DE19543245A1 - Halbleitervorrichtung mit flammgespritzter Wärmeausbreitungsschicht und Verfahren für deren Herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit flammgespritzter Wärmeausbreitungsschicht und Verfahren für deren Herstellung

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DE19543245A1
DE19543245A1 DE19543245A DE19543245A DE19543245A1 DE 19543245 A1 DE19543245 A1 DE 19543245A1 DE 19543245 A DE19543245 A DE 19543245A DE 19543245 A DE19543245 A DE 19543245A DE 19543245 A1 DE19543245 A1 DE 19543245A1
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Halb­ leitervorrichtungen und insbesondere Halbleitervorrich­ tungen mit flammgespritzter Wärmeausbreitungsschicht sowie ein Verfahren für deren Herstellung.
Im allgemeinen erzeugen elektronische Schaltungen auf Halbleiterchips während ihres Betriebs Wärme. Dies trifft besonders für Leistungshalbleitervorrichtungen zu. Es ist gängige Praxis, dieses Problem dadurch zu vermindern, daß der Halbleiterchip an einem Kühlkörper befestigt wird. Im Stand der Technik wird ein Halbleiterchip an einem wärme­ leitenden Metall befestigt, das als Wärmesenke wirkt, die die Wärme abführt. Ein vorherrschendes Problem, das in dem herkömmlichen Verfahren auftritt, besteht darin, daß der Halbleiterchip nicht direkt mit dem wärmeleitenden Metall verbunden werden kann. Typischerweise hat der Halbleiterchip einen völlig anderen Wärmeausdehnungsko­ effizienten als das wärmeleitende Metall. Wenn daher der Halbleiterchip direkt mit dem wärmeleitenden Metall verbunden würde, würde der Chip durch die Spannungen, die sich aus den unterschiedlichen Ausdehnungen während eines Temperaturzyklus ergeben, physikalisch beschädigt.
Halbleiterchips, insbesondere Leistungschips werden herkömmlicherweise an ein Metallsubstrat aus Aluminium geklebt, indem zwischen das Aluminiumsubstrat und den Chip eine dielektrische Schicht und möglicherweise andere Schichten aus verschiedenen Materialien eingefügt werden. Die anderen Schichten werden typischerweise so gewählt, daß sie ein Anlöten des Chips an den Stapel von Material­ schichten ermöglichen, um so die Wärmeübertragung zwi­ schen dem Chip und dem Substrat ohne Einführung von Materialien, die mit dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Chips unverträglich sind, zu maximieren. Die anderen Schichten werden auf dem Aluminiumsubstrat in einem gewünschten Muster abgelagert. Der Chip wird anschließend an den Schichtstapel unter Verwendung einer Löttablette gelötet.
In einer typischen Struktur des Standes der Technik, bei der das Metallsubstrat Aluminium ist und das Dielektrikum aus einer Schicht aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) auf dem Substrat besteht, ist zwischen den Siliciumchip und das Aluminiumoxid eine Metallschicht aus Nickel oder Kupfer eingefügt, um eine Oberfläche zu schaffen, auf die der Chip ohne weiteres gelötet werden kann. Die Wärmeausdeh­ nungskoeffizienten von Nickel und Kupfer sind jedoch von demjenigen von Silicium so verschieden, daß die thermi­ schen Spannungen in den meisten Anwendungen unannehmbar sind. Andere Metalle wie etwa Molybdän und Wolfram besit­ zen annehmbare Wärmeausdehnungskoeffizienten und zeigen eine gute Wärmeleitfähigkeit und eine gute elektrische Leitfähigkeit; für eine gute Haftung zwischen Molybdän oder Wolfram einerseits und Silicium andererseits ist jedoch eine lötfähige Schicht erforderlich.
Derzeit wird auf der hinteren Fläche des Siliciumchips eine Rückseitenmetallschicht aufgebracht, ferner wird auf die Rückseitenmetallschicht ein Molybdänteil gelötet. Um die Anzahl der zu lagernden Molybdänteile zu reduzieren, werden typischerweise für sämtliche Größen von Silicium­ chips Molybdänteile mit einer einzigen Größe verwendet. Um eine Anpassung an alle Größen der Chips vorzunehmen, muß das gemeinsame Molybdänteil groß genug sein, um die größte Chipgröße aufzunehmen. Dies hat bei kleinen Chips zur Folge, daß die Molybdänteile zu groß sind, wodurch die Packungsdichte verringert wird, weil eine unnötig große Gehäuse-Aufbringfläche erforderlich ist, die das große Molybdänteil trägt. Dies bewirkt außerdem eine Verschwendung von Materialien. Darüber hinaus erzeugt das Verlöten des Siliciumchips mit dem Molybdänteil übermäßig viel Wärme, die die Eigenschaften der elektronischen Schaltungen auf dem Chip beschädigen und/oder verändern kann. Ferner fügt das Lötmittel einen Wärmewiderstand hinzu und verändert aufgrund der geringen Wärmeleitfähig­ keit und des Vorhandenseins von Leerräumen zwischen dem Siliciumchip und dem Molybdänteil eine wirksame Wärmeab­ führung.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die obenerwähnten Nachteile des Standes der Technik zu besei­ tigen und eine Halbleitervorrichtung mit einer Wärmeaus­ breitungsschicht zu schaffen, durch die ein Halbleiter­ chip an einem Metallsubstrat befestigt werden kann, die eine erhöhte Wärmeleitfähigkeit bietet, weniger Verarbei­ tungsschritte als herkömmliche Prozesse erfordert, deren Wärmeausdehnungskoeffizient mit demjenigen des Halblei­ terchips verträglich ist und die für die Befestigung am Halbleiterchip kein Lötmittel erfordert.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren für deren Her­ stellung, wie sie in den unabhängigen Ansprüchen defi­ niert sind. Die abhängigen Ansprüche sind auf bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gerichtet.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden deut­ lich beim Lesen der folgenden Beschreibung, die auf die beigefügten Zeichnungen Bezug nimmt; es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwa­ fers mit einer flammgespritzten Wärmeausbrei­ tungsschicht gemäß der vorliegenden Erfindung, die an der hinteren Oberfläche des Wafers befe­ stigt ist;
Fig. 2 eine Schnittansicht zur Erläuterung einer flamm­ gespritzten Wärmeausbreitungsschicht in einer die vorliegende Erfindung enthaltenden elektronischen Vorrichtung; und
Fig. 3 eine Schnittansicht zur Erläuterung einer weite­ ren Ausführungsform einer flammgespritzten Wärme­ ausbreitungsschicht in einer die vorliegende Er­ findung enthaltenden elektronischen Vorrichtung.
In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen in sämtlichen Figuren gleiche oder entsprechende Elemente.
In Fig. 1 ist ein allgemein mit 10 bezeichneter Halblei­ terwafer gezeigt. Der Halbleiterwafer 10 kann aus irgend­ einem Halbleitermaterial wie etwa Silicium, Germanium, Siliciumcarbid, Siliciumgermanium, Galliumarsenid und dergleichen hergestellt sein. Auf einer oberen Fläche 13 des Halbleiterwafers 10 sind mehrere Halbleiterchips 12 definiert. Jeder Halbleiterchip 12 enthält eine elektro­ nische Schaltung, die in dieser Ausführungsform eine Leistungsschaltung ist, die während des Betriebs wenig­ stens ein Watt abstrahlt. Obwohl in der vorliegenden Ausführungsform eine Leistungsschaltung gezeigt ist, ist für den Fachmann offensichtlich, daß im wesentlichen jede Halbleiterschaltung in Betracht kommt und daß die Schal­ tungen durch irgendwelche bekannten Verfahren einschließ­ lich des epidaktischen Wachstums, der Implantation, der Isolierfilmabscheidung, der Musterdefinition usw. gefer­ tigt werden.
Auf der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 10, die der die elektronischen Schaltungen tragenden oberen Ober­ fläche 13 gegenüberliegt, ist eine Rückseitenmetall­ schicht 15 aufgebracht. Die Rückseitenmetallschicht 15 wird durch irgendein herkömmliches Verfahren wie etwa Aufdampfung, Katodenzerstäubung oder dergleichen abge­ schieden. Die Rückseitenmetallschicht 15 kann aus irgend­ einem geeigneten Material wie etwa Chrom-Nickel-Gold, Titan-Nickel-Silber oder aus irgendeinem anderen Mate­ rial, das die im folgenden beschriebenen Funktionen erfüllt, gefertigt sein. Die Rückseitenmetallschicht 15 ist dazu vorgesehen, die Anhaftung zusätzlicher Schichten zu verbessern und/oder einen ohmschen Kontakt mit dem Halbleiterwafer 10 zu schaffen. Selbstverständlich wird in einigen Anwendungen die Rückseitenmetallschicht 15 nicht notwendig sein, wobei die zusätzlichen Schichten direkt auf dem Halbleiterwafer 10 ausgebildet werden können. Die gesamte Offenbarung ist so zu verstehen, daß bei der Beschreibung eines Schrittes des Abscheidens von Material auf die hintere Oberfläche eines Halbleiter­ wafers 10 dieser Halbleiterwafer 10 eine Rückseiten­ metallschicht 15 aufweist oder nicht aufweist.
Wie weiterhin in Fig. 1 gezeigt, wird auf die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers 10 eine Wärmeausbrei­ tungsschicht 18 durch Flammspritzen aufgebracht. Das Flammspritzen eines Materials wird normalerweise durch eine im Handel erhältliche Ausrüstung ausgeführt und besteht im allgemeinen aus einer Sauerstoff-Propylen- Flamme oder aus einer Sauerstoff-Acetylen-Flamme, in die das aufzubringende Material gespritzt wird. Die Ausrü­ stung zum Flammspritzen ist von Firmen wie etwa Thermal Spray Technology Inc. in New York erhältlich. Im allge­ meinen enthält die Wärmeausbreitungsschicht 18 irgendein Material mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten, der im wesentlichen (mit Abweichungen im Millionstelbereich) dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleiterwafers 10 ähnlich ist, z. B. Molybdän, Wolfram usw. Das Flammsprit­ zen kann relativ gleichmäßig ausgeführt werden, wobei die Wärmeausbreitungsschicht 18 dick genug abgeschieden wird, um eine gleichmäßige Wärmeausbreitung jeglicher im Halb­ leiterchip 12 erzeugter Wärme zu schaffen. Im allgemeinen liegt die Dicke der Wärmeausbreitungsschicht 18 im Be­ reich von ungefähr 0,13 mm bis 0,50 mm und vorzugsweise im Bereich von ungefähr 0,20 mm bis 0,25 mm (8 bis 10 Tausendstel Zoll). Molybdän- und Wolfram-Flammspritzquel­ len sind auf dem Markt ohne weiteres erhältlich.
In herkömmlichen Vorrichtungen wird ein Wärmeausbrei­ tungsteil an einem Chip durch ein Lötmittel befestigt. Dies wird dadurch erzielt, daß zwischen einen Halbleiter­ chip und das Wärmeausbreitungsteil eine Löttablette eingefügt wird. Die Übereinanderschichtung wird dann bei einer Temperatur im Bereich von 380° bis 425°C für lange Zeitperioden geglüht, wobei die Temperatur für wenigstes 10 Minuten 300°C übersteigt. Diese übermäßige Wärme wird viele Typen von Halbleiterchips beschädigen oder verän­ dern, insbesondere jene, die eine Diffusion, eine Be­ strahlung und/oder Implantierungen verwenden, die durch über längere Zeit einwirkende Wärme nachteilig beeinflußt werden. Außerdem treten zwischen dem Halbleiterchip und dem Wärmeausbreitungsteil Leerräume in der Größenordnung von 5 bis 30% auf. Ferner wird darauf hingewiesen, daß diese herkömmlichen Verfahren nur in der Weise wirken, daß der Halbleiterchip an die Wärmeausbreitungsteile angeschlossen wird, so daß zusätzliche Befestigungs- und Handhabungsmaßnahmen erforderlich sind.
In einem Verfahren der vorliegenden Erfindung wird ein Flammspritzvorgang verwendet, um eine Wärmeausbreitungs­ schicht 18 auf der gesamten hinteren Fläche des Halblei­ terchips 10, d. h. auf sämtlichen der mehreren Halblei­ terchips 10 in einem einzigen Schritt vor der Einzelchip­ bildung ("dicing" im Englischen) aufzubringen. Selbstver­ ständlich kann jeder Halbleiterchip 12 einzeln flammge­ spritzt werden, um eine Wärmeausbreitungsschicht 18 aufzubringen, falls dies gewünscht ist. In jedem Fall kann eine ausreichend dicke Wärmeausbreitungsschicht 18 durch Flammspritzen in weniger als ungefähr einer Minute aufgebracht werden, weshalb der Halbleiterwafer 10 auf weniger als ungefähr 200°C erwärmt wird. Sobald die Wärmeausbreitungsschicht 18 auf den Halbleiterwafer 10 aufgebracht worden ist, kann er in mehrere Halbleiter­ chips 12 zerteilt werden.
In Fig. 2 ist eine allgemein mit dem Bezugszeichen 20 bezeichnete elektronische Vorrichtung gezeigt. Die elek­ tronische Vorrichtung 20 enthält einen einzelnen Halblei­ terchip 12 (der aus dem Halbleiterwafer 10 herausgelöst worden ist) mit einer Rückseitenmetallschicht 15 und einer Wärmeausbreitungsschicht 18, die darauf wie oben beschrieben ausgebildet worden sind, und einem isolierten Metallsubstrat 25. Selbstverständlich können in anderen Anwendungen anstelle des isolierten Metallsubstrats wie hier beschrieben andere Typen von Kühlkörpern verwendet werden. Das isolierte Metallsubstrat 25 kann irgendein herkömmliches Substrat sein und enthält in dieser beson­ deren Ausführungsform ein Metallsubstrat 27 wie etwa Aluminium, auf das eine Schicht 29 aus organischem Iso­ liermaterial aufgebracht ist. Auf die Schicht 29 ist eine Kupferschicht 30 aufgebracht, die ermöglicht, daß die Wärmeausbreitungsschicht 18 daran angelötet werden kann. Eine Löttablette 32 mit einem verhältnismäßig niedrigen Schmelzpunkt wird zwischen der Wärmeausbreitungsschicht 18 und der Kupferschicht 30 geschmolzen, um die elektro­ nische Vorrichtung 20 zu vervollständigen. Vorzugsweise wird ein Lötmittel mit niedrigem Schmelzpunkt, der im Bereich von ungefähr 180 bis 221°C liegt, verwendet. Optional können Lötmittel mit höherem Schmelzpunkt bis zu 320°C verwendet werden, wenn der Halbleiterchip gegen­ über hohen Löttemperaturen nicht empfindlich ist.
Nun wird mit Bezug auf Fig. 3 eine weitere Ausführungs­ form einer elektronischen Vorrichtung 120 erläutert. Die elektronische Vorrichtung 120 ist im wesentlichen der elektronischen Vorrichtung 20 von Fig. 2 ähnlich und enthält einen Halbleiterchip 112, eine Wärmeausbreitungs­ schicht 118, eine Löttablette 132, eine Kupferschicht 130, eine Schicht 129 aus organischem Isoliermaterial und ein Metallsubstrat 127. Die elektronische Vorrichtung 120 unterscheidet sich von der elektronischen Vorrichtung 20 der vorangehenden Ausführungsform dadurch, daß die Wärme­ ausbreitungsschicht 118 direkt auf die hintere Fläche des Halbleiterchips 112 flammgespritzt wird, ohne daß dazwi­ schen eine Rückseitenmetallschicht eingefügt ist.
Somit werden eine neue und verbesserte Wärmeausbreitungs­ schicht sowie ein Verfahren für deren Herstellung offen­ bart. Die Löt-Grenzfläche zwischen der Wärmeausbreitungs­ schicht und dem Halbleiterchip ist beseitigt, weshalb das Lötmaterial sowie die Leerräume, die räumlich begrenzte Temperaturgradienten hervorrufen, beseitigt sind. Die Beseitigung des Lötschrittes verringert die Erwärmung des Halbleiterchips während der Fertigung, welche eine zu­ sätzliche Diffusion hervorrufen und die Eigenschaften der Vorrichtung negativ beeinflussen würde. Außerdem ist die Weglassung der Lötschicht im Hinblick auf ein gewachsenes Umweltbewußtsein vorteilhaft, weil der Bleigehalt in der Vorrichtung reduziert ist.
Da die Wärmeausbreitungsschicht direkt auf der Rückseite des Halbleiterwafers vor dem Zerteilen des Wafers in Chips erfolgen kann, können Wärmeausbreitungsteile, Löttabletten und zusätzliche Verarbeitungsschritte besei­ tigt werden. Dadurch wird die Handhabung der Teile ver­ ringert und werden die Kosten reduziert. Ferner führt die Ausbildung der Wärmeausbreitungsschicht direkt auf dem Halbleiterwafer vor dem Zerteilen des Wafers in Chips stets zu einer Größenübereinstimmung zwischen der Wärme­ ausbreitungsschicht und dem Halbleiterchip im Endprodukt, wodurch die Aufbringflächen und damit die Platzverschwen­ dung reduziert werden. Die Verringerung der Prozeß­ schritte und der verwendeten Teile reduzieren wesentlich die Fertigungskosten des Endprodukts.
Obwohl besondere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gezeigt und beschrieben worden sind, kann der Fachmann selbstverständlich Abwandlungen und Verbesserun­ gen vornehmen. Es ist daher beabsichtigt, daß der Umfang der Erfindung nicht auf die gezeigten und beschriebenen besonderen Ausführungsformen eingeschränkt sein soll, sondern durch die beigefügten Patentansprüche definiert ist.

Claims (20)

1. Halbleitervorrichtung mit flammgespritzter Wärme­ ausbreitungsschicht (18, 118), gekennzeichnet durch
einen Halbleiterchip (12, 112) mit zwei gegen­ überliegenden Seiten und einem bestimmten Wärmeausdeh­ nungskoeffizienten, und
eine Wärmeausbreitungsschicht (18, 118), die ein Material enthält, das auf einer Seite des Halbleiterchips durch Flammspritzen abgeschieden ist, wobei das Material einen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt, der im wesentlichen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halb­ leiterchips (12, 112) ähnlich ist.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) ein Mate­ rial enthält, das aus der Molybdän und Wolfram enthalten­ den Gruppe gewählt ist.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeausbreitungsschicht eine Dicke im Be­ reich von 0,13 bis 0,50 mm besitzt.
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
auf einer Seite des Halbleiterchips (12) eine Metallschicht (15) abgeschieden ist und
die Wärmeausbreitungsschicht (18) auf der Metall­ schicht (15) abgeschieden ist.
5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Halbleiterchip (12, 112) ein Abschnitt eines Halbleiterwafers (10) ist und
die Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) eine hintere Oberfläche des Halbleiterwafers (10) bedeckt.
6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer der Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) gegenüberliegenden Seite des Halbleiterchips (12, 112) eine elektronische Schaltung ausgebildet ist.
7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, gekenn­ zeichnet durch ein Metallsubstrat (27, 127), wobei eine gegen­ überliegende Fläche der Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) am Metallsubstrat (27, 127) befestigt ist.
8. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrich­ tung mit flammgespritzter Wärmeausbreitungsschicht, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Herstellen eines Halbleiterchips (12, 112) mit einem bestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten und einer hinteren Oberfläche,
Bereitstellen eines Materials mit einem Wärmeaus­ dehnungskoeffizienten, der im wesentlichen gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips (12, 112) ist, und
Flammspritzen einer Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) aus dem bereitgestellten Material auf die hintere Fläche des Halbleiterchips (12, 112).
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Bereitstellens des Materials die Bereitstellung eines Materials enthält, das aus einer Molybdän und Wolfram enthaltenden Gruppe gewählt ist.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Flammspritzens die Abscheidung der Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) mit einer Dicke im Bereich von 0,13 bis 0,50 mm enthält.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Herstellens des Halbleiterchips (12, 112) die Abscheidung einer Metallschicht (15) auf die hintere Fläche des Halbleiterchips (12, 112) vor dem Flammspritzen der Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) enthält.
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Herstellens des Halbleiterchips (12, 112) die Herstellung eines Halbleiterwafers (10) enthält, der mehrere darauf definierte Halbleiterchips (12, 112) besitzt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Flammspritzens der Wärmeausbrei­ tungsschicht (18, 118) das Flammspritzen der Wärmeaus­ breitungsschicht (18, 118) auf eine hintere Fläche des Halbleiterwafers (10) enthält, so daß die hintere Fläche jedes der mehreren Halbleiterchips (12, 112) bedeckt ist.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Herstellens des Halbleiterchips (12, 112) das Zerteilen des Halbleiterwafers (10) in einzelne Halbleiterchips (12, 112) nach dem Flammspritzen der hinteren Fläche des Halbleiterwafers (10) enthält.
15. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Vorrichtung, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Herstellen eines Halbleiterwafers (10) mit einem bestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten, einer vorderen Fläche und einer hinteren Fläche,
Definieren mehrerer Halbleiterchips (12, 112) und Ausbilden mehrerer elektronischer Schaltungen, jeweils eine auf jedem der mehreren Halbleiterchips (12, 112), auf der vorderen Fläche des Halbleiterwafers (10),
Bereitstellen eines Materials, dessen Wärmeaus­ dehnungskoeffizient dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleiterwafers (10) im wesentlichen ähnlich ist, und
Zerlegen des Halbleiterwafers in einzelne, defi­ nierte Halbleiterchips (12, 112).
16. Verfahren nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch den folgenden Schritt:
Befestigen der Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) jedes einzelnen Chips (12, 112) auf einem Metallsubstrat (27, 127).
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Befestigens der Wärmeausbrei­ tungsschicht (18, 118) an einem isolierten Metallsubstrat (27, 127) den Schritt des Verlötens der Wärmeausbrei­ tungsschicht (18, 118) am Metallsubstrat (27, 127) ent­ hält.
18. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Bereitstellens des Materials das Bereitstellen eines Materials, das aus einer Molybdän und Wolfram enthaltenden Gruppe gewählt ist, enthält.
19. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schritt des Flammspritzens das Ablagern der Wärmeausbreitungsschicht (18, 118) mit einer Dicke im Bereich von 0,13 bis 0,50 mm enthält.
20. Verfahren nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch den folgenden Schritt:
Abscheiden einer Rückseitenmetallschicht (15) auf der hinteren Fläche des Halbleiterwafers (10) vor dem Schritt des Flammspritzens der Wärmeausbreitungsschicht (18).
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