DE1515318A1 - Einrichtung zur Herstellung duenner Schichten auf einem Traeger mittels Ionenstrahl-Zerstaeubung - Google Patents

Einrichtung zur Herstellung duenner Schichten auf einem Traeger mittels Ionenstrahl-Zerstaeubung

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DE1515318A1
DE1515318A1 DE19641515318 DE1515318A DE1515318A1 DE 1515318 A1 DE1515318 A1 DE 1515318A1 DE 19641515318 DE19641515318 DE 19641515318 DE 1515318 A DE1515318 A DE 1515318A DE 1515318 A1 DE1515318 A1 DE 1515318A1
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Germany
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ion beam
target
substrate
axis
continuously
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DE19641515318
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English (en)
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Dresden-Weisser Hirsch
Von Ardenne Dr H C Manfred
Schiller Dipl-Phys D Siegfried
Heisig Dipl-Phys Ulrich
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HERMSDORF KERAMIK VEB
Keramische Werke Hermsdorf VEB
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HERMSDORF KERAMIK VEB
Keramische Werke Hermsdorf VEB
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching

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Description

909831/1104'
BAD ORIGINAL
Verwendete Eesugezeicheni ' v
1 Iononcuolle
2 Isolator . . - .
3 · Beschleunigungeraua ' 3' Trennwand ' * - · ■' . . . "
4 Anschluß - · · "·■ . -\'
5 Subotratraufa -v- , ■
·.'- 6 Anschluß ··"-;.- ; " V
7 Gaselnlaßventii . ' '"■'■
8 Abseugelektrode .·'-'
9 Ionenstrahl . .; Strbmtihgewideretand ;.
.11 Target. · ··, .,'
, .13 Pokueslereljirlchtiinig V1^ /-.,·:.; .:'.;-. c.·1';;
.·.': 14 teilchen ■'■■■-'Ä';;."· -' '-''''^. ·''-r'·'. S"
"15 i Meßauffängejp .·: :■"-■ ' ■ ·;- . :-*-.:-V' \ .·■ «i,":"*'.'";:
^; 18 Targethalter ;. - '", ':.'/.
; 19 Subetratlmlterung..
: 20 Heizung . \ ■ : !...--
ZX Spur-'- . \'\ V1" v'"" -'' ;
-22 Ionen« tranldurohmeaeer
9ΐ>983ί/ίίθ*

Claims (1)

1 5 1 5 ? 1 8
Patentansprüche: . .
1« Einrichtung sur Herstellung dünner Schichten auf einem ■ Träger mittels lonenstrahl-Zerstäubung, dadurch gekennzeichnet, daß eine Ionenquelle (1)». vorsugsvs/eiee eine Duoplasmatron-Ionenquelle an einem Beschleunigungoraum (3) angeordnet ist, der über einen Strömungswiderstand (10), vorzugsweise ein Rohr» mit einera gesondert evakuierbarem
■ Substratraum (5) verbunden ist, in dem außer einem, zn - · .-."■.-
■ .zerstäubenden Target (11) und dem Substrat <12) ein ließ-
' auffänger (15) angeordnet ist, und daß das Target (11) ■· kontinuierlich oder diskontinuierlich senkrecht "zur ". t : · ·,. -Achse dee lone not rallies (9) vorschiebbar ist uad daß . - außerdem die Substrate C5) einzeln oder zu raehreren» kon-/ tinuierlich oder diskontinuierlich senkrecht zur Achse ,. dee lonenstrahles (9) verschiebbar sind., ."".·.--,- . .'
2, Einrichtung nach, Anspruch 1r dadurch gekennzeichnet, daß' . ν "in dem Besohleunigungsraum (3) eine elektroatatischo V" . oder eine eiektromagnetische Pokuösiereinrichtung (13). . " angeordnet ist»/ / * ·. ...";·
3* Einrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2* dadurchr göltenn-, zeichnet» daßder Strömungswiderstand (10) in seineffl
Querschnitt quadratisch» rechteckig oder in einer anderen ' Querschnittsform entsprechend der Form und Fokussierung des. lonenstrahles (9) ausgebildet ist» -. *. ·
. .909831/1104 ' ~ 13 "
- BAD ORIGINAL
4« Einrichtung nach, den Anspruches 1 bia "3, dadurch '.. zeichnet, daß an den Substratrauai (5) ein Gaaeinlsßven-
;^v til:(7) angeordnet ist, ι;*ΐ^!"^νί.;','"»C:>.\ --'-,V1V-,'-'''' ;■·;*""■
5«; Einrichtung nach den Ansprüchen t. bier At dadurets gekenn« >x*. eeichnet, daß der Meßauffänger C|5T außerhalb der Jonen· 'V etrahlachse nahe dem Strömungßwlderstand (10) im Substrat-» •i-'raum (5) angeordniBt- und nur.jtuaj Zeitpunkt <3er Kessung ;:"■'. in die lonenatrahlaehce bewegbar let.. ' . ■ .
6i Einrichtung nach den Aneprüchen 1 bia 5, dadurch geicenn- ■ si zeichnet, daß der Ionenstrahl (9) mittels eines ma^ne-» -.: tischen oder elektrostatlechen. Wnlenk'feXdeB'(17) csiilv.else >;. eof dae Target (11) oder daa Substrat (12) ablenkbar ist.
Einrichtung nacii Anspruch 1, dadurch gekeiinzeichnet, · · ;. '-j., daß das Target (11) mittels einer'Kühlung (16) oder Λv, einer Heizung.auf konstanter Teaperatur gehalten ist·
.8· Einrichtung nach den Ansprüchen 1 bia 7, dadurch gekenn·' ; . zeichnet* daß der Durchmesser des Ionenstralilea (9) -.den Abnessungen des .Substrates (12) entspricht und dsO
" der Abstand des Targets (11) vom Substrat (12) einige ;-.;· Zentimeter, vorzugsweise drei 2entiraeter, gewähl't ist*
90-9831/110* ■ . , BAD0RiemAL
9. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Target (11) zur Achse des Ionen-Strahles (9) ta ca, 45° geneigt angeordnet ict.
10. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 und 9» dadurch /gekennzeichnet, daß der Ionenstrahldurchxneaser auf dem Target (11) klein gegenüber den Substratabmessungen und/oder daß der Ionensträhldurchraeaaer klein gegenüber dem Abstand zwischen dem Substrat (12) und dem Target (11) ist. ?
11. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrathalterung (19) mit einer elektrischen Heizimg (20) ver3ehe~n ist.
DE19641515318 1964-12-28 1964-12-28 Einrichtung zur Herstellung duenner Schichten auf einem Traeger mittels Ionenstrahl-Zerstaeubung Pending DE1515318A1 (de)

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GB (1) GB1089967A (de)

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GB1089967A (en) 1967-11-08

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