DE1187283B

DE1187283B - Halterung fuer ein Schaltungselement der Mikromodultechnik und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE1187283B
Application number: DER31426A
Authority: DE
Inventors: William Herman Liederbach
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1960-11-10
Filing date: 1961-11-08
Publication date: 1965-02-18
Also published as: ES271886A1; NL271208A; GB997019A; ES271887A1

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

HOIn

Deutsche Kl.: 21a4-75

R 31426IX d/21 a4
8. November 1961
18. Februar 1965

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halterung für ein elektrisches Schaltungselement für die Mikromodultechnik und ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Es ist bekannt, elektronische Bauelemente verschiedenster Art mit gleicher genormter Größe und Form und zueinander passenden Anschlußelementen herzustellen, so daß eine schnelle Montage möglich ist. Ein einzelnes derartiges Bauelement soll im folgenden als Mikroelement bezeichnet werden. Für zusammengesetzte Schaltungseinheiten oder Baugruppen hat sich der Ausdruck »Modul« eingebürgert. Mit solchen Moduln lassen sich die verschiedensten Einrichtungen oder Untereinheiten aufbauen.

Die bekannten Mikroelemente bestehen im allgemeinen aus einer keramischen Platte, die ein elektrisches Bauteil trägt, das eine einzige Schaltungsfunktion hat, z. B. Kapazität, Induktivität oder Widerstand. Die Mikroelemente lassen sich durch schnell arbeitende Automaten herstellen und montieren, so daß sich außer einem niedrigen Einheitsgewicht und Einheitsvolumen auch der Vorteil geringer Herstellungs- und Montagekosten ergibt.

Das obenerwähnte Grundprinzip der Mikroelemente hat in der Praxis die vielfältigsten Ab-Wandlungen erfahren. So sind beispielsweise quadratische Mikromodulplatten bekannt, die aufgedampfte Widerstände und Kondensatorplatten enthalten. Es ist aber auch bekannt, konventionelle Bauelemente, wie Tantal-Sinterkondensatoren oder Dioden, in Vertiefungen oder fensterartigen Durchbrüchen von Keramikplatten unterzubringen. Diese Bauelemente sind dann im allgemeinen mit leitenden Schichten an den Rändern der Keramikplatte verbunden, die die Anschlüsse für das betreffende Mikroelement bilden.

Trotz der beträchtlichen Ersparnis an Gewicht und Volumen, die mit solchen Mikroelementen erzielt werden kann, hat sich die Mikromodultechnik bisher nicht richtig durchsetzen können. Ein Grund hierfür liegt darin, daß ein Großteil der bekannten Moduln ursprünglich für eine Verwendung in Verbindung mit Vakuumröhren entwickelt worden ist, so daß sich die bei einem Ersatz von Vakuumröhren durch Halbleitereinrichtungen naturgemäß ergebenden Verbesserungsmöglichkeiten nicht ausnutzen lassen. Da die Schaltungselemente häufig zum Schutz gegen Umgebungseinflüsse hermetisch gekapselt werden müssen und bei den bisherigen Mikroelementen die konventionellen Verfahren hierfür verwendet wurden, erhielt man Einheiten, die übermäßig viel Raum benötigen und zu dick sind, um in die beschriebenen Modulkonstruktionen zu passen.

Halterung für ein Schaltungselement der
Mikromodultechnik und Verfahren zu seiner
Herstellung

Anmelder:

Radio Corporation of America, New York,
N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dr.-Ing. E. Sommerfeld

und Dr. D. v. Bezold, Patentanwälte,

München 23, Dunantstr. 6

Als Erfinder benannt:

William Herman Liederbach, Flemington, N.J.

(V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 10. November 1960
(68 403)

Bei den bekannten Mikromoduln wurde außerdem für jeden einzelnen Typ eines elektrischen Schaltelementes ein anderes Halterungsplättchen verwendet. Es ist leicht einzusehen, daß sich hierdurch die Herstellungs- und Lagerhaltungskosten beträchtlich erhöhen und daß die Produktion wesentlich anpassungsfähiger wäre, wenn für alle Arten von elektrischen Schaltungselementen ein und dieselbe Halterung verwendet werden könnte. Es wäre dann einfach möglich, je nach Bedarf die vorrätigen Halterungen mit den erforderlichen elektrischen Bauelementen zu bestücken.

Durch die Erfindung soll eine verbesserte Halterung für ein elektrisches Schaltungselement für eine Mikromodultechnik angegeben werden, die eine gesonderte Kapselung der Bauelemente überflüssig macht und für eine Vielzahl verschiedener Bauelemente verwendet werden kann.

Eine Halterung für ein Schaltungselement, die die Form einer aus einem Stück bestehenden isolierenden Modulplatte hat, welche auf einer Seite eine Vertiefung zur Aufnahme des Schaltungselementes aufweist und mit einer Lagerungsanordnung zur Befestigung des Bauelementes versehen ist, ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung in der aus einem einstückigen Körper be-

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stehenden Modulplatte zusammen mit einem Verschluß, der mit einem die öffnung der Vertiefung umgebenden Abdichtbereich verbunden ist, eine hermetisch verschlossene Kammer zur Aufnahme des Schaltungselementes bildet, das an einem die Lagerungsanordnung bildenden Absatz der Innenwand der Kammer befestigt ist

Zum Stand der Technik wird ergänzend noch erwähnt, daß eine Vakuumtriode in Modulbauweise, die aus Einheitsplatten aufgebaut ist, bekannt ist, welche eine das Röhreninnere bildende, hermetisch verschlossene Kammer enthält. Diese Röhre ähnelt den üblichen Scheibenröhren, sie hat beispielsweise wie diese ebene Elektroden, und der Kolben wird aus ringförmigen Keramikteilen gebildet, die aufeinandergeschichtet und vakuumdicht miteinander verbunden sind. Die Verbindung erfolgt bei der bekannten Modultriode durch Verlöten von metallisierten ringförmigen Bereichen auf den Hauptflächen der Einheitsplatten.

Da der aus Einheitsplatten aufgebaute Röhrenkolben ein wesentliches Element der Röhre darstellt, läßt sieh diese Triode in Modulbauweise nicht mit einer Halterung für ein Schaltungselement vergleichen. Bei der Modultriode ist praktisch keine Halterung vorhanden, und der Fachmann kann aus der bekannten Modultriode nur die Lehre entnehmen, die äußere Form der ringförmigen Kolbenteile von Vakuumröhren mit ebenen Elektroden so zu wählen, daß sie zu dem gewünschten Modulsystem paßt.

Eine »Einheitskapsel« für elektronische Bauelemente, wie sie durch die vorliegende Erfindung angegeben wird, zu schaffen, wird durch die bekannte Triode in Modulbauweise nicht nahegelegt.

Die Erfindung läßt sich in der verschiedensten Hinsicht weiterbilden:

Die Befestigung des Bauelementes läßt sich besonders zweckmäßig dadurch bewerkstelligen, daß mindestens ein Bereich der Oberfläche des Absatzes, der die Halterungsanordnung in der vakuumdichten Kammer bildet, zum elektrisch leitenden Anschluß des Schaltungselementes metallisiert ist.

Der Verschluß wird zweckmäßigerweise hermetisch mit einem metallisierten Bereich auf der einen Seite der Modulplatte verbunden.

Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung befindet sich auf der dem Verschluß gegenüberliegenden Seite der Modulplatte eine elektrisch leitende Fläche, die mit dem metallisierten Abdichtbereich auf der erstgenannten Seite der Modulplatte elektrisch leitend verbunden ist. Verwendet man für den Verschluß ein elektrisch leitendes Material, so wird durch den Verschluß und die mit ihm elektrisch verbundene leitende Fläche eine Abschirmung für das in der Kammer gekapselte Bauelement gebildet.

Am Umfang der Modulplatte befindet sich in an sich bekannter Weise mindestens ein elektrisch leitender Bereich, der mit einem leitenden Bereich der Lagerungsanordnung oder mit dem Abdichtbereich elektrisch leitend verbunden ist.

Die Modulplatte ist gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung durch Verbinden einer Anzahl von Isolierschichten, von denen einige elektrisch leitende, voneinander isolierte Bereiche tragen, zu einer monolithischen Struktur gebildet. Die Modulplatte besteht dabei vorzugsweise aus drei miteinander versinterten Schichten, von denen zwei jeweils eine Außenseite der Platte und die dritte, die zwischen der ersten und der zweiten liegt, den Absatz zur Lagerung des Schaltungselementes bildet.

Als Werkstoff für die Modulplatte wird vorzugsweise ein keramischer, insbesondere aluminiumoxydhaltiger Werkstoff oder geschichtetes Sinterglas verwendet.

Die Erfindung betrifft ferner Verfahren zur Herstellung einer Halterung für ein Schaltungselement, wie sie oben definiert wurde.

Gemäß der Erfindung werden zur Herstellung einer Halterung der oben definierten Art für ein Schaltungselement eine Anzahl dünner Schichten hergestellt, die jeweils einen feinverteilten isolierenden Werkstoff und ein Bindemittel enthalten; weiterhin wird ein Bereich auf mindestens einer der Schichten metallisiert, mindestens ein Teil mindestens einer der Schichten entfernt, die Schichten werden dann so aufeinandergelegt, daß in einer Oberfläche des Stapels eine Vertiefung gebildet wird, und der Stapel wird schließlich zu einer integralen Platte verbunden.

Die Verbindung erfolgt vorzugsweise unter Einwirkung von Hitze und Druck.

Die metallisierten Bereiche können eine im Inneren der fertigen, aus einem Stück bestehenden Modulplatte verlaufende elektrisch leitende Strecke vom Inneren der Vertiefung zum Rand der Modulplatte bilden. Bei der fertigen, zu einem Stück verbundenen Modulplatte verlaufen also Leiterstrecken vom Rand der Platte, an den üblicherweise die Modulplatten angeschlossen werden, durch die kompakte Platte hindurch zum Inneren der bei der fertigen Platte vakuumdicht verschlossenen Kammer und ermöglichen dadurch eine sehr zweckmäßige Art des Anschlusses des in der Kammer gekapselten Schaltungselementes.

Gemäß einer weiteren Ausbildung des Verfahrens gemäß der Erfindung werden die metallisierten Flächen der Modulplatte mit Lot überzogen, und die Vertiefung in der Modulplatte wird mit einem verlötbaren Deckel verschlossen.

Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung werden die frei liegenden Teile der metallisierten Bereiche der Platte vor dem Überziehen mit Lot plattiert und erhitzt, bis die Plattierung mit den metallisierten Bereichen versintert ist.

Bei einer weiteren Ausbildung des Verfahrens gemäß der Erfindung enthalten die dünnen Schichten eine Dispersion eines feinverteilten, ungebrannten keramischen Werkstoffes mit einem Bindemittel in einem Lösungsmittel, und auf Teile am Rand der Platte wird eine Metallisierungsmischung aufgebracht; die Schichten werden durch Verglasung der Keramik verfestigt und zu einem Stück verbunden; dann werden die frei liegenden Bereiche der metallisierten Flächen plattiert; die verfestigte und verbundene Platte wird anschließend so weit erhitzt, daß sich die Plattierung mit den metallisierten Bereichen dauerhaft verbindet, und schließlich wird die Platte in ein geschmolzenes Lot getaucht, das nur die plattierten Flächen benetzt.

Eine andere Weiterbildung des Verfahrens gemäß der Erfindung besteht darin, daß die geschichtete Anordnung zur Verbindung der Schichten und zur Entfernung des Bindemittels in feuchtem Formiergas bis zur Verglasung des keramischen Werkstoffes erhitzt wird; die frei liegenden Teile der metallisierten Bereiche werden dann plattiert; die Platte wird dann

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zum Aufsintern der Plattierung auf die metallisier- Innerhalb der Ausnehmung 12 befindet sich ein ten Bereiche in einer reduzierenden Atmosphäre er- Vorsprung oder eine Rippe 18, die als Halterung für hitzt; dann wird die Platte in geschmolzenes Lot ein Schaltungselement dient. Auf der oberen Fläche getaucht, das nur die plattierten Bereiche benetzt; 19 der Rippe 18 befindet sich ein metallisierter Benun wird innerhalb der Vertiefung der Platte ein 5 reich 20. Die Halterung umfaßt vorzugsweise elekelektrisches Schaltungselement montiert und elek- irische Anschlußmittel (20" in Fig. 2c und 3c) irisch angeschlossen, und schließlich wird das mon- innerhalb der Platte 11 zwischen dem metallisierten tierte Schaltungselement durch einen elektrisch Bereich 20 und einem metallisierten Bereich, wie leitenden Deckel hermetisch in der Vertiefung ein- einer Nut 25, am Umfang 16 der Platte 11. Ein Vergeschlossen, ίο fahren zur Herstellung einer derartigen elektrischen

Als elektrisches Schaltungselement kann unter an- Verbindung in einem aus einem Stück bestehenden derem ein piezoelektrischer Schwinger, eine einen Körper wird weiter unten noch beschrieben werden. Halbleiterkristall enthaltende Einrichtung oder ein Die Halterung wird durch einen Verschluß 21 verWiderstand verwendet werden. vollständigt, beispielsweise eine Metallplatte u. dgl.,

Bei der Herstellung der Halterungen gemäß der 15 die hermetisch mit dem metallisierten Bereich 14 auf Erfindung können Schichten hergestellt werden, der einen Scheibenfläche 13 verbunden ist. In der deren Größe der mehrerer Modulplatten entspricht, Ausnehmung 12 der Halterung 10 kann nach und der nach der Verbindung des Stapels entstehende Wunsch ein aktives oder ein passives Schaltungs-Körper wird dann in Modulplatten der endgültigen element gekapselt werden.
Größe zerteilt. 20 Die spezifischen Abmessungen und Formen der

In diesem Falle werden dann gemäß einer weite- isolierenden Platte 11 werden so gewählt, daß das ren Ausbildung des letztgenannten Verfahrens fertige Schaltungs-Mikroelement zu anderen Mikrogleichzeitig mit der Metallisierung einzelner Bereiche moduln paßt, die verwendet werden sollen. Bei der Schichtenmarkierungen zur Einjustierung der diesem Beispiel hatte die Platte 11 quadratische Schichten beim Aufeinanderlegen aufgebracht. 25 Hauptfiächen mit etwa 7,9 mm langen Kanten, die

Die Erfindung soll nun an Hand der Zeichnungen jeweils mit drei Nuten versehen waren. Ferner war

näher erläutert werden; dabei bedeutet in der Nähe der einen Ecke der Scheibe 11 eine Be-

F i g. 1 eine perspektivische Ansicht einer Halte- zugsnut 22 vorhanden. Der Verschluß oder die

rung für elektrische Schaltungselemente gemäß einer Deckplatte 21 kann aus einer Platte oder Scheibe

Ausführungsform der Erfindung, 30 aus Nickel, Messing, Aluminium, Kovar, einer

Fig. 2, die aus den Fig. 2a bis 2d besteht, eine Eisen-Nickel-Legierung od. dgl. bestehen. Die isolie-

auseinandergezogene perspektivische Ansicht der rende Platte 11 kann aus Berylliumoxyd, Magnesi-

Bestandteile der in F i g. 1 dargestellten Ausführungs- umoxyd, Titanoxyd, Sinterglas oder einem kerami-

form einer Halterung für Schaltungselemente nach sehen Werkstoff, wie Porzellan, Steatit, Forsterit

der Erfindung, 35 od. dgl. bestehen.

Fig. 3a bis 3d eine auseinandergezogene Schnitt- Obwohl die Isolierstoffplatte 11 in Fig. 1 als

ansicht der Teile der in F i g. 2 dargestellten Halte- massiver Block dargestellt ist, hat es sich als vorteil-

rung; die Schnitte sind durch die in Fig. 2 ein- haft erwiesen, die Platte 11 durch Verbinden einer

gezeichneten Ebenen, die mit den den F i g. 3 a bis 3 d Anzahl von Isolierstofflagen oder -schichten zu bil-

entsprechenden Bezugszeichen versehen sind, gelegt, 40 den. Auf diese Weise ist es einfach, die obenerwähn-

F i g. 4 einen Querschnitt durch ein in der Be- ten elektrischen Anschlußleitungen zwischen dem

arbeitung befindliches Mikroelement zur Erläuterung metallisierten Bereich 20 auf der Rippe 18 und einem

eines Verfahrensschrittes bei der Herstellung eines metallisierten Bereich, wie einer Nut, an der Peri-

Schaltungs-Mikroelementes gemäß der Erfindung, pherie 16 der Platte 11 herzustellen.

F i g. 5 eine perspektivische Ansicht des in F i g. 4 45 F i g. 2 ist eine auseinandergezogene perspek-

dargestellten Mikroelementes, tivische Ansicht der in F i g. 1 dargestellten Halte-

F i g. 6 eine Querschnittsansicht durch ein fertiges rung für ein Schaltungselement, die die Schichten

Mikroelement gemäß der Erfindung, oder Lagen zeigt, die die Platteil bilden. Fig. 2a

Fig. 7a bis 7c Draufsichten auf ein Mikro- zeigt den Verschluß 21, beispielsweise wie in Fig. 1 element gemäß der Erfindung während aufeinander- 50 eine Metallscheibe. Eine Schnittansicht des Verfolgender Herstellungsstufen, Schlusses 21 ist in F i g. 3 a dargestellt.

Fig. 8 eine Draufsicht auf ein Mikroelement nach Fig. 2b zeigt die obere Schicht 11' von drei

der Erfindung, das einen Transistor enthält, und Isolierstoff schichten, die aufeinandergelegt dielsolier-

F ig. 9 eine Draufsicht auf ein einen Widerstand stoff platteil ergeben. Die obere Schicht 11' ist mit einer

enthaltendes Mikroelement nach der Erfindung. 55 Mittelöffnung 23 versehen, die sie vollständig durch-

Gleiche Teile sind in den Zeichnungen mit gleichen setzt; auf der oberen Oberfläche der Schicht 11' be-

Bezugszeichen versehen worden. findet sich ein metallisierter Bereich 14', der die

Die Halterung 10 nach der Erfindung für Schal- Öffnung 23 umfaßt, und schließlich sind metallisierte tungselemente, die in F i g. 1 dargestellt ist, umfaßt Bereiche an der Peripherie 16' der Schicht 11' voreine aus einem Stück bestehende isolierende Platte 60 handen, beispielsweise in den Nuten 15' und 25'. Die 11, deren eine Hauptfläche 13 mit einer Ausnehmung Isolierschicht 11' ist im Schnitt in F i g. 3 b dar-12 versehen ist. Auf der Plattenfläche 13 befindet gestellt.

sich ein die Ausnehmung 12 umfassender metallisier- Fig. 2c zeigt die mittlere Schicht 11" der Platte

ter Bereich 14. Der metallisierte Bereich 14 ist vor- 11. Sie ist mit einer Mittelöffnung 24 versehen, die

teilhafterweise mit einem metallisierten Bereich, wie 65 koaxial zur Öffnung 23 der Schicht 11' liegt. Der

einer Nut 15, am Umfang 16 der Scheibe 11 elek- Radius der Öffnung 24 in der Schicht 11" ist jedoch

irisch verbunden, z. B. durch eine metallisierte kleiner als der Radius der Öffnung 23 in der Schicht

Zone 17 auf der Plattenfläche 13. 11'. Außerdem ist mindestens eine Hauptfläche der

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Schicht 11' mit mindestens einem metallisierten Be- schließend wird eine Metallschicht 66, beispielsweise reich 20" versehen, der sich zwischen der Mittel- aus Gold, auf einer Hauptfläche des Kristalls 60 auföffnung 25 und einem metallisierten Bereich am gebracht, beispielsweise durch Aufdampfen, so daß Rand der Schicht, wie einer Nut 25", erstreckt. Die eine elektrische Verbindung mit dem einen leitenden eine Hauptöäche der Schicht 11" ist außerdem mit 5 Anschluß 62 geschaffen wird. Auf der gegenübereinem zweiten metallisierten Bereich 26 versehen, der liegenden Fläche des Kristalls 60 wird eine entvon der Mittelöffnung 24 zu einem anderen metalli- sprechende Goldschicht 68 aufgebracht, die einen sierten Bereich an der Peripherie der Schicht 11", elektrischen Anschluß zur anderen leitenden Klemme wie der Nut 28", reicht Die Mittelschicht 11" ist in 64 bildet. Die auf dem Kristall aufgebrachte Metall-Fig. 3c im Querschnitt dargestellt. io menge wird so bemessen, daß sich die gewünschte

Die untere oder Bodenschicht 1Γ" der Platte 11 Schwingungsfrequenz ergibt.

ist in Fig. 2d dargestellt Die Schicht 11'" ist massiv Der Kristall 60 wird in der Ausnehmung 12 da-

und mit drei metallisierten Bereichen an ihrer Peri- durch montiert, daß die Scheibe 11 auf eine heiße pherie versehen, beispielsweise in den Nuten 15'", Fläche gebracht wird, deren Temperatur so ein-25"' und 28'". Vorzugsweise befindet sich auf der 15 gestellt ist, daß gerade die Lotanschlüsse 62, 64 auf Unterseite der Schicht 11'" ein metallisierter Bereich dem Kristall schmelzen. Hierdurch wird der Kristall der durch die gestrichelte Linie 27 eingezeichneten 60 durch die Anschlüsse 62, 64 mit den metallisier-Fonn. Dieser metallisierte Bereich 27 hat praktisch ten Teilen 20, 26 auf der oberen Fläche 19 der Stufe dieselbe Größe und Form wie die Öffnung 23 der 18 verbunden. Der Verschluß 21, in diesem Fall eine Schiebt 11' und reicht zu einem metallisierten Be- ao Messingscheibe mit 6,6 mm Durchmesser und reich an der Peripherie, wie der Nut 15'". Fig. 3d 0,076 mm Dicke, wird dann mittels einer flußmittelzeigt die Bodenschicht 11'" im Schnitt. losen Ultraschall-Löttechnik hermetisch mit dem Wenn die oberste Schicht 11', die Mittelschicht metallisierten Bereich 14 um die Ausnehmung 12 11" und die untere Schicht 11"' entsprechend Fig. 2 verbunden. Der metallisierte Bereich 27 auf der Un- und 3 koaxial aufeinandergeschichtet werden und die as terseite der Einheit wird elektrisch mit dem Metall-Anordnung zu einer einzigen Platte 11, wie sie in deckel 21 verbunden und geerdet und dient als Ab-Fig. 4 dargestellt ist, verbunden oder laminiert wird, schirmung gegen Störungen.

erhält man eine Ausnehmung in der einen Haupt- Mit piezoelektrischen Schwinger -Mikromoduln,

fläche 13 der zusammengesetzten, geschichteten die gemäß der Erfindung in der oben beschriebenen Platte 11. Die Ausnehmung 12 entsteht durch das 30 Weise hergestellt worden sind, lassen sich Frequenz-Zusammenwirken des Loches 23 in der Schicht 11' änderungen von nur 2,5 · 10~⁵ für den Temperatur- und des Loches 24 in der Schicht 11". Da der Radius bereich zwischen —55 und 90° C erreichen.
der öffnung 24 in der Mittelschicht 11" kleiner ist .

als der Radius der Öffnung 23 in der oberen Schicht Transistorhalterung

11', wird in der Ausnehmung 12 durch den die öff- 35 F i g. 8 zeigt, wie ein aktives Schaltungselement, nung 24 umgebenden Teil der Schicht 11" eine Stufe beispielsweise eine Halbleitertriode, d. h. ein Tran-18 gebildet Auf der oberen Fläche 19 der Stufe 18 sistor, leitend auf der Stufe 18 einer Halterung 10 befinden sich die metallisierten Bereiche 20, 26, die nach der Erfindung montiert sein kann. Der Deutais elektrische Anschlüsse zu den metallisierten Be- lichkeit halber wurde für F i g. 8 und 9 ein größerer reichen (Nuten 25 bzw. 28 am Umfang der Isolier- 40 Maßstab gewählt.

stoffplatte 11 dienen. Der metallisierte Bereich 27 auf Die Halterung 10 enthält eine Steatitplatte 11, die

der Unterseite der Scheibe 11 ist in gleicher Weise auf eine noch zu beschreibende Weise hergestellt elektrisch mit der metallisierten Nut 15 ver- worden ist, der Transistor ist eine oberflächenbunden. legierte pnp-Triode. Die Platte 11 entspricht im

Piezoelektrische Resonatoren ⁴⁵ wesentlichen der oben beschriebenen und umfaßt

eine Ausnehmung 12 in ihrer einen Hauptflache,

Bei der Herstellung eines Mikroelements nach der einen metallisierten Ring 14, der die Öffnung der Erfindung wird auf der Stufe 18 der Scheibe 11 ein Ausnehmung 12 umgibt, eine Stufe 18 in der Ausaktives oder passives Schaltungselement montiert, nehmung, metallisierte Bereiche 20, 26 auf der bevor die Ausnehmung 12 vakuumdicht mit dem 50 oberen Fläche 19 der Stufe 18 und metallisierte Verschluß 21 verschlossen wird. In Fig. 6 besteht Nuten 15, 87, 88 am Umfang der Platte 11. Die die Isolierstoffplatte 11 aus Forsterit, und das Schal- metallisierten Flächen sind, soweit sie frei liegen, tungselement 60 ist ein piezoelektrischer Schwinger, vorzugsweise mit einem Lot überzogen. Die metallid. h. eine Platte oder ein Stab, beispielsweise aus sierten Bereiche 20, 26 dienen als elektrische Vereinem piezoelektrischen Kristall, die elektrisch bei 55 bindungen zwischen der Stufe 18 und den am Umeiner oder mehreren Frequenzen zu Resonanzschwin- fang liegenden Nuten 87, 15.
gungen erregt werden können. Bei diesem Beispiel Der Transistor besteht aus einer η-leitenden Gerbesteht der Kristall 60 aus Quarz und ist so groß ge- maniumscheibe 81, auf deren eine Hauptfläche eine schnitten, daß er in der Ausnehmung 12 auf der erste gleichrichtende Elektrode in Form eines Kügeloberen Fläche 19. der Stufe 18 ruhen kann. Gegen- 60 chens 82 auflegiert ist. Koaxial zu dieser Elektrode überliegende Enden des Quarzkristalls 60 sind mit ist auf die andere Hauptfläche der Germaniumleitenden Anschlüssen 62, 64 versehen, beispielsweise scheibe 81 eine andere, nicht dargestellte Elektrode dadurch, daß auf die Enden des Kristalls eine Silber- in Form eines Kügelchens aufgeschmolzen. Die paste aufgestrichen wird, daß dann die Paste mit Elektrodenkügelchen bestehen aus oder enthalten dem Kristall auf etwa 500° C erhitzt wird und 65 ein Akzeptormaterial, in diesem Falle Indium, schließlich die versilberten Enden des Kristalls 60 in Die Germaniumscheibe 81 ist etwa 1,27X1,27 mm² ein Lot getaucht werden, das zu 60%> aus Zinn, zu groß und etwa 0,076 mm dick. Die Halbleiter-37^e/o aus Blei und zu 3^e/o aus Silber besteht. An- scheibe 87 ist auf einem Basisanschlußstreifen

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montiert, in dem die Germaniumscheibe in werden wird. Nachdem die Platte 11 geschichtet ist,

eine Ausnehmung 83 in einem geschlitzten Metall- wird sie zur Entfernung des Bindemittels in Luft

streifen 84 in Fig. 8 gelötet ist. Die zweite 1 Stunde auf 400° C erhitzt. Die Scheibe 11 ist mit

gleichrichtende Elektrode reicht durch eine nicht einem metallisierten Ring 14, der die Ausnehmung 12 dargestellte Öffnung in der Vertiefung 83. Ein erster 5 in der einen Hauptfläche umgibt, versehen; innerhalb

Anschlußdraht 85 ist mit der Indiumelektrode 82 der Ausnehmung befindet sich eine Stufe 18, auf

durch Erhitzen der Elektrode und des Drahtes in deren oberer Fläche 19 metallisierte Bereiche 20, 26

einem heißen Wasserstoffstrom verbunden. Der An- vorgesehen sind. Am Umfang der Platte 11 befinden

schlußdraht 85 verläuft parallel zur Ebene des An- sich metallisierte Nuten 15, 87. Die metallisierten schlußbleches 84. Ein zweiter Anschlußdraht 86 ist io Bereiche 20, 26 stellen elektrische Verbindungen zu

in entsprechender Weise an der zweiten gleichrich- den Nuten 87, 15 her. Alle frei liegenden Metall-

tenden Elektrode auf der anderen Seite der Ger- flächen sind mit Lot überzogen,

maniumscheibe 81 befestigt. Der Anschlußdraht 86 Der Widerstand besteht aus einem Stab 91 aus

verläuft ebenfalls parallel zur Ebene des Bleches 84 und einem isolierenden Werkstoff, wie Glas, Keramik reicht durch den Schlitz im Basisanschlußstreifen. 15 u. dgl., auf dessen Oberfläche sich eine Leiterstrecke

Das Blech 84 besteht zweckmäßigerweise aus befindet. Größe und Form des stabförmigen WiderNickel oder Kovar. Größe und Form des Anschluß- Standes 91 sind so gewählt, daß der Stab in die Ausbleches 84 sind so gewählt, daß vier Ecken oder nehmung paßt und auf der Stufe 18 aufliegt. Die Vorsprünge 90 auf der oberen Fläche 19 der Stufe Oberfläche 93 des Widerstandsstabes 91 ist mit einer 18 in der Ausnehmung 12 der Steatitplatte 11 zu lie- ao leitenden Legierung oder einem Metall, wie Platin, gen kommen. Vorzugsweise umfaßt das Blech 84 Palladium u. dgl., überzogen. Die Oberflächeneinen Lappen 89, dessen Unterseite mit Lot über- schicht 93 kann auch aus Chromnickel bestehen. In zogen ist. die beispielsweise aus Chromnickel bestehende

Die Steatitplatte 11 wird beispielsweise auf einer Schicht 93 ist eine Spiralnut 92 eingeschnitten, mittels heißen Platte auf eine Temperatur erhitzt, die gerade 35 deren der Widerstand zwischen den Enden 94,95 des ausreicht, das Lot zu schmelzen. Das Basisanschluß- Widerstandes 91 genau auf einen gewünschten Wert blech 84 sitzt dann innerhalb der Ausnehmung 12, eingestellt werden kann. Die Enden 94, 95 des und seine vier Vorsprünge 90 ruhen auf der oberen Widerstandsstabes 91 sind durch irgendein geFläche 19 der Stufe 18, die lotüberzogene Oberfläche eignetes Verfahren mit Lot überzogen. Die Scheibe des Lappens 89 berührt den lotüberzogenen Bereich 30 11 wird auf einer heißen Platte auf eine Temperatur 26, ein Ende des Anschlußdrahtes 85 ruht auf einem erhitzt, die gerade ausreicht, die Lotschicht auf den metallisierten Bereich 20 auf der oberen Fläche 19 metallisierten Bereichen zu schmelzen, und der der Stufe 18, und ein Ende des Anschlußdrahtes 86 Widerstand wird in die Ausnehmung 12 so einruht auf einem metallisierten Bereich 80 auf der gesetzt, daß das eine lotüberzogene Ende 94 des Fläche 19 der Stufe 18. Läßt man diese Anordnung 35 Widerstandsstabes 91 auf dem metallisierten Bereich erkalten, so entsteht eine Lot-Lot-Verbindung zwi- 26 auf der Stufe 18 ruht, während das andere lotschen der Unterfläche des Lappens 89 und dem überzogene Ende 95 des Widerstandes auf dem metallisierten Bereich 26 auf der Fläche 19 der Stufe metallisierten Bereich 20 auf der Stufe 18 aufliegt. 18. Ein elektrischer Anschluß an den Basisbereich Nach dem Erkalten ist der Widerstand 91 mit seinen des Transistors wird auf diese Weise zwischen der 4.0 beiden Enden 94, 95 an den metallisierten Bereichen Halbleiterscheibe 81 und der metallisierten Nut 15 26 bzw. 20 befestigt. Die Einheit wird nun mittels über den Basisanschlußstreifen 84, den Lappen 89 einer über die Ausnehmung auf den metallisierten und den metallisierten Leiterweg 26 gebildet. Der Ring 14 gelegten Metallscheibe in der oben beschrie-Anschlußdraht 85 wird nun durch einen Lottropfen benen Weise hermetisch verschlossen,
mit dem metallisierten Bereich 20 auf der Stufe 18 45 „ _t « j_o i„_m-„· ^^ w»t+»
verbunden, und in entsprechender Weise wird der Herstellung der laminierten Halterung
Draht 86 mit dem metallisierten Bereich 80 verlötet. Auf die Oberfläche einer Schicht 11Γ wird ein Da die metallisierten Bereiche 20, 80 mit den metalli- Metallisierungsansatz aufgebracht, beispielsweise sierten Nuten 87 bzw. 88 in Verbindung stehen, wird nach dem Siebdruckverfahren, wie F i g. 7 a zeigt. Die ein Emitteranschluß des Transistors zwischen der 50 Metallisierungsmischung besteht aus feinverteiltem Elektrode 88 und der Nut 87 über den Anschluß- Molybdän und Mangan (Teilchengröße 0,5 bis 3 μΐη), draht 85 und den Leiterweg 20 und ein Kollektor- die in einem langsam trocknenden organischen anschluß für den Transistor zwischen der koaxial Träger, wie Äthylcellulose, Nitrocellulose u. dgl., der gegenüberliegenden Indiumelektrode und der metalli- in einem organischen Lösungsmittel, wie Butylsierten Nut 88 über den Anschlußdraht 86 und den 55 carbitolacetat, gelöst ist, dispergiert sind. Eine ge-Leiterweg 80 gebildet. eignete Mischung besteht aus 63 Gewichtsprozent

Das Mikroelement kann durch Füllen der Aus- Molybdänpulver, 15 Gewichtsprozent Mangannehmung mit einer geeigneten Vergußmasse und Er- pulver, 20 Gewichtsprozent langsam trocknendem hitzen der Einheit für 2 Stunden auf 105° C ver- Trägerstoff (in Butylcarbitolacetat gelöste Äthylcellusiegelt und mit einer Metallplatte in der oben be- 60 lose) und 2 Gewichtsprozent Titanhydrid. Diese schriebenen Weise hermetisch verschlossen werden. Metallisierungsmischung wird mit einem Seidensieb

auf die gewünschten Flächen der Oberfläche der

Halterung mit Widerstand Schicht 111' aufgebracht. Das metallisierte Muster

F i g. 9 zeigt einen Widerstand, der leitend auf besteht aus vier Ringen 14', deren Innendurchmesser einer Stufe 18 einer Mikroelementhalterung gelagert 65 jeweils nach dem durch das Brennen eintretenden ist. Die monolithische Scheibe 11 besteht aus Sinter- Schwund etwa 5,5 mm beträgt, während der Außenglas und wird durch ein Laminationsverfahren her- durchmesser nach dem Brennen etwa 6,65 mm ist. gestellt, das weiter unten noch näher beschrieben An die metallisierten Ringe 14' schließt sich ein

kleiner metallisierter Ansatz 77 an, der ungefähr 1,27 mm im Quadrat mißt. Außerdem werden eine Anzahl von Bezugs- oder Markierungskreuzen 71 und vier zusätzliche Gruppen von vier Bezugsmarken 72 um jeden Ring metallisiert. Die flexible Schicht 111' wird nun von der Unterlage abgezogen, und bestimmte Teile 23 der Schicht werden mittels einer Einstellmatrizenanordnung und eines Schneidwerkzeugs entfernt. Die entfernten Teile 23 sind kreisförmige Flächen innerhalb der einzelnen metallisierten Ringe 14', deren Durchmesser nach dem Brennen etwa 5,1 mm beträgt.

In entsprechender Weise wird ein Metallmuster auf die zweite Schicht 111" aufgebracht. Dieses Muster besteht aus vier Gruppen metallisierter Bereiche, die als Leiterwege dienen. Jede Gruppe besteht aus zwei symmetrischen metallisierten Strecken 20" und 28, wie Fig. 7b zeigt. Außerdem wird eine Gruppe von Referenzkreuzen 71" aufmetallisiert. Die flexible Schicht 111" wird nun von ihrer Unterlage abgezogen, und bestimmte Teile 24, der Schicht werden entfernt. Die entfernten Teile 24 sind Kreisflächen zwischen den Leiterstrecken, der Durchmesser der so gebildeten Löcher beträgt nach dem Brennen etwa 4,8 mm.

Das Metallisierungsmuster, das auf die dritte Schicht 111'" aufgebracht wird, besteht aus vier kreisförmigen Flächen 27, deren Durchmesser nach dem Schwinden durch den Brennvorgang etwa 5,1 mm beträgt. An die kreisförmigen Flächen 27 schließt sich jeweils ein metallisierter Ansatz 77'" an, der etwa 1,27 mm im Quadrat mißt. Schließlich wird noch eine Gruppe von Bezugskreuzen 71'" metallisiert. Wenn die Schicht 111'" umgedreht wird (von links nach rechts in Fig.7c), so daß die metallisierten Flächen 27 nach unten zu liegen kommen, stimmen die Ansätze 77'" in Größe, Form und Lage mit den entsprechenden Ansätzen 77' auf der Oberfläche der Schicht 111' überein. Die biegsame Schicht 111'" wird von der Unterlage abgenommen, von dieser Schicht werden jedoch keine Teile entfernt.

Die drei Schichten werden nun unter Zuhilf enahme der drei Bezugsmarkengruppen 7Γ, 71" und 71'" in Deckung aufeinandergelegt. Jede Gruppe besteht aus drei metallisierten Bezugskreuzen. Wie erwähnt, wird die untere Schicht 111'" des Stapels umgedreht, so daß die Ansätze 77"' auf die Unterseite der Schicht 111'" zu liegen kommen und in ihrer Lage mit entsprechenden Ansätzen 77 auf der Oberseite der Schicht 111' übereinstimmen. Der Stapel wird nun zu einer zusammenhängenden Einheit dadurch verbunden, daß er unter Druck erhitzt wird. Bei diesem Beispiel wird der Stapel für etwa 60 bis 90 Sekunden in Luft unter einem Druck von etwa 35,2 kp cm~² auf etwa 100 bis 120° C erhitzt, um eine verbundene Platte zu bilden.

Als nächstes wird der zusammenhängende Stapel aus drei Schichten in vier Einheiten aus drei Schichten unterteilt, indem durch die obere Fläche des Stapels, die ursprünglich die obere Fläche der Schicht 111 war, geschnitten wird. Die Schnitte werden so geführt, daß die vier Ecken der resultierenden vier Anordnungen durch die Bezugsmarken 72 angezeigt werden bzw. in einer bestimmten Beziehung zu diesen stehen, die Bezugsmarken 72 sind ja vier Gruppen von vier metallisierten Bezugskreuzen auf der Oberfläche der Schicht 111', jede Gruppe von vier Bezugsmarken ist um einen metallisierten Ring 14' angeordnet. Im selben Arbeitsgang werden in jeden Rand der vier sich ergebenden Anordnungen drei Nuten eingeschnitten, derart, daß eine der Nuten jeder Anordnung durch die Ansätze 77, 77'" der An-5 Ordnung verläuft. Gleichzeitig wird eine Bezugsnut (22 in F i g. 5; 22', 22" und 22'" in F i g. 2b bis 2d) in eine Ecke jeder Anordnung eingestanzt. Als nächstes werden bestimmte Nuten in jeder Anordnung metallisiert, indem die Nuten mit derselben Metallisierungsmischung, wie sie oben beschrieben wurde, bestrichen werden. Es ist ersichtlich, daß die vier Anordnungen, die sich dabei ergeben, nun der Schichtanordnung 11', 11", 11'" in Fig. 2b bis 2d und 3 b bis 3 d entsprechen.

Wenn bei der Schichtbildung ungebrannte Keramik verwendet wird, die gelegentlich auch als rohe oder grüne Keramik bezeichnet wird, so wird die zusammengesetzte Platte in einer reduzierenden Atmosphäre bei einer so hohen Temperatur erhitzt, daß die Keramik verglast. Dieser Schritt ist nicht erforderlich, wenn zur Bildung der Schichten ein Werkstoff, wie Sinterglas oder eine Glasfritte, verwendet wird.

Da die metallisierten Teile der aus einem Stück bestehenden Platte 11 nicht lötbar sind, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die metallisierten Bereiche der gebrannten Scheibe einschließlich der metallisierten Nuten mit einer etwa 5 μπα dicken Nickelschicht elektrisch zu plattieren. Auf die Nickelschicht wird dann eine etwa 0,5 μΐη dicke Kupferschicht aufplattiert. Die aus einem Stück bestehenden plattierten Platten werden dann in Wasserstoff ungefähr 10 Minuten auf 850° C erhitzt, um die Nickel-Kupfer-Plattierung auf die metallisierten Bereiche der Platte aufzusintern.

Als nächstes werden die Scheiben dann in ein geschmolzenes Lot getaucht, das beispielsweise aus 60°/o Zinn, 37% Blei und 3% Silber bestehen kann, so daß der Ring 14, die Nuten 15, 25, 28 und die metallisierten Bereiche 20, 28, soweit sie auf der Stufe 18 frei liegen, dick mit Lot überzogen werden, wie F i g. 1 zeigt.

Claims

Patentansprüche:

1. Halterung für ein Schaltungselement der Mikromodultechnik, die die Form einer aus einem Stück bestehenden isolierenden Modulplatte hat, welche auf einer Seite eine Vertiefung zur Aufnahme des Schaltungselementes aufweist und mit einer Lagerungsanordnung zur Befesti-

So gung des Bauelementes versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung (12) in der aus einem einstückigen Körper bestehenden Modulplatte (11) zusammen mit einem Verschluß (21), der mit einem die Öffnung der Vertiefung umgebenden Abdichtbereich (14) verbunden ist, eine hermetisch verschlossene Kammer zur Aufnahme des Schaltungselementes (60, 81, 91) bildet, das an einem die Lagerungsanordnung bildenden Absatz (18) der Innenwand der Kammer gelagert ist.

2. Halterung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Bereich (20, 26) der Oberfläche (19) des Absatzes (18) zum elektrisch leitenden Anschluß des Schaltungselementes metallisiert ist.

3. Halterung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Verschluß (21) hermetisch mit einem metallisierten Bereich (14) auf

der einen Seite (13) der Modulplatte (11) verbunden ist.

4. Halterung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf der anderen Seite der Modulplatte (11) eine elektrisch leitende Fläche (27) befindet, die mit dem metallisierten Abdichtbereich (14) auf der ersten Seite (13) der Platte (11) elektrisch leitend verbunden ist, und daß der Verschluß (21) aus einem elektrisch leitenden Material besteht.

5. Halterung nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich am Umfang der Modulplatte (11) mindestens ein elektrisch leitender Bereich (15, 25, 28) befindet, der mit einem leitenden Bereich (20, 26) der Lagerungsanordnung (18,19) oder mit dem Abdichtbereich (14) elektrisch leitend verbunden ist.

6. Halterung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Modulplatte (11) durch Verbinden einer Anzahl von Isolierschichten (1Γ, 11", 11"'), von denen einige elektrisch leitende, voneinander isolierte Bereiche (14', 20", 26, 27) tragen, zu einer monolithischen Struktur gebildet ist.

7. Halterung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte aus drei miteinander versinterten Schichten (H', 11", 11'") besteht, von denen zwei (11', 11'") jeweils eine Außenseite der Platte bilden und die dritte (H"), die zwischen der ersten und zweiten liegt, den Absatz (18) zur Lagerung des Schaltungselementes (60, 81, 91) bildet.

8. Halterung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte aus einem keramischen, insbesondere aluminiumoxydhaltigen Werkstoff oder aus geschichtetem Sinterglas besteht.

9. Verfahren zur Herstellung einer Halterung für ein Schaltungselement nach Anspruch 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anzahl dünner Schichten (11', 11", 11'" bzw. Ill', IH", 111"') hergestellt wird, die jeweils einen feinverteilten isolierenden Werkstoff und ein Bindemittel enthalten, daß ein Bereich (14', 20", 26, 27) auf mindestens einer der Schichten metallisiert wird, daß mindestens ein Teil (23, 24) mindestens einer der Schichten entfernt wird, daß die Schichten so aufeinandergelegt werden, daß in einer Oberfläche des Stapels eine Vertiefung gebildet wird, und daß der Stapel zu einer integralen Platte (11) verbunden wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung unter Hitze und Druck erfolgt.

11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10 dadurch gekennzeichnet, daß der metallisierte Bereich (20, 26) eine im Inneren der fertigen, aus einem Stück bestehenden Modulplatte (11) verlaufende elektrisch leitende Strecke von der Vertiefung (12) zum Rand der Platte bildet.

12. Verfahren nach Anspruch 9, 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die metallisierten Flächen (14, 15, 17, 20, 25, 26, 27, 28) der aus einem Stück bestehenden Modulplatte (11) mit Lot überzogen werden und daß die Vertiefung (12) mit einem verlötbaren Deckel (21) verschlossen wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die frei liegenden Teile der metallisierten Bereiche (14, 15, 17, 20, 25, 26, 27, 28) vor dem Überziehen mit Lot plattiert und anschließend erhitzt werden, bis die Plattierung mit den metallisierten Bereichen versintert ist.

14. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die dünnen Schichten (H', 11", 1Γ" bzw. Ill', 111", Ul'") eine Dispersion eines feinverteilten, ungebrannten keramischen Werkstoffes mit einem Bindemittel in einem Lösungsmittel enthalten, daß auf Teile (15, 25, 28) am Rand der Platte (H) eine Metallisierungsmischung aufgebracht wird, daß die Schichten durch Verglasung des keramischen Werkstoffes verfestigt und zu einem Stück verbunden werden, daß die frei liegenden Bereiche der metallisierten Flächen (14, 15, 17, 20, 25, 26, 27, 28) plattiert werden, daß die verfestigte und zu einem Stück verbundene Platte (11) so weit erhitzt wird, daß sich die Plattierung mit den metallisierten Bereichen dauerhaft verbindet, und daß die Platte dann in ein geschmolzenes Lot getaucht wird, das nur die plattierten Flächen benetzt.

15. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die geschichtete Anordnung zur Verbindung der Schichten (H', 11", 11'" bzw. 111', 111", 11Γ") und zur Entfernung des Bindemittels in feuchtem Formiergas bis zur Verglasung des keramischen Werkstoffes erhitzt wird, daß die freiliegenden Teile der metallisierten Bereiche (14, 15, 17, 20, 25, 26, 27, 28) plattiert werden, daß die Platte (11) zum Aufsintern der Plattierung auf die metallisierten Bereiche in einer reduzierenden Atmosphäre erhitzt wird, daß die Platte (H) in geschmolzenes Lot getaucht wird, das nur die plattierten Bereiche benetzt, daß ein elektrisches Schaltungselement (60, 81, 91) innerhalb der Vertiefung (12) der Platte (11) montiert und elektrisch angeschlossen wird und daß das Schaltungselement durch einen elektrisch leitenden Deckel (21) hermetisch in der Vertiefung (12) eingeschlossen wird.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß als elektrisches Schaltungselement ein piezoelektrischer Schwinger (60), eine einen Halbleiterkristall enthaltende Einrichtung (81) oder ein Widerstand (91) verwendet wird.

17. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß Schichten (Hl', 111", Ul'") hergestellt werden, deren Größe derjenigen mehrerer Modulplatten (H) entspricht, und daß der nach der Verbindung des Stapels entstehende Körper in Modulplatten der endgültigen Größe zerteilt wird.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit der Metallisierung einzelner Bereiche (14, 15, 17, 20, 25, 26, 27, 28) der Schichten (IH', 111", Ul'") Markierungen (71', 71", 7Γ") zur Einjustierung der Schichten beim Aufeinanderlegen aufgebracht werden.

In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 850 681;
»Elektronik«, 1960, Nr. 6, S. 163.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen