberhalb der jeweiligen Vorrichtungen gezeigten Teile die an diesen
Vorrichtungen nach den einzelnen Arbeitsschritten hergestellten Teile.
Pig. 1a zeigt zwei Leiterrahmen-Zuführeinrichtungen 1, zwei
Plättchen-Bcfestigungseinrichtungen 2 und zwei Draht-Befestigungseinrichtungen 3. Hinter den Drahtbefestigungseinrichtungen
3 folgen eine Harz-Vergießmaschine (Transfersprit zmaοchine) 4 und ein Aufnahmespulen-Gerüot 5 mit
zwei Aufnahmespulen 19. Zwei Leiterrahmenbänder 6 und 7 verlaufen zwischen den Leiterrahmen-Zuführeinrichtungen
1 und dem Aufnahmespulen-Gerüst 5. Die Leiterrahraenbänder
6 und 7 werden durch die jeweils zugehörigen Plättchen- und Draht-Befestigungseinrichtungen 2 und 3 und zwischen
der Ober- und Unterform der Harz-Vergießmaschine 4 hindurchgeführt. Die Leiterrahmenbänder 6 und 7 sind in
Form von Spulen an der Leiterrahraen-Zufuhreinrichtung
1 befestigt. Die Form des Leiterrahmenbandes 6, 7 ist in Fig. 1a gezeigt. Das Band besteht aus aneinandergereihten
Leiterrahmeneinheiten 9. Jeder Leiterrahmen 9 weist drei zueinander parallele Leiter 10, einen Steg 11,
der die Enden der Leiter 10 miteinander verbindet und senkrecht zu diesen verläuft, und einen Steg 12 auf, der
die Leiter 10 in der Nähe ihrer anderen Enden miteinander verbindet und parallel zum Steg 11 verläuft. Gemäß Fig.
sind die freien Enden der Leiter 10 verbreitert; sie dienen als Plättchen-Befestigungsteil 13 und als Dralrt-Befestigungsteile
14. In den Steg 11 jeder Leiterrahmeneinheit 9 ist ein Führungsloch 15 geschnitten; die Führungsstifte
der jeweiligen Einrichtungen passen in die Löcher 15 des Bandmaterials 6, 7, so daß dieses schrittweise
vorwärtsbewegt werden kann.
Während sich das Bandmaterial 6, 7 vorwärtsbewegt, werden Halbleiter-Bauelemente (Plättchen) 16 mit je einer
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Transistorschaltung an den Plattehen-Befestigungsteilen
13 mit Hilfe der Plättchen-Befestigungseinrichtungen 2 angebracht. Die Draht-Befestigungseinrichtungen 3 verbinden
mittels feiner Drähte 17 die Elektroden der Plättchen 16 mit den Draht-Befestigungsteilen 14. Die
so bearbeiteten Leiterrahmeneinhoiten 9 werden dann zum
Tisch der Ilarz-Vergießmaschine 4 gebracht und zeitweilig
zwischen der unteren, am Tisch und der oberen, am Matrizenrahmen der Maschine 4 angebrachten Form befestigt.
Darauf werden das Plättchen 16 und die Drahtanschlußteile 13 und 14 vor den Stegen 12 der Leiter 10 dick mit
Harz bedeckt. Das hierbei entstehende Bauelement ist rechts oben von der Harz-Vergießmaschine 4 gezeigt; das
Plättchen 16 ist mit Harz 18 bedeckt. Nach dem Vergießen wird das Bandmaterial 6, 7 auf Spulen 19 des Aufnahmespulen-Gerüsts
5 aufgewickelt.
Das auf Spulen 19 gewickelte Bandmaterial 6, 7 wird dann in einen Brennofen 20 eingebracht, in dem die Spulen 19
gemäß Fig. 1b übereinander gestapelt werden. Die Spulen werden für einige zehn (z.B. 16) Stunden gebrannt, so
daß das Formharz aushärtet.
Das Bandmaterial 6 wird nach dem Brennen von der Spule 19 abgev/ickelt, nachdem diese auf einem Zuführgerüst 21
(Fig. 1c) befestigt ist. Nachdem unerwünschte, an den Leitern anhaftende Harzrückstände mittels einer Abflammmaschine
22 entfernt sind, wird der die Leiter 10 miteinander verbindende Steg 12 mittels einer Steg-Schneideinrichtung
23 weggeschnitten. Darauf werden in einer Loteinrichtung 24 die nicht mit Harz abgedeckten Teile
der Leiter 10 mit einem Lötmittelfilm abgedeckt. Das so behandelte Bandmaterial 6 wird wiederum auf eine Spule
25 eines Aufnahmespulen-Gerüsts aufgewickelt, die an der Löteinrichtung 24 befestigt ist.
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Das auf die Spulen 25 gewickelte Bandmaterial 6, 7 wird in eine Sortiereinrichtung eingesetzt, die die Stege
schneidet, die Kennwerte mißt und die Bauelemente markiert und klassifiziert (Fig. 1d). Während das Bandmaterial
6, 7 abgewickelt wird, werden die die Leiter 10 verbindenden Stege 11 mittels einer Steg-Schneideinrichtung
27 weggeschnitten, so daß einzelne, voneinander getrennte Transistoren 28 anfallen. In Kennwert-Meßabschnitten
29 und 30 v/erden die Kennwerte der einzelnen Transistoren 28 gemessen. Entsprechend den Ergebnissen
der Messung in den Abschnitten 29 und 30 werden in Markierabschnitten 31 und 32 Markierungen auf die Harzköpfe
18 aufgedruckt und die bedruckten transistoren werden in einem Brennabschnitt 33 gebrannt, um die Markierungen
dauerhaft zu machen. Die Transistoren 28 v/erden schließlich in einer Klassifizierstation 34 klassifiziert
und in Behälter 35 eingebracht.
Da sich bei dieser Ausführungsform des erfindungogemäßen
Verfahrens die Übertragungsgeschwindigkeiten beim Sortieren und Löten von der beim zeitaufwendigen* Brennen
unterscheiden müssen, kann das Bandmaterial nicht kontinuierlich vom Ausgangsschritt zum letzten Schritt übertragen
werden. Das Bandmaterial kann jedoch kontinuierlich durch die verschiedenen Arbeitspchritte hindurchgeführt
werden, so daß der Wirkungsgrad der Herstellung und die Arbeitsgeschwindigkeit verbessert werden können. Weitsr
kann die gesamte Herstellvorrichtung billiger ausgeführt werden, da spezielle Ein- und Ausgabeeinrichtungen für
die verschiedenen Geräte überflüssig sind. Da die Leiterrahmen in Form von Bandmaterial vorliegen, kann die
Gefahr, daß sich der Rahmen verbiegt und daher in den einzelnen Einrichtungen der Anlage verhängt und so zu
Fehlern führt, beträchtlich vermindert werden, so daß das Herstellverfahren ohne Störungen ablaufen kann.
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Weiter ist bei dieser Ausführungsform das Bandmaterial zur Zwischenspeicherung auf eine Spule aufgev/ickelt, die
eine große Anzahl von Leiterrahmeneinheiten aufnehmen kann. Daher hat das erfindungsgemäß arbeitende System
auch bei einer kleinen Anzahl von Spulen eine weit größere Aufnahmefähigkeit als das herkömmliche, bei dem
viele Magazine verwendet werden, so daß das erfindungsgemäßo System überaus wirtschaftlich ist.
Erfindungsgemäß wird das Bandmaterial kontinuierlich der
Klassifikation nach den Kennwerten zugeführt und in einzelne Transistoren aufgetrennt, und zwar unmittelbar vor
der Messung der Kennwerte, so daß sich die einzelnen Transistoren nicht zufällig ausrichten können. D.h.,
sie befinden sich von seibet in der gewünschten Stellung.
Entsprechend brauchen die Transistoren für die Messung der Kennwerte nicht besonders ausgerichtet zu werden, was
bei dem herkömmlichen Verfahren wesentlich ist, so daß die Ausbeute bei der Herstellung weiter verbessert werden
kann. Es ist praktisch unmöglich, daß sich die Leiter in den entsprechenden Einrichtungen der Anlage verhängen
und verbogen werden.
Die Erfindung ist nicht auf das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel beschränkt, vielmehr sind vielerlei
Abwandlungen möglich. Wird beispielsweise eine Verpackungsmaschine
in das System eingeführt, so kann der gesamte Prozeß vom Ausgangsraaterial zum Endprodukt automatisiert
werden.
Die Erfindung ist weiter außer auf Transistoren auf die Herstellung bzw. den Zusammenbau beliebiger elektronischer
Teile anwendbar.
Da erfindungsgemäß das Bandmaterial unmittelbar nach der Befestigung der Drähte auf eine Spule aufgewickelt wird,
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können sich infolge des beim Aufwickeln ausgeübten Druckes die Drähte verbiegen, so daß sie unerwünschte Teile berühren,
Das Bandmaterial darf daher nach den Anbringen der Drähte nicht vor dem Vergießen aufgewickelt werden.
Um die Arbeitsergiebigkeit zu erhöhen, können viele Bänder
bearbeitet werden, indem eine Kombination aus vielen Plättchen-Befestigungseinrichtungen und einer gemeinsamen
Vergießmaschine verwendet wird.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von
Halbleiter-Bauelement en wird also der Leiterrahmen in Form
eines Bandes verarbeitet. E3 werden mehrere Bänder gleichzeitig
bearbeitet, so daß die Anzahl der Fabrikationsschritte verringert werden kann. Die Arbeitsge3chwindigkeit
kann erhöht werden, die Betriebsfälligkeit der verschiedenen
Vorrichtungen wird verbessert und die Überwachung der Produktion wird erleichtert.
Weiter werden erfindungsgemäß nicht viele Magazine verwendet wie bei dem herkömmlichen Verfahren, so daß das erfindungsgemäße
Verfahren mit geringeren Kosten betrieben werden kann. Die gleichzeitige Übertragung vieler Leitereinheiten
gewährleistet eine hervorragende Verarbeitbarkeit.
809810/0756 DE/mo
Claims (7)
- MARtAHlLFPLATZ 2*3. MÖNCHEN OO POSTADRESSE: POSTFACH 95 016O, O-80OO MÜNCHEN 969 *7 *ϊ Q Π4 f vOUt IKARL LUDWtO SCHIFFDIPL. CHEM. OR. ALEXANDER v. FÜNERCHPL. INQ. PETER STHtMLCMPL. CHEM. DR. URSULA SCHOOEUMOPFDIPL. ING. DIETER EOBINOHAUSDR. INO. DIETER FINCKTELEFON (OSO) 4B9OI4TELEX 5 33BOS AURO OTELEGRAMME AUROMARCPAT MÜNCHENHITACHI, LTD.DA-I4I8I23. August 1977Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-BauelementenPatentansprüche;Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, dadurch gekennzeichnet ,a) daß aufeinanderfolgend Plättchen auf wenigstens einem Leiterrahmenband befestigt werden, das aus einer Reihe von wiederholt gleichen Mustern aus Leiterrahmeneinheiten besteht und von wenigstens einer Spule zugeführt wird,b) daß zur Verbindung der Elektroden jedes Plättchens mit den Leitern jeder Leiterrahmeneinheit Drähte befestigt werden,809810/0756ORIGINAL INSPECTEDc) daß die Drahtbefestigungsteile der Plättchen und die Leiter mit Harz vergossen werden,d) daß das Leiterrahmenband auf eine neue Spule gewickelt wird,e) daß die aufgewickelten, mit Harz vergossenen Leiterrahmen gebrannt werden,f) daß zum Abdecken der aus der Harzvergußmasse herausragenden Leiter mit Lötmittel gelötet wird,g) daß das Leiterrahmenband in einzelne Halbleiter-Bauelemente geschnitten wird, undh) daß die Kennwerte jedes Halbleiter-Bauelements gemessen und die Bauelemente klassifiziert und markiert werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennze ichn e t , daß vor dem Vergießen mehrere parallele Linien vorgesehen sind, bei denen je Plättchen und Drähte befestigt werden, wobei mehrere Leiterrahmenbänder in den jeweiligen Linien beim Vergießen in eine Linie zusammengeführt werden.
- 3· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennze ichn e t , daß jede Leiterrahmeneinheit (9) mehrere parallele Leiter (10), einen die Enden der Leiter (10) miteinander verbindenden, sich senkrecht zu den Leitern (10) erstreckenden Steg (11) und einen Steg (12) aufweist, der in der Nähe der freien Enden der Leiter (10) diese miteinander verbindet und sich parallel zu dem ersten Steg (11) erstreckt.809810/0756
- 4. Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennze lehnet, daß die freien Enden der leiter (10) verbreitert sind und als Plättchen-Befestigungsteile (13) und als Drahtbefestigungstelle (14) dienen.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Führungsloch (15) in jede Leiterrahmeneinheit (9) geschnitten ist und Führungsstifte der in den einzelnen Verfahrensschritten angewendeten Einrichtungen in die Führungslöcher (15) der LeiterrahmenbSnder (6, 7) zur schrittweisen Übertragung derselben passen.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß da8 Vergießen mit Harz auegeführt wird, indem das Leiterrahmenband (6, 7) zwischen einer oberen und einer unteren Form hindurchgeführt wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Messung der Kennwerte, die Klassifizierung und Markierung der Halbleiter-Bauelemente mit unveränderter Ausrichtung derselben ausgeführt wird.Beschreibung 809810/0756
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104884906A (zh) * | 2012-12-20 | 2015-09-02 | 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司 | 用于对传感器电路进行检查的方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58134A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4646009A (en) * | 1982-05-18 | 1987-02-24 | Ade Corporation | Contacts for conductivity-type sensors |
NL8203253A (nl) * | 1982-08-19 | 1984-03-16 | Arbo Handel Ontwikkeling | Werkwijze en inrichting voor het met kunststof omhullen van elektronische componenten. |
JPS62169334A (ja) * | 1986-12-24 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の組立方法 |
JPS63207160A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体部品製造装置 |
JPH01144636A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
JPH03123044A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造装置 |
DE4039037C1 (en) * | 1990-12-07 | 1992-02-20 | Semikron Elektronik Gmbh, 8500 Nuernberg, De | Mfg. electronic components using conductor frame - providing retaining strips in parallel with connecting tags and encapsulating chip, solder metal and contact strap |
JP2811613B2 (ja) * | 1991-09-02 | 1998-10-15 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品の製造方法及び装置 |
EP0562556A1 (de) * | 1992-03-24 | 1993-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Herstellungsverfahren einer in Harz eingebetteten Halbleitervorrichtung |
JP2789019B2 (ja) * | 1994-06-07 | 1998-08-20 | 京都電線株式会社 | 電源用プラグ |
JP3870301B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2007-01-17 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の組立法、半導体装置及び半導体装置の連続組立システム |
JPH10163237A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-19 | Texas Instr Inc <Ti> | 改良した集積回路チップ・パッケージング方法 |
US6003369A (en) * | 1997-05-19 | 1999-12-21 | Continental Teves, Inc. | Method for manufacturing encapsulated semiconductor devices |
US20050283266A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Geraci Gwen R | Method and system for providing unit level traceability of semiconductor die |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1564354A1 (de) * | 1965-10-22 | 1969-09-11 | Motorola Inc | Metallteil fuer Halbleiter-Bauelemente |
DE2138797A1 (de) * | 1970-08-03 | 1972-02-24 | Motorola Inc | Verfahren zum Verarbeiten von Kontakt rahmen beim Montieren von Halbleiterplattchen |
DE1564855B2 (de) * | 1966-06-15 | 1974-08-29 | Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm | Verfahren zur Herstellung von Kontaktierungsstreifen für Halbleiterbauelemente |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2953840A (en) * | 1957-09-20 | 1960-09-27 | Allen Bradley Co | Electrical circuit component and method of producing same en masse |
US3444441A (en) * | 1965-06-18 | 1969-05-13 | Motorola Inc | Semiconductor devices including lead and plastic housing structure suitable for automated process construction |
US3537175A (en) * | 1966-11-09 | 1970-11-03 | Advalloy Inc | Lead frame for semiconductor devices and method for making same |
JPS493315B1 (de) * | 1970-09-28 | 1974-01-25 | ||
JPS5079264A (de) * | 1973-11-12 | 1975-06-27 |
-
1976
- 1976-08-25 JP JP10063776A patent/JPS5326670A/ja active Pending
-
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- 1977-08-23 DE DE2738021A patent/DE2738021C2/de not_active Expired
- 1977-08-23 US US05/827,091 patent/US4173821A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1564354A1 (de) * | 1965-10-22 | 1969-09-11 | Motorola Inc | Metallteil fuer Halbleiter-Bauelemente |
DE1564855B2 (de) * | 1966-06-15 | 1974-08-29 | Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm | Verfahren zur Herstellung von Kontaktierungsstreifen für Halbleiterbauelemente |
DE2138797A1 (de) * | 1970-08-03 | 1972-02-24 | Motorola Inc | Verfahren zum Verarbeiten von Kontakt rahmen beim Montieren von Halbleiterplattchen |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104884906A (zh) * | 2012-12-20 | 2015-09-02 | 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司 | 用于对传感器电路进行检查的方法 |
CN104884906B (zh) * | 2012-12-20 | 2017-03-15 | 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司 | 用于对传感器电路进行检查的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4173821A (en) | 1979-11-13 |
DE2738021C2 (de) | 1982-06-16 |
JPS5326670A (en) | 1978-03-11 |
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