DE1283965B - Hermetisch eingeschlossene Halbleiteranordnung - Google Patents

Hermetisch eingeschlossene Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1283965B
DE1283965B DEI20337A DEI0020337A DE1283965B DE 1283965 B DE1283965 B DE 1283965B DE I20337 A DEI20337 A DE I20337A DE I0020337 A DEI0020337 A DE I0020337A DE 1283965 B DE1283965 B DE 1283965B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
base
semiconductor body
semiconductor
flat
conductors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI20337A
Other languages
English (en)
Inventor
Kilby Jack St Clair
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE1283965B publication Critical patent/DE1283965B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3205—Shape
    • H01L2224/32057—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/4917—Crossed wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0133—Ternary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)

Description

ι 2
Die Erfindung bezieht sich auf eine hermetisch geschlossen sind und nach außen über den Umfang eingeschlossene Halbleiteranordnung mit einem einen der Unterlage hinausragen.
pn-übergang enthaltenden Halbleiterkörper, der auf Durch die erfindungsgemäße Ausbildung entsteht
einer im wesentlichen ebenen Fläche einer Unterlage eine sehr kompakte und robuste, im wesentlichen befestigt ist, einer auf der Unterlage befestigten 5 zweidimensional flache Anordnung, die sich in sehr Haube, die mit dieser ein den Halbleiterkörper um- geringer Größe bauen läßt, wie es für mikrominiagebendes Gehäuse bildet, elektrischen Anschlüs- turisierte integrierte Halbleiterschaltungsanordnungen sen zur Schaffung äußerer Zugänge zu dem Halb- unerläßlich ist. Andrerseits erlaubt die erfindungsgeleiterkörper mit flachen Leitern, die im wesent- mäße Lösung trotz der sehr kleinen Abmessungen liehen in einer zu der ebenen Fläche der Unter- io eine präzise Herstellung der erforderlichen Schallage parallelen Ebene liegen, und mit einer ohm- tungsverbindungen. Die Herstellung wird dadurch sehen Verbindung zwischen einem flachen Leiter und erleichtert, daß die erforderlichen Anschlüsse und der der Unterlage abgewandten Fläche des Halblei- Elektroden alle an der gleichen Oberfläche des HaIbterkörpers. leiterkörpers angeordnet sind, die leicht zugänglich
Es ist eine Halbleitervorrichtung bekannt, die nur 15 ist, nachdem der Halbleiterkörper bereits auf der ein Gleichrichterelement, also einen Halbleiterkör- Unterlage befestigt ist. Es ist dann leicht möglich, die per mit einem einzigen pn-übergang enthält, wobei verschiedenen Verbindungsdrähte mit den erforderdie Anschlußelektroden auf einander entgegengesetz- liehen Punkten der Oberseite des Halbleiterkörpers ten Seiten des Halbleiterkörpers liegen und die durch Wärmeanwendung richtig zu verbinden.
Anschlüsse über die beiden Hälften des Gehäuses *o Die Erfindung wird nachstehend an Hand der erfolgen. Die eine Gehäusehälfte steht jeweils in Zeichnung beispielshalber erläutert. Es zeigt
direktem Kontakt mit der einen Gleichrichterelek- F i g. 1 die Oberansicht einer vereinfachten Anord-
trode, während die andere Gehäusehälfte über einen nung zur Erläuterung des der Erfindung zugrunde leitenden Streifen oder einen Vorsprung mit der liegenden Prinzips,
anderen Elektrode in Kontakt steht. Die äußeren An- 35 F i g. 2 einen seitlichen Querschnitt durch die Schlüsse werden dann ihrerseits zu den beiden Ge- vervollständigte Anordnung von Fig. 1,
häusehälften hergestellt. Fig. 3 einen seitlichen Querschnitt durch eine
Diese bekannte Lösung ist nur für Gleichrichter- andere Ausführungsform der in F i g. 2 gezeigten Anelemente mit zwei Elektroden brauchbar. Sie würde Ordnung,
bereits bei einem Halbleiterschaltungselement mit 30 F i g. 4 ein Schaltbild eines Multivibrators,
mehr als zwei Elektroden, beispielsweise einem F i g. 5 die Oberansicht einer Halbleiteranordnung
Transistor versagen. nach der Erfindung, die dem Schaltbild von F i g. 4
Gemäß einem älteren Vorschlag wird bei einer entspricht, während einer Stufe der Herstellung und Halbleiteranordnung, insbesondere einem Transistor, F i g. 6 einen Querschnitt nach der Linie 6-6 von
die Verbindung zu zwei Zonen des Halbleiterkörpers 35 Fig. 5.
dadurch hergestellt, daß diese beiden Zonen auf zwei Die in F i g. 1 der Zeichnung gezeigte Anordnung
durch einen Schlitz getrennten leitenden Flächen enthält eine nichtleitende Unterlage in Form einer flächenhaft aufliegen, während die Verbindung zu Keramikscheibe 1, auf der ein kleines, rechteckiges der dritten Zone durch einen biegsamen Zuleitungs- Stäbchen 2 aus Halbleitermaterial mittels eines draht erfolgt, der die Oberseite der mittleren Zone 40 geeigneten Klebemittels befestigt ist, das gegen die des Halbleiterkörpers mit einer weiteren leitenden Ätzmittel beständig ist, die zur Bearbeitung des Fläche verbindet. Halbleiterkörpers 2 angewendet werden, und das Be-
Gemäß einem anderen älteren Vorschlag ist der handlungstemperaturen bis zu 400° C aushalten kann. Halbleiterkörper auf einem kegelstumpfförmigen Ferner muß der Wärmeausdehnungskoeffizient des Vorsprung so gelagert, daß sowohl die Oberseite 45 Klebemittels in der gleichen Größenordnung wie derals auch ein Teil der Unterseite zugänglich ist. Die jenige des Halbleiterkörpers 2 und der Keramik-Anschlüsse erfolgen von zwei bandförmigen Zulei- scheibe 1 liegen. Hierfür eignet sich beispielsweise ein tungen zu der Unterseite und von einer dritten band- im Handel erhältliches Klebemittel der Zusammensetförmigen Zuleitung zu der Oberseite des Halbleiter- zung 70-80% PbO, 5-20% B2O3, 5-15% Al2O3 körpers. 50 und gegebenenfalls bis zu 10% SiO2, wobei die Summe
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei von PbO, B2O3, Al2O3 und SiO2 mehr als 90% einer Halbleiteranordnung der eingangs angegebenen beträgt. Das Stäbchen 2 kann auf der Scheibe 1 befe-Art die Anbringung der erforderlichen Anschlüsse stigt werden, unmittelbar nachdem es auf die ge- und deren Verbindungen mit mehreren verschiedenen wünschten Abmessungen zurechtgeschnitten ist, und Stellen des Halbleiterkörpers auch bei sehr kleinen 55 es wird auf der Scheibe 1 während aller weiteren Abmessungen mit für eine Massenfertigung geeigne- Herstellungsstufen gehalten.
ten Maßnahmen zu ermöglichen, wie insbesondere Anschließend werden an dem Halbleiterstäbchen 2
bei mikrominiaturisierten integrierten Halbleiter- die weiteren Bearbeitungen vorgenommen, die für Schaltungsanordnungen notwendig ist. die Bildung von Übergängen und Kontakten an dem
Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht, 60 Halbleiter erforderlich sind, wie Ätzen, Erhitzen, daß der Halbleiterkörper mehrere pn-Übergänge ent- Aufdampfen und andere Verfahren,
hält, die alle in der Nähe der der Unterlage abge- Die Keramikscheibe 1 dient zugleich zum leichten
wandten Fläche des Halbleiterkörpers angeordnet Anschluß von äußeren Leitungen an dem Halbleitersind, daß mehrere Drähte ohmsche Verbindungen zwi- stäbchen 2. Zu diesem Zweck sind auf der das HaIbschen den flachen Leitern und der der Unterlage 65 leiterstäbchen 2 berührenden Oberfläche der Scheibe 1 abgewandten Fläche, des Halbleiterkörpers bilden, eine Anzahl von leitenden Streifen 3, 4, 6 und 7 ge- und daß die flachen Leiter koplanar angeordnet in bildet, die sich teilweise bis unter das Stäbchen 2 das Gehäuse ragen, in ein Isoliermaterial dicht ein- erstrecken. Bei der Anordnung von Fig. 1 er-
strecken sich die leitenden Streifen 3, 4. und 6 bis unter das Stäbchen 2, so daß nach dem Aufkleben des Stäbchens auf die Scheibe 1 ein ohmscher Kontakt zwischen dem Stäbchen 2 und den Leitern 3, 4 und 6 mittels eines Lötmittels oder eines leitenden Klebstoffs 5 hergestellt werden kann. Dagegen erstreckt sich der Leiter 7 nicht bis unter das Stäbchen 2; er dient zur Herstellung eines Kontaktes über einen Draht 9 mit einem auf der Oberseite des Stäbchens 2 angebrachten Übergang 8. Die Zone 8 bildet mit dem Rest des Halbleiterstäbchens 2 eine Halbleiterdiode, und der Anschluß an die Elektroden der Diode erfolgt über die Streifen 4 und 7.
In F i g. 2 ist die Vervollständigung der in F i g. 1 gezeigten Anordnung dargestellt. Hier ist ein hermetischer Einschluß rings um das Halbleiterstäbchen 2 geformt, und die Scheibe 1 ist als ein Teil des hermetischen Einschlusses ausgenützt. Zu diesem Zweck ist ein Metallring 11 vorgesehen, der an der Unterseite und an den unteren Teilen der Seitenflächen eine nichtleitende Glasur 12 trägt. Die Scheibe 1 ist mit einem Ring aus einer bei niedriger Temperatur schmelzenden nichtleitenden Glasur 13 versehen, dessen Innendurchmesser etwas kleiner und dessen Außendurchmesser etwas größer als die entsprechenden Durchmesser des Rings 11 sind. Der Ring 11 wird auf die Scheibe 1 so aufgelegt, daß die Glasur 12 die auf der Scheibe gebildete Glasur 13 berührt und die Anordnung wird erhitzt, bis die Glasur 13 eine Bindung der Glasur 12 eingeht. Da die Anbringung der Glasur 12 an dem Metallring 11 an einer von dem Halbleiter 2 entfernten Stelle durchgeführt wird, kann dieser Vorgang bei einer höheren Temperatur erfolgen, als sie zur Herstellung der Bindung zwischen den beiden Glasuren 12 und 13 erforderlich ist. In der Praxis können die Glasuren 12 und 13 aus verschiedenen Glaspulverstoffen bestehen, so daß die Schmelztemperatur und der Wärmeausdehnungskoeffizient jedes dieser Stoffe besser den entsprechenden Werten des Materials entspricht, mit dem der Stoff direkt verhaftet wird, bevor er mit der anderen Glasur verschmolzen wird. Bei einer anderen Ausführungsform kann die Glasur 13 durch den zuvor erwähnten Klebstoff ersetzt werden, wodurch jede mögliche Wärmeeinwirkung auf die Halbleiterscheibe 2 vollständig beseitigt wird. Durch die Anwendung der beiden Glasuren 12 und 13 kann im übrigen die Wärmeeinwirkung durch sorgfältige Kontrolle der Temperatur und der Dauer des Verbindungsvorganges weitgehend herabgesetzt werden. Anschließend kann eine Metallplatte 14 an der Oberseite des Rings 11 zur Vervollständigung des Einschlußvorganges angelötet oder angeschweißt werden. Der gesamte Vorgang findet vorzugsweise in einer trockenen, inerten oder evakuierten Kammer statt, so daß jede Feuchtigkeit aus dem Raum innerhalb des hermetischen Einschlusses beseitigt wird.
Wie aus F i g. 2 zu erkennen ist, wird der Glasurring 13 auf die Unterlage 1 erst dann aufgebracht, wenn die leitenden Kontakte 4 und 7 angebracht sind. Diese Kontakte können aus leitender Farbe bestehen oder Metallzungen sein; im letzten Fall dient die Glasur 13 auch dazu, die Zungen auf der Unterlage 1 festzuhalten.
In F i g. 3 der Zeichnung ist eine andere Ausführungsform des hermetischen Einschlusses für den Halbleiterkörper 2 dargestellt, wobei gleichfalls die Scheibe 1 als Teil des Einschlusses dient. Bei dieser Ausführungsform wird ein Ring 16 aus einem nichtleitenden keramischen Material direkt über eine Glasur 13 auf der Scheibe 1 befestigt, und die Oberfläche des Rings ist mit einer metallisierten Schicht 17 versehen. Danach kann eine Metallplatte 14 an der metallisierten Oberfläche 17 angeschweißt, angelötet oder auf andere Weise befestigt werden, wodurch der hermetische Einschluß des Halbleiterelements 2 vervollständigt wird.
ο In F i g. 4 ist eine Multivibratorschaltung dargestellt, deren Aufbau und der Betrieb nur soweit erläutert wird, wie zum Verständnis der Anordnung von F i g. 5 und 6 erforderlich ist. Die Multivibratorschaltung enthält zwei Transistoren Γ1 und Γ 2, *5 sowie verschiedene äußere Anschlüsse für die Schaltung. Ein äußerer Masseanschluß 18 ist mit den Emitterelektroden 19 und 21 der Transistoren T1 bzw. T 2 verbunden, und eine äußere Klemme 22, die an eine 3-Volt-Quelle angeschlossen werden kann, ist ao über Widerstände 23 und 24 mit den Basiselektroden 26 und 27 der Transistoren Tl bzw. T 2 verbunden. Die Basiselektrode 26 des Transistors T1 ist ferner an eine Eingangsklemme 28 für den Transistor T1 angeschlossen, und die Basiselektrode 27 ist mit einer Eingangsklemme 29 für den Transistor T 2 verbunden. Die Kollektorelektrode 31 des Transistors T1 ist an eine Ausgangsklemme 32 des Transistors T1 angeschlossen, und die Kollektorelektrode 33 des Transistors T 2 ist mit der Ausgangsklemme 34 für den Transistor Γ 2 verbunden. Ferner ist die Kollektorelektrode 31 des Transistors T1 über einen Widerstand 36 an eine Klemme 37 angeschlossen, die an einer negativen Spannung von 4VoIt liegt, und die Kollektorelektrode 33 des Transistors T 2 ist über einen Widerstand 38 gleichfalls mit der Klemme 37 verbunden.
In Fig. 5 und 6 ist ein Halbleiterplättchen39 dargestellt, auf dem und in dem alle in F i g. 4 dargestellten Schaltungselemente gebildet sind. Die HaIbleiterscheibe 39 ist auf einer dünnen Metallfolie 40 befestigt, aus der nach innen ragende leitende Streifen gebildet sind, die zunächst am Rand noch zusammenhängen. Diese Streifen können durch Ätzen eines sehr dünnen Bleches aus einem Material gebildet werden, dessen Ausdehnungskoeffizient ähnlich demjenigen von Silizium ist, beispielsweise einer Legierung aus Kobalt, Nickel und Eisen. Die Streifen entsprechen den Klemmen 18, 22, 28, 29, 32, 34 und 37 von F i g. 4 und sind in F i g. 5 durch die Funktion bezeichnet, die sie in dem Schaltbild von F i g. 4 erfüllen. So entspricht der Streifen, der mit »Eingang T2« bezeichnet ist, der Klemme 29 von F i g. 4, die gleichfalls mit »Eingang T 2« bezeichnet ist. Die übrigen Streifen von F ig. 5 dienen den entsprechenden Funktionen, die durch die Beschriftungen angegeben sind. Es ist zu bemerken, daß sich alle Streifen mit Ausnahme des mit »Masse« bezeichneten Streifens bis unter das Halbleiterplättchen 39 erstrecken und mit dieser einen Kontakt bilden, nachdem das Halbleiterplättchen 39 mechanisch aufgelegt und anschließend auf der Oberseite der Streifen legiert worden ist. Dann wird eine Unterlagscheibe 41 aus Keramik, Glas oder einem ähnlichen Material mittels eines Klebstoffs 10 an der Rückseite der Folie 40 und des Halbleiterplättchens 39 befestigt, so daß sie einen Träger für diese sehr dünne leitende Folie und das daran befestigte Halbleiterelement sowohl bei den weiteren Herstellungsstufen als auch im Betrieb bil-
det. Das Halbleiterplättchen 39 ist ferner mit leitenden metallisierten Schichten 42 und 43 versehen, die durch Aufdampfen an gegenüberliegenden Enden des Halbleiterplättchens auf der der Folie 40 abgewandten Fläche gebildet sind. Die Schicht 42 wird auf thermischem Wege mit einem Leitungsdraht 44 verbunden und über diesen Leitungsdraht 44 an die Basiselektrode 27 des Transistors Γ 2 angeschlossen; sie ist ferner über einen Draht 46 mit dem Streifen verbunden, der mit »Eingang T 2« bezeichnet ist. Dieleitende Schicht 43 ist über eine Leitung 47 mit der Basiselektrode 26 des Transistors Tl verbunden und außerdem über einen Draht 49 an den mit »Eingang T1« bezeichneten Streifen der Folie 40 angeschlossen. Die Emitterelektroden der Transistoren Γ1 und Tl sind über einen Leitungsdraht 49 miteinander verbunden und über einen Draht 51 an den mit »Masse« bezeichneten Streifen angeschlossen.
Alle Leitungsdrähte, die an die Streifen der Folie 40 angeschlossen sind, liegen innerhalb eines Ringes ao 52, der den Ringen 11 und 16 von F i g. 2 bzw. 3 entspricht. Der Ring 52 kann aus Keramik oder Metall bestehen, und er ist in beiden Fällen dicht mit der Folie 40 und dem Träger so verbunden, daß er das Halbleiterplättchen 39 und die daran ange- as brachten Anschlüsse vollständig umgibt. Nachdem der Ring 52 in geeigneter Weise an der Folie 40 befestigt ist, wird eine Metallplatte ähnlich der Platte 14 darauf angebracht, wodurch der Einschlußvorgang vervollständigt wird.
Die Folie 40 ist mit Führungslöchern versehen, die mit 53 und 54 bezeichnet sind. Die Löcher 53 und 54 stellen Führungspunkte dar, die auch durch Einbuchtungen in der Folie 40 gebildet werden können; sie dienen zur Führung der Folie und des Halbleiterplättchens mit dem angeklebten Träger 41 in allen Maschinen und Geräten, in welche die Folie 40 mit der Halbleiterscheibe 39 bei den verschiedenen Herstellungsstufen eingeführt wird. Diese Herstellungsstufen betreffen das Ätzen des Halbleiterplättchens 39, die Bildung von Übergängen und Abschnitten verschiedener Leitfähigkeit in dem Halbleitermaterial, die Bildung eines Schlitzes 56, durch den verschiedene funktioneile Abschnitte voneinander isoliert werden, die Bildung der leitenden Streifen 42 und 43 auf dem Halbleiter und die Anbringung der verschiedenen Zuleitungen. Die Führungspunkte 53 und 54 dienen auch dazu, die Folie 40 während des Aufbringens des Halbleiterplättchens festzuhalten, denn das Anbringen des Halbleiterplättchens ist kritisch, weil eine genaue Ausrichtung zwischen dem Plättchen und den leitenden Streifen der Folie 40 wesentlich ist, damit die richtigen Widerstandswerte zwischen den verschiedenen Anschlußpunkten erhalten werden.
Nachdem das Halbleiterplättchen 39 in seinem Behälter hermetisch eingeschlossen ist, wird die Folie 40 entlang den gestrichelten Linien 57 und 58 abgeschnitten, wodurch die fertige Anordnung erhalten wird, in der die leitenden Streifen der Folie 40 elektrisch voneinander isoliert sind. Dabei liegt ein ausreichender Abschnitt der Streifen außerhalb des Ringes 52, so daß ohne weiteres äußere Anschlußleitungen an den leitenden Streifen angeschlossen werden können oder die Anordnungen in Verbindungsstücke in Form gedruckter Schaltungen eingesetzt werden können,

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Hermetisch eingeschlossene Halbleiteranordnung mit einem einen pn-übergang enthaltenden Halbleiterkörper, der auf einer im wesentlichen ebenen Fläche einer Unterlage befestigt ist, einer auf der Unterlage befestigten Haube, die mit dieser ein den Halbleiterkörper umgebendes Gehäuse bildet, elektrischen Anschlüssen zur Schaffung äußerer Zugänge zu dem Halbleiterkörper mit flachen Leitern, die im wesentlichen in einer zu der ebenen Fläche der Unterlage parallelen Ebene liegen, und mit einer ohmschen Verbindung zwischen einem flachen Leiter und der der Unterlage abgewandten Fläche des Halbleiterkörpers, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper mehrere pn-Übergänge enthält, die alle in der Nähe der der Unterlage abgewandten Fläche des Halbleiterkörpers, angeordnet sind, daß mehrere Drähte ohmsche Verbindungen zwischen den flachen Leitern und der der Unterlage abgewandten Fläche des Halbleiterkörpers bilden, und daß die flachen Leiter koplanar angeordnet in das Gehäuse ragen, in ein Isoliermaterial dicht eingeschlossen sind und nach außen über den Umfang der Unterlage hinausragen.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Haube (11,14; 52, 14) aus Metall besteht und auf der ebenen Fläche der Unterlage mit Hilfe eines isolierenden Bindemittels (12,13) befestigt ist, durch das die flachen Leiter geführt sind.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der flachen Leiter (4; 40, Eingang Π) zum Teil zwischen dem Halbleiterkörper und der ebenen Fläche der Unterlage liegt.
4. Verfahren zum Herstellen der hermetisch eingeschlossenen Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der flachen Leiter eine leitende Folie (40) so geformt wird, daß die Leiter in einem Stück zusammenhängen, daß die Leiter in dem Gehäuse eingeschlossen werden, und daß dann der die Verbindung herstellende Abschnitt (57) der leitenden Folie (40) zum Trennen der flachen Leiter entfernt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß Registrierlöcher oder Registriervertiefungen (53, 54) zum Zweck der Ausrichtung in dem den Zusammenhang herstellenden Teil der Folie (40) angebracht werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, zur Herstellung einer Vorrichtung, deren Haube (11,14; 52,14) eine Seitenwand (11; 52) und einen Dekkel (14) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die die ohmschen Anschlüsse bildenden Drähte (9; 44, 48, 51) an der der Unterlage abgewandten Fläche des Halbleiterkörpers angebracht werden, bevor der Deckel (14) zur Vervollständigung des Gehäuses auf die Seitenwand (11, 52) aufgesetzt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DEI20337A 1959-05-06 1960-05-06 Hermetisch eingeschlossene Halbleiteranordnung Pending DE1283965B (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US811470A US3072832A (en) 1959-05-06 1959-05-06 Semiconductor structure fabrication
US46742865A 1965-06-28 1965-06-28
US60972067A 1967-01-13 1967-01-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1283965B true DE1283965B (de) 1968-11-28

Family

ID=27413014

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI20337A Pending DE1283965B (de) 1959-05-06 1960-05-06 Hermetisch eingeschlossene Halbleiteranordnung
DET18339A Pending DE1186951B (de) 1959-05-06 1960-05-06 Verfahren zum Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET18339A Pending DE1186951B (de) 1959-05-06 1960-05-06 Verfahren zum Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3072832A (de)
CH (1) CH410195A (de)
DE (2) DE1283965B (de)
GB (1) GB958241A (de)
LU (1) LU38605A1 (de)
MY (1) MY6900309A (de)
NL (1) NL251301A (de)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB985864A (en) * 1960-08-05 1965-03-10 Telefunken Patent A semiconductor device
BE624958A (de) * 1961-11-20
US3173028A (en) * 1962-02-13 1965-03-09 Westinghouse Electric Corp Solid state bistable multivibrator
DE1287696B (de) * 1962-04-16 1969-01-23
NL292051A (de) * 1962-04-27
US3303265A (en) * 1962-05-17 1967-02-07 Texas Instruments Inc Miniature semiconductor enclosure
US3271625A (en) * 1962-08-01 1966-09-06 Signetics Corp Electronic package assembly
NL298196A (de) * 1962-09-22
US3274456A (en) * 1962-11-21 1966-09-20 Gen Instrument Corp Rectifier assembly and method of making same
US3325586A (en) * 1963-03-05 1967-06-13 Fairchild Camera Instr Co Circuit element totally encapsulated in glass
US3311798A (en) * 1963-09-27 1967-03-28 Trw Semiconductors Inc Component package
US3185865A (en) * 1963-03-26 1965-05-25 Bert W Larey Transistoried multivibrator with built-in time delay
US3231797A (en) * 1963-09-20 1966-01-25 Nat Semiconductor Corp Semiconductor device
US3383454A (en) * 1964-01-10 1968-05-14 Gti Corp Micromodular package
US3341649A (en) * 1964-01-17 1967-09-12 Signetics Corp Modular package for semiconductor devices
US3324530A (en) * 1964-07-24 1967-06-13 Ralph L Sherwood Connector support assembly for transistor connector and method of making the support assembly
US3312771A (en) * 1964-08-07 1967-04-04 Nat Beryllia Corp Microelectronic package
DE1514273B2 (de) * 1964-08-21 1974-08-22 Nippon Electric Co., Ltd., Tokio Halbleiteranordmng
US3340347A (en) * 1964-10-12 1967-09-05 Corning Glass Works Enclosed electronic device
US3388301A (en) * 1964-12-09 1968-06-11 Signetics Corp Multichip integrated circuit assembly with interconnection structure
US3349481A (en) * 1964-12-29 1967-10-31 Alpha Microelectronics Company Integrated circuit sealing method and structure
US3340602A (en) * 1965-02-01 1967-09-12 Philco Ford Corp Process for sealing
US3265806A (en) * 1965-04-05 1966-08-09 Sprague Electric Co Encapsulated flat package for electronic parts
US3374533A (en) * 1965-05-26 1968-03-26 Sprague Electric Co Semiconductor mounting and assembly method
US3522490A (en) * 1965-06-28 1970-08-04 Texas Instruments Inc Semiconductor package with heat conducting mounting extending from package on side opposite conductor extensions
US3386015A (en) * 1965-10-21 1968-05-28 Texas Instruments Inc Semiconductor element having an organic silicone base cement
US3271507A (en) * 1965-11-02 1966-09-06 Alloys Unltd Inc Flat package for semiconductors
US3404215A (en) * 1966-04-14 1968-10-01 Sprague Electric Co Hermetically sealed electronic module
US3388302A (en) * 1966-12-30 1968-06-11 Coors Porcelain Co Ceramic housing for semiconductor components
US3497774A (en) * 1967-06-07 1970-02-24 Beckman Instruments Inc Electrical circuit module and method of manufacture
US3502786A (en) * 1967-06-14 1970-03-24 Milton Stoll Flat pack spacer of low thermal diffusivity
US3538597A (en) * 1967-07-13 1970-11-10 Us Navy Flatpack lid and method
US3495023A (en) * 1968-06-14 1970-02-10 Nat Beryllia Corp Flat pack having a beryllia base and an alumina ring
US3792525A (en) * 1971-08-04 1974-02-19 Gen Motors Corp Method of making a semiconductive signal translating device
US3919602A (en) * 1972-03-23 1975-11-11 Bosch Gmbh Robert Electric circuit arrangement and method of making the same
JPS545264B1 (de) * 1975-05-19 1979-03-15
US4402134A (en) * 1977-11-14 1983-09-06 Edison International, Inc. Method of making an integrated display device
US4291815B1 (en) * 1980-02-19 1998-09-29 Semiconductor Packaging Materi Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip
US5134462A (en) * 1990-08-27 1992-07-28 Motorola, Inc. Flexible film chip carrier having a flexible film substrate and means for maintaining planarity of the substrate
US20070026691A1 (en) * 2005-07-07 2007-02-01 Mks Instruments Inc. Low-field non-contact charging apparatus for testing substrates

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB786299A (de) * 1900-01-01
CH162656A (de) * 1930-10-17 1933-06-30 Ig Farbenindustrie Ag Verfahren zur Herstellung des Natriumsalzes einer Wismutkomplexverbindung von Brenzcatechinarsinsäure.
US2446254A (en) * 1942-12-07 1948-08-03 Hartford Nat Bank & Trust Co Blocking-layer cell
US2642633A (en) * 1946-03-04 1953-06-23 Corning Glass Works Soft glass and composite article
GB705280A (en) * 1950-06-28 1954-03-10 Westinghouse Freins & Signaux Improvements in semi-conductor crystal devices
FR1099888A (fr) * 1953-05-07 1955-09-12 Philips Nv Support isolant muni d'un câblage
DE950491C (de) * 1951-09-15 1956-10-11 Gen Electric Gleichrichterelement
US2773239A (en) * 1956-12-04 Electrical indicating instruments
GB780251A (en) * 1954-02-18 1957-07-31 Pye Ltd Improvements in or relating to junction transistors
US2804581A (en) * 1953-10-05 1957-08-27 Sarkes Tarzian Semiconductor device and method of manufacture thereof
US2846655A (en) * 1955-08-19 1958-08-05 Hughes Aircraft Co Impregnated ferrite
GB806789A (en) * 1956-01-27 1958-12-31 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to cadmium sulphide
GB809970A (en) * 1955-09-12 1959-03-04 Siemens Ag Improvements in or relating to hall voltage generators
US2889952A (en) * 1956-02-01 1959-06-09 Corning Glass Works Composite article and method
US2960754A (en) * 1955-11-09 1960-11-22 Erie Resistor Corp Network assembly method
US3029366A (en) * 1959-04-22 1962-04-10 Sprague Electric Co Multiple semiconductor assembly

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA272437A (en) * 1925-10-22 1927-07-19 Edgar Lilienfeld Julius Electric current control mechanism
US2441590A (en) * 1944-03-24 1948-05-18 Bell Telephone Labor Inc Translating device
BE489418A (de) * 1948-06-26
US2762954A (en) * 1950-09-09 1956-09-11 Sylvania Electric Prod Method for assembling transistors
GB691708A (en) * 1951-04-03 1953-05-20 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to crystal valves or rectifiers
US2743430A (en) * 1952-03-01 1956-04-24 Rca Corp Information storage devices
BE520380A (de) * 1952-06-02
US2641717A (en) * 1952-08-28 1953-06-09 Us Navy Transistor one-shot multivibrator
US2827574A (en) * 1953-08-24 1958-03-18 Hoffman Electronics Corp Multivibrators
NL91651C (de) * 1953-12-09
US2788300A (en) * 1954-03-10 1957-04-09 Sylvania Electric Prod Processing of alloy junction devices
US2883592A (en) * 1955-12-30 1959-04-21 Gen Electric Encapsulated selenium rectifiers
US2905873A (en) * 1956-09-17 1959-09-22 Rca Corp Semiconductor power devices and method of manufacture
US2910634A (en) * 1957-05-31 1959-10-27 Ibm Semiconductor device

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2773239A (en) * 1956-12-04 Electrical indicating instruments
GB786299A (de) * 1900-01-01
CH162656A (de) * 1930-10-17 1933-06-30 Ig Farbenindustrie Ag Verfahren zur Herstellung des Natriumsalzes einer Wismutkomplexverbindung von Brenzcatechinarsinsäure.
US2446254A (en) * 1942-12-07 1948-08-03 Hartford Nat Bank & Trust Co Blocking-layer cell
US2642633A (en) * 1946-03-04 1953-06-23 Corning Glass Works Soft glass and composite article
GB705280A (en) * 1950-06-28 1954-03-10 Westinghouse Freins & Signaux Improvements in semi-conductor crystal devices
DE950491C (de) * 1951-09-15 1956-10-11 Gen Electric Gleichrichterelement
FR1099888A (fr) * 1953-05-07 1955-09-12 Philips Nv Support isolant muni d'un câblage
US2804581A (en) * 1953-10-05 1957-08-27 Sarkes Tarzian Semiconductor device and method of manufacture thereof
GB780251A (en) * 1954-02-18 1957-07-31 Pye Ltd Improvements in or relating to junction transistors
US2875385A (en) * 1954-02-18 1959-02-24 Pye Ltd Transistors
US2846655A (en) * 1955-08-19 1958-08-05 Hughes Aircraft Co Impregnated ferrite
GB809970A (en) * 1955-09-12 1959-03-04 Siemens Ag Improvements in or relating to hall voltage generators
US2960754A (en) * 1955-11-09 1960-11-22 Erie Resistor Corp Network assembly method
GB806789A (en) * 1956-01-27 1958-12-31 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to cadmium sulphide
US2889952A (en) * 1956-02-01 1959-06-09 Corning Glass Works Composite article and method
US3029366A (en) * 1959-04-22 1962-04-10 Sprague Electric Co Multiple semiconductor assembly

Also Published As

Publication number Publication date
NL251301A (de) 1900-01-01
MY6900309A (en) 1969-12-31
US3072832A (en) 1963-01-08
GB958241A (en) 1964-05-21
DE1186951B (de) 1965-02-11
LU38605A1 (de)
CH410195A (fr) 1966-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1283965B (de) Hermetisch eingeschlossene Halbleiteranordnung
DE69220653T2 (de) Halbleiterleistungsmodul
DE69207520T2 (de) Elektrische Leiterplattenbaugruppe und Herstellungsverfahren für eine elektrische Leiterplattenbaugruppe
DE1591186B1 (de) Verfahren zum simultanen Herstellen von Zufuehrungs-verbindungen mittels Kontaktbruecken auf Festkoerperbauelementen mit Hilfe von abziehbildartigen Vorrichtungen
DE1640457C2 (de)
DE1640467B1 (de) Verfahren zum kontaktgerechten Aufbringen von mikrominiaturisierten Komponenten auf eine dielektrische Grundplatte
DE2132939A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Dickfilm-Hybridschaltungen
DE2558361A1 (de) Verfahren zum herstellen von durchgehend metallisierten bohrungen in mehrschichtigen keramischen moduln
DE4008624A1 (de) Verfahren zur herstellung einer hybriden halbleiterstruktur und nach dem verfahren hergestellte halbleiterstruktur
DE1766879B1 (de) Elektronischer baustein
DE3913066C2 (de)
DE1052572B (de) Elektrodensystem, das einen halbleitenden Einkristall mit wenigstens zwei Teilen verschiedener Leitungsart enthaelt, z. B. Kristalldiode oder Transistor
DE1952789A1 (de) Luftdichte Kapselung fuer elektronische Bauelemente
DE3930858A1 (de) Modulaufbau
DE19543245A1 (de) Halbleitervorrichtung mit flammgespritzter Wärmeausbreitungsschicht und Verfahren für deren Herstellung
DE1514736C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE2931857A1 (de) Loetbuegel fuer mikroloetstellen
DE3035933A1 (de) Pyroelektrischer detektor sowie verfahren zur herstellung eines solchen detektors
DE2443245A1 (de) Verfahren zum herstellen einer multichip-verdrahtung
DE1465736B2 (de) Funktionsblock, insbesondere für datenverarbeitende Anlagen
DE1187283B (de) Halterung fuer ein Schaltungselement der Mikromodultechnik und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1439529B2 (de) : Halbleiterbauelement mit einem planaren Halbleiterelement auf einer Kontaktierungsplatte und Verfahren zum Herstellen desselben
DE1591751C3 (de) Schaltungsanordnung
DE1945899A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
AT229365B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen