DE1216437C2

DE1216437C2 - Verfahren zur herstellung einer mikrominiaturisierten integrierten halbleiterschaltungsanordnung

Info

Publication number: DE1216437C2
Application number: DE19601216437
Authority: DE
Priority date: 1959-05-06
Filing date: 1960-05-06
Publication date: 1974-01-24
Also published as: US3115581A; JPS5510981B1; GB953917A; MY6900308A; DE1216437B

Description

B Li N D E S R E P U B LI K D E U T S C H LA N B Int. CL:

H Oi 1 -19/00

D EUTSCH ES

PATENTAMT Deutsche Kl.: 21g-11/02

PATENTSCHRIFT

Nummer:

Aktenzeichen:

Anmeldetag:.

P 12 16 437.3-33 (T 18345)

6. Mai 1960

12. Mai 1966

24.Januar 1974

Auslegetag:

Ausgabetag:

Patentschrift weicht von der Auslegeschrift ab

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer mikrominiaturierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung, bei welchem verschiedene aktive und passive Schaltungselemente in oder auf einem Halbleiterplättchen derart gebildet werden, daß sich alle einen Teil eines Schältungselements bildenden pn-Übergänge zu der gleichen Flache des Halbieiterplättchens erstrecken.

Bei bekannten mikrominiaturisierten integrierten Halbleiterschaltungsanordnungen dieser Art sind alle aktiven und/oder passiven Schaltungselemente in oder auf einer Fläche eines zusammenhängenden Halbieiterplättchens gebildet, das somit zugleich die tragende Unterlage für die ganze Anordnung bildet. Da verschiedene Gebiete dieses Halbieiterplättchens verschiedenen Schaltungselementen zugeordnet sind, ist es erforderlich, diese Gebiete im Innern des Halbleiterplättchens elektrisch voneinander zu iso-Heren. Dies geschieht beispielsweise durch die BiI-dung von hochohmigen Zwischengebieten oder von trennenden pn-Übergängen. Es ist aber offensichtlich schwierig, auf diese Weise eine vollkommen elektrische Trennung der verschiedenen Gebiete zu erreichen.

Das Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens, das die Herstellung von mikrominiaturisierten integrierten Halbleiterschaltungsanördnungen ermöglicht, bei denen im wesentlichen der gleiche feste mechanische Zusammenhalt wie bei den bekannten integrierten Anordnungen besteht, aber eine sehr viel bessere elektrische Trennung der verschiedenen Halbleitergebiete möglich ist.

Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht, daß das Halbleiterplättchen auf einer Fläche einer größeren isolierenden Unterlage befestigt wird und in räumlich getrennte, von der isolierenden Unterlage mechanisch zusammengehaltene Plättchenteile unterteilt wird, von denen jedes wenigstens eines der Schaltungselemente enthält, und daß die Schaltungselemente vor der Unterteilung des Halbieiterplättchens in oder auf diesem gebildet werden.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine vollkommene räumliche Trennung der Plättchenteile erreicht, die dann nur noch über die isolierende LTnterlage mechanisch-.miteinander verbunden sind, elektrisch abejr vollständig gegeneinander isoliert sind. Der mechanische Aufbau ist dennoch kompakt und sehr robust Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht eine sehr genaue Abgrenzung und vielseitige Gestaltung der den einzelnen Schaltungselementen zugeordneten Plättchenteile.

Es ist zu bemerken, daß gemäß einem gleich alten Vorschlag eine ähnliche Wirkung dadurch erreicht

Verfahren zur Herstellung einer
mikrominiaturisierten integrierten
Halbleiterschaltungsanordnung

I*atentiort für:
■ .

Texas Instruments Incorporated,
Dallas, Tex. (V. St. A.)

Vertreter:

Dipi.-Ing. E. Prinz und Dr. rer. nat. G. Hauser,
Patentanwälte, 8000 München

Als Erfinder benannt:

Jack St. Clair Kilby, Dallas, Tex. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 6. Mai 1959 (811 371)

ao wird, daß mehrere Halbleiterzonen oder Halbleiterschichten, in denen oder auf denen die Schaltungselemente gebildet sind, elektrisch voneinander getrennt und uti Abstand voneinander in oder an der einen Oberfläche einer scheibenförmigen Halbleitera5 unterlage so angeordnet sind, daß sie sich nicht bis zu deren entgegengesetzten Oberfläche erstrecken.

Zum Unterschied hiervon wird beim Erfindungsgegenstand eine isolierende Unterlage verwendet, auf der Teile eines Halbleiterplättchens befestigt sind.
Eine Weiterbildung der Eründung besteht darin, daß an der Fläche der isolierenden Unterlage, an der das Halbleiterplätlchen befestigt wird, in einer Ebene liegende Leiter derart angebracht werden, daß wenigstens einige von ihnen zwischen der isolierenden Unterlage und dem Halbleiterplättchen liegen.

. Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielshalber beschrieben. Darin zeigt

Fig. la das Schaltbild der Grundbestandteile einer Baugruppe, die in Verbindung mit einer zweiten Baugruppe gleicher Art eine bistabile Multivibratorschaltung ergibt, .

F i g. 1 b das Schaltbild der Baugruppe von F i g. 1 a mit einer zusätzlichen Dioden-Eingangsschaltung.

Fig. 2 die Oberansicht einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten mikrominiaturisierten integrierten Halbleiterschaltungsanordnung, welche die Baugruppe von Fig. Ib darstellt,

Fi g. 3 einen Schnitt nach Linie 3-3 von F i g. 2, F i g. 4 einen Schnitt nach Linie 4-4 von F i g. 2, Fig. 5 einen Schnitt nach Linie 5-5 von Fig. 2 und F i g. 6 einen Schnitt nach Linie 6-6 von F i g. 2.

309 482/465

Fig. la zeigt die wesentlichen Grundbestandteile einer Baugruppe, welche die eine Hälfte einer bistabilen Multivibratorschaltung bildet, die durch symmetrische Zusammenschaltung von zwei gleichartigen Baugruppen entsteht. Das aktive Element T₁ ist ein npn-Transistor, dessen Kollektorelektrode 12 über einen Widerstand R₁ an ein positives Potential angeschlossen ist. Die Emitterelektrode 14 ist an ein geringeres positives Potential gelegt, und die Basiselektrode 16 ist über einen Widerstand A₃ mit einem negativen Potential verbunden. Außerdem ist die Basiselektrode 16 mit einer Eingangsklemme /, und über einen Widerstand R₂ mit einer Klemme CC verbunden.

Die in F i g. 1 a gezeigte Schaltung stellt nur eine Hälfte einer bistabilen Multivibratorschaltung dar, die manchmal auch als Eccles-Jordan-Schaltung oder Flip-Flop-Schaltung bezeichnet wird. Zur Bildung der vollständigen Flip-Flop-Schaltung wird mit der Schaltung von Fig. la eine zweite, völlig gleichartige Schaltung in folgender Weise verbunden: Die Ausgangsklemme A der Kollektorelektrode 12 von F i g. 1 a wird mit der Klemme CC der zweiten Schaltung verbunden, und die Klemme CC von Fig. la wird mit der Ausgangsklemme A der zweiten Schaltung verbunden.

Die in F i g. 1 a gezeigte Schaltung ist zwar in der beschriebenen Weise funktionsfähig, doch sind bistabile Multivibratorschaltungen dieser Art meist noch mit zusätzlichen Schaltungselementen im Eingangskreis versehen. Eine derartige ergänzte Baugruppe ist in Fig. Ib dargestellt. Sie enthält die Grundschaltung von F i g. 1 a. Zusätzlich sind zwischen die-Eingangsklemme I₁ und die Basiselektrode 16 ein Kondensator C₂ und eine Diode D₁ eingefügt, wobei der Verbindungspunkt zwischen diesen Schaltungselementen über eine Diode D₂ mit der Emitterelektrode 14 verbunden ist. Ferner ist eine Platte 26 vorgesehen, die eine verteilte Kapazität C₁ parallel zu dem gesamten Widerstand R₂ und zu einem Teil des Widerstands R₃ darstellt.

Der Betrieb einer aus zwei Baugruppen nach Fig. Ib bestehenden Multivibratorschaltungen läßt sich wie folgt verstehen: Wenn der Transistor T₁ im stromführenden Zustand ist, bewirkt ein von der Eingangsklemme I₁ über den Kondensator C₂ und die Pufferdiode D₁ eingekoppelter negativer Impuls, daß das Potential der Basis 16 unter das Potential des Emitters 14 fällt, wodurch der Transistor T₁ gesperrt wird. Die Spannung am Kollektor 12 steigt dann an und bringt das Potential der quergekoppelten Basiselektrode des nichtstromführenden Transistors über das Potential des zugehörigen Emitters. Dieser zuvor nicht stromführende Transistor beginnt daher Strom zu führen, während der Transistor T₁ von Fig. Ib vollständig gesperrt wird, da der Potentialabfall am Kollektor des zuvor nichtstromführenderi Transistors zu der Basis 16 des Transistors T₁ über den Widerstand R₂ und den Kondensator C₁ übertragen wird. Der gleiche Vorgang tritt wieder ein, wenn der Zustand der bistabilen Multivibratorschaltung erneut verändert werden soll, mit Ausnahme, daß der Auslöseimpuls dann dem anderen, stromführenden Transistor zugeführt wird. Der Kondensator C₁ bewirkt eine Vergrößerung der Umschaltgeschwindigkeit der Schaltung.

In F i g. 2 ist gezeigt, wie die Multivibratorbaugruppe von Fig. Ib erfindungsgemäß in Abschnitten eines Plättchens aus einkristallinem Halbleitermaterial gebildet wird. Daraus läßt sich durch Weglassen der entsprechenden Teile unmittelbar auch die Bildung der Anordnung von F i g. 1 a erkennen. Bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das Ausgangsmaterial ein Plättchen aus Halbleitermaterial des Leitungstyps η mit den Abmessungen 5 mm ,-s 2 mm bei einer Dicke von 0,075 mm Dieses Plättchen wird auf einer isolierenden Unterlage in Form einer Keramikplatte 34 befestigt, die eine etwas größere Fläche hat und so dick ist, daß sie einen ausreichend festen Träger für das Halbleiterplättchen darstellt. Später wird das Halbleitermaterial einer Formätzung unterzogen, durch welche vier voneinander getrennte Teile des Halbleiterkörpers in Form von Streifen 36, 38, 40 und 42 gebildet werden, die auf der Unterlage 34 in der in Fig. 2 gezeigten Anordnung befestigt sind. Bevor das HaIbleiterplättchcn durch die Formätzung unterteilt wird, werden die für die Bildung der Schaltungselemente erforderlichen Diffusions-, Materiaiauftrags- und Ätzbehandlungen durchgeführt. Nachstehend wird zwar des besseren Verständnisses wegen die Herstellung der verschiedenen Schaltungselemente in dem Halbleitermaterial einzeln für jeden Streifen erläutert, doch werden in Wirklichkeit die beschriebenen Herstellungsstufen noch an dem unsprünglichen Halbleiterplättchen vorgenommen, bevor es durch die Formätzung in mehrere Streifen unterteilt wird.

An der Unterlage 34 werden metallische Anschlußleiter 44, 46, 48, 50, 52, 54, 56 und 58 befestigt, die als Eingangs- und Ausgangsklemmen für die Signale und Spannungen dienen, wie in Fig. Ib angegeben ist. Es ist zu bemerken, daß alle zuvor genannten Anschlußleiter mit Ausnahme des Anschlußleiters 46 bis unter verschiedene Gebiete der Streifen 36, 38, 40, 42 ragen, wie durch die gestrichelten Linien in F i g. 2 angedeutet ist, so daß sie

4" mit diesem ohmsche Verbindungen bilden. Der Anschlußleiter 46 steht nicht in direktem ohmschen Kontakt mit einem der zuvor genannten Halbleiterstreifen; er ist aber mit einem Schaltungselement verbunden, das in einem Gebiet des Streifens 38 gebildet ist, wie später erläutert wird. Die Anschlußleiter 44 und 54 dienen nicht zur Ein- oder Ausgabe von Signalen; sie stehen aber in ohmschem Kontakt mit Gebieten der zugehörigen Scheiben 36 und 38. Sie können dahef als innere Verbindungspunkte für den Anschluß von Schaltungselementen dienen, die in den Halbleiterstreifen enthalten sind.

Die Herstellung der Schaltungselemente in dem Streifen 42 wird nun unter Bezugnahme auf F i g. 3 erläutert. In F i g. 2 sind die Gebiete der Halbleiterstreifen mit den gleichen Bezugszeichen wie die entsprechenden Schaltungselemente von Fig. Ib bezeichnet. Der Streifen 42 hat eine L-Form mit einem senkrechten und einem waagerechten Schenkel. Die Abmessungen des Streifens 42 sind so bemessen, daß die Summe der wirksamen Widerstände des Halbleitermaterials der beiden Schenkel gleich dem gewünschten Wert des in Fig. 1 gezeigten Widerstands R₁ ist. Dieser Widerstand läßt sich aus folgender Gleichung berechnen:

R = ρ LfA .

Darin ist L die Summe der wirksamen Längen der beiden Schenkel in Zentimeter, A die Querschnitts-

fläche des Streifens und ρ der spezifische Widerstand des den Streifen 42 bildenden n-Halbleitermaterials in Ohm · cm.

Der (in der Zeichnung) links liegende Abschnitt des waagerechten Schenkels des Streifens 42 wird so behandelt, daß darin der Transistor T₁ gebildet wird. In F i g. 3 ist ein Querschnitt durch diesen linken Abschnitt dargestellt, der erkennen läßt, wie der Transistor hergestellt wird. In diesem Abschnitt des Streiiens 42 wird in an sich bekannter Weise eine p-Zone gebildet, beispielsweise durch Eindiffundieren von entsprechenden Störstoffen in dampfförmigem Zustand in den Streifen, so daß darin ein gleichrichtender pn-übergang gebildet wird. Eine zweite n-Zone 76 wird in dem Streifen 42 über der p-Zone 78 gebildet, so daß ein zweiter gleichrichtender pn-übergang zwischen den Zonen 76 und 78 entsteht. Der Streifen 42 wird dann unter Anwendung der bei der Transistorherstellung üblichen Verfahren einer Ätzbehandung unterworfen, durch die die beiden diffundierten Schichten 76 und 78 von dem Streifen entfernt werden, mit Ausnahme des durch einen Kreis bezeichneten Gebiets im linken Teil des Streifens. Die Zonen 76, 78 und das darunterliegende linke Gebiet des Streifens 42 stellen nun einen npn-Tran^ sistor dar. Bei der in Fi g. 2 und 3 gezeigten Ausführungsform ist die Zone 76 die Emitterzone des Transistors, die Zone 78 ist die Basiszone, und die unter den Zonen 76 und 78 liegende η-Zone des Streifens 42 stellt den Kollektor des Transistors dar. Eine metallische Emitterelektrode 14 wird an der Zone 76 beispielsweise durch Aufdampfen im Vakuum oder durch Legieren so angebracht, daß sie einen ohmschen Kontakt mit dem Emitter bildet, und eine metallische Basiselektrode 16 wird in der gleichen Weise angebracht und durch die Zone 76 hindurchlegiert, so daß sie einen ohmschen Kontakt mit der Basiszone 78 und einen gleichrichtenden Kontakt mit der Zone 76 bildet. Der Übergang zwischen der Elektrode 16 und der Zone 76 kann gegebenenfalls geätzt werden, wie in der Technik der doppeltdiffundierten Transistoren üblich ist, zu denen auch der Transistor T₁ gehört. Die Anschlußleiter 50 und 58 stehen ferner an den in F i g. 2 gezeigten Stellen in ohmschem Kontakt mit dem Streifen 42.

Nun wird der Aufbau der Diode D₂ in dem Streifen 40 unter Bezugnahme auf F i g. 4 beschrieben. In dem Streifen 40 wird eine p-Zone 80 gebildet, vorzugsweise auf die gleiche Weise und zur gleichen Zeit wie die p-Zone 78 in dem Streifen 42; dadurch entsteht ein gleichrichtender pn-übergang, der der Übergang der Diode D₂ ist. Eine Metallelektrode 22 wird ohmisch mit der Zone 8© in gleicher Weise verbunden wie die Elektrode 14 am Transistor T₁. Es ist daher zu erkennen, daß eine Diode mit einer Anode SO und einer Kathode 40 aus dem ursprünglichen einkristallinen n-Halbleiterkörper hergestellt worden ist. Diese Diode entspricht der Diode D₂ von F i g. 1 b. Der Anschlußleiter 56 steht ferner in ohmschem Kontakt mit dem Streifen 40, wodurch die Katodenelektrode 24 gebildet wird, wie in F i g. 2 erkennbar ist.

Unter Bezugnahme auf F i g. 5 wird nun der Aufbau der Schaltungselemente des Streifens 36 erläutert. Bei der in F i g. 2 gezeigten Ausführungsform hat der Streifen 36 eine L-Form mit einem senkrechten und einem waagerechten Schenkel. Die Länge und der Querschnitt des waagerechten Schenkels werden so bemessen, daß der gewünschte Wert des" Widerstands R₃ von Fig. Ib erhalten wird.

Die Länge und der Querschnitt des senkrechten Schenkels sind so bemessen, daß der gewünschte Wert des Widerstands R₂ gebildet wird. Ferner liegt, wie aus Fig. Ib erkennbar ist, eine verteilte Kapazität C₁ parallel zu dem Widerstand R₂ und einem Teil des Widerstands A₃. F i g. 5 zeigt einen Schnitt durch den tatsächlichen Aufbau des Kondensators C₁

ίο bei der Schaltungsanordnung von Fig. 2, bei dem die innere Kapazität eines pn-Übergangs ausgenutzt wird. Der senkrechte Schenkel und ein Teil des waagerechten Schenkels des Streifens 36 bilden den einen Belag dieses Kondensators. Auf diesen Gebieten des Streifens wird eine Zone 62 aus Halbleitermaterial des Typs ρ so gebildet, daß dazwischen ein gleichrichtender pn-übergang, entsteht. Die p-Zone 62 kann durch Diffusion in der gleichen Weise und vorzugsweise gleichzeitig wie die Zone 80 des Streifens 40 und die Zone 78 des Streifens 42 gebildet werden. Eine Metallplatte 26, die aus einer aufgedampften und legierten Schicht aus Gold, Aluminium oder anderem Metall bestehen kann, steht ferner in ohmschem Kontakt mit der p-Zone 62. Der Anas Schlußleiter 52 steht nur mit dem untersten Ende des senkrechten Schenkels des Streifens 36 im Kontakt, wie durch die gestrichelten Linien in F i g. 2 gezeigt ist; dieses untere Ende entspricht der oberen Klemme des WiderstandsR₂ von Fig. Ib. Der senkrechte

Schenkel und ein Teil des waagerechten Schenkels des Streifens 36 sind somit so bearbeitet, daß sie eine ftC-Parallelschaltung darstellen. Es ist zu bemerken, daß die Metallschicht 26 des Kondensators 61, der eigentlich. aus der Kapazität des in der Sperrichtung vorgespannten pn-Ubergangs zwischen der p-Schicht 62 und der η-Zone des Streifens 36 besteht, scheinbar nicht direkt mit irgendeinem Punkt der Schaltung verbunden ist. Für den Fachmann ist es jedoch offensichtlich, daß ein solcher Aufbau einer Kapazi-

tat äquivalent ist, die parallel zu dem Widerstand R₂

geschaltet ist. Die Anschlußleiter 44 und 48 stehen gleichfalls in ohmschem Kontakt mit dem Streifen 36 an den in F i g. 2 gezeigten Stellen.

Der Aufbau der Bestandteile des Streifens 38 wird nun unter Bezugnahme auf F i g. 6 erläutert. Die in Fig. Ib gezeigte DiodeD₁ ist in dem linken Gebiet des Streifens 3S in der gleichen Weise gebildet, wie zuvor unter Bezugnahme auf F i g. 4 beschrieben wurde. Der Kondensator C₂ wird in dem verbleiben-

den rechten Gebiet des Streifens 3S so gebildet, wie aus der Querschnittsansicht von F i g. 6 erkennbar ist. Dieses Gebiet des Streifens 38 bildet einen Belag des Kondensators. Auf diesem Gebiet ist eine Schicht 60 geformt, die ©in Dielektrikum für den Kondensator C₂ darstellt. Als Material für diese dielektrische Schicht hat sich Siliciumoxid als brauchbar erwiesen. Eine Platte 32 bildet den anderen Belag; sie wird durch Aufdampfen eines leitenden Materials auf die Schicht 60 erhalten. Gold und Aluminium haben sich als geeignete Stoffe für die Platte 32 erwiesen. Der Anschlußleiter §4 steht in ohmschem Kontakt mit dem Streifen 38 an dessen linkem Gebiet und dient als innerer Anschluß.
Es sind nun noch die verschiedenen Schaltungselemente, die in den beschriebenen Streifen enthalten sind, zu der vollständigen Schaltung von Fig. Ib miteinander zu verbinden. Dies wird durch Verbindungsdrähte 64, €6, öS, 7© und 72 erreicht. Die

Basiselektrode 16 des Transistors T₁ ist über die Verbindung. 66 mit dem Anschlußleiter 44 und damit mit der gemeinsamen Klemme der Widerstände R₂ und R₃ verbunden. Die Anodenelektrode 18 der Diode D₁ ist gleichfalls mit diesem Verbindungspunkt über einen Draht 68 verbunden. Die Emitterelektrode 14 des Transistors ist über den Draht 72 an den Anschlußleiter 56 und damit an die Katode der Diode D₂ angeschlossen, die in dem Streifen 40 gebildet ist. Die Anodenelektrode 22 der Diode D₂ ist über den Draht 70 an den Anschlußleiter 54 und damit an die Katode der Diode D₁ angeschlossen, die aus dem linken Gebiet des Streifens 38 besteht. Das verbleibende rechte Gebiet des Streifens 38 bildet den einen Belag 30 des Kondensators C₂ (s. Fig. Ib). Der andere Belag 32 des Kondensators C, ist über den Draht 64 an den Anschlußleiter 46 angeschlossen.

Es werden nun kurz die Signale und Spannungen erläutert, welche der Schaltung von F i g. 2 entsprechend den Angaben von F i g. 1 b zugeführt werden. Ein positives Potential wird von dem Anschlußleiter 50 über den senkrechten und den waagerechten Schenkel des Streifens 42, die dem Widerstand R₁ entsprechen, dem linken Gebiet des waagerechten Schenkels des Streifens 42 zugeführt, das den Kollektor des Transistors T₁ darstellt. Eine Spannung von + 13 V hat sich als ausreichend erwiesen. Der Anschlußleiter 58 ist ebenfalls an die Kollektorzone dieses Transistors angeschlossen, so daß er den Kollektorausgang des Transistors T₁ darstellt. Eine kleine positive Vorspannung wird an den Anschlußleiter 56 und damit an die Emitterelektrode 14 des Transistors in dem Streifen 42 gelegt. Ein Potential von + 1 V hat sich hierfür als ausreichend erwiesen. Diese positive Vorspannung wird auch der Katode der Diode D₂ zugeführt, da der Anschlußleiter 56 mit dem Streifen 40 verbunden ist. Eine geringe negative Vorspannung, beispielsweise — 2 V, wird von dem Anschlußleiter 48 über den waagerechten Schenkel des Streifens 36, der dem Widerstand R₃ entspricht, und über den Anschlußleiter 44 der Basiselektrode 12 des Transistors zugeführt. Dies beruht darauf, daß der Anschlußleiter 44 im ohmschen Kontakt mit der Verbindungsstelle zwischen dem senkrechten und dem waagerechten Schenkel des Streifens 36 steht und somit auch die Basiselektrode mit einer Klemme des Widerstands R₃ verbindet. Die Anodenelektrode 18 der Diode D₁ in dem Streifen 38 ist ebenfalls an die Basiselektrode 16 des Transistors am Anschlußleiter 44 angeschlossen, während ihre Katode, die aus dem linken Gebiet des Streifens 38 besteht, über den Anschlußleiter 54 mit der Anodenelektrode 22 der Diode D₂ in dem Streifen 40 verbunden ist. Der Belag 32 des Kondensators C₂ ist an den Anschlußleiter 46 angeschlossen, der die Eingangsklemme Z₁ bildet und den Auslöseimpuls empfängt, wenn zwei der in F i g. 2 dargestellten Baugruppen zur Bildung eines vollständigen bistabilen Multivibrators zusammengeschaltet werden.

Der Transistor von Fig. 3 kann bei der beschriebenen Anordnung dadurch hergestellt werden, daß die p-Zone 78 und die n-Zone 76 nach dem allgemein bekannten Diffusionsverfahren oder auf andere Weise aufgebracht werden, und daß dann Abschnitte dieser Zonen weggeätzt werden, so daß die gewünschte Umrißform erhalten wird.

Die genaue Form der verschiedenen Halbleiterstreifen ist für den Betrieb der Schaltung unwichtig. Beispielsweise dient die geometrische L-Form des . Streifens 42 lediglich zur Erzielung eines gedrängten Aufbaus.

Natürlich kann für die Baugruppe des bistabilen Multivibrators auch ein pnp-Typ oder jede andere Form von Transistoren verwendet werden. In diesem Fall hat der auf der Unterlage 34 liegende HaIbleiterkörper den Leitfähigkeitslyp p.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschal tungsanordnung, bei welchem verschiedene aktive und passive Schaltungselemente in.oder auf einem Halbleiterplättchen derart gebildet werden, daß sich alle einen Teil eines Schaltungselements bildenden pn-Übergänge zu der gleichen Fläche des. Halblcitcrplättchcns erstrecken, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplättchen auf einer Fläche einer größeren isolierenden Unterlage (34) befestigt wird und in räumlich getrennte, von der isolierenden Unterlage mechanisch zusammengehaltene Plättchenteile (36, 38, 40. 42) unterteilt wird, von denen jedes wenigstens eines der Schaltungselemente (R.,, C₁, D₁, C₂, Z)₂. T₁-R₁) enthält, und daß die Schaltungselemente vor der Unterteilung des Halbleiterplättchens in oder auf diesem gebildet werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an der Fläche der isolierenden Unterlage (34), - an der das Halbleiterplättchen befestigt wird, in einer Ebene liegende Leiter (44, 46, 48, 50, 52, 54, 56, 58) derart angebracht werden, daß wenigstens einige von ihnen zwischen der isolierenden Unterlage und dem Halbleiterplättchen liegen.

In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentanmeldung P 36071 VIIId/21cD (bekanntgemacht am 23. 10. 1952); deutsche Auslegeschriften Nr. 1 002 473, 783, 1041 598; ^:
deutsches Gebrauchsmuster Nf. 1 672 315: USA.-Patentschriften Nr. 2 663 806, 2 663 830; Instruments & Automation, Bd. 30, H. 4 (April 1957), S. 667 bis 669;

Proc. of international Symposium on Electronic Components, Malvern, England, 24. bis 26. 9. 1957, Paper 1 by G. W. A. Dummer, S. 4; \

Electronic & Radio Engineer, Bd. 34, H. 11 (November 1957), S. 429^

Proc. of the Symposium on Microminiaturization of Electronic Assemblies, New York 1958, S. 18 bis 30;

Electronics, Bd. 32, H. 15 (10. April 1959), S. 82; Proc. of the IRE, Bd. 47, H. 5 (Mai 1959), S. 882 bis 894 und 894 bis 903;

Electronics, Bd. 32, H. 32 (7. August 1959), S. 1.10 und 111.
In Betracht gezogene,

eventuell entstehende ältere Rechte: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 196 295, 196301.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen