DE2911660A1 - Zusammengesetztes halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Zusammengesetztes halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung

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DE2911660A1 DE19792911660 DE2911660A DE2911660A1 DE 2911660 A1 DE2911660 A1 DE 2911660A1 DE 19792911660 DE19792911660 DE 19792911660 DE 2911660 A DE2911660 A DE 2911660A DE 2911660 A1 DE2911660 A1 DE 2911660A1
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Kaoru Ohmura
Ichiro Shibasaki
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Description

~ j —
Zusammengesetztes Halbleiterbauelement und Verfahren zu
seiner Herstellung
Die Erfindung betrifft ein zusammengesetztes Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung, insbesondere eine neue Technik der Elektrodenbildung für Halbleiterbauelemente, wie beispielsweise magnetelektrisehe Halbleitertransducer.
Der aus einem Halbleiterdünnfilmmaterial, beispielsweise einem Hall-Element, und einem Magnetwiderstandselement hergestellte magnetelektrische Transducer wird gewöhnlich so hergestellt, daß der empfindliche Teil dieses Elementes und die Elektroden durch Aufdampfen der leitfähigen metallischen Elektrodenmaterialien unter Ausbildung des speziellen Musters der leitfähigen Elektrodenmaterialien auf der Oberfläche des Halbleiterdünnfilms gebildet werden. Die hier genannte Elektrode stellt einen Verbindungsbereich für die äußere Verbindung des Elementes und der inneren Elektrode auf dem empfindlichen Teil des Elementes dar, beispielsweise die Kurzschlußbügelelektrode des Magnetwiderstandselementes. Dieser Elektrodentyp muß mit dem Halbleiterdünnfilm in Ohmschem Kontakt stehen und wird gewöhnlich in Form einer mehrere, zwei oder drei dünne Schichten aufweisenden Struktur aus verschiedenen leitfähigen Metallen hergestellt. Beispielsweise gewährleistet eine mehrschichtige Elektrode aus verschiedenen leitfähigen Metallen wie Ni-Cr-Au, Ge-Au, Cu-Au, Cu-Ag j
ο.dgl. nicht nur den notwendigen Ohmschen Kontakt mit j
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dem Halbleiterteil des Bauelementes, sondern stellt ferner sicher, daß die beim Einsatz des Elementes leicht stattfindende Elektromigration der Elektrodenmetalle zum Halbleiterteil verhindert und der Halbleiterdünnfilm beim Lötprozeß geschützt wird. Ein Vorschlag zur Verhinderung der Elektromigration aus der Mehrschichtelektrode wird beispielsweise in der US-PS 4 081 601 beschrieben. Me- : tallische Werkstoffe wie Ni-Cr oder Cu spielen eine wichtige Rolle bei der Ausbildung des Ohmschen Kontaktes, als Verstärkung, als oxidationsverhindernde Sperre und als Schutzschicht gegen die Elektromigration. Bei der vorstehend erwähnten üblichen Herstellung von magnetelektrischen Transducern erfordert jedoch die Elektrodenbildung verschiedene komplizierte und umständliche, Naß- ' und Trockenverfahren einschließende Verfahren. Insbesondere erfordert das übliche Elektrodenbildungsverfahren die mehrmalige Anwendung von stromlosen Plattierverfahren, die ein herzustellendes Dünnfilmhalbleiterbauelement nachteilig beeinflussen, da sowohl die Wanderung als auch die damit verbundene Wanderung von Fremdstoffen aus dem Elektrodenteil zum funktioneilen Halbleiterteil des Elementes während seiner Herstellung unvermeidlich ' sind. Die auf diese Weise hergestellten Halbleiterbauelemente sind auf Grund des vorstehend beschriebenen komplizierten Herstellungsverfahrens wenig zuverlässig. ' Außerdem erhöht eine Anzahl der erforderlichen Herstel- j lungsstufen die Herstellungskosten.
Die Erfindung betrifft ein zusammengesetztes Halbleiter- ! bauelement mit neuartiger Elektrodenstruktur, wobei eine zusammengesetzte Halbleiterschicht in der Leitfähigkeit durch Umwandlung des Festphasenzustandes des Halbleiters ohne dotierende Fremdstoffe teilweise verändert wird, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung, wobei die Elektrode aus einem zusammengesetzten Halbleiterdünnfilm besteht, der in den Legierungszustand oder amorphen Zustand überführt ist und in Ohmschem Kontakt mit einem
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funktionellen Halbleiterteil des Elementes steht. Die Erfindung betrifft ferner eine neue Elektrodenstruktur für ein zusammengesetztes Halbleiterelement in Ohmschem Kontakt mit einem Halbleiterteil, wobei die Herstellung mit einer geringeren Anzahl von metallischen Mehrfachschichten und Plattierverfahren erfolgen und die Wanderung verhindert werden kann.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstel- : lung eines zusammengesetzten Halbleiterelementes, das aus einem Verfahren ohne Dotieren mit Fremdstoffen und einem Trockenprozeß zur Bildung eines hochleitfähigen ' Bereiches in einer zusammengesetzten Halbleiterschicht besteht, sowie eine Elektrodenstruktur, die vorteilhaft in einem Hall-Element und einem Magnetwiderstandselement 5 verwendbar ist und ein Verfahren zu deren Herstellung.
Es wurde gefunden, daß durch Einstrahlung einer geeigneten Menge von intensivem Licht auf die Oberfläche eines Dünnfilms aus zusammengesetzten Halbleitern von Elementen der Gruppen III bis V der zusammengesetzte Halbleiter eine bleibende Veränderung seines Festphasenzustandes im bestrahlten Bereich erfährt, wodurch eine Änderung der Energiebandstruktur des Halbleitermaterials hervorgerufen . wird. Der Widerstand des bestrahlten Teiles oder Bereiches wird erheblich verringert, wodurch er eine Metallen entsprechende hohe Leitfähigkeit aufweist, während der un- j belichtete Teil oder Bereich die Halbleitereigenschaften bewahrt. Außerdem wird an den Grenzflächen oder Grenzen < zwischen den bestrahlten und unbestrahlten Teilen ein ! ausgezeichneter Ohmscher Kontakt geschaffen. Die Erfindung basiert auf diesen Erscheinungen.
Im einzelnen wird die zusammengesetzte Halbleiterschicht ' in ihrer Leitfähigkeit verändert durch die intensive ι pulsierende Strahlung aus einer Xenon-Entladungslampe. Es wird angenommen, daß dies darauf zurückzuführen ist,
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daß ein Teil der der energiereichen Strahlung ausgesetzten zusammengesetzten Halbleiterschicht ihre elektrische ' Leitfähigkeit weitgehend ändert. Dies ist auf die Änderung des Festphasenzustandes der zusammengesetzten Halbleiter- : materialien zurückzuführen. Der Halbleiter des belichteten Bereiches geht in den Legierungszustand oder amorphen ι Zustand über, wodurch der spezifische Widerstand verringert wird. Die Möglichkeit, den belichteten Bereich in ein im wesentlichen leitfähiges Material umzuwandeln, !
ist besonders stark bei einem zusammengesetzten Halbleiter oder Verbundhalbleiter in Form eines Dünnfilms. Selbst im Inneren des zusammengesetzten Halbleiters kann ' ein solcher leitfähiger Bereich ausgebildet werden, der guten Ohmschen Kontakt mit einem unbelichteten Teil bildet.
Es wird angenommen, daß die Änderung der elektrischen Leitfähigkeit des Halbleiters darauf zurückzuführen ist, ' daß der zusammengesetzte Halbleiter seine ursprünglichen und inhärenten Eigenschaften verliert, wenn er mit ener- ' giereicher Strahlung oder energiereichen Teilchen unter Schädigung des Kristallgitters bestrahlt und in den Legierungszustand oder amorphen Zustand überführt wird. Die · Affinität für einen Ohmschen Kontakt zwischen dem nicht- i bestrahlten Halbleiterteil und dem bestrahlten leitfähigen Teil ist von großem Interesse und gleichzeitig wich- ■ tig für die praktische Verwirklichung der Elektroden- j
struktur des zusammengesetzten Halbleiterbauelementes gemäß der Erfindung.
Erfindungsgemäß ist es zur Bildung der Elektrode des zu- ι sammengesetzten Halbleiterbauelementes nicht notwendig, das übliche mehrschichtige Elektrodenmetall zu verwenden, j das den Ohmschen Kontakt zu einem Halbleiterteil des j Elementes herstellt. Daher ist das stromlose Plattieren j zur Abscheidung des Elektrodenmetalls für den Ohmschen Kontakt nicht erforderlich. Die Verschlechterung der
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Leistungsfähigkeit des Halbleiterteils, die durch die Verunreinigung infolge der Wandung von Verunreinigungen aus dem Elektrodenteil zum Halbleiterteil während der stromlosen Plattierung und durch die Wanderung oder Schädigung beim Verdrahten (wire bonding process) verursacht würde, wird somit weitgehend ausgeschaltet.
Ferner wird erfindungsgemäß bei der Bildung der Elektrode des Elementes ein solches stromloses Plattieren, das zur Ausbildung der üblichen Mehrschichtenstruktur mehrmals durchgeführt wird, durch Verwendung des durch einmalige Energiebestrahlung gebildeten Elektrodenteils überflüssig, wodurch das Elektrodenherstellungsverfahren vereinfacht wird und die Beseitigung von verunreinigtem Plattierungsabfall entfällt. Durch die Erfindung-wird demgemäß ein zusammengesetztes Halbleiterbauelement oder Verbundhalbleiterbauelement mit äußerst zuverlässiger Elektrodenstruktur verfügbar, das sich zur Massenproduktion bei minimalem Anfall von Ausschußprodukten eignet.
Die Erfindung wird nachstehend, unter Bezugnahme auf die Abbildungen erläutert.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform j eines Verbundhalbleiter-Magnetwiderstandselementes mit Kurzschlußbügelelektroden gemäß der Erfindung.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht einer modifizierten Aus- , führungsform des in Fig. 1 dargestellten Elementes mit ■ Elektroden für den äußeren Anschluß.
Fig. 3A und 3B sind schematische Darstellungen, die die Herstellungsstufen des in Fig. 2 dargestellten Elementes veranschaulichen <
Fig. 4 ist eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Verbundhalbleiter-Hall-Elementes gemäß der Erfindung. j
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Fig. 5 ist eine Schnittansicht von Fig. 4 längs der Linie V-V.
Fig. 6 bis Fig. 10 sind Schnittansichten von magnetelektrischen Transducern, die verschiedene Modifikationen der Verbindung zwischen äußeren Anschlußelektroden und Zuleitungen veranschaulichen.
Fig. 11 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform einer mit erfindungsgemäßen Verbundhalbleitern ausgestatteten Solarzelle.
Ein zusammengesetztes Halbleiterbauelement, dessen typische Anwendung in Magnetwiderstandselementen liegt, ist in Fig. 1 dargestellt, die im Schnitt eine Ausführungsform eines Magnetwiderstandselementes gemäß der Erfindung zeigt. Hierbei ist ein zusammengesetzter Halbleiterdünnfilm 2 auf einer Oberfläche eines Isoliersubstrates 1 unter Bildung eines magnetfeldempfindlichen Teils des Elementes aufgebracht. Die Bereiche 3 im zusammengesetzten Dünnfilmhalbleiter 2 entsprechen Schichten, die infolge der Änderung des Festphasenzustandes des HaIbleiterdünnfilms 2 unter der Einwirkung von Energiestrahlung in leitfähiges Material umgewandelt wurden. Die Bereiche bilden somit streifenförmige Kurzschlußbügel- ' elektroden. Diese Kurzschlußbügelelektroden 3 grenzen an Halbleiterteile oder -bereiche 2a und 2b an und stehen mit diesen in Ohmschem Kontakt. Anschlußbereiche (Elektroden) 4a und 4b aus metallischem Werkstoff sind auf ,' der Oberfläche der Halbleiterbereiche 2a in Ohmschem Kon- : takt damit angeordnet, und die Kurzschlußbügelelektroden ! 3 sind zwischen ihnen eingefügt. Die Anschlußbereiche 4a |
und 4b bilden Verbindungsstellen oder -bereiche für Ver- . bindungskontakte. j
Die äußeren Anschlußelektroden in Fig. 1 können auf die in Fig. 2 dargestellte Weise erfindungsgemäß modifiziert
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werden. Im einzelnen besteht diese Modifikation darin, daß anstelle der den äußeren Anschluß bildenden, auf die Oberfläche der Bereiche 2a des Halbleiterdünnfilms aufgebrachten Kontaktmetalle nunmehr Anschlußelektroden 5a und 5b aufgebracht sind, die durch Umwandlung des Halbleiterdünnfilms 2 in im wesentlichen leitfähiges Material an den entsprechenden Bereichen gleichzeitig mit der Bildung der Kurzschlußbügelelektroden 3 gebildet worden sind. Die Elektroden 5a und 5b sind somit von dotierenden Fremdstoffen freie, in Festphase umgewandelte leitfähige Bereiche entsprechend den Kurzschlußbügelelektroden 3 und grenzen an die Halbleiterbereiche 2b unter Ohmschem Kontakt mit diesen an.
Unter Bezugnahme auf Fig. 3A und Fig. 3B wird nun ein Verfahren zur Herstellung des in Fig. 2 dargestellten Magnetwiderstandselementes allgemein beschrieben.
Es wird eine üblicherweise für diese Art von Bauelement dienende Isolierplatte oder ein Dielektrikum 1 verwendet. Die Platte 1 wird zunächst vorbereitet, indem der Halb- ; leiterdünnfilm 2 auf eine Seite der Platte aufgebracht oder mit ihr verklebt wird. Eine Auswahlmaske 20 mit einem Muster, das einer, gewünschten Elektrodenform entspricht, wird dann auf die Platte in enger Berührung damit gelegt (Fig. 3A).
i Anschließend wird der auf die Platte 1 aufgebrachte Halb- . leiterfilm durch die Maske 20 hindurch mit energiereicher ' Strahlung aus einer nicht dargestellten Energiequelle, j beispielsweise einer Xenon-Entladungslampe, bestrahlt, : wie durch die Pfeile in Fig. 3 angedeutet. Als Folge i ändern Teile oder Bereiche des Halbleiterdünnfilms 2, die der energiereichen Strahlung ausgesetzt worden sind, ihren Festphasenzustand und werden leitfähig. Diese Bereiche bilden die Elektroden 3, 5a und 5b. Die Bereiche j 2b des nicht der Energiestrahlung ausgesetzten Halbleiter-j
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dünnfilms bleiben in ihren ursprünglichen Eigenschaften j unverändert. Als Alternative zur Belichtung mit der Xenon-Entladungslampe kann der Halbleiterdünnfilm mit einem Energiestrahl abgetastet werden.
Ein weiteres typisches Beispiel eines magnetelektrischen Transducers ist ein Halbleiter-Hall-Element mit gitterartigem Muster (criss-cross pattern semiconductor Hall element). Ein solches Element, wie es in Fig. 4 und Fig. 5 dargestellt ist, weist eine Isolierplatte 11 und einen darauf aufgebrachten Halbleiterdünnfilm 12 auf. Teile des Dünnfilmes, d.h. energiebestrahlte oder belichtete Bereiche, die hierdurch leitfähig gemacht wurden,, bilden Elektroden 16a, 16b, 17a und 17b, die an den Enden ; des Gitters mit Ohmschem Kontakt dazu anstoßen. Diese Elektrodenbereiche sind'nicht mit Fremdstoffen dotiert und bilden Leiterbereiche. Ein unbelichteter Bereich 12a bildet einen stromführenden Bereich, d.h. einen magnet- ' feldempfindlichen Bereich. Diese Elektroden dienen als äußere Anschlußelektroden oder Anschlußbereiche, wobei die Elektroden 16a und 16b als Kuppelstromelektroden dienende Eingangselektroden dienen, während die Elektroden 17a und 17b Hall-Spannungsausgangselektroden sind. Eine allgemeine Beschreibung des magnetelektrischen Transducers, für den die vorstehenden Ausführungsformen i ι beispielhaft sind, wird nachstehend gegeben. Der magnet- :
elektrische Transducer, der eine spezielle Form des zu- ' sammengesetzten Halbleiterbauelementes ist, umfaßt allgemein Hall-Elemente, Hall-Effekt-Teile oder Magnetwiderstandselemente, die den Halbleiter ausnutzen. Dieses Magnetwiderstandselement umfaßt verschiedene Typen, die den Magnetwiderstandseffekt ausnutzen, beispielsweise gewöhnliche Magnetwiderstände, Dreipolmagnetwiderstände und Corbino-Scheibenelemente.
Die hier beschriebene Elektrode gemäß der Erfindung stellt den Teil des zusammengesetzten Halbleiters dar,
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an dem der Halbleiter in seinem Festphasenzustand durch Energiebestrahlung ohne zusätzliche dotierende Fremdstoffe und in seiner Leitfähigkeit verändert wird und die Form des Masseanschlußbereiches und der Kurzschlußbügelelektrode annimmt. Außerdem dient der Drahtanschlußbereich als äußere Leitungsanschlußelektrode oder als Anschlußkontaktbereiche des Elementes, und die Kurzschlußbügelelektrode eignet sich zur Steuerung der Charakteristiken des Magnetwiderstandselementes und ist im allgemeinen innerhalb des magnetempfindlichen Teiles des Elementes angeordnet. Form, Lage, Größe und Dicke (Tiefe) der Kurzschlußbügelelektrode werden zweckmäßig in Abhängigkeit von der Art des Elementes und seinen Charakteristi- : ken bestimmt. Im allgemeinen wird angestrebt, die Magnetfeldempfindlichkeit durch Verwendung einer Bandelektrode mit Ohmschem Kontakt als Kurzschlußbügelelektrode zu verbessern. Als Alternative kann die Kurzschlußbügelelektrode verschiedene Formen annehmen, beispielsweise die Form eines Schlitzes, einer gekrümmten Linie, einer gefalteten Linie oder einer geschlossenen Kurve. Es wird darauf hin- . gewiesen, daß die von der Anmelderin in ihrer US-Patentanraeldung 964 554 (entsprechend japanische Patentanmeldung 52-142240) beschriebene Methode angewandt werden kann, um die verschiedensten Magnetwiderstandselemente zu ver- '' wirklichen.
Der zusammengesetzte Halbleiter zur Verwendung im magnetelektrischen Transducer gemäß der Erfindung wird Vorzugs- .' weise als Dünnfilm ausgebildet und kann alle Arten von zusammengesetzten Dünnfilmhalbleitern umfassen, die : üblicherweise für den gleichen Zweck verwendet werden. j Vorzugsweise kommen Halbleiter in Frage, die hauptsäch- ;
lieh Elemente der Gruppen III und V des Periodischen Systems enthalten, beispielsweise InSb, InAs, InP, InN, | GaP, GaAs, GaSb, GaN, AlAs, AlSb, AIP, AlN, BSb, BAs, ; BN, InGaSb, InSbSn7 InSb-NiSb, GaAsP, GaAlAs und InGaP.
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Der im Zusammenhang mit den vorstehenden Ausführungen genannte Dünnfilm dient als Halbleiterschicht, die im allgemeinen in magnetelektrischen Transducern verwendet wird und meist eine Dicke von 0,1 bis 1OO pm hat. Als Halbleiterschxchten sind zu nennen Dünnfilme, die durch Läppen oder Polieren von Einkristallen erhalten werden, Polykristalle, eutektische und amorphe Halbleiter, durch Aufdampfen, Ionenplattieren oder Zerstäuben hergestellte Schichten, Halbleiterschxchten, die durch Wachsen in der Flüssig- oder Dampfphase hergestellt wurden, sowie Dünnschichten gemäß der US-PS 4 128 681.
Zur Bildung der Elektrode wird der Teil, d.h. der ausgewählte Bereich der Halbleiterschicht der Energiestrahlung ausgesetzt und hierdurch bleibend hochleitfähig gemacht unter Herstellung des Ohmschen Kontakts zum unbelichteten Teil der Halbleiterschicht. Der in dieser Weise gebildete ausgewählte Bereich entspricht der Elektrode. Die Bedingungen der Energiebestrahlung werden vorzugsweise so gewählt, daß der leitfähig gemachte Teil eine elektrische .
Leitfähigkeit aufweist, die wenigstens das 1Ofache der Leitfähigkeit des Halbleiters beträgt. Als allgemein verfügbare Strahlungsquellen für energiereiche Strahlung können außer der vorstehend im Zusammenhang mit den beschriebenen Ausführungsformen genannten Xenon-Entladungs- ; lampe Laserstrahlen, Elektronenstrahlen oder Wärme- bzw. Heißstrahlen verwendet werden, doch erfordern diese Strahlen nachteiligerweise komplizierte und teure Bestrahlungs-, vorrichtungen. !
Für die Dosis der Energiestrahlung gibt es einen optima- | len Bereich* der von der Art, Oberflächenbeschaffenheit, j
Dicke und physikalischen Festigkeit der zusammengesetzten Halbleiterschicht, der Geometrie des leitfähig gemachten Bereiches und der Festigkeit der Unterlage abhängt. Mit ; einer Energiemenge unter dem optimalen Bereich wird die ! Halbleiterschicht nicht leitfähig gemacht, während bei j
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einer den optimalen Bereich übersteigenden Energiemenge die ihr ausgesetzte Schicht geschädigt wird. Die Energiestrahlungsmenge, die zur Umwandlung der Schicht in einen Leiter notwendig ist, hängt von dem Produkt aus Energieintensität und Bestrahlungszeit ab. Demgemäß kann die Strahlungsenergiedosis durch Einstellung der Energieintensität und/oder der Bestrahlungszeit geregelt werden. Auf 'dieser Basis ist es möglich, den Halbleiterdünnfilm bis zu einer gewissen Tiefe von der Oberfläche aus leit— fähig zu machen. Um eine Elektrode in Form eines feinen Musters zu bilden, wird vorzugsweise die Energieintensität erhöht und gleichzeitig die Bestrahlungszeit verkürzt. Kurz gesagt ist eine Art der Energieeinwirkung erforderlich, bei der eine Beschädigung der Unterlage verhindert wird, während der bestrahlte Teil der Halbleiterschicht , augenblicklich geschmolzen wird, ohne daß die Temperatur im unbestrahlten umgebenden Bereich ansteigt.
Da die Bedingungsparameter, die den optimalen Wert oder Bereich der Energiedosis bestimmen, von Fall zu Fall er- ■ mittelt werden können, wird der Wert oder Bereich im einzelnen Falle durch einen Versuch unter den entsprechenden Bedingungen ermittelt.
Wie ein Vergleich von Fig. 1 mit Fig. 2 zeigt, kann die Musterbildung für verschiedene Elektroden in bekannter \ Weise leicht durch Verwendung von Masken oder durch Anwendung der Strahlabtasttechnik erreicht werden. Nachstehend wird erläutert, wie die äußere Zuleitung mit der ! erfindungsgemäß hergestellten Kontaktelektrode oder dem j Anschlußbereich verbunden wird. Für die vorgesehene Ver- bindung kann die äußere Zuleitung mit dem Verbindungs- j bereich beispielsweise durch Löten, Drahtverbindung oder 11 face-down "-Verbindungen üblicherweise verbunden werden. Vorzugsweise werden zur elektrischen Verbindung der äuße- j ren Ausgangsleitung leitfähige Polymerkleber verwendet, , die bei niedrigen Temperaturen aktiviert werden. Diese ■
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leitfähigen Polymerkleber sind als leitfähige Harzpasten im Handel erhältlich oder können, falls gewünscht, als leitfähige Harze selbst hergestellt werden. Zur Herstellung eines solchen leitfähigen Harzes wird ein feines Metallpulver, beispielsweise ein Silber-, Gold-, Kupfer-, Nickel- oder Palladiumpulver mit einem Bindemittel, beispielsweise einem Epoxyharz, Polyamidimidharz oder Acrylharz gemischt. Das erhaltene Gemisch ist leitfähig.
Unter Bezugnahme auf Fig. 6 bis Fig. 10 werden nachstehend Ausführungsformen des Aufbaues des äußeren Ableitungs-Elektrodenanschlusses des zusammengesetzten Halbleiterbauelementes beschrieben.
Fig. 6 zeigt im Schnitt eine Harzformpackung, die ein : Hall-Element umschließt.1 Eine zusammengesetzte Halbleiterschicht 21, die auf einer Isolierplatte 25 aufgebracht ist, weist teilweise nicht dotierte, durch Strahlung leitfähig gemachte Bereiche 22a und 22b auf, d.h. von <
i dotierenden Fremdstoffen freie Bereiche, die durch Energiestrahlung leitfähig gemacht worden sind. Die Be- ' reiche 22a und 22b stellen äußere Ableitungsanschlußelektroden dar, während ein nicht umgewandelter, d.h. nicht der Energiestrahlung ausgesetzter Bereich 21a der Halbleiterschicht 21 einen magnetfeldempfindlichen Bereich darstellt. Die äußeren Ableitungen 23a und 23b werden mit den Elektroden 22a bzw. 22b in innigem Kontakt i gehalten und durch leitfähige Polymerkleber 24a und 24b fest verbunden. Die Halbleiterschicht 21 ist normalerweise dünn und wird zweckmäßig von der Unterlage 25 getragen.; Die Außenseite der Halbleiterschicht 21, die mit der j ι Oberfläche der Unterlage 25 nicht in Berührung ist, ist !
empfindlich gegen Staub in der Umgebung oder Verkratzen und wird beschädigt, wenn sie nicht bedeckt ist. Demgemäß wird eine Schutzschicht verwendet, um die Außenfläche wie bei gewöhnlichen Halbleiterelementen zu bedecken. Bei der in Fig. 6 dargestellten Ausfuhrungsform ist das
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Hall-Element als ganzes in Epoxyharz 26 eingeschlossen.
Fig. 7 zeigt im Schnitt eine Harzformpackung, die ein Magnetwiderstandselement umschließt. Zusätzlich zu den nicht-dotierten, durch Strahlung umgewandelten leitfähigen äußeren Anschlußelektroden 22a und 22b für die Ableitungen ist eine Halbleiterschicht 21 mit ähnlichen leitfähigen Bereichen, die Kurzschlußbügelelektroden 27 bilden, vorgesehen. Die Anschlüsse der Ableitungen sind ähnlich denen von Fig. 6.
Fig. 8 zeigt eine Modifikation der in Fig. 6 dargestellten Ausführungsform, bei der eine Isolierplatte 25, eine darauf aufgebrachte zusammengesetzte Halbleiterschicht 21 und nicht dotierte, durch Strahlung leitfähig gemachte Elektroden 22a und 22b in ein umschließendes Formteil 29 eingebettet sind. Leiterfilme 28a und 28b sind mit den Elektroden 22a bzw. 22b durch leitfähige Polymerschichten 24a und 24b verbunden. Die Elektroden sind zusammen mit den Anschlüssen und dem Halbleiter von einer Schutzfolie
30 bedeckt.
Fig. 9 zeigt eine weitere Ausführungsform des in Fig. 6 dargestellten Elementes, wobei ein Halbleiterdünnfilm 21, nicht-dotierte, durch Strahlung leitfähig gemachte Anschlußbereiche 22a und 22b, Ableitungen 23a und 23b, die mit den vorgenannten Bereichen verbunden sind, und leitfähige Polymerteile 24a und 24b in ähnlicher Weise wie in Fig. 6 ausgebildet sind, wobei jedoch eine Isolierschicht
31 zwischen der Unterlage 25 und der Halbleiterschicht 21 eingefügt ist. Diese Isolierschicht 31 erleichtert nicht nur die ständige Isolierung des Halbleiterdünnfilms 21 von der Unterlage, sondern dient auch als Schutzschicht gegen Wanderung von Fremdstoffen aus der Unterlage zum Halbleiterdünnfilm. Dies wird später genauer beschrieben.
Der magnetelektrische Transducer gemäß der Erfindung kann
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auf die in Fig. 10 dargestellte Weise modifiziert werden. Hierbei ist vorgesehen, die Magnetfeldempfindlichkeit
durch Konvergieren des Magnetfeldes zu steigern. Zu diesem Zweck wird ein Magnetfeldkonvergierungschip 32 aus ferromagnetischem Material mit der Oberfläche eines Halbleiterdünnfilms 21 beispielsweise durch einen Klebstoff 33 verklebt. Die Unterlage 25 besteht ebenfalls aus ferromagnetischem Material. Das in dieser Weise ausgebildete
Transducer-Bauelement ist von einem geformten Harz 34 um- , schlossen. Die Unterlage 25 kann ebenso wie bei der Modifikation gemäß Fig. 9 aus nicht-magnetischem Werkstoff
bestehen.
Der Magnetfeldkonvergierungschip 32 sowie die Unterlage
bestehen vorzugsweise aus ferromagnetische]!! Material mit : großer Magnetflußsättigungsdichte, beispielsweise reinem
Eisen, Permalloy oder Ferrit. Der Chip kann die Form
einer rechtwinkligen Platte, einer Scheibe oder Säule : haben und nach Bedarf dimensioniert werden. Im allgemeinen wird eine symmetrische Form bevorzugt, da diese lineare
Magnetfeldkonvergenz aufweist. Die Elektroden sind ähnlich denen von Fig. 6, Fig. 7 oder Fig. 9. Das Transducer-Bauelement wird dann vom Harzformteil 34 eingeschlossen,
jedoch kann der Chip 32 auch in anderer Weise so hergestellt werden, daß er sich der Einkapselung anpaßt.
Wenn die Unterlage 25 nicht magnetisch sein soll, kann ) sie aus einem Metallblech hergestellt werden, dessen i Oberfläche einer Isolierbehandlung unterworfen oder mit !
Glas, Keramik oder Saphir beschichtet worden ist. Für die I Isolierbehandlung und Ausschaltung der Fremdstoffwanderung in den Halbleiterdünnfilm ist es zweckmäßig, die Ober- ; fläche der Unterlage mit einem Überzug zu versehen, der I durch Auftrag eines Polymerisats, Kathodenzerstäubung, j Vakuumbedampfung oder lonenplattierung aufgebracht wird.
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Fig. 11 zeigt als Beispiel eine Solarzelle mit einer Elektrodenstruktur gemäß der Erfindung. Die Solarzelle weist eine p-leitende Halbleiterschicht 40 und eine η-leitende Halbleiterschicht 41 auf, die so angeordnet ist, daß ein pn-übergang mit der Schicht 40 an ihrer Grenzfläche gebildet wird. Eine Elektrode 42 ist auf der Oberfläche der Halbleiterschicht 41 angeordnet. Die Elektrode 42 wird gebildet, indem ein Teil des Halbleitermaterials der Schicht 41 durch Bestrahlen mit intensivem Licht in einen Leiter überführt wird. Die andere Elektrode 43 von der Art eines durchlässigen Gitters ist auf die Halbleiterschicht 40 aufgebracht und stellt die Lichtaufnahmefläche für die Zelle dar. Leitungsdrähte 45a und 45b sind mit der transparenten Elektrode 43 bzw. mit der durch Strahlung leitfähig gemachten Elektrode 42 verbunden. Die Zelle ist zur Vervollständigung vom Formharz 46 umschlossen.
Selbstverständlich kann die Elektrodenstruktur gemäß der Erfindung, die durch Änderung des Festphasenzustandes eines zusammengesetzten Halbleiters unter Verwendung geeigneter Energiestrahlung hergestellt wird, weitgehend, auch für andere Halbleiterbauelemente, in die Halbleiter eingesetzt werden, Verwendung finden, beispielsweise für Fotodioden.
Die folgenden Beispiele 1 und 2 beschreiben die Herstellung von Magnetwiderstandselementen gemäß der in Fig. 2 dargestellten Ausführungsform.
Beispiel 1
Eine InSb-Auflageschicht mit einer Elektronenbeweglich-
2 :
keit von 20.000 cm /V.s, 1 um Dicke, 4 mm Länge und 0,4 mm
Breite wurde auf einem Ferritsubstrat von 0,5 mm Dicke, [
2 mm Breite und 5 ram Länge gebildet. Anschließend wurde S
eine Cr-Selektionsmaske, die durch Aufdampfen von Chrom \ auf eine Glasplatte hergestellt worden-war, oder eine
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Maske, die durch Aufdampfen von Silber auf eine Polymerfolie hergestellt worden war, auf die InSb-Auflageschicht in innigem Kontakt damit gelegt, worauf intensives Licht mit einer Impulsbreite von 10O /u.s aus einer Xenon-Entladungslampe als Strahlungsquelle, die über der Maske angeordnet war, auf die InSb-Schicht unter Normaldruck bei Raumtemperatur eingestrahlt wurde. Die Xenon-Entladungslampe hatte eine Nenn-Eingangsspannung von 3000 V und eine Mindest-Entladungsimpulsbreite von 50 u.s .
In dieser'Weise wurden 30 Kurzschlußbugelelektroden 3 mit einer Breite von je 5O um und einem Abstand von jeweils 50 pm sowie Anschlußbereiche 5a und 5b mit einer Breite von je 0,4 mm und einer Länge von 0,5 mm, die, in Längsrichtung gesehen, an den gegenüberliegenden Enden der InSb-Auflageschicht lagen, wie in Fig. 2 dargestellt, gleichzeitig und augenblicklich durch die Entladungslichtenergiestrahlung aus der Xenon-Entladungslampe gebildet, ohne daß Dotierung mit Fremdstoffen zu Hilfe genommen wurde. Die Bestrahlung mit der Xenon-Entladungslampe unterlag keinen besonderen Bedingungen, so daß sie unter Normaldruck bei Raumtemperatur ohne jede Störung vorgenommen wurde. Ausgangsleiter wurden mit den Anschlußbereichen verbunden, und durch geeignete Einkapselung des in dieser Weise gebildeten Magnetwiderstandselementes auf dem Substrat mit einem Epoxyharz wurde das Bauelement fertiggestellt.
Für einen Vergleich des gemäß Beispiel 1 hergestellten Produktes mit einem nach üblichen Verfahren hergestell- I ten Produkt wurden Kurzschlußbugelelektroden und An- !
Schlußbereiche, insbesondere mehrschichtige Anschlußbereiche, auf die gleiche InSb-Auflageschicht wie in Bei- \ spiel 1 durch Plattieren bildmäßig aufgebracht. Durch An- ; bringen von Ausgangsleitern an die Anschlußbereiche wurde ein Magnetwiderstandselement nach dem üblichen Verfahren j
fertiggestellt. Die Kurzschlußbugelelektroden dieses j Elementes wurden in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 j
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.3» -ν. ,\ ORIGINALINSPECTED
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mit der Schablone aufgebracht und waren zweischichtig aus , Kupfer und Silber ausgebildet. Die Doppelschicht hatte j eine Dicke von 0,3 um. Dieses Produkt wurde mit Epoxyharz eingekapselt. Die Charakteristik und Zuverlässigkeit der
beiden Vergleichsprodukte wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 genannt.
Tabelle 1 ·
Widerstands- Temperatur-Feuchtiganstieg, % keits-Zyklustest
Produkt gemäß bis T1 Zyklen
Beispiel 1 32 einwandfrei
übliches Produkt 28 bis 8 Zyklen
einwandfrei
Die in Tabelle 1 genannten Werte des Anstieges des Widerstandes wurden unter Anwendung eines Gaußschen Magnet-
feldes von 2 K gemessen. Die Temperatur-Feuchtigkeitstests wurden mit 12stündigem Zyklus bei 6O°C und 95%
relativer Feuchtigkeit in Kombination und 25°C und 60%
relativer Feuchtigkeit in Kombination durchgeführt. Die , vorstehenden Ergebnisse zeigen, daß das gemäß der Erfin-
dung hergestellte Bauelement einen größeren Anstieg des ■ Widerstandes, d.h. eine höhere Empfindlichkeit und
Feuchtigkeitsfestigkeit aufweist als das nach dem üblichen Verfahren hergestellte Bauelement. (
Beispiel 2
Ein InSb-Einkristall-Dünnfilm mit einer Elektronenbeweg- · lichkeit von 7O.00O cm /V.s, 4 mm Länge, 0,4 mm Breite [
und 2O um Dicke wurde mit einer Unterlage aus reinem j 1 ι
Eisen von 0,5 mm Dicke, 2 mm Breite und 5 mm Länge mit
Hilfe eines Isolierklebers auf Basis eines Epoxyharzes j verklebt. Anschließend wurde auf die in Beispiel 1 beschriebene Weise Entladungslxcht mit einer Impulsbreite
ι von 100 p.s aus einer Xenon-Entladungslampe mit einmaliger
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Belichtung auf den Dünnfilm durch eine Chrom-Selektionsmaske, die durch Aufdampfen von Chrom auf eine Glasplatte · hergestellt worden war, eingestrahlt. In dieser Weise wurden Kurzschlußbügelelektroden mit einer Breite von je 50 pm und einem Abstand von je 50 um und Anschlußbereiche mit einer Breite von je 0,4 mm und einer Länge von 0,5 mm, die sich an den gegenüberliegenden Enden des Dünnfilms befanden, gleichzeitig gebildet, wodurch ein Magnet- ; Widerstandselement gemäß der Erfindung erhalten wurde.
10
15
20
25
30
Zum Vergleich wurden Kurzschlußbügelelektroden und Anschlußbereiche auf dem gleichen InSb-Einkristall-Dünnfilm auf die in Beispiel 2 beschriebene Weise durch bildmäßiges Plattieren gebildet, wobei ein Magnetwiderstandselement nach üblichem Verfahren erhalten wurde. Die Anschlußbereiche wurden iri der gleichen Weise, wie in Beispiel 2 beschrieben, bildmäßig aufgebracht. Die aufplattierten Kurzschlußbügelelektroden waren zweischichtig und bestanden aus Kupfer und Silber bei einer Dicke der Doppelschicht von 0,3 pm.
Für diese Vergleichsprodukte, die mit Ausgangsleitern an den Anschlußbereichen versehen und in Epoxyharz einge- ■ bettet waren, wurden die Charakteristiken und die Zuverlässigkeit gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 genannt. ί
Tabelle 2 |
Widerstands Temperatur-Peuchtig-
anstieg, % . keits-Zyklustest
Produkt bis zu 12 Zyklen
gemäß Beispiel 2 92 einwandfrei
übliches Produkt 80 bis zu 8 Zyklen
einwandfrei
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(TjI Λ-
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Die Meßbedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 1 beschrieben.
Die nachstehenden Beispiele 3 und 4 beschreiben die Herstellung von Hall-Elementen in den in Fig. 4 und Fig. 5 dargestellten Ausführungsformen·
Beispiel 3
Auf eine quadratische Ferritunterlage von 0,5 mm Dicke und 5 mm Kantenlänge wurde ein InSb-FiIm mit einer Elek-
2
tronenbeweglichkeit von 15.000 cm /V.s in einem Gittermuster mit elektrodenbildenden Bereichen 16a, 16b, 17a und 17b entsprechend Fig. 4 gebildet.
Anschließend wurde gemäß Beispiel 1 eine Chrom-Selektionsmaske auf den InSb-FiIm in engem Kontakt damit gelegt und Licht aus einer Xenon-Entladungslampe durch die Chrommaske auf den Film eingestrahlt. Die Chrommaske war so beschaffen, daß die Elektrodenbildungsbereiche frei lagen und belichtet wurden. Der InSb-FiIm wurde mit dem Licht der Xenon-Entladungslampe an seinen Elektroden- ! bildungsbereichen belichtet, wobei diese Bereiche in lei- , tendes Material überführt wurden, d.h. nach der Belichtung verlor die Halbleiterschicht an den Elektroden- : bildungsbereichen 16a, 16b, 17a und 17b die Halbleiter- j eigenschaften und zeigte hohe elektrische Leitfähigkeit. Ein magnetfeldempfindlicher Teil, d.h. ein den Eingangs- ] Steuerstrom führender Teil 12a, wurde in einer Breite von 1,5 mm und einer Länge von 3,0 mm gebildet. Jede Ausgangselektrode hatte eine Breite von 0,3 mm und erstreckte sich von der Mitte jeder Seite des magnetfeldempfindlichen Teils. Die Eingangs- und Ausgangsanschlußbereiche 16a, 16b und 17a/ 17b hatten einen großen Anschlußbereich, um das Anbringen der äußeren Anschlußleitungen zu erleichtern .
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Anschließend wurden die Zuleitungen an die Eingangselek- : troden 16a und 16b und die Ausgangselektroden 17a und 17b j durch Löten mit einem In-Sn-Lot angeschlossen, wodurch ein Hall-Element fertiggestellt wurde. Das erhaltene Bau- >' element wurde in Epoxyharz eingebettet.
Das in dieser Weise hergestellte Hall-Element zeigte eine ' unsymmetrische (unbalance) Spannung von 1,2 mV bei einem Eingangssteuerstrom von 5 mA und einem angelegten Magnetfeld von O. Es zeigte ferner eine hohe Hall-Spannung von 150 mV bei einem Eingangssteuerstrom von 5 mA und einer ; angelegten Gaußschen Magnetflußdichte von 1 K.
Wurde das Produkt dem Temperatur-Feuchtigkeitstest bei ; 600C und 95% relativer Feuchtigkeit unterworfen, zeigte es eine um 20% längere Lebensdauer als ein übliches ; Vergleichsprodukt der gleichen Konstruktion, das eine durch stromloses Plattieren aufgebrachte doppe!schichtige Elektrode aus Kupfer und Silber aufwies. Dies ist ' ein Beweis für verbesserte Zuverlässigkeit im Dauerbe- ■ trieb.
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Beispiel 4
- . . i Auf einem quadratischen Ferritsubstrat von 0,5 mm Dicke und 5 mm Kantenlänge wurde ein InSb-Einkristall- ι dünnfilm mit einer Elektronenbeweglichkeit von
75OGO cm /V.s in einem Muster mit elektrodenbildenden Bereichen, wie sie in Fig.4 dargestellt sind, gebildet. Der InSb-Dünnfilm wurde mit einer Xenon-Entladungslampe auf die in Beispiel 3 beschriebene Weise selektiv belichtet, wodurch die elektrodenbildenden Bereiche des Hall-Elements in elektrisch leitfähiges Material umgewandelt wurden. Die Abmessungen des magnetfeldempfindlichen Bereichs 12 und der Eingangsund Ausgangselektroden waren die gleichen wie in Beispiel 3.
Die Messung der Charakteristik des in dieser Weise hergestellten Hall-Elements ergab eine asymmetrische (unbalance) Spannung von 0,3 mV bei einem Eingangssteuerstrom von 5 mA und einem angelegten Magnetfeld von 0. Es zeigte ferner eine hohe Hall-Spannung von 50 mV bei einem Eingangssteuerstrom von 5 mA und eine Gaußsche Magnetflußdichte von 1 K. Wenn das Hall-Element der Prüfung bei hoher Temperatur und hoher relativer Feuchtigkeit '· unterworfen wurde, zeigte es hohe Zuverlässigkeit wie , das gemäß Beispiel 3 hergestellte Element.
Beispiel 5
i Dieses Beispiel beschreibt die Herstellung einer Modi- ■ fikation des in Fig.4 dargestellten Hall-Elements. Auf '< einem quadratischen Ferritsubstrat von 0,5 mm Dicke f und 5 mm Kantenlänge wurde eine InSb-Filmauflage mit :
einer Dicke von 1,0 um und einer Elektronenbeweglichkeit!
2 '
von 15000 cm /V.s ~ in einem Gittermuster mit den in j Fig.4 dargestellten elektrodenbildenden Bereichen ge- j gildet. Anschließend wurde eine Belichtungsmaske her- J gestellt, indem Silber auf eine Platte aus Polyäthylen-
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glykolterephthalat in einer Dicke von 0,2 um aufge- ί dampft wurde und die entsprechenden Elektrodenbildungs- , bereiche des Gittermusters weggeätzt wurden. Die InSb-Filmauflage wurde durch die Belichtungsmaske mit einer
Xenon-Entladungslampe auf die in Beispiel 1 beschriebene Weise belichtet, wobei Eingangs- und Ausgangs—
elektroden eines magnetfeldempfindlichen Teils mit den ' gleichen Abmessungen wie in Beispiel 4 gebildet wurden. . An diese Elektroden wurden Zu- und Ableitungen mit
leitfähiger Harzpaste (H-310, Hersteller Epoxy Technology Corporation), die auf die in Fig.6 mit 24a und
24b bezeichneten Teile aufgebracht wurde, angeschlossen. Das erhaltene Bauelement wurde im Epoxyharz eingekapselt.
Das in dieser Weise hergestellte Hall-Element zeigte
eine unsymmetrische Spannung von 1,2 mV bei einem
Eingangssteuerstrom von 5 mA und einem angelegten
Magnetfeld von 0 sowie eine Hall-Spannung von 150 mV
bei einem Eingangssteuerstrom von 5 mA und einer
Gaußschen Magnetflußdichte von 1 K.
ι Ein Vergleich von 500 Proben, die gemäß diesem Beispiel ' hergestellt wurden und deren äußere Leitungen an die ) Elektroden mit Hilfe eines leitfähigen Polymerisats
angeschlossen waren, mit der gleichen Zahl von Proben, , die nach dem üblichen Verfahren hergestellt waren,
und deren Leitungsanschlüsse durch Löten hergestellt
waren, ergab für die erfindungsgemäßen Produkte einen
Ausschuß von 7% und für die nach dem üblichen Verfahren '
hergestellten Produkte einen Ausschuß von 32%. |
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Claims (23)

  1. VON KREISLER SCHONWALD EISHOLD FUES VONKREISLER KELLER SELTING WERN£R- -
    PATENTANWÄLTE Dr.-lng. von Kreisler+ 1973
    Dr.-ing. K. Schönwald, Köln
    Dr.-lng. K. W. Eishold, Bad Soden
    Dr. J. F. Fues, Köln
    Dipl.-Chem. Alek von Kreisler, Köln
    Dipl.-Chem. Carola Keller, Köln
    Dipl.-Ing. G. Seifing, Köln
    Dr. H.-K. Werner, Köln
    Ke/Ax
    DEICHMANNHAUS AM HAUPTBAHNHOF
    D-5000 KÖLN 1 , 23. März 1979
    Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha, 2-6, Dojima-hama 1-chome, Osaka (Japan).
    Patentansprüche
    Zusammengesetztes Halbleiterbauelement, bestehend aus einem funktioneilen Teil in Form eines zusammengesetzten Halbleiters und einem Elektrodenteil, der mit dem Halbleiterteil verbunden ist, wobei der Elektrodenteil einen Bereich enthält, in dem der Festphasenzustand des Materials des Halbleiters so verändert worden ist, daß eine Änderung seiner Energiebandstruktur erfolgt und das Material hierdurch in einen Leiter umgewandelt worden ist.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodenteil als Folge der Umwandlung des Kristallgitters des Halbleitermaterials einen Legierungszustand aufweist.
  3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodenteil als Folge der Umwandlung der festen Phase des Halbleitermaterials einen amorphen Zustand aufweist.
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    TeWon: (0221! 131041 · Telex: 8882307 dopa 6 ■ Telegramm: Dompolenl Köln
  4. 4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodenteil (5a, 5b; 22a, ι 22b) einen Verbindungsbereich für äußere Leitungen (23a, 23b) bildet.
  5. 5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodenteil (5a, 5b; 22a, ; 22b) eine Kurzschlußbügelelektrode bildet.
  6. 6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodenteil (5a, 5b; 22a, 22b) Verbindungselektroden für äußere Leitungen und Kurzschlußbügelelektroden bildet.
  7. 7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, 2, 3 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungselektrode (22a, 22b) für äußere Leitungen (23a, 23b) durch einen leitfähigen polymeren Klebstoff (24a, 24b) mit einem Ausgangsleiter (23a, 23b) verbunden ist.
  8. 8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,2, 3 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterteil eine Dicke im Bereich von 0,1 bis 100 um hat.
  9. 9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,2,3 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterteil ein Element der Gruppe III bis V des Periodensystems enthält.
  10. 10. Elektrodenstruktur für die Verwendung in einem zusam- ' mengesetzten Dünnfilm-Halbleiterbauelement, gekenn- { zeichnet durch eine zusammengesetzte Halbleiterschicht und einen leitfähigen Bereich, der durch Materialphasenumwandlung entstanden ist und an dem die Halbleiterschicht durch Änderung des Festphasenzustandes durch Energiestrahlung teilweise in einen Leiter umgewandelt worden ist und der an die Halbleiterschicht in ohmischem Kontakt dazu angrenzt.
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  11. 11. Elektrodenstruktur nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich sich von wenigstens der Oberfläche der Halbleiterschicht in Richtung ihrer Dicke erstreckt.
  12. 12. Elektrodenstruktur nach Anspruch 10 oder 11, dadurchgekennzeichnet, daß die freiliegende Oberfläche des Bereichs (5a, 5b; 22a, 22b) einen Verbindungsbereich für eine Ausgangsleitung darstellt und dieser Bereich die auf den Anschluß der Ausgangsleitung (23a, 23b) zurückzuführende Wanderung verhindert.
  13. 13. Magnetelektrischer InSb-Dünnfilratransducer, gekennzeichnet durch einen dielektrischen Träger (25), eine auf den Träger aufgebrachte InSb-Dünnfilmschicht (21) und mehrere Elektroden (22a, 22b), die an die InSb-Schicht (21) in ohmischem Kontakt dazu angrenzen und eine leitfähige Schicht aufweisen, die aus der InSb-Schicht durch Bestrahlung mit einer Xenon-Entladungslampe gebildet worden ist.
  14. 14. Verfahren zur Herstellung eines zusammengesetzten Halbleiterbauelements, dadurch gekennzeichnet, daß man einen zusammengesetzten Dünnfilmhalbleiter auf einer Isolierunterlage bildet und einen Elektrodenbereich bildet, indem man die Oberfläche des Dünnfilmhalbleiters mit Energie in einer solchen vorbestimmten
    Menge bestrahlt, daß eine Änderung des Festphasenzustandes des Halbleiters unter Änderung seiner Energie- > bandstruktur verursacht wird, wobei der Elektrodenbereich einem Teil des Dünnfilmhalbleiters entspricht, der der Energiestrahlung ausgesetzt worden ist, und | in ohmischem Kontakt zu einem unbelichteten Teil t
    des Dünnfilmhalbleiters steht. <
    " ■ Ϊ
  15. 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß zur Energiebestrahlung eine Xenon-Entladungslampe verwendet wird.
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    -A-
    231 1660
  16. 16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß man zur Bildung des zusammengesetzten Dünnfilmhalbleiters einen Halbleiter aus einem Element : der Gruppe III bis V des Periodensystems verwendet.
  17. 17. Verfahren nach Anspruch 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß man durch selektive Energiebestrahlung ein Muster der Verbindungselektroden für die äußeren Anschlußleitungen bildet.
  18. 13. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß man durch selektive Energiebestrahlung ein Muster von Kurzschlußbügelelektroden bildet.
  19. 19. Verfahren nach Anspruch 14 oder 1.5, dadurch gekennzeichnet, daß man durch Energiebestrahlung auf dem Dünnfilmgleichrichter ein Muster von Kurzschlußbügelelektroden und Verbindungsbereichen für den Anschluß äußerer Leitungen bildet.
  20. 20. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß· man einen Ausgangsleiter mit der Oberfläche des Elektrodenbereichs mit Hilfe eines leitfähigen Polymerisats verklebt. :
  21. 21. Verfahren nach Anspruch 14 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß man das Bauelement nach der Herstellung der Verbindung in ein Harz einbettet.
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  23. ORIGINAL INSPECTED
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