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Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen und insbesondere von Festkörperschaltungen.
Bei der Herstellung von Transistoren und Dioden ist vorgeschlagen worden, eine Trägerplatte vorzusehen, die in "gedruckter Schaltung" hergestellte Leiterstreifen und eine Ausnehmung oder eine Durchbrechung zur Aufnahme des den Transistor oder die Diode bildenden Halbleiterkörpers aufwies. Der Halbleiterkörper wurde in der Ausnehmung oder Durchbrechung der Trägerplatte befestigt und sodann wurden die entsprechenden Zonen des Halbleiterkörpers (Basis, Kollektor. Emitter) mittels feiner Drähtchen mit den als Zuführungen dienenden Leiterstreifen verbunden. Auf diese Weise entstand ein Transistor oder eine Diode ohne Gehäuse und daher mit sehr geringen Abmessungen.
Es gehört weiters zum Stande der Technik, bei der Herstellung von Flächentransistoren und-dioden das kleine Plättchen, aus welchem der eigentliche Transistor bzw. die Diode erzeugt werden soll, auf eine dickere und wesentlich grössere Trägerplatte aus demselben Material aufzuschmelzen und dann erst das so festgehaltene und unterstützte Plättchen den verschiedenen Verfahrensgängen zur Erzeugung des Transistors oder der Diode zu unterziehen. Die Gefahr, dass das dünne Plättchen bei diesen Behandlungen zerbrach oder sonst Schaden erlitt, war damit behoben und ausserdem war die Handhabung dieser Plättchen wesentlich erleichtert. Der Vorgang des Aufschmelzens war jedoch sehr umständlich, zeitraubend und schwierig durchzuführen und hatte verhältnismässig viel Ausschuss zur Folge.
Es sind auch sogenannte Festkörperschaltungen bereits beschrieben worden, die dünne Plättchen aus halbleitendem Material zur Grundlage haben. Derartige, zusammenhängende Festkörperschaltungen sind komplette Schaltstufen, welche zur Gänze in einem festen Block aus halbleitendem Material gebildet sind. Die verschiedenen Schaltelemente, wie Widerstände, Kondensatoren und Verstärkungselemente solcher Schaltungen sind durch die Anordnung von Anschlüssen an dem halbleitenden Material und durch die Bildung von pn-Übergängen an entsprechenden Stellen des halbleitenden Körpers sowie durch die Bildung von Verbindungen zu dem halbleitenden Block gebildet, womit die Übergänge und das halbleitende Material selbst zur Erzeugung der gewünschten Elemente verwendet werden.
Genauer ausgedrückt, das halbleitende Material, welches zwischen zwei ohmischen Kontakten am Halbleiterblock liegt, bildet ein Widerstandselement, während die Kapazität eines vorgespannten pn-Überganges als Kondensator verwendet wird. Weiters können derartige Übergänge als Dioden verwendet werden und es können Verbindungen zu zweifachen Übergängen, d. s. pnp-oder npn-übergänge, hergestellt werden, um auf diese Weise ver-
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schrieben worden. Bei beiden Schaltungen sind die Verstärkerelemente, die Kondensatoren und die Widerstände unmittelbar durch die Verwendung verschiedener Teile an bzw. verschiedener Übergänge in einem einzigen Halbleiterplättchen gebildet.
Die zusammenhängenden Festkörperschaltungen erfordern demgemäss einen höheren Herstellungsaufwand als einfache Transistoren oder Dioden, da eine Mehrzahl von voneinander verschiedenen Zonen auf jedem einzelnen Halbleiterplättchen für eine solche Schaltung in verschiedener Weise behandelt
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werden muss, während für einen einzelnen Transistor oder eine einzelne Diode nur eine einzige oder höchstens zwei verschiedene Zonen behandelt werden müssen. Nichtsdestoweniger sind die Halbleiter- plättchen, die zur Bildung irgendsolcher Einheiten verwendet werden, im allgemeinen sehr dünn und haben eine Dicke von etwa 0, 05 mm. Sie sind daher nur mit Vorsicht und unter Schwierigkeiten zu hand- haben.
Wenn diese Plättchen geätzt werden, um die verschiedenen Oberflächenänderungen zur Bildung der einzelnen Schaltelemente vorzunehmen, werden sie derartig zerbrechlich, dass es sehr schwierig wird, diese Einheiten, ohne sie zu zerbrechen. zu verwenden.
Die angeführten Probleme können nun dadurch gelöst werden, indem bei einem Verfahren zur Her- stellung von Halbleitereinrichtungen, insbesondere von Festkörperschaltungen, gemäss der Erfindung zu- erst ein Halbleitereinkristall auf ein Plättchen aus isolierendem Material mit annähernd gleichem ther- mischem Ausdehnungskoeffizienten wie das Halbleitermaterial, z. B. aus keramischem Material, aufgekittet wird und dass dann die zur Ausbildung der Halbleiteranordnung erforderlichen Verfahrensschritte ausgeführt werden.
Dadurch, dass jedes Plättchen auf einen Träger oder auf eine Unterlage aufgebracht wird, ist die
Gefahr des Zerbrochenwerdens unter normalen Umständen für die Halbleiterplättchen vermieden. Das Halbleiterplättchen kann hiebei auf der Unterlage so früh als möglich im Zuge des Herstellungsprozesses angebracht werden und vorzugsweise unmittelbar, nachdem das Plättchen in seine endgültige Grösse geschnitten worden ist. Das Material, welches dazu verwendet wird, um die Halbleiterplättchen auf dem Träger zu befestigen, muss notwendigerweise allen Behandlungsschritten unterworfen werden, denen auch das Halbleiterplättchen während der Herstellung der Schaltung auf ihm unterzogen wird und muss demnach sehr strengen Anforderungen genügen.
Im einzelnen angeführt, muss das Bindemittel oder das Verbindungsmaterial geeignet sein, den Ätzmitteln (Ätzlösungen) zu widerstehen, die zum Ätzen des Halbleiterplättchens zur Erreichung der erforderlichen Veränderungen verwendet werden und muss weiters den Behandlungstemperaturen widerstehen, die mehr als 4000C betragen können. Nachdem der Wärmedehnungskoeffizient des Bindemittels in der selben Grössenordnung liegt wie jener des Halbleitermaterials und jenerderkeramischen Unterlage, werden Sprünge oder Brüche der fertigen Einheit vermieden.
Ein Bindemittel, welches diesen Bedingungen genügt und demnach für die praktische Verwendung geeignet ist, wird von der Firma "Corning GlassWorks" unter der Bezeichnung "Pyroceram Cement Nr. 95" hergestellt. Dieses Bindemittel ist ein bei verhältnismässig niedrigen Temperaturen abbindendes, wärmehärtendes Material, welches ein feines Pulver einer besonderen Glassorte enthält. Es sind jedoch auch viele andere, im Handel befindliche Bindemittel als Kleber oder als Glasur für die in der vorliegenden Beschreibung angegebenen Zwecke geeignet.
Wenn es gewünscht wird, äussere ohmische Kontakte an dem Halbleiterkörper anzuordnen, so können metallische Kontakte, Silberstreifen oder sonstiges leitendes Material von Beginn an auf die keramische Unterlage aufgebracht werden und das Halbleiterplättchen wird dann so auf die Unterlage aufgebracht, dass es auf Teilen des leitenden Streifens oder der leitenden Streifen auf der keramischen Unterlage aufliegt und mit diesen auf diese Weise in elektrische Verbindung kommt.
Gemäss einem andern Merkmal der Erfindung wird die Unterlage als Teil einer sehr festen Einheit zur Bildung eines hermetischen Abschlusses des Halbleiternetzwerkes verwendet, indem erfindungsgemäss auf dem Plättchen aus isolierendem Material rund um das Halbleiterplättchen ein Ring so aufgekittet wird, dass die auf dem Plättchen aus isolierendem Material angebrachten Leiterstreifen unter dem Ring hervorragen, und dass sodann auf dem Ring eine Deckplatte befestigt wird. Es wird also ein Gehäuse vorgesehen, welches das Halbleiterplättchen völlig umschliesst und die Leiterstreifen zum Teil überdeckt, und es sind Mittel vorgesehen, welche das Gehäuse, die Teile der Leiterstreifen und das Plättchen aus Isoliermaterial hermetisch miteinander verbinden, um auf diese Weise das Halbleiterplättchen hermetisch zu umschliessen.
Wenn der Träger in dieser Weise verwendet wird, muss das Material zum Verbinden des Halbleiterplättchens mit der Unterlage auch geeignet sein, den hermetischen Abschluss aufrecht zu erhalten. Das zuvor genannte Bindemittel der Firma"Corning Glass Works" wurde als auch für diesen Zweck geeignet befunden.
Diese besondere hermetische Umhüllung kann ein geringeres Volumen haben als dies gemäss den bisher zur Erzielung von hermetischen Umhüllungen verwendeten Verfahren möglich war. Als Beispiel hiefür diene die Angabe der Aussenabmessungen einer hermetisch umhüllten Einrichtung, wie sie in den Fig. 1 bis 3 gezeigt und nach der Erfindung hergestellt ist : die rechtwinklige Grundfläche umfasst 2,5 X 2,5mm und die Dicke beträgt 0, 5 mm. Wenn auch eine Einrichtung solch geringe Abmessungen aufweist, so ist das Endprodukt dennoch bemerkenswert widerstandsfähig und dauerhaft.
Diese Eigenschaften werden besonders durch die Verwendung solcher zusammengekitteter Konstruktionen verliehen, bei welchen die
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empfindlichen Leitungen zwischen dem Halbleiter und der keramischen Unterlage durch die Glasur herausgeführt und im Bereiche der elektrischen Verbindung mehrfach verstärkt sind.
Die angeführten Merkmale sowie weitere Gegenstände und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung verschiedener Ausführungsformen in Verbindung mit den Zeichnungen genau erläutert werden.
In der Zeichnung zeigt Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement, das auf eine keramische Unterlage montiert ist, die elektrische Leitungen trägt, Fig. 2 ist ein Querschnitt durch eine Einrichtung ähnlich der in Fig. 1 gezeigten, wobei die keramische Unterlage als eines der Elemente einer hermetischen Umhüllung verwendet ist, die um das Halbleiterelement herum angeordnet ist, Fig. 3 ist ein Querschnitt einer abgeänderten Ausführungsform der Einrichtung nach Fig. 2, Fig. 4 zeigt das Schaltbild einer Festkörperschaltung, welche gemäss den Lehren der Erfindung hergestellt und ausgeführt worden ist, Fig. 5 ist eine Draufsicht auf eine Festkörperschaltung, welche nach dem in Fig. 4 gezeigten Prinzipschaltbild aufgebaut ist, u. zw. bei einem bestimmten Abschnitt seiner Herstellung, und Fig. 6 zeigt einen Querschnitt entlang der Linie 6-6 in Fig. 5.
In Fig. 1 der beiliegenden Zeichnungen ist eine Ausführungsform dargestellt, die zwei bestimmte Wesensmerkmale der Erfindung zeigt, u. zw. ist in dieser Figur eine keramische Unterlage oder ein keramisches Plättchen 1 zu erkennen, auf welches ein kleiner Block 2 von halbleitendem Material mit Hilfe eines Bindemittels, wie dies zuvor bereits beschrieben wurde, befestigt ist. Gemäss einem der Merkmale der Erfindung kann der Block 2 auf die Unterlage l, unmittelbar nachdem er in die gewünschten Abmessungen zerschnitten worden ist, aufgebracht werden. Er wird auf der Unterlage 1 während aller fol-
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leitende Block 2 unterworfen wird, Ätzen, Erwärmen, Aufdampfen sowie andere Vorgänge, die zur Er- zeugung der Übergänge und der zugehörigen Verbindungen erforderlich sind.
Die Unterlage 1 kann zur Bildung der äusseren Verbindungen zum Halbleiterblock 2 dienen. Genauer ausgedrückt, kann die Unterlage 1 auf ihrer Oberseite, um die Verbindungen mit dem Plättchen 2 eine
Mehrzahl von leitenden Streifen od. dgl. aufweisen, wie diese z. B. mit den Bezugszeichen 3, 4, 6 und 7 versehen sind, welche sich auch unter den Block 2 erstrecken können. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, erstrekken sich die Leitungen 3, 4 und 6 unter den Block 2, so dass, wenn dieser Block auf die Unterlage 1 aufgeklebt und mit den Leitungen durch Löten oder durch ein leitendes Bindemittel 5 verbunden wird, ein ohmscher Kontakt zwischen dem Block 2 und den Leitern 3,4 und 6 entsteht.
Der Leiter 7 erstreckt sich, wie dies in der Fig. 1 klar zu erkennen ist, nicht unter den Block 2 und dient dazu, über die Leitung 9 mit dem Übergang 8, welcher auf der Oberseite des Blockes 2 gebildet ist, eine Verbindung herzustellen. Der Übergang 8 bildet eine Halbleiterdiode und die Verbindung mit den Elementen der Diode wird durch die Leiter 4 und 7 hergestellt.
Die in Fig. 1 gezeigte Schaltung enthält einen Widerstand zwischen den Leitern 3 und 6 - diesen Widerstand bildet das halbleitende Material, das zwischen den beiden Leitern 3 und 6 liegt-und weiters auch noch eine Halbleiterdiode, die zwischen dem Leiter 4 - einem Mittelanschluss des Widerstandesund der Leitung 7 liegt. Wie dies aus der weiteren Beschreibung noch klar hervorgehen wird, ist die Halbleitereinrichtung, auf die die Erfindung Bezug hat, in keiner Weise auf irgendein bestimmtes Schaltschema beschränkt, sondern kann vielmehr auf alle Formen von Halbleitereinrichtungen und Festkörperschaltungen Anwendung finden.
In der Fig. 2 der Zeichnung ist eine weitere Ausgestaltung der Einrichtung gemäss der Fig. 1 ersichtlich. Bei dieser Ausbildungsform ist um den Halbleiterblock 2 herum eine hermetische Umhüllung vorgesehen, wobei die Unterlage 1 als eines der Elemente der hermetischen Umhüllung verwendet wird. Genauer ausgedrückt wird ein Metallring 11 vorgesehen, der an seiner Unterseite und an den unteren Teilen seiner Seitenflächen nichtleitende Glasuren 12 trägt. Die Unterlage 1 ist mit einem Ring 13 von niedrigschmelzender und nicht leitender Glasur versehen, dessen innerer und äusserer Rand über die zugehörigen Durchmesser des Ringes 11 vorstehen.
Dieser Ring 11 wird auf die Unterlage 1 so aufgesetzt, dass seine Glasur 12 mit der Glasur 13 auf der Unterlage in Berührung kommt ; sodann wird die ganze Einrichtung erhitzt, bis die Glasur 13 hinreichend weich wird, um mit der Glasur 12 eine bleibende Verbindung einzugehen. Wenn die Verbindung zwischen der Glasur 12 und dem Ring 11 für sich allein durchgeführt
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beiden Glasuren 12 und 13 angewendet wird. In der Praxis können demnach die beiden Glasuren 12 und 13 aus verschiedenen Glasarten bestehen, so dass der Schmelzpunkt und der Wärmedehnungskoeffizient jeder dieser Glasarten um so genauer jenen Werten entsprechen kann, die jenes
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Material besitzt, auf welches die Glasur, bevor die Verbindung der beiden Glasuren vorgenommen wird, aufgebracht wird.
Bei einer abgeänderten Ausführungsform kann die Glasur 13 durch das zuvor bereits er- wähnte Bindemittel"Pyroceram Cement"von Corning ersetzt werden, wodurch jede Einwirkung von Wär- me auf das Halbleiterblöckchen 2 vermieden wird. Werden aber beide Glasuren 12 und 13 verwendet, so i kann die Einwirkung der Wärme auf den Halbleiter durch besonders sorgfältige Kontrolle der Temperatur und der Dauer der Einwirkung der Schmelzwärme verhindert werden. Sodann wird eine Metallplatte 14 auf die obere Seite des Ringes 11 aufgelötet oder aufgeschweisst, um die Herstellung der ganzen Enrich- tung zu vollenden. Es ist klar, dass alle diese Vorgänge in einem trockenen, inerten Schutzgas oder im
Vakuum durchgeführt werden, so dass jede Einwirkung von Feuchtigkeit auf das Innere des von der hermetischen Umhüllung umschlossenen Raumes verhindert ist.
Wie der Fig. 2 entnommen werden kann, wird der Glasurring 13 auf die Unterlage aufgebracht, nach- dem die Leiterstreifen 4 und 7 angeordnet worden sind. Diese Streifen können durch Aufbringen einer lei- tenden Farbe oder von Metallstreifen gebildet werden ; im letzteren Falle kann die Glasur 13 auch dazu verwendet werden, die Leiterstreifen in ihrer Lage auf dem keramischen Plättchen 1 zu halten. Das Halb- , leiterelement 2 kann auf der Unterlage mit Hilfe eines Klebmittels 10 befestigt werden, wie dies schon erwähnt worden ist, oder aber es kann allein durch die Lötverbindungen 5 an seiner Stelle gehalten wer- den, welche die Verbindung zu den Leitern 4 und 7 herstellen.
Aus dem Obigen gehthervor, dass die Unterlage 1 bei der gezeigten Einrichtung und beim erfindung gemässen Verfahren drei verschiedene Funktionen erfüllen muss, u. zw. dient sie als Träger für den Block
2 während dessen Behandlung zur Erzielung dergewünschten elektrischen und physikalischen Eigenschaften. sie bildet den Träger für die äusseren Zuleitungen, die dazu verwendet werden, um die verschiedenen
Verbindungen zu dem fertigen Halbleiterelement bzw. den fertigen Halbleiterelementen herzustellen, und schliesslich dient sie als eines der Elemente einer Einrichtung, die eine hermetische Umhüllung des Halb- leiterelementes 2 bildet.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 3 wird hervorgehoben, dass in dieser Figur eine andere Ausführung- art der hermetischen Umhüllung gezeigt ist, die um das Halbleiterelement 2 herum angeordnet werden kann. Auch diese Umhüllung verwendet die Unterlage 1 als eines der Elemente, aus denen sie besteht. Bei dieser Ausführungsform wird ein Ring 16 aus keramischem, nichtleitendem Material unmittelbar auf die
Unterlage 1 mit Hilfe einer Glasur 13 aufgekittet ; die obere Seite des Ringes ist mit einer Metallschicht (Metallisierung) versehen. Danach wird eine Metallplatte 14 durch Löten, Schweissen oder in irgendeiner andern Weise mit der metallisierten Oberfläche des Ringes verbunden, wodurch die hermetische Umhül- lung um das Halbleiterelement 2 vollendet wird.
In Fig. 4 ist ein Multivibrator gezeigt. Die Wirkungsweise und der Aufbau der Schaltung gemäss der
Fig. 4 soll nicht weiter behandelt werden bis auf jene Merkmale, welche gemäss der Erfindung aufgebaut sind. Der Multivibrator umfasst zwei Transistoren Tl und T2 sowie verschiedene äussere Verbindungen, die zur Schaltung gehören. Eine Leitung 18 ist mit den Emitter-Elektroden 19 bzw. 21 der Transistoren Tl und T2 verbunden, und eine weitere Leitung 22, die an eine Spannungsquelle von 3 Volt angeschlos- sen wird, ist über die Widerstände 23 und 24 mit den Basen 26 bzw. 27 der beiden Transistoren Tl und T2 in Verbindung. Die Basis-Elektrode 26 des Transistors Tl ist weiters in Verbindung gebracht mit einem
Eingangsanschluss 28 für den Transistor Tl, und die Basis 27 ist mit einem Eingangsanschluss 29 für den
Transistor T2 verbunden.
Der Transistor Tl besitzt eine Kollektor-Elektrode 31, die an den Ausgangsan- schluss 32 angeschlossen ist, und der Transistor T2 weist eine Kollektor-Elektrode 33 auf, die mit einem
Ausgangsanschluss 34 verbunden ist. Die Kollektor-Elektrode 31 des Transistors Tl steht weiter über einen
Widerstand 36 mit dem Anschluss 37 in Verbindung, der seinerseits mit dem negativen Pol einer Vier-Volt-
Spannungsquelleverbundenwird. Die Kollektor-Elektrode 33 des Transistors T2 ist über einen Widerstand
38 mit dem Anschluss 37 in Verbindung gebracht.
In den Fig. 5 und 6 der Zeichnungen ist ein Halbleiterplättchen 39 gezeigt, auf welchem sich alle
Elemente befinden, die in Fig. 4 ersichtlich sind. Das Halbleiterplättchen 39 ist auf einem dünnen, lei- tenden, gefederten Metallplättchen 40 montiert, bei welchem von einem zusammenhängenden Rand
Streifen ins Innere der Plättchen-Fläche vorstehen. Das Plättchen 40 kann durch Ätzen eines sehr dünnen
Metallbleches erzeugt werden, das den gleichen Ausdehnungskoeffizienten wie Silicium hat, beispiels- weise kann es aus einer Legierung von Kobalt, Nickel und Eisen bestehen, die im Handel als"Kovar"be- kannt ist. Genauer ausgedrückt, ist das Plättchen 40 mit vom Rande nach innen ragenden Streifen versehen, die den Anschlüssen 18, 22, 28,29, 32,34 und 37 in Fig. 4 entsprechen.
Es ist hier hervorzuheben, dass alle Eingangsstreifen mit Ausnahme des Leiters 18 sich unter das Halbleiterplättchen 39 erstrecken und mitdiesem in Kontakt treten, u. zw. dadurch, dass das Halbleiterplättchen 39 mechanisch aufgesetzt und
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nachher mit der Oberseite der Streifen durch Legierungsbildung verbunden wird.
Ein Plättchen 41 aus ke- ramischem Material, aus Glas oder aus ähnlichem Material von Abmessungen, die im wesentlichen de- nen des Ringes 52 entsprechen, wird nunmehr beispielsweise mit Hilfe eines Klebemittels 10 aufgebracht, u. zw. auf die Unterseite des Leitungsplättchens 40 und des Halbleiterblockes 39, um eine Verstärkung für dieses äusserst dünne Metallplättchen und das auf letzteres aufgebrachte Halbleiterelement während der nun folgenden Behandlungsvorgänge und auch bei der Verwendung des Elementes zu bilden. Das Halb- leiterplättchen wird weiters mit leitenden Metallschichten 42 und 43 versehen, die durch Aufdampfen ge- bildet werden. Diese Schichten befinden sich an einander entgegengesetzten Enden des Halbleiterplätt- chens an dessen oberer Seite und im Abstand vom Plättchen 40.
Die Schicht 42 ist durch Erhitzung mit dem Leitungsdraht 44 verbunden und steht über die Leitung 44 in Verbindung mit der Basis-Elektrode 27 des Transistors T2 und ist weiters über die Leitung 46 mit dem Eingangsanschluss 29 verbunden. Die lei- tende Schicht 43 ist über die Leitung 47 an die Basis-Elektrode 26 des Transistors Tl angeschlossen und ist weiters über die Leitung 48 mit dem am Plättchen 40 als Eingangsanschluss 28 bezeichneten Streifen ver- bunden. Die Emitter-Elektroden der Transistoren Tl und T2 sind untereinander durch eine Drahtleitung 49 verbunden und stehen über die Leitung 51 mit dem Leiter 18 in Verbindung. Alle Drahtleitungen, welche mit den Streifen des leitenden Plättchens verbunden sind, liegen Innerhalb eines Ringes 52, der den Ringen
11 bzw. 16 nach den Fig. 2 und 3 entspricht.
Der Ring 52 kann aus Keramik oder aus Metall bestehen ; er ist in jedem Falle mit den Plättchen 40 und der Unterlagsplatte dicht verbunden, umgibt das Halbleiter- plättchen 39 zur Gänze und auch die zu diesem führenden Verbindungen. Nachdem der Ring 52 mit dem
Plättchen 40 bleibend verbunden worden ist, wird eine Metallplatte, entsprechend der Platte 14, auf dem oberen Rand des Ringes befestigt und auf diese Weise die Umhüllung vollendet.
Es ist von Wichtigkeit, dass die Platte 40 mit Arbeitslöchern 53 und 54 versehen ist. Diese Löcher 53 und 54 bilden Passpunkte, die auch in der Form von Auszähnungen des Plättchens 40 ausgebildet sein könn- ten. Diese Passpunkte dienen dazu, um das Plättchen und das Halbleiterplättchen bei allen Bearbeitungs- vorgängen auf den dazu gehörigen Vorrichtungen in die richtige Lage zu bringen. Die Bearbeitungsvor- gänge beinhalten das Ätzen des Halbleiterplättchens 39, die Bildung von Übergängen und Regionen ver- schiedener Leitfähigkeit in diesem Plättchen, die Bildung eines Schlitzes 56 darin, um dieGebietever- schiedener Funktion voneinander zu isolieren, die Bildung der leitenden Streifen 42 und 43 daran und die
Herstellung der Verbindungen der einzelnen Leiter mit diesen.
Die Passpunkte 53 und 54 dienen auch da- zu, das Plättchen 40 während der Aufbringung des Halbleiterplättchens auf dieses in der richtigen Lage zu halten, da die Aufbringung dieses Plättchens sehr kritisch ist, um das richtige Zusammenwirken des Halb- leiterplättchens mit dem Plättchen 40 zu erreichen, da sich erst dadurch die richtigen Widerstandswerte u. dgl. und die richtige Funktion der ganzen Einrichtung ergeben.
Nachdem das Halbleiterplättchen in seiner Umhüllung hermetisch abgeschlossen worden ist, wird das Plättchen 40 an den strichlierten, mit 57 und 58 bezeichneten Linien abgeschnitten, wodurch nun die endgültige Form der Einheit entsteht, bei welcher die einzelnen Streifen des Plättchens 40 voneinander völlig getrennt sind und wobei sich ein hinreichend grosser Teil dieser Streifen über den Ring 52 hinaus nach aussen erstreckt, so dass in einfacher Weise die Verbindungen zwischen diesen Streifen und irgend- welchen äusseren Anschlüssen zu bilden sind oder die ganze Einheit mit den Anschlüssen einer gedruckten
Schaltung verbunden werden kann.
Der vorhergehenden Beschreibung ist klar zu entnehmen, dass ein Verfahren und eine Vorrichtung zum
Zusammensetzen von Halbleiterstrukturen geschaffen worden ist, bei welchen ein relativ kleines Halblei- terplättchen auf eine keramische Unterlage aufgebracht wird, damit dieses Halbleiterplättchen während seiner mechanischen Behandlung getragen wird, wobei die keramische Unterlage weiters noch zu vorteil- haften Zwecken und zur Verleihung der endgültigen Form solcher Festkörperschaltungen dient.
Wenn auch nur bestimmte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben worden sind, ist es klar, dass
Abänderungen der Einzelheiten des Aufbaues, wie er im einzelnen beschrieben und dargestellt worden ist, vorgenommen werden können, ohne den Rahmen der Erfindung hiefür verlassen zu müssen.
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