DE970970C - Einrichtung zum Herstellen von Oberflaechenschichten durch Verdampfen oder Sublimieren des UEberzugsstoffes im Hochvakuum - Google Patents
Einrichtung zum Herstellen von Oberflaechenschichten durch Verdampfen oder Sublimieren des UEberzugsstoffes im HochvakuumInfo
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Description
Zur Herstellung von dünnen Oberflächenschichten, wie sie insbesondere für optische Zwecke benötigt
werden, bedient man sich verschiedener Verfahren. Bei dem ältesten Verfahren, das beispielsweise
zur Belegung von Gläsern mit dünnen Oberflächen Verwendung findet, wird der Überzug
chemisch niedergeschlagen. Ihm folgte das Verfahren der Kathodenzerstäubung, das nun in
neuerer Zeit für fabrikationstechnische Zwecke durch das Aufdampfen der Überzugsstoffe im Hochvakuum
in großem Umfange abgelöst wurde. Bei
der Hochvakuumverdampfung von Metallen, Metalloiden oder Verbindungen sind folgende Gesichtspunkte
in der Praxis maßgebend.
In einem Hochvakuumraum, dessen Gasdruck zweckmäßig unterhalb von io~* mm Hg liegt, wird
der zu verdampfende Stoff — bei der Herstellung von Spiegeln meist ein Metall — auf so hohe Temperaturen
erhitzt, daß ausreichende Mengen in den Dampfraum übergehen, um durch Kondensation an
kälteren Stellen in technisch brauchbaren Zeiten dünne Oberflächenschichten aus dem verdampften
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Stoff zu erhalten. Ob dabei der zu verdampfende Stoff über seinen Schmelzpunkt erhitzt wird oder
nur unterhalb des Schmelzpunktes, indem beispielsweise Gebilde großer Oberflächen als Verdampfungsquelle
Verwendung finden, ist nicht ausschlaggebend; wesentlich ist nur, daß der Dampfdruck
des Metalls oder anderen Stoffes, der verdampft werden soll, genügend groß ist.
Bei den Verfahren, bei denen das Metall oder die ίο Verbindung über den Schmelzpunkt erhitzt werden
muß, benutzt man folgende Verdampfungsverfahren: Eine Wolframspirale wird mit dem zu verdampfenden
Stoff gefüllt und im Hochvakuum auf eine Temperatur erhitzt, bei welcher der eingefüllte
Stoff, insbesondere ein Metall, zum Schmelzen kommt und dann durch die zwischen den Windungen
der Spirale wirkenden Kapillarkräfte festgehalten wird und so wenigstens teilweise eine Parallelschaltung
zur Wolframspirale bewirkt. Durch die in die Spirale geschickte elektrische Energie
wird hierbei einerseits die Spirale erhitzt und andererseits das eingebrachte Metall durch den von ihm
verursachten Kurzschluß zwischen den Windungen noch zusätzlich erwärmt. Man kann die Spirale
auch so breit machen, daß keine Kapillarkräfte zwischen den Windungen wirken, sondern nur die
Oberflächenspannung des geschmolzenen Stoffes ausgenutzt wird und so die einzelnen Windungen
der Spirale von dem geschmolzenen Stoff benetzt werden. Ist der eingefüllte Stoff nun über die
Schmelztemperatur erhitzt, dann wird er im allgemeinen auch einen so hohen Dampfdruck aufweisen,
daß innerhalb brauchbarer Zeiten ein dünner Oberflächenbelag von ihm an den kälteren Stellen des
Vakuumraumes, die gegenüber der Verdampfungsquelle nicht abgeschattet sind, entsteht.
Das beschriebene Verfahren wird oft mit Vorteil so abgeändert, daß der verdampfende oder absublimierende
Stoff in ein Metallschiffchen gebracht wird, dessen Schmelzpunkt wesentlich über dem
dieses Stoffes liegt und der keine Reaktionen mit diesem eingeht oder dessen Innenwandung wenigstens
mit Materialien ausgekleidet ist, mit denen der zu verdampfende oder absublimierende Stoff
nicht reagiert.
Es ist ohne weiteres ersichtlich, daß bei dem zuletzt besprochenen Verfahren nur in Richtung der
Öffnung des Schiffchen verdampft werden kann. Da es sich aber sehr häufig um Stoffe handelt, die oberhalb
des Schmelzpunktes zu erhitzen sind, muß das Schiffchen mit der öffnung nach oben, und zwar in
horizontaler Lage, angeordnet werden, d. h. aber, daß man bei Verwendung eines solchen Schiffchens
einen Dampfstrahl nur in der Richtung von unten nach oben erzeugen kann. Bei dem zuerst besprochenen
Verfahren unter Verwendung einer Spirale besteht andererseits immer die Gefahr, daß Teile des
geschmolzenen Stoffes — beispielsweise infolge einer Erschütterung der Spirale oder einer zu großen
Ausbildung der Tropfen — abtropfen und die darunterliegenden temperaturempfindlichen Gegenstände
beschädigen. Um dies zu vermeiden, nutzt man im allgemeinen auch bei der Verwendung von
Spiralen nur den von unten nach oben laufenden Dampfstrahl aus.
Sollten nun Gegenstände serienmäßig mit Überzügen versehen werden, beispielsweise bei der Herstellung
von Oberfiächenspiegeln, dann wird aus Gründen der Wirtschaftlichkeit angestrebt, auch
entsprechend große Vakuumanlagen, z. B. mit einem Durchmesser von 1,5 bis 2 m, anzuwenden. Wenn
hierbei die zu überziehenden Gegenstände von mannigfacher Gestalt sind und teilweise auch kleine
Abmessungen umfassen, dann ist es außerordentlich schwierig — in manchen Fällen sogar unmöglich —,
die Gegenstände im Vakuumraum so anzuordnen, daß sie sich beim Aufdampfverfahren oberhalb der
Verdampfungsquelle befinden.
Die vorliegende Erfindung hat sich nun die Aufgabe gestellt, die Gegenstände bei der Bedampfung
unterhalb der Verdampfungsquelle anzuordnen, so daß sie beispielsweise auf einen Teller ohne zusätzliche
Halterungsvorrichtungen aufgelegt werden können. Dieses Ziel einer gut durchgeführten Fertigung
sollte erreicht werden, ohne daß die bisher mit der Verdampfung in Richtung von oben nach
unten auftretenden Nachteile, wie sie oben für die Verwendung von beheizten Drahtwendeln bzw.
Spiralen beschrieben wurden, in Kauf genommen werden müßten.
Es wurde gefunden, daß diese Aufgabe in überraschend einfacher Weise gelöst wird, wenn
man an das Verdampfungsverfahren aus Schiffchen anknüpft. In einem im Hochvakuum befindlichen
Schiffchen wird also der zu schmelzende oder abzusublimierende Stoff auf eine Temperatur erhitzt, bei
der ein genügend hoher Dampfdruck entsteht, um Gegenständen, die im Bereich des dabei sich ausbildenden
Atom- oder Molekülstrahles liegen, durch Kondensation mit dünnen Überzügen aus dem verdampften
Stoff zu versehen. Erfindungsgemäß werden nun zum Unterschied von dem bekannten Verfahren
der Verdampfung aus Schiffchen die zu überziehenden Gegenstände unterhalb des Schiffchens
angeordnet. Der aus dem Schiffchen zunächst nach oben austretende Atom- oder Molekülstrahl wird
durch eine oder mehrere beheizte Flächen in seiner Richtung so abgelenkt, daß er anschließend seinen
Weg von oben nach unten in Richtung auf die zu überziehenden Gegenstände fortsetzt.
Des weiteren hat man bereits den Vorschlag gemacht, bei einer Verdampfung bei relativ hohen
Drücken von etwa io~2 mm Hg oder mehr oberhalb
des Schiffchens Heizvorrichtungen anzuordnen. Hierdurch wurde der Dampfstrahl auf seinem Wege
zu dem zu beschichtenden Gegenstand wieder auf seine ursprüngliche Temperatur erhitzt, nachdem
er sich durch häufige Zusammenstöße seiner Atome mit den kühlen Molekülen des Gasrestes abgekühlt
hatte.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung ist darin zu sehen, daß die zu beschichtenden Gegenstände
unterhalb der Verdampfungsschiffchen angeordnet werden können, da die Molekülstrahlen eine Ablenkung
von annähernd i8o° erfahren. Dabei ist es überraschend, daß dies nicht mit einer Verschmut-
zung der zu vergütenden Oberfläche durch herabfallende Spritzer verbunden ist. Wesentlich für den
Erfolg ist hierbei, daß durch die zusammenhängende Ausbildung der Umlenkflächen und des Schiffchens
erstere auf so hohe Temperatur erhitzt werden, daß die aus dem Atom- oder Molekülstrahl auftreffenden
Atome oder Moleküle nicht kondensieren, sondern nach unten auf die zu überziehenden Gegenstände
gelenkt werden.
ίο Die Praxis hat ergeben, daß sich dieses Verfahren
in der Massenfertigung sicher und ohne Betriebsstörung durchführen läßt. Auf diese Weise
kann jeder Stoff, der einen genügend hohen Dampfdruck bei Temperaturen hat, bei denen der entsprechend
ausgewählte Heizleiter oder Träger selbst noch nicht zum Schmelzen kommt oder verdampft,
also praktisch nahezu jeder Stoff in Form eines von oben nach unten laufenden Dampfstrahls, den zu
überziehenden Gegenständen zugeführt werden, ohne das eine Beschädigung der Gegenstände durch
auftropfendes Schmelzgut zu befürchten wäre.
Es ist dabei auch ein Vorzug, daß infolge der besonderen Form des Verdampferschiffchens mit dem
Querschnitt einer archimedischen Spirale alle von der Oberfläche der Schmelze ausgehende Dampfmoleküle
so nach unten abgelenkt werden, daß sie einen ziemlich fest umrissenen, breiten Dampfstrahl
bilden und auf die Oberflächen der darunterliegenden Gegenstände in weitgehend gleichmäßiger
Dichteverteilung treffen. Dieser Dampfstrahl läßt sich dann besonders gut ausnutzen. Schließlich wird
durch die erfindungsgemäße Ausbildung auch eine zusätzliche Beheizung für die Ablenkflächen überflüssig.
Zum Verständnis der Erfindung wird ein geschlossenes Verdampferschiffchen mit dem Querschnitt
einer archimedischen Spirale in zwei Abbildungen veranschaulicht.
Eine besonders einfache Anordnung für die Durchführung der Erfindung stellt ein Schiffchen
dar, dessen Querschnitt die Form einer archimedischen Spirale mit einer Windung aufweist. Die Anordnung
ist in Abb. 1 in Ansicht und in Abb. 2 in einem Schnitt dargestellt. Das Blech, das zur Herstellung
des Schiffchens und der Umlenkfläche dient, ist so geformt, daß der senkrechte Schnitt
zur Längsausdehnung den erwähnten Spiralabschnitt darstellt. In dem unteren Teil dieser Spirale
A befindet sich der zu verdampfende Stoff D, während der obere Teil der Spirale B als Umlenkfläche
wirkt. Die Beheizung ist in dem dargestellten Beispiel durch direkten elektrischen Strom, der
durch die Backen C zugeführt wird, bewirkt. Durch den in axialer Richtung durchgehenden elektrischen
Strom wird das Blech auf so hohe Temperatur erhitzt, daß der in der unteren Biegung des inneren
Spiralenabschnittes eingebrachte Stoff in dem Hochvakuum verdampft. Die Atom- oder Molekülstrahlen
werden dann an der inneren Wandung des Bleches so umgeleitet, daß die Spiralenöffnung als
Dampfdüse wirkt, aus der die Atom- oder Molekülstrahlen in Richtung nach unten austreten. In der
Abb. 2 ist an Hand von Pfeilen der Weg der Atomoder Molekülstrahlen dargestellt. Man sieht, wie die
von dem Schmelzgut D zunächst nach oben entweichenden Strahlen an dem Blech B nach unten umgelenkt
werden, wo sie auf die zu überziehenden Gegenstände E auftreffen.
Wenn unerwünschte Reaktionen des zu verdampfenden Stoffes mit dem Material der Spirale zu befürchten
sind, wird diese mit keramischen Massen ausgekleidet, deren Widerstandsfähigkeit entsprechend
groß ist, oder auch mit andern metallischen Stoffen überzogen, die ebenfalls eine Reaktion mit
dem zu verdampfenden Stoff verhindern.
Es ist weiterhin möglich, die Verdampfungsquellen und die Umlenkflächen so auszugestalten, daß
gleichzeitig zwei oder mehr Dampfstrahldüsen entstehen. In der Abb. 3 ist ein einfaches Beispiel für
die Anwendung von zwei Dampfstrahldüsen dargestellt. Der aus dem Schiffchen F verdampfende
Stoff G entweicht in Form von Molekülstrahlen zunächst nach oben, um dann an den beiden dachförmig
zusammengefaßten Umlenkblechen H in Form zweier getrennter Strahlenbündel nach unten geleitet
zu werden.
Im folgenden soll noch an Hand eines praktischen Ausführungsbeispiels gezeigt werden, welche überraschenden
Fortschritte die neue Einrichtung bei der serienmäßigen Herstellung von Oberflächenspiegeln
bringt, indem eine bisher nicht gekannte Vereinfachung und Betriebssicherheit erzielt wird.
In einem Vakuumraum mit einem Durchmesser von 2 m und einer Höhe von 1,20 m wird in der
Nähe der Wandung an der oberen Wölbung des Vakuumraumes das oben beschriebene spiralförmige
Schiffchen so angeordnet, daß die Dampfstrahldüse nach der Mitte des Vakuumraumes zu geöffnet ist.
In dem Schiffchen, das mit seinen Enden an stromzuführende Backen angeklemmt ist, die von außen
wassergekühlt werden können, befindet sich Aluminium in fester Form. In ein zweites, ebenso gestaltetes
Schiffchen, das beispielsweise gerade gegenüber dem Aluminiumschiffchen angeordnet und
dessen Dampfstrahldüse ebenfalls nach der Mitte des Kessels zu offen ist, wird Siliziummonoxyd in
stückiger Form eingegeben. In einem Abstand von 50 cm befindet sich unter diesen Schiffchen ein um
die Mittelachse des Vakuumkessels drehbarer Teller, auf dem die mit dem spiegelnden Oberflächenbelag »»
zu versehenden Gläser aufgelegt sind. Außerdem enthält der Vakuumraum eine ringförmige Al-Elektrode,
der von außen her der negative Pol einer Hochspannungsmaschine mit 4000 Volt Spannung
zugeführt ist. Die ganze Anlage wird zunächst mit einer Vorvakuumpumpe auf einen Druck von
V100 mm Hg ausgepumpt. Darauf wird die Hochspannungsmaschine
eingeschaltet, und die an den negativen Pol der Maschine angelegte Elektrode beginnt Elektronen abzugeben, während der positive
Pol der Maschine mit dem Kesselgehäuse verbunden ist. Ist das inzwischen erreichte Vakuum genügend
gut, dann werden die auf dem Teller liegenden Gläser einem kräftigen Elektronenbombardement
ausgesetzt und dabei von den auf ihnen befindlichen Wasserhäuten gründlich gereinigt. Nach
ungefähr ίο Minuten wird das Vakuum durch eine
Hochvakuumpumpe bis auf io—* mm Hg verbessert.
Danach wird das Aluminium enthaltende Schiffchen auf eine Temperatur vom 8oo° C erhitzt, bei der das
Aluminium einen so hohen Dampfdruck besitzt, daß innerhalb einer Minute die auf den Teller, dessen
Drehvorrichtung in der Zwischenzeit eingeschaltet wurde, gelegten Gläser mit einer dünnen Oberflächenschicht
so überzogen sind, daß die Durchlässigkeit dieser Schicht nur noch V100 °/o des eingestrahlten
Lichtes beträgt. Die Belegungsdichte wird gemessen, indem über ein Schauglas am Oberteil
des Kessels ein paralleler Lichtstrahl durch den Vakuumraum senkrecht nach unten geführt wird
und dann wieder, über ein Schauglas austretend, auf eine Fotozelle trifft. Die Fotozelle ist an ein empfindliches
Galvanometer geschaltet, mit dem die Lichtintensität genau gemessen werden kann. Entspricht
die Belegungsdichte eben V100 % des durch-
gehenden Lichtes, dann wird das Aufdampfen des Aluminiums beendet. Nach diesem Arbeitsgang
wird das Schiffchen, in dem sich das Siliziummonoxyd befindet, auf eine Temperatur von I2oo° C
erhitzt. Der Dampfdruck des Siliziummonoxydes
a5 ist dann so hoch, daß die mit Aluminium belegten
Spiegel innerhalb von 3 Minuten mit einem Überzug von Siliziummonoxyd versehen werden, der
einer Schichtdicke von 1A 2 entspricht, wobei für λ
der Wert von 5600 ÄE gilt. Zur Kontrolle, ob dieser Wert auch tatsächlich erreicht ist, ist in der Nähe
des Schiffchens eine als Indikator dienende Metallplatte angebracht, auf der die bei dem Prozeß auftretenden
Interferenzfarben nacheinander vorbeiwandern. Der Abstand der Gläser von dem Schiffchen
ist so gewählt, daß beim vierten Wechsel der Interferenzfarben am Indikator nach Rot die Schichtstärke
gerade die geforderte 1U λ-Wellenlänge beträgt.
Diese Anordnung muß natürlich durch Vorversuche geprüft werden. Nach einer Abkühlungsdauer von einer Viertelstunde wird der Vakuumraum
geflutet, und die fertigen Spiegel können dem Raum entnommen werden.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Einrichtung zum Herstellen von Oberflächenschichten durch Verdampfen oder Sublimieren des Überzugsstoffes im Hochvakuum aus einem Schiffchen und Kondensieren des Stoffes auf den zu überziehenden Gegenständen unter Verwendung einer beheizten Fläche, dadurch gekennzeichnet, daß die zu überziehenden Gegenstände unter dem Schiffchen angeordnet sind und der aus dem Schiffchen zunächst nach oben austretende Atom- oder Molekülstrahl durch eine oder mehrere beheizte Flächen in seiner Richtung so abgelenkt wird, daß er anschließend seinen Weg von oben nach unten in Richtung auf die zu überziehenden Gegenstände fortsetzt.In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 483 029.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen©309-665/481 11.58
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEH4166D DE970970C (de) | 1943-02-09 | 1943-02-09 | Einrichtung zum Herstellen von Oberflaechenschichten durch Verdampfen oder Sublimieren des UEberzugsstoffes im Hochvakuum |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEH4166D DE970970C (de) | 1943-02-09 | 1943-02-09 | Einrichtung zum Herstellen von Oberflaechenschichten durch Verdampfen oder Sublimieren des UEberzugsstoffes im Hochvakuum |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE970970C true DE970970C (de) | 1958-11-20 |
Family
ID=7143867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DEH4166D Expired DE970970C (de) | 1943-02-09 | 1943-02-09 | Einrichtung zum Herstellen von Oberflaechenschichten durch Verdampfen oder Sublimieren des UEberzugsstoffes im Hochvakuum |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE970970C (de) |
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- 1943-02-09 DE DEH4166D patent/DE970970C/de not_active Expired
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