DE1483201B1 - Verfahren zur Herstellung von Germanium-Silizium-Legierungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Germanium-Silizium-LegierungenInfo
- Publication number
- DE1483201B1 DE1483201B1 DE19651483201 DE1483201A DE1483201B1 DE 1483201 B1 DE1483201 B1 DE 1483201B1 DE 19651483201 DE19651483201 DE 19651483201 DE 1483201 A DE1483201 A DE 1483201A DE 1483201 B1 DE1483201 B1 DE 1483201B1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- germanium
- silicon
- alloy
- mixture
- induction coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
- C30B29/50—Cadmium sulfide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S420/00—Alloys or metallic compositions
- Y10S420/903—Semiconductive
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung nicht abgewartet wird, da das Rühren durch die elekvon
dotierten Germanium-Silizium-Legierungen, die tromagnetischen Kräfte und die Konvektion die
insbesondere zur thermoelektrischen Energieumwand- Homogenisierung der Legierung gewährleistet,
lung verwendbar sind. Außerdem kann man bei diesem Verfahren leicht
lung verwendbar sind. Außerdem kann man bei diesem Verfahren leicht
Der elektrische Wirkungsgrad thermoelektrischer 5 die gewünschten Anteile an Dotierungsmittel, die im
Generatoren hängt von der Höhe der Dotierung der allgemeinen zwischen 50 und 500 ppm Antimon oder
Germanium-Silizium-Legierung und der Wärmeleit- Indium liegen, einführen. Das Dotierungsmittel wird
fähigkeit der Legierung ab; dieser Wirkungsgrad er- entweder der Anfangsmischung oder zwischen zwei
reicht seinen Höchstwert bei dem durch die folgende aufeinanderfolgenden Durchgängen zugesetzt.
Formel gegebenen Gütefaktor Z; io Die Relativbewegung der Induktionsspule und der
Formel gegebenen Gütefaktor Z; io Die Relativbewegung der Induktionsspule und der
2 Mischung geschieht entweder durch Verschiebung der
Z = -—--, Induktionsspule oberhalb der nicht bewegten Mi-
K schung oder durch Verschiebung der Mischung selbst,
worin wobei die Induktionsspule feststeht. Die Relatiwer-
* = Seebeck-Koeffizient, 1S Schiebung muß genügend rasch erfolgen daß die
a = elektrische Leitfähigkeit, nchtl& Ml^h™S d? verschiedenen Bestandteile ein-
K = Wärmeleitfähigkeit tntt>
Der Emfluß der Verschiebungsgeschwindigkeit
hängt im wesentlichen von der Leistung des Gene-
Wie ersichtlich, hängt dieser Wirkungsgrad von der rators und der angewandten Kupplung ab. Die VerWärmeleitfähigkeit
ab, die so gering wie möglich sein »o Schiebungsgeschwindigkeit muß mindestens 15 mm/
soll. Diese Wärmeleitfähigkeit ist durch die jeweiligen Min. betragen; je nach der Leistung des Generators
Anteile der beiden Bestandteile und vor allem durch kann man bis zu Geschwindigkeiten in der Größenden
Homogenitätsgrad der festen Lösung festgelegt, Ordnung von 165 mm/Min, gehen, arbeitet jedoch vorda
in dem hier interessierenden Bereich (etwa 50 bis zugsweisebeiGeschwindigkeitenvonetwalOOmm/Min.
70 Atomprozent Si) eine homogene feste Lösung nur as Die Relatiwerschiebung erfolgt in beiden Richtunschwer
zu erreichen ist, was auf die kleinen Werte der gen, und die Homogenität der Legierung wird durch
Diffusionskoeffizienten jedes der Legierungsbestand- mehrere aufeinanderfolgende Durchgänge verbessert;
teile zurückzuführen ist. oberhalb 40 Durchgängen hin und zurück ist der Ein-
Um eine möglichst homogene Legierung zu erhalten, fiuß weniger deutlich, so daß man im allgemeinen
muß man beim Schmelzen die Einstellung des Gleich- 30 30 bis 40 Durchgänge hin und zurück durchführt,
gewichts zwischen den beiden Bestandteilen in der Die bisher angewandten Verfahren gehen von feinflüssigen Phase abwarten. Daher hat man bisher sehr gepulverten Ausgangsstoffen aus, die man insbesondere langsam verlaufende Schmelzverfahren angewandt, bei recht harten Produkten nur schwer ohne Kontamium bei in der Nähe des Gleichgewichts liegenden Be- nierung erhalten kann. Im Gegensatz dazu ermöglicht dingungen zu bleiben. Mit solchen Verfahren, wie das 35 das erfindungsgemäße Verfahren, grobzerkleinertes Verfahren des Zonenschmelzens mit isothermer Er- Germanium und Silizium als Ausgangsstoffe zu verstarrung, kann man keine größere Herstellungs- wenden.
gewichts zwischen den beiden Bestandteilen in der Die bisher angewandten Verfahren gehen von feinflüssigen Phase abwarten. Daher hat man bisher sehr gepulverten Ausgangsstoffen aus, die man insbesondere langsam verlaufende Schmelzverfahren angewandt, bei recht harten Produkten nur schwer ohne Kontamium bei in der Nähe des Gleichgewichts liegenden Be- nierung erhalten kann. Im Gegensatz dazu ermöglicht dingungen zu bleiben. Mit solchen Verfahren, wie das 35 das erfindungsgemäße Verfahren, grobzerkleinertes Verfahren des Zonenschmelzens mit isothermer Er- Germanium und Silizium als Ausgangsstoffe zu verstarrung, kann man keine größere Herstellungs- wenden.
geschwindigkeit als einige Millimeter pro Stunde er- Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die
reichen. rasche Gewinnung von Germanium-Silizium-Legie-
Die Leistung hängt ferner von der Menge des der 40 rangen mit einer besonders niedrigen Wärmeleit-Legierung
zugesetzten Dotierungsmittels ab, wodurch fähigkeit. Man kann so in 1 Stunde 30 Minuten
der elektrische Widerstand und der Seebeck-Koeffi- Barren mit einer Wärmeleitfähigkeit K von weniger
zient bestimmt werden. Bei dem obigen bekannten, als 30 mW/°/cm erhalten, was ein durchaus befriedisehr
langwierigen Herstellungsverfahren tritt nun aber gendes Ergebnis ist.
eine Verdampfung des Dotierungsmittels ein, wodurch 45 Versuche haben gezeigt, daß die Legierung eine
man keinen genügenden Anteil desselben im Legie- niedrige Wärmeleitfähigkeit (unter 30 mW/°/cm) berungsendprodukt
erhalten kann. sitzt, wenn die an Germanium reiche Phase genügend
Die Erfindung bezweckt ein Verfahren zur Her- verteilt ist. Wenn diese germaniumreiche Phase unzustellung
von dotierten Germanium-Silizium-Legie- reichend verteilt ist, bietet sie ein Bild, wie es in
rungen, das rascher als die bisherigen Verfahren durch- 50 F i g. 1 gezeigt ist, die das Schliff bild eines Gefüges mit
geführt werden kann und in einfacher Weise Produkte verhältnismäßig hoher Wärmeleitfähigkeit von etwa
mit genügenden Anteilen an Dotierungsmittel liefert. 100 mW/°/cm wiedergibt. In diesem Gefüge mit
Zu diesem Zweck wird erfindungsgemäß ein Ver- 50 Gewichtsprozent Germanium ist die ungenügend
fahren vorgeschlagen, wobei die Mischung von Ger- verteilte germaniumreiche Phase mit 4 bezeichnet,
manium- und Siliziumstücken in den gewünschten An- 55 Im Gegensatz dazu zeigt F i g. 2 eine Germaniumteilen
mit Hochfrequenz durch Relatiwerschiebung Silizium-Legierung gleicher Zusammensetzung, deren
einer Induktionsspule und der Germanium-Silizium- germaniumreiche Phase (mit 6 bezeichnet) gut verteilt
Mischung geschmolzen und die erhaltene Mischung ist und die eine Wärmeleitfähigkeit von 25 mW/°/cm
abgekühlt wird, wobei das Schmelzen bei einer Fre- besitzt. Außerdem nähern sich in diesem Fall die zuquenz
von mindestens 4 MHz und vorzugsweise 5 bis °9 sammensetzungen der beiden Phasen an: Die ger-6
MHz und einer Verschiebungsgeschwindigkeit von maniumreiche Phase 6 weist einen Gewichtsanteil von
mindestens 15 mm/Min, durchgeführt wird, um eine 50°/e Germanium und die germaniumarme Phase 8
gute Homogenität der Legierung zu erreichen. einen solchen von 45 °/0 Germanium auf.
Wie ersichtlich, gestattet das erfindungsgemäße Ver- Die Herstellung der Legierung geschieht in einer
fahren höhere Herstellungsgeschwindigkeiten als die 65 üblichen Hochfrequsnz-Zonenschmelzapparatur, die
bisherigen Verfahren. Solche Geschwindigkeiten wer- unter Inertgasatmosphäre von beispielsweise Argon
den dadurch ermöglicht, daß die Einstellung des oder Helium oder unter einem Hilfsvakuum von
Gleichgewichts zwischen Germanium und Silizium 1O-7 mm Hg betrieben werden kann. Germanium und
Silizium werden zu Stücken von beispielsweise einigen zehntel Gramm zerkleinert und in eine Ausnehmung
eines metallischen wassergekühlten Schmelzgefäßes gegeben. Die Mischung wird mittels einer Induktionsspule
geschmolzen, die man längs der in der Aus- S nehmung des Schmelzgefäßes angeordneten Mischung
verschiebt. Dabei tritt eine sehr starke Bewegung der Schmelze durch die elektromagnetischen Kräfte und
eine sehr starke Konvektion ein, was für eine gute Homogenität der erstarrten Legierung ausreicht; die
Homogenität kann jedoch durch Anwendung von Ultraschall noch verbessert werden.
Wenn man die Legierung in Barrenform erhalten will, erzeugt man eine genügend große geschmolzene
Zone von ungefähr 3 bis 4 cm, die man genügend rasch um 15 bis 100 mm/Min, mittels der Induktionsspule
verschiebt, um die verschiedenen Teile gut zu mischen.
Wenn man die Induktionsspule mit einer zu geringen Geschwindigkeit verschiebt, führt die zu langsame
Erstarrung der hinter der Schmelzzone befindlichen ao Zone zu einer Legierung, die zwei verschiedene feste
Phasen von ähnlicher Art wie die in F i g. 1 gezeigten aufweist.
Die thermoelektrischen Eigenschaften der Germanium-Silizium-Legierung
werden durch Messung as ihrer Wärmeleitfähigkeit überwacht.
Die Art des Schmelzgefäßes beeinflußt die thermoelektrischen Eigenschaften der erhaltenen Legierung.
Tatsächlich erfolgt beim Schmelzen eine Kontaminierung der Legierung durch das Metall des Schmelzgefäßes.
Nach verschiedenen Versuchen wurde ein Schmelzgefäß aus verchromtem Kupfer gewählt; die
Chromkonzentration in der darin erschmolzenen Legierung überstieg keine 5 ppm.
Zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden drei Beispiele gebracht.
10 g Germanium und 10 g Silizium werden durch Verschiebung der Induktionsspule um 50 mm/Min.
bei 20 Durchgängen hin und zurück geschmolzen. Man erhält einen Legierungsbarren von 18,2 g mit
einem Gewichtsanteil von 50% Germanium, einer Länge von 10 cm und 25 mm Durchmesser. Die
bei 3000C gemessene Wärmeleitfähigkeit beträgt
37 mW/°/cm; die Dauer der Herstellung beträgt ungefähr 100 Minuten.
10 g Germanium und 10 g Silizium werden durch Verschiebung einer Induktionsspule um 100 mm/Min.
bei 20 Durchgängen hin und zurück geschmolzen. Man erhält einen Barren von 18 g mit den gleichen
Abmessungen wie im Beispiel 1 und 50,5 °/0 Gewichtsanteil Germanium. Die bei 3000C gemessene Wärmeleitfähigkeit
beträgt 31 mW/°/cm und die Herstellungsdauer 60 Minuten.
10 g Germanium und 10 g Silizium werden mit einer mittleren Verschiebungsgeschwindigkeit der Induktionsspule
von etwa 70 mm/Min, bei 26 Durchgängen bin und zurück geschmolzen. Man erhält einen Barren
von 17,6 g mit 48 % Gewichtsanteil Germanium und den gleichen Abmessungen wie im Beispiel 1.
Die bei 3000C gemessene Wärmeleitfähigkeit beträgt mW/°/cm und die Herstellungsdauer ungefähr
Minuten.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung von dotierten Germanium-Silizium-Legierungen,
die insbesondere zur thermoelektrischen Energieumwandlung verwendbar sind, dadurch gekennzeichnet,
daß Stücke von Germanium und Silizium in den gewünschten Mengenanteilen gemischt werden,
diese Mischung mit Hochfrequenz durch Relativbewegung einer Induktionsspule und der Germanium-Silizium-Mischung
geschmolzen und die erhaltene Legierung abgekühlt wird, wobei das Schmelzen bei einer Frequenz von mindestens
4 MHz und vorzugsweise 5 bis 6 MHz bei einer Verschiebungsgeschwindigkeit von mindestens
15 mm/Min, vorgenommen wird, um eine gute Homogenität der Legierung zu erhalten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Relativbewegung von Induktionsspule
und Germanium - Silizium - Mischung durch Verschiebung der Induktionsspule oberhalb
der ruhenden Mischung bewirkt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Relativbewegung in beiden Richtungen
und während mehrerer aufeinanderfolgender Durchgänge bewirkt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Dotierungsmittel der ursprünglichen
Mischung vor dem Schmelzen zugesetzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Dotierungsmittel zwischen zwei
aufeinanderfolgenden Durchgängen zugesetzt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen COPY
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR992829A FR1420509A (fr) | 1964-10-27 | 1964-10-27 | Procédé de fabrication d'alliage germanium-silicium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1483201B1 true DE1483201B1 (de) | 1969-09-04 |
Family
ID=8841178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19651483201 Pending DE1483201B1 (de) | 1964-10-27 | 1965-10-11 | Verfahren zur Herstellung von Germanium-Silizium-Legierungen |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3508915A (de) |
BE (1) | BE670718A (de) |
CH (1) | CH448542A (de) |
DE (1) | DE1483201B1 (de) |
ES (1) | ES318922A1 (de) |
FR (1) | FR1420509A (de) |
GB (1) | GB1111678A (de) |
LU (1) | LU49680A1 (de) |
NL (1) | NL6513861A (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3898080A (en) * | 1968-05-14 | 1975-08-05 | Atomic Energy Authority Uk | Germanium-silicon Thermoelectric elements |
US4442449A (en) * | 1981-03-16 | 1984-04-10 | Fairchild Camera And Instrument Corp. | Binary germanium-silicon interconnect and electrode structure for integrated circuits |
JPS63285923A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE510303A (de) * | 1951-11-16 | |||
US2997410A (en) * | 1954-05-03 | 1961-08-22 | Rca Corp | Single crystalline alloys |
US2858275A (en) * | 1954-12-23 | 1958-10-28 | Siemens Ag | Mixed-crystal semiconductor devices |
BE618606A (de) * | 1961-06-09 |
-
1964
- 1964-10-27 FR FR992829A patent/FR1420509A/fr not_active Expired
-
1965
- 1965-10-08 BE BE670718D patent/BE670718A/xx unknown
- 1965-10-11 CH CH1397065A patent/CH448542A/fr unknown
- 1965-10-11 DE DE19651483201 patent/DE1483201B1/de active Pending
- 1965-10-15 GB GB43837/65A patent/GB1111678A/en not_active Expired
- 1965-10-15 US US500487A patent/US3508915A/en not_active Expired - Lifetime
- 1965-10-22 LU LU49680A patent/LU49680A1/xx unknown
- 1965-10-26 ES ES0318922A patent/ES318922A1/es not_active Expired
- 1965-10-26 NL NL6513861A patent/NL6513861A/xx unknown
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
LU49680A1 (de) | 1965-12-22 |
GB1111678A (en) | 1968-05-01 |
FR1420509A (fr) | 1965-12-10 |
US3508915A (en) | 1970-04-28 |
BE670718A (de) | 1966-01-31 |
ES318922A1 (es) | 1967-01-01 |
NL6513861A (de) | 1966-04-28 |
CH448542A (fr) | 1967-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2631781A1 (de) | Permanentmagnet und verfahren zur herstellung desselben | |
DE2521440C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von mit Magnesium behandeltem, Kugelgraphit enthaltendem Gußeisen und Nachbehandlungsmittel hierfür | |
DE2134393A1 (de) | Aluminium Legierung | |
DE69105363T2 (de) | Hochfeste Legierungen auf Magnesiumbasis. | |
DE69002140T2 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines Permanentmagnetsensorelementes mit einer weichmagnetischen Schicht. | |
DE2507105C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von permanentmagnetischem Material, enthaltend Samarium, Kobalt, Kupfer und gegebenenfalls Eisen | |
DE1483201B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Germanium-Silizium-Legierungen | |
DE3810678C2 (de) | Permanentmagnet mit hoher Koerzitivkraft und hohem maximalen Energieprodukt und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4001799A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer intermetallischen verbindung | |
DE2541689C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines V3Ga-Supraleiters | |
DE3050768C2 (de) | Verwendung einer Pd-Ag-Fe-Legierung zur Herstellung von Permanentmagneten und Verfahren zur Herstellung der Permanentmagneten | |
DE144584C (de) | ||
DE2144560A1 (de) | Verfahren zur herstellung von femn-magneten | |
DE2143866A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines D auerm agnet Werkstoffes | |
DE69209473T2 (de) | Vorrichtung zum Erstarren von dotiertem, elektrisch leitenden Material und zur kontinuierlichen Überwachung der Konzentration des Dotierstoffes | |
DE2165169C3 (de) | Legierung, Herstellung derselben und Verwendung derselben für Vorrichtungen zur unmittelbaren thermoelektrischen Energieumwandlung | |
DE2144747C3 (de) | Supraleitende Materialien vom A tief 3 B-Typ mit hoher Sprungtemperatur | |
DE2550620A1 (de) | Verfahren zum einverleiben eines hochreaktiven materials in geschmolzenen stahl | |
DE3535065C2 (de) | ||
DE69011252T2 (de) | Auf Cobalt basierendes Magnet ohne Seltenerden. | |
DE1558500C (de) | Gesinterte stickstoffhaltige Vorlegierungen für das Legieren von Stahl | |
DE1004382B (de) | Verfahren zur Reinigung eines Elementes oder einer chemischen Verbindung | |
DE2212310A1 (de) | Verfahren zur beeinflussung des radialen widerstandsverlaufes in einem halbleitereinkristallstab beim tiegelfreien zonenschmelzen | |
AT234184B (de) | Verfahren zur Herstellung eines stabförmigen einphasigen Mischkristalles | |
DE1558500B1 (de) | Gesinterte stickstoffhaltige Vorlegierungen fuer das Legieren von Stahl |