DE2305359C3 - Vorrichtung zur reaktiven Aufdampfung dünner Schichten auf Unterlagen - Google Patents
Vorrichtung zur reaktiven Aufdampfung dünner Schichten auf UnterlagenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine mit einer zwei Elektroden als Mittel zum Ionisieren des Gases aufweisenden
Einrichtung ausgestattete Vakuumaufdampfeinrichtung zum reaktiven Aufdampfen dünner Schichten auf
Unterlagen, bei der das Gas in die mit einer Verdampfungseinrichtung versehene Aufdampfkammer
ober eine Vorkammer gelangt, welche mit der Aufdampfkammer über eine Gasdrosselstelle strömungsmäßig
in Verbindung steht.
Es ist ein Verfahren zi.i· Hers ellung von dünnen
Schichten bekannt, bei dem in einer Vakuumaufdampfanlage ein Stoff in Anwesenheit ein· mit diesem Stoff
chemisch reagierenden Atmosphäre verdampft und auf den zu beschichtenden Gegenständen eine Schicht
niedergeschlagen wird, welche der aus der erwähnten chemischen Reaktion resultierenden chemischen Verbindung
entspricht. Hauptsächlich wurde dieses Verfahren bisher angewendet, um beim Aufdampfen von
oxydierbaren Substanzen in einer Sauerstoffatmosphäre geringen Druckes Oxidschichten zu erzeugen; aber
auch Schichten aus anderen Verbindungen, z. B. Nitriden, Sulfiden können so hergestellt werden.
Bemerkenswert ist, daß viele der auf diesem Wege erhältlichen Schichten praktisch absorptionsfrei sind,
wogegen man oft eine erhebliche, für viele Anwendungen sehr störende Lichtabsorption in Kauf zu nehmen
hat, wenn man dieselben an sich absorptionsfreien Verbindungen direkt aufzudampfen versucht. Letzteres
führt nämlich erfahrungsgemäß sehr häufig zu einer teilweisen Zersetzung der verdampften Verbindungen.
K) daß Niederschläge anderer chemischer Zusammentetzung (z. B. bei der Verdampfung von Oxiden
Suboxide) entstehen.
Dem Verfahren der reaktiven Aufdampfung in einer ionisierten Atmosphäre wurde in letzter Zeit wieder
mehr Aufmerksamkeit geschenkt. Auch wenn es nicht auf höchste Absorptionsfreiheil ankommt, ist das
reaktive Aufdampfen in einer ionisierten Atmosphäre für die fabrikationsmäßige Herstellung dünner Schichten
interessant, Weil es — wie Versuche gezeigt haben — auf diese Weise gelingt, harte und hafifeste Schichten
mit größerer Aufdampfgeschwindigkeil Und bei besseferfi
Vakuum, als bisher möglich War, herzustellen.
Das Verfahren der reaktiven Aufdampfung ist z. B, in
der DE-PS 11 04 283 näher beschrieben worden. Daraus
ist bekannt, die reaktive Aufdampfung in einer Atmosphäre durchzuführen, weiche Ionen des verbindungsbildenden
Gases enthält. Es ist bekannt, zu diesem Zweck in der Aufdampfkammer ein Gasentladungsgeü
faß vorzusehen, dessen Wand eine öffnung aufweist,
durch weiche das ionisierte Gas in den Aufdampfraum austreten kann.
Aus der belgischen Patentschrift 7 66 345 ist eine Vakuumaufdampfeinrichtung bekannt, welche eine
in mittels einer sie umgebenden Spule hochfrequenzbeheizte
Verdampfungskammer aufweist, durch welche Gas über eine Drosselstelle in den Aufdampfraum
eingeführt wird. Zur Zündung der Gasentladung in der Verdampfungskammer ist eine Zündelektrode vorgese-
lü Fien, die vom Aufdampfraum in die Verdampfungskammer
hineinragt.
Der in Anspruch 1 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung anzugeben, mit
welcher eine solche reaktive Aufdampfung von Schichten in ionisierter Atmosphäre mit wesentlich
höherem Wirkungsgrad als bisher durchgeführt werden kann, derart, daß sie geringstmögliche Absorption
besitzen, so daß sie z. B. Lichtströmen höchster Intensität ausgesetzt werden dürfen.
2ii Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß die eine als Hochspannungselektrode ausgebildete Elektrode entweder in der Vorkammer angeordnet
oder durch die Innenwand derselben gebildet ist und die dazugehörige Gegenelektrode durch die Wand der
3d Aufdampfkammer und/oder durch die Haltevorrichtung für die Unterlagen gebildet ist.
Der durch die Lösung der Aufgabe bewirkte technische Fortschritt beruht wahrscheinlich darauf,
daß im Bereich der zu beschichtenden Gegenstände in
3i> der Aufdampfkammer eine wesentlich größere Ionendichte, als bisher möglich war. erzielt wird. Dies
wiederum ist wahrscheinlich darauf zurückzuführen, daß das reaktive Gas in der Aufdampfkammer vom
gesamten Entladungsstrom durchflossen wird, der mehrere Ampere betragen kann; dies im Gegensatz zu
bekannten Anordnungen, bei denen die F.ntladung zwischen zwei Elektroden in einer besonderen, vom
Aufdampfraum abgetrennten Gasentladungszelle statt findet und lediglich ein kleiner Teil der in dieser
4«. Entladung erzeugtm Ionen durch eine Öffnung in der
Wand der Zelle in den Aufdampfraum gelangen kann.
F i g. I zeigt schematisch eine mit einer Gasionisierungseinrichtung
ausgestattete Vakuumaufdampfeinrichtung;
F i g. 2 zeigt die Ausgestaltung der Vorkammer;
F i g. 2a zeigt die Ausbildung der (jasströmungsdrosselstelle;
rig. i zeigt schematisch eine weitere Ausgestaltung
der Vorkammer in Verbindung mil der Aufdampfkam mer
In Fig. I bezeichnet 1 die (ilocke und 2 die
Grundplatte einer Vakuiimaufdampfcinrichtung. mit
einer Verdampfungseinrichtung 3 und einer Haltevorrichtung 4 für die /u bedampfenden Unterlagen 5. An
6Ci die Aufdampfkammer sind die Vakuumpumpen b und
dieüaszuführungsleitung 7 anges.ehlubi.en.
Mit einer solchen Aufdampfeinrichtting kann das bekannte Verfahren des reaktiven Aufdampfens durchgeführt
werden, indem nach Einbringen der zu
65· bedampfenden Gegenstände die Anlage evakuiert, bis
zu einem gewissen Druck (üblicherweise etwa 10-4
Torr) mit einem reaktiven Gas, z. U. mit Sauerstoff, gefüllt und dann die Verdampfung einer in der
Verdampfungseinrichtung 3 befindlichen, mit dem Gas reagierenden Substanz durchgeführt wird, wobei eine
Schicht aus dem Reaktionsprodukt auf den Unterlagen 5 niedergeschlagen wird.
Um nun eine solche reaktive Aufdampfung in einer ionisierten Gasatmosphäre ausführen zu können, ist die
Einrichtung zur Zuführung des reaktiven Gases beispielsweise gemäß F i g. 2 ausgebildet:
Das Gaszuführungsrohr 7 ist mit einer Vorkammer 8 verbunden, in der sich eine axial angeordnete rohrförmige
Hochspannungselektrode 9 befindet. Das Rohr 7 und die Wände der Vorkammer 8 können beispielsweise aus
Quarz oder Aluminiumoxid bestehen. Der Bodenteil 10, welcher die Vorkammer abschließt, ist als Spannungszuführung
und Haltevorrichtung für die Hochspannungselektrode 9 und gleichzeitig als Gaseiniaß in die
Vorkammer ausgebildet Zu diesem Zweck ist die Bohrung il vorgesehen, die sich durch den rohrförmigen
Elektrodenstab fortsetzt Das für die reaktive Aufdampfung erforderliche Gas wird aus einem
Behälter 17 über ein Ventil 18 (Fig. 1) durch die Bohrung 1 i und die Hochspannungselektrode 9 laufend
in die Vorkammer eingelassen und tritt bei 9a in diese ein. von wo es über das Gaszuführungsrohr 7 in die
Aufdampfkammer strömt Dabei wirkt das Gaszuführungsrohr 7 als Gasströmungsdrosselstelle; ist für die
Durchführung des Verfahrens im besonderen Falle nur eine sehr geringe Gaseinströmung in die Aufdampfkammer
erwünscht, dann kann man ein Gaszuführungsrohr 7 verwenden, dessen Ende geschlossen ist und lediglich
eine Bohrung 12 aufweist wie dies die Fig.2a vergrößert zeigt.
Um die Vorkammer 8 und das Gaszuführungsrohr 7 während des Betriebes kühlen zu können, sind beide von
einem Mantel 7a bzw. 8a umgeben. Es sind Anschlüsse 13 und 14 zur Durchleitung eines Kühlmediums durch
die Kühlmäntel vorgesehen. Ferner ist das Gaszuführungsrohr 7 mit einer elektrisch isolierenden Hülle 15
umgeben und ist ein Flansch 16 angebracht, um die beschriebene Einrichtung an eine Öffnung in der Wand
der Aufdampfkammer vakuumdicht anflanschen zu können, wie dies die F i g. I andeutet.
Zum reaktiven Aufdampfen wird das Reaktionsgas laufend in die Aufdampfkammer eingeführt und aus
dieser mittels der Pumpe 6 kontinuierlich in solchem Maße abgepumpt. d»ß in der Aufdams-fkammer gerade
der benötigte Druck der reaktiven Atmosphäre sich einstellt. Wird gleichzeitig an die Hochspannungselektrode
9 eine Hochspannung von beispielsweise tausend Volt angelegt, dann bildet «ich zwischen dieser und der
auf Erdpotential befindlichen als Gegenelektrode wirkenden Haltevorrichtung 4 für die zu bedampfenden
Gegenstände durch die Gasströmungsdrosselstelle hindurch eine elektrische Gasentladung aus, welche die
gewünschte Ionisation des reaktiven Gases der Aufdampfkiimmer ergibt. Fs hat sich gezeigt, daß es im
allgemeinen vorteilhafter ist, wenn die Elektrode in der Vorkammer auf negativem Potential liegt, doch kann
auch Wechselspannung verwendet werden, wobei wenigstens in der einen Halbwelle die gewünschte
Ionisierungswirkung in der Aufdampfkammer eintritt
Mit der beschriebenen Anordnung wurden mit Spannungen von 0,5 bis zu einigen kV und bei Vakuas im
Aufdampfraum von ungefähr 10-' bis 10 5 Torr
Entladungsstromstärken von 100 mA bis zu einigen Ampere erzielt
Die beschriebene Einrichtung läßt zu, daß die Hochspannungselektrode völlig außerhalb der Aufdampfkammer,
nämlich in einem abgeschirmten Gehäuse unterhalb der Grundplatte derselben, angeordnet
werden kann, so daß auch bei geöffneter Glocke I1 z. B.
beim Beschicken der Anlage mit dem zu beschichtenden Gut, keine Gefahr für das Bedienungspersonal besteht
In einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann die Innenwand der Vorkammer als Hochspannungselektrode
ausgebildet werden. In diesem Falle muß sie aus Metall bestehen und m,i der Hochspannungszuführung
elektrisch leitend verbunden sein. Eine solche Elektrode besitzt eine größere Fläche als die
rohrförmige Hochspannungselektrode 9 und kann deshalb eine größere elektrische Leistung der Gasentladung
auwiiehmen, ohne unzulässig stark erwärmt zu
werden.
Die Anordnung der Fig. 3 zeigt schematisch eine
andere Möglichkeit der Ausbildung de-i Gasentladungsraumes-Es
bedeutet 20 die Grundplatte und 21 die Glocke einer üblichen Aufdampf-Einrichtung. An der
Unterseite der Grundplatte ist. gegenüber dieser elektrisch isoliert, die Vorkammer 22 angesetzt. Die
Trennwand zwischen dem Raum 23 und dem Raum 24 wird durch eine Platte 25 aus einem elektrisch
isolierenden Werkstoff gebildet, in der sich die als Gasströmungsdrosselstelle wirkende Öffnung 26 befindet.
Elektrode und Gegenelektrode der Gasentladung können entweder wiederum durch die Wände der
beiden genannten Kammern 21 und 22 gebildet werden. Die F i g. 3 zeigt eine Einbauelektrode 27. Die sonstigen
Einrichtungen z. B. für den Gaseinlaß in die Vorkammer. Aufdampfeinrichtungen und Haltevorrichtungen für die
zu bedampfenden Gegenstände können in beliebiger Weise, z. B. entsprechend der Fig. 1. ausgebildet sein.
Wenn die zu bedampfenden Gegenstände im besonderen Falle nicht, wie in F i g. 1 skizziert, oberhalb
des als Gasströmungsdrosselstelle ausgebildeten Gaszuführungsrohres 7 angeordnet sind, sondern sich seitlich
der Verdampfungseinrichtung und des in die Aufdampfkammer hineinragenden Gaszuführungsrohres befinden,
dann kann auch die Bohrung 12 dementsprechend seitlich angebracht seiw. um einen auf die zu
bedampfenden Gegenstände zu gerichteten, ionisierten
Gasstrahl /11 erhalten.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Mit einer zwei Elektroden als Mittel zum Ionisieren des Gases aufweisenden Einrichtung ausgestattete Vakuumaufdampfeinrichtung zum reaktiven Aufdampfen dünner Schichten auf Unterlagen, bei der das Gas in die mit einer Verdampfungseinrichtung versehene Aufdampfkammer über eine Vorkammer gelangt, welche mit der Aufdampfkammer Ober eine Gasdrosselstelle strömungsmäßig in Verbindung steht, dadurch gekennzeichnet, daß die eine als Hochspannungselektrode (9) ausgebildete Elektrode entweder in der Vorkammer (8) angeordnet oder durch die Innenwand derselben gebildet ist und die dazugehörige Gegenelektrode durch die Wand der Aufdampfkammer und/oder durch die Haltevorrichtung (4) für die Unterlagen (5) gebildet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH327572A CH565869A5 (de) | 1972-03-06 | 1972-03-06 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2305359A1 DE2305359A1 (de) | 1973-09-13 |
DE2305359B2 DE2305359B2 (de) | 1975-07-17 |
DE2305359C3 true DE2305359C3 (de) | 1980-01-10 |
Family
ID=4252464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732305359 Expired DE2305359C3 (de) | 1972-03-06 | 1973-02-03 | Vorrichtung zur reaktiven Aufdampfung dünner Schichten auf Unterlagen |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5411798B2 (de) |
AT (1) | AT319007B (de) |
CH (1) | CH565869A5 (de) |
DE (1) | DE2305359C3 (de) |
FR (1) | FR2174967B1 (de) |
GB (1) | GB1394655A (de) |
NL (1) | NL151137B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5691437A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Preparation of metallized element |
GB2085482B (en) * | 1980-10-06 | 1985-03-06 | Optical Coating Laboratory Inc | Forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques |
JPS6115967A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面処理方法 |
JPS61177366A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-09 | Sharp Corp | 超微粒子分散基板の製造装置 |
US4888202A (en) * | 1986-07-31 | 1989-12-19 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing thin compound oxide film and apparatus for manufacturing thin oxide film |
-
1972
- 1972-03-06 CH CH327572A patent/CH565869A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-04-25 NL NL7205592A patent/NL151137B/xx not_active IP Right Cessation
-
1973
- 1973-02-03 DE DE19732305359 patent/DE2305359C3/de not_active Expired
- 1973-02-05 GB GB555773A patent/GB1394655A/en not_active Expired
- 1973-02-27 JP JP2274273A patent/JPS5411798B2/ja not_active Expired
- 1973-02-28 AT AT178673A patent/AT319007B/de not_active IP Right Cessation
- 1973-03-05 FR FR7307650A patent/FR2174967B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2174967B1 (de) | 1977-04-22 |
AT319007B (de) | 1974-11-25 |
JPS5411798B2 (de) | 1979-05-17 |
CH565869A5 (de) | 1975-08-29 |
NL151137B (nl) | 1976-10-15 |
GB1394655A (en) | 1975-05-21 |
FR2174967A1 (de) | 1973-10-19 |
JPS48102076A (de) | 1973-12-21 |
NL7205592A (de) | 1973-09-10 |
DE2305359B2 (de) | 1975-07-17 |
DE2305359A1 (de) | 1973-09-13 |
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