DE1766879B1 - Elektronischer baustein - Google Patents

Elektronischer baustein

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DE1766879B1
DE1766879B1 DE19681766879 DE1766879A DE1766879B1 DE 1766879 B1 DE1766879 B1 DE 1766879B1 DE 19681766879 DE19681766879 DE 19681766879 DE 1766879 A DE1766879 A DE 1766879A DE 1766879 B1 DE1766879 B1 DE 1766879B1
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Werner Kern
Oates William Lee
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Description

1 2
Die Erfindung betrifft einen elektronischen Bau- werden die einzelnen Bausteine in einem Trichter
stein mit einem Schaltungsplättchen, welches minde- gesammelt, von wo sie dann unter zusätzlichem
stens ein elektronisches Bauelement enthält und auf Kostenaufwand entnommen, sortiert und orientiert
welchem Kontaktflächen zur elektrischen Verbindung werden müssen.
des oder der Bauelemente mit einer äußeren Schal- 5 Eine weitere Schwierigkeit, die der bisher betung ausgebildet sind und welches mit mindestens kannten Flip-Chip- oder Hybrid-Technik anhaftet, einer Vorrichtung zum Ausrichten des Schaltungs- besteht darin, daß das Prüfen der Bausteine vorplättchens mit seinen Kontaktflächen auf entspre- genommen werden muß, während die Bausteine noch chende Kontaktflächen der äußeren Schaltung ver- integraler Bestandteil des Halbleiterstückes sind, so sehen ist. io daß die Prüfbedingungen nicht genau den Verhält-
Bei der Herstellung von Halbleiterschaltungen, ins- nissen nach dem Zertrennen in die einzelnen Plätt-
besondere integrierten Schaltungen beansprucht die chen entsprechen.
Fabrikation der Halbleiterbauelemente einen nur Es ist bekannt, mehrere elektronische Bauelemente
verhältnismäßig kleinen Bruchteil der Herstellungs- zu einer Baugruppe oder einem sogenannten Modul
kosten der Gesamtanordnung. Bei weitem der größte 15 zu stapeln (deutsche Patentschrift 1182 715). Die
Kostenfaktor ist der Aufwand für den Einbau des einzelnen Bauelemente bestehen aus einem plättchen-
bzw. der Halbleiterbauelemente in eine »Packung« förmigen, an der Stirnseite mit Kerben versehenen
oder Baugruppe von für die Handhabung nach her- Unterlage und einem auf dieser angeordneten
kömmlichen Herstellungsmethoden ausreichend gro- elektrischen Bauteil, dessen Anschlüsse mit der
ßen Abmessungen. Der kostspieligste Verfahrens- 20 Kontaktierung dienenden Kerben verbunden sind,
schritt bei der Montage des Halbleiterbauelements ist Die geometrische Zuordnung der Anschlüsse zu den
das Anbringen der elektrischen Verschaltungen zwi- Kerben ist so gewählt, daß innerhalb der Baugruppe _
sehen den Elektroden auf dem Halbleiterkörper und eine gewünschte Schaltung aufgebaut werden kann. ^
den äußeren Anschlußleitungen der Baugruppe. Die oben geschilderten Probleme werden aber mit
Bei der derzeit gebräuchlichen Mikrominiatur- 25 solchen Baugruppen nicht gelöst, weil die als Modul Schaltungstechnik ergeben sich unnötig große Anord- aufgebaute Schaltung ebenfalls nur unter Schwierignungen, in denen das Bauelement einen nur sehr keiten in eine übergeordnete Schaltungsanordnung, kleinen Bruchteil (oft weniger als 1%) des Gesamt- etwa eine Trägerplatte mit einer gedruckten Schal·- volumens der Baugruppe einnimmt. Um die Pak- tung, eingebaut werden könnte und weil die einzelkungsdichte der Bauelemente oder Bausteine zu 30 nen plättchenförmigen Bauelemente schwierig zu erhöhen, die Verläßlichkeit durch Verringern der handhaben und zusammenzusetzen sind, wenn sie Anzahl der erforderlichen elektrischen Verschaltun- sehr klein sind.
gen zu verbessern und die Montagekosten zu redu- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen zieren, wurde in jüngster Zeit erhebliche Mühe dar- Halbleiterbaustein der oben beschriebenen Art zu auf verwendet, Halbleiterbauelemente zu entwickeln, 35 schaffen, der sich ohne weiteres nach wirtschaftdie nicht in herkömmlicher Weise eingebaut (»ge- liehen Massenfertigungsverfahren prüfen, handhaben packt«) werden müssen. Derartige Bausteine, häufig und vor allem in eine auf einer Trägerplatte gebezeichnet als »Flip-Chip«-Bausteine (im Falle eines bildete Schaltungsanordnung einbauen läßt,
einheitlichen aktiven Bauelements) oder »Hybrid«- Die Erfindung besteht darin, daß bei einem elek-Bausteine (im Falle einer gemischten Schaltung mit 40 tronischen Baustein der eingangs angegebenen Art einem einheitlichen aktiven Bauelement und minde- die Vorrichtung durch eine Profilierung derjenigen stens einem damit gekoppelten passiven Bauelement), der beiden Hauptflächen des Schaltungspläitchens, haben allgemein die Form eines Plättchens aus Halb- auf der sich die Kontaktflächen befinden, gebildet leitermaterial mit einem oder mehreren darin ausge- wird und daß die Profilierung in eine Gegenprofilie- ä bildeten Halbleiterbauelementen und einer Anzahl 45 rung der die äußere Schaltung enthaltenden Trägervon Anschlußkontaktflächen zum Verbinden mit ent- platte paßt.
sprechenden Kontakten auf einer gedruckten Schal- Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfin-
tung oder einem Dünnschichtsubstrat. Häufig sind c-iing ist auf der profilierten Hauptfläche ein vor-
diese Anschlußplättchen als verlötbare oder ander- springender Ansatz befestigt, dessen Basisteil einen
weitig verbindbare Kontakterhebungen von der z. B. 50 nicht kreisförmigen Querschnitt hat, der die geo-
in der USA.-Patentschrift 3 292 240 gezeigten allge- metrische Orientierung der Kontaktflächen bestimmt,
meinen Art ausgebildet. Die Höhe dieses Ansatzes über der Hauptfläche ist
Die Hauptschwierigkeit, die sich der Verwendung wesentlich größer als die Dicke des Schaltungs-
dieser sogenannten »Flip-Chic«-Bausteine entgegen- plättchens.
stellt, besteht darin, daß sie sich auf Grund ihrer 55 Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht
extrem kleinen Abmessungen schwer für Massen- darin, daß beim Einbau des Bausteines in eine
fertigungs-Montageverfahren einrichten lassen. Ins- übergeordnete Schaltung etwa mittels des vorsprin-
besondere hat es sich als zu kostspielig erwiesen, genden Ansatzes der Baustein von selbst genau in
jeden einzelnen derartigen Baustein von Hand auf bezug auf die Kontaktflächen der entsprechenden
einem gedruckten Schaltungssubstrat lagerichtig so 60 Schaltung orientiert ist. In den Zeichnungen zeigt
anzubringen, daß sich die winzigen Anschlußflächen F i g. 1 einen Halbleiterbaustein entsprechend einer
auf dem Baustein ausreichend genau mit den ent- Ausführungsform der Erfindung,
sprechenden Kontaktbereichen auf dem Substrat Fig. IA einen Schnitt des Bausteins nach Fig. 1,
decken. Fig. 2A bis 2E verschiedene Halbleiterbausteine
Außerdem werden die einzelnen Bausteine im 65 gemäß anderen Ausführungsformen der Erfindung, allgemeinen in Stückzahlen von mehreren hunderten F i g. 3 A und 3 B zwei Verfahrensweisen zum aus einem einzigen Halbleiterstück gefertigt, das Montieren des Halbleiterbausteins auf einen geanschließend zerteilt wird. Nach dem Zerteilen druckten Schaltungssubstrat,
F i g. 4 die hauptsächlichen Verfahrensschritte bei und befestigt. Obwohl das Hütchen 3 nicht unbeder Herstellung eines Halbleiterbausteins gemäß dingt verjüngt zu sein braucht, ist diese Form vor-
Erfindung, zuziehen, weil dadurch die lagerichtige Orientierung
Fig. 5 ein für den Baustein nach Fig. 1 geeig- des Bausteins 1 in bezug auf ein gedrucktes Schal-
netes gedrucktes Schaltungssubstrat, 5 tungssubstrat erleichert wird. Die in F i g. 1 gezeigte
F i g. 6 eine für die Herstellung einer biegsamen Pyramidenstumpfform des Hütchens 3 ist eine Orien-Form zur Fertigung des Bausteins geeignete Vor- tierungshilfe zum lagerichtigen Montieren des Plättrichtung, chens 2 mit den Kontaktflächen 4. Der Baustein I
Fig. 7 zusätzliche Verfahrensschritte bei der Her- kann z. B. auf einem gedruckten Schaltungssubstrat
stellung der Form, io mit einer Rechtecköffnung, die in ihrer Form der
F i g. 8 in schematischer Darstellung eine Vorrich- Rechteckbasis des Hütchens 3 angepaßt ist, montiert tung zum Prüfen, Sortieren und Montieren von erfin- werden,
dungsgemäß hergestellten Bausteinen, Fig. 5 zeigt ein für diesen Zweck geeignetes
Fig. 9 A und 9 B einen Teil einer Halbleiterscheibe gedrucktes Schaltungssubstrato mit einem ent-
bzw. eine Photomaske zur Erläuterung des Her- 15 sprechenden Metallisierungsmuster. Es ist klar, daß,
stelliingsverfahrens für die Halbleiterbausteine, wenn die Basis des Hütchens 3 genau in bezug auf
Fig. 10 eine Schnittdarstellung einer Ausführungs- die Kontaktflächen 4 des Plättchens 2 orientiert ist
form der Erfindung, und wenn jeder der Kontaktbereiche 5 des gedruck-
Fig. 11 eine Baustein-Substraianordnung gemäß ten Schaltungssubstrats 6 genau in bezug auf die
einer anderen Ausführungsform der Erfindung, 20 Rechtecköffnung 7 im Substrat orientiert ist, beim
Fig. 12 ein für die Herstellung des Bausteins Ansetzen des Bausteins 1 an das Substrat 6, derart,
nach Fig. 11 verwendbares Bauteil, daß das Hütchen 3 in die Öffnung 7 eingreift, genau
Fig. 13 eine Baustein-Substratanordnung gemäß die gewünschte Deckung zwischen den einzelnen
einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, Kontaktflächen 4 und den entsprechenden Kontakt-
F i g. 14 einen eingebauten Halbleiterbaustein ge- 25 flächen 5 des Subtrats erhalten wird. Die Kontakt-
inäß der Erfindung und flächen 4 und/oder die Kontaktbereiche 5 können
Fig. 15 einen Schnitt des Bausteins nach Fig. 14, lotbeschichtet sein, um das Verbinden durch eingesehen in Richtung der Pfeile 15-15. faches Erhitzen (auf Löttemperatur) zu erleichtern.
Fig. 1 zeigt einen Halbleiterbaustein 1 gemäß Statt dessen kann man die Kontaktflächen und
einer Ausführungsform der Erfindung. Er besteht 30 Kontaktbereiche auch mit Metallegierungen unter-
aus einem Schaltungsplättchen 2 mit einem oder schiedlicher eutektischer Temperaturen beschichten
mehreren aktiven Halbleiterbauelementen. Um den und dann durch Wärmebehandlung miteinander
Umfang der Oberfläche des Plättchens 2 sind eine verbinden, wie in der USA.-Patentschrift 3 292 240
Anzahl von metallischen Kontaktflächen 4 angeord- beschrieben.
net, deren jede an ein. entsprechendes Gebiet des 35 In allen Fällen gewährleistet das Hütchen die Halbleiterbauelements (bzw. der Halbleiterbau- richtige Orientierung der Kontaktflächen des Plättelemente) im Plättchen 2 angeschlossen sein kann. chens ohne Bezug auf dessen Ränder, die ganz
Das Plättchen 2 kann monolithisch sein und ent- unregelmäßig geformt sein können. Ein hochgenaues weder ein einzelnes Halbleiterbauelement oder eine Schneiden beim Zerteilen der Halbleiterscheibe in monolithische integrierte Schaltung enthalten. Eine 40 Vielzahl einzelner Plättchen ist daher nicht mehr derartige Anordnung ist im Querschnitt in F i g. 1A wichtig. Wenn das Ansetzen des Bausteins 1 an das gezeigt. Das Plättchen 2 besteht aus einem Halb- Substrat 6 mittels einer automatisch arbeitenden leitermaterial wie Silicium und enthält eine durch Maschine erfolgt, braucht diese nur so genau zu benachbarte Arbeitsgebiete α und b gebildete Planar- arbeiten, daß das Hütchen 3 das Loch 7 erfaßt. Die diode sowie einen durch benachbarte Arbeitsgebiete 45 verjüngte unrunde Form des Hütchens 3 sorgt dann c, d und e gebildeten Planartransistor. Jedes der dafür, daß beim Zusammenfügen des Plättchens und Arbeitsgebiet ist mittels einer Aluminiumelektrode des Substrats die Kontaktflächen 4 und die Kontaktdurch eine entsprechende Öffnung in der auf der bereiche 5 genau miteinander korrespondieren.
Plättchenoberfläche angebrachten Siliciumdioxyd- Das Hütchen 3 kann auch andere als Pyramiden-Isolierschicht kontaktiert. Ein auf der Isolierschicht 5° oder Prismenstumpfform haben. Es ist lediglich erangebrachtes Metallisierungsmuster aus Aluminium forderlich, daß der Basisteil des Hütchens unrund ist, verbindet die einzelnen Arbeitsgebiete elektrisch mit um eine genaue, lagerichtige Orientierung in bezug jeweils einer entsprechenden Kontaktfläche. auf ein Substrat oder eine Schablone, mit welcher der
Das Plättchen 2 kann auch aus Isoliermaterial Baustein 1 korrespondieren soll, sicherzustellen. bestehen, in das eine Anzahl von isolierten Halb- 55 F i g. 2 A bis 2 D zeigen andere mögliche Formleiterbauelementen eingebaut ist, wie es z. B. in der gebungen für das Hütchen, auf die jedoch die Erfin-USA.-Patentschrift 3 300 832 gezeigt ist. Eine wei- dung keineswegs beschränkt ist. In Fig. 2A hat das tere Möglichkeit besteht darin, daß das Plättchen 2 Hütchen 8 Pyramidenform. Fig. 2B zeigt ein Hütaus einer Anzahl von aktiven Halbleiterbauelemen- chen 9 in Form eines Kegels mit elliptischem Querten. die durch metallische Brücken verschaltet sind. 60 schnitt, während F i g. 2 C ein Hütchen 10 von ellipbesteht. wie es in der USA.-Patentschrift 3 307 239 tischer Kegelstumpfform zeigt. F i g. 2 D zeigt ein gezeigt ist. Das im Baustein nach Fig. 1 verwendete Hütchen 12 mit einem verjüngten Keil. Die Ausfüh-Schaltungsplättchen2 kann an sich beliebig aus- rungsformen nach Fig. 1 bis 2D können asymgebildet sein, muß aber mindestens ein aktives Bau- metrische Formen haben, um auch eine gewünschte element mit Gebieten, die an entsprechende Kon- 65 Orientierung des Plättchens in bezug auf das Schaltaktflächen 4 angeschlossen sind, aufweisen. tungssubstrat zu ermöglichen. Dadurch wird erreicht,
Am Mittelteil der Oberfläche des Plättchens 2 ist daß, wenn das Hütchen in die passende Öffnung
ein verjüngter Ansatz oder ein Hütchen 3 angebracht eines gedruckten Schaltungssubstrats eingepaßt ist,
5 6
die Anschlüsse des Plättchens richtig mit entspre- In Fällen, wo das Substrat eine mehrschichtige
chenden Kontaktbereichen des Substrats korrespon- Leiteranordnung aufweist oder aus einem schwer zu dieren. bearbeitenden Material besteht, ist es nicht zweck-
Während das für das Hütchen 3 verwendete Mate- mäßig, im Substrat ein passendes Loch anzubringen, rial nicht kritisch ist und lediglich auf die gewünschte 5 F i g. 3 B veranschaulicht die in diesem Fall anzu-Form verarbeitbar und mit dem Plättchen 2 verbind- wendende Methode zur Sicherstellung der richtigen bar sein muß, ist es in den meisten Fällen sehr wün- Deckung der Kontaktflächen 15 und 16 mit den entschenswert, ein Material mit guter Wärmeleitfähigkeit sprechenden Metallschicht-Leiterteilen 13 und 14. In zu verwenden. In manchen Fällen kann es wün- Fig. 3B ist das Hütchen 3 des Halbleiterbausteins 1 sehenswert sein, das Hütchen 3 aus einem magneti- io auf der entgegengesetzten Seite des Plättchens 2 wie sehen Material zu fertigen, um die Handhabung des die Kontaktflächen 15 und 16 angebracht. Ferner ist Bauelements mittels elektromagnetischer Aufheb- eine Schablone 17 mit einem dem Basisteil des Hütoder Greifverfahren zu erleichtern oder eine hoch- chens 3 angepaßten Loch vorgesehen. Der Halbleiterpermeable Basis für verschiedene Arten von induk- baustein 1 wird auf der Schablone 17 so angeordnet, tiven Schaltungsanordnungen auf dem Plättchen 2 zu 15 daß durch das Hütchen 3 der Baustein lagerichtig in erhalten. bezug auf die Schablone orientiert wird. Das gedruckte
Das Hütchen 3 kann auch aus einem solchen Me- Schaltungssubstrat wird umgedreht und an die Schatall gefertigt werden, daß es als Wärmesenkenkoppler blone 17 angesetzt, so daß die Teile 13 und 14 der für die Bauelemente im Plättchen 2 dient. In diesem gedruckten Schaltung die Kontaktflächen 15 bzw. 16 Fall bildet man das metallische Hütchen 3 Vorzugs- 20 kontaktieren. Die genaue Deckung zwischen der weise verlötbar aus, um das Verbinden einer geeig- Schablone 17 (mit welcher der Baustein 1 sich bereits neten Wärmesenke mit dem Hütchen zu erleichtern. in Deckung befindet) und den Teilen 13 und 14 wird m Um das Erhitzen (durch HF-Induktionsbeheizung) durch Feststellstifte 18 und 19 sichergestellt, die mit- ^ des Plättchens 2 zum Verbinden der Kontaktflächen einander fluchtenden Löcher im gedruckten Schalmit den entsprechenden Kontaktbereichen eines ge- 25 tungssubstrat und in der Schablone 17 durchsetzen, druckten Schaltungs- oder Dünnschichtsubstrats zu Nach dem Verbinden der Kontaktflächen 15 und 16 erleichtern, kann das Hütchen 3 (wenn es aus Isolier- mit den Teilen 13 und 14 werden die Feststellstifte material besteht) mit einem metallischen Belag 11 18 und 19 und die Schablone 17 entfernt. In diesem beschichtet sein, wie in Fig. 2E gezeigt. Dieser Fall kann es wünschenswert sein, auch das Hütchen 3 Belag 11 kann durch Aufsprühen oder stromloses 30 in der bereits beschriebenen Weise zu entfernen. Plattieren in bekannter Weise aufgebracht wer- Zum Befestigen des Hütchens 3 am Plättchen 2,
den. derart, daß der unrunde Querschnitt der Hütchenin manchen Fällen kann es wünschenswert sein, basis genau in bezug auf die Anschlußplättchen 4 des das Hütchen 3 vom Plättchen 2 zu entfernen, nach- Blockes orientiert ist, bedient man sich vorzugsweise dem dieses an der betreffenden Schaltung befestigt 35 der in F i g. 4 veranschaulichten Methode. Diese ist. Zu diesem Zweck kann das Hütchen 3 am Platt- bevorzugte Methode beruht auf der Herstellung des chen mittels eines Klebmittels, z. B. eines Harzes, be- Schaltungsplättchens 2 als integrierter Bestandteil festigt werden, das ohne weiteres in einem Lösungs- einer verhältnismäßig großen Scheibe aus Halbleitermittel, wie Äthylalkohol oder Wasser, das das Platt- material mit einer großen Anzahl von Schaltungen, chen nicht angreift, lösbar ist. Statt dessen kann man 40 jeweils entsprechend einem bestimmten Plättchen 2. das Hütchen 3 auch aus einem Material fertigen, das Wichtig ist, daß jeder der Schaltungen auf der Halbais solches in einem derartigen Lösungsmittel lösbar leiterscheibe genau entsprechend einem vorbestimmist, oder aber aus einer niedrigschmelzenden Substanz ten Muster, z. B. einem Koordinatennetzmuster ange- Λ (wie Styrol oder Apiezonwachs oder einem niedrig- ordnet ist, wie in Fig. 9A gezeigt. m
schmelzenden Metall wie Blei, Zinn, Blei-Zinn-Legie- 45 Nach dem noch zu beschreibenden Verfahren wird rung, Lows-Metall oder Woods-Metall), so daß das eine biegsame Form 20 aus Silikonkautschuk mit Hütchen 3 schmilzt, wenn das Plättchen 2 erhitzt einer Anzahl von Öffnungen oder Eintiefungen, deren wird, um die Kontaktflächen 4 mit den entsprechen- jede eines der Hütchen 3 aufnehmen kann, angeferden Kontaktbereichen des gedruckten Schaltungs- tigt. Die Öffnungen sind in dem gleichen Muster anoder Dünnschichtsubstrats zu verlöten. 50 geordnet wie die einzelnen Schaltungen auf der HaIb-Fig. 3A und 3B veranschaulichen ausführlicher leiterscheibe. Als nächstes wird in die einzelnen Öffdie Art und Weise, wie der Baustein 1 in lagerichtiger nungen der Form 20 je ein Hütchen 3 eingebracht, Orientierung auf z. B. einem gedruckten Schaltungs- und zwar entweder, indem man die Hütchen 3 unabsubstrat montiert werden kann. F i g. 3 A zeigt ein hängig herstellt, willkürlich über die Form 20 verteilt gedrucktes Schaltungssubstrat, bestehend aus einer 55 und durch Vibrieren oder Schütteln der Form sich in isolierenden Trägerplatte 12 und einem darüber- die Öffnungen einsetzen läßt, oder indem man die liegenden, anhaftenden Metallfilm mit Leiterteilen 13 Hütchen 3 direkt in der Form 20 herstellt. Vorzugsund 14, die so angeordnet sind, daß sie elektrischen weise verfährt man nach der letzteren Methode, Kontakt mit den Kontaktflächen 15 bzw. 16 des indem man ein ungehärtetes Epoxyharz über die Blockes 2 geben. Die richtige Deckung der Kontakt- 60 Form 20 gießt, so daß es sämtliche Öffnungen ausflächen 15 und 16 mit den Teilen 13 und 14 wird füllt. Das überschüssige Epoxyharz wird durch sanf-(unabhängig von den Rändern des Plättchens 2) da- tes Abschaben der Oberfläche der Form 20 mit einem durch sichergestellt, daß im gedruckten Schaltungs- geeigneten Schabinstrument entfernt, so daß lediglich substrat ein Loch vorgesehen ist, dessen Querschnitt die Formöffnungen mit Harz gefüllt bleiben. Andern des Basisteils des Hütchens angepaßt ist. Es ist 65 schließend läßt man die Epoxydhütchen 3 ungefähr klar, daß sich in diesem Fall das Hütchen 3 auf der 24 Stunden lang bei Zimmertemperatur aushärten, gleichen Seite des Plättchens 2 befinden sollte wie die Die Form 20 mit den ausgehärteten Epoxydhütchen 3 Kontaktflächen 15 und 16. ist in F i g. 4 (α) gezeigt. Als nächstes wird auf jedes
der Hütchen 3 eine dünne Klebmittelschicht aufge- daß dabei die Ungenauigkeiten auftreten, die sich bracht, wobei man darauf achtet, daß das Klebmittel beim Prüfen der einzelnen Schaltungen ergeben, wenn nicht über die Hütchenränder hinaus an der Ober- dies noch integrale Bestandteile der Halbleiterflache der Form 20 anhaftet. Die Klebmitteltupfen 21 scheibe 23 sind. Ferner kann man nach dem unabwerden vorzugsweise durch eine Maske mit einem 5 hängigen Prüfen der einzelnen Plättchen 2 mit Hilfe der Anordnung der Hütchen 3 in der Form 20 sowie einer Vakuumfestspannvorrichtung od. dgl. die fehlerder Bausteinschaltungen 22 auf der Halbleiter- haften Plättchen beseitigen und die übrigen sammeln scheibe 23 (Fig. 9A) entsprechenden Lochmuster oder direkt auf eine gedruckte Schaltung oder Dünnaufgebracht. Schichtanordnung bringen.
. Nach dem Aufbringen der Klebmitteltupfen 21 « F i g. 8 zeigt eine geeignete Vorrichtung zum aufaiif die ausgehärteten Hütchen 3, wie in Fig. 4 (ft) einanderfolgenden Prüfen, Aufbewahren und/oder gezeigt, wird die Halbleiterscheibe 23 an die Form 20 Montieren der Halbleiterbausteine. Die zerschnittene mit den gehärteten Hütchen 3 angesetzt, so daß die Scheibe 23 mit den durch die in den Löchern der einzelnen Bausteinschaltungen 22 jeweils mit den Form 20 befindlichen Hütchen 3 im ursprünglichen entsprechenden Hütchen 3 in einer bestimmten Aus- 15 Koordinatennetzmuster angeordneten einzelnen Plättrichtung verbunden werden. Um die Hütchen 3 mit chen 2 wird auf eine numerisch steuerbare X-Y-den Bausteinschaltungen 22 zur richtigen Deckung zu Koordinatentafel 27 aufgesetzt. Unter dem Einfluß bringen, wird lediglich das Muster der Form 20 auf einer Steuereinheit 28 und einer Prüfeinheit 29 wird das Muster der Scheibe 23 ausgerichtet. Dies kann ein Revolverkopf 30 so gedreht, daß eine vertikal mit Hilfe einer genormten Ausrichtungstafel erfolgen, ao bewegliche Prüfsonde 31 genau über einem bestimmwie sie gewöhnlich dazu verwendet wird, um die ten Anfangsgitterpunkt der Tafel angeordnet ist. Die richtige Deckung zwischen integrierten Schaltungs- Steuereinheit 28 bewirkt dann eine Abwärtsbewesubstraten und Photomasken herzustellen. Fig. 4 (c) gung der Sonde 31, so daß deren Finger 32 entsprezeigt die resultierende Anordnung. chende Kontaktflächen eines der Plättchen 2 kon-
AIs nächstes wird die Scheibe 23 in eine Anzahl a5 taktieren.
von Plättchen 2 mit jeweils einer der Bausteinschal- Nachdem die elektrischen Eigenschaften des getungen22 unterteilt. Obwohl man sich hierzu auch prüften Plättchens durch die Prüfeinheit 29 ausgeanderer Verfahren bedienen kann, wird vorzugsweise wertet sind, sendet letztere an die Steuereinheit 28 die Scheibe (entsprechend dem genannten Muster) ein Signal, das anzeigt, ob das geprüfte Plättchen angerissen und anschließend zerbrochen. Das Anrei- 3o elektrisch einwandfrei oder fehlerhaft ist. Diese Inßen kann erfolgen, während die Scheibe durch die in formation, zusammen mit dem Ort des geprüften den öffnungen der biegsamen Form 20 befindlichen Plättchens im Koordinatennetz, wird von der Steuergehärteten Hütchen 3 festgehalten wird. Statt dessen einheit 28 zum späteren Gebrauch gespeichert,
kann man auch die Anordnung nach F i g. 4 (d) zum Nachdem sämtliche Plättchen 2 der Scheibe 23 geZwecke des Anreißens in einer verhältnismäßig har- 35 prüft sind, wird unter der Kontrolle der Steuereinheit ten Form (mit dem gleichen öfTnungsmuster wie bei 28 ein Sortiervorgang eingeleitet. Dieser Vorgang der biegsamen Form 20) anordnen. Die angerissene beginnt damit, daß der Revolverkopf 30 so gedreht Scheibe ist in F i g. 4 (d) gezeigt. wird, daß ein vertikal bewegliches Vakuumfestspann-
Das Zerbrechen der angerissenen Scheibe in die futter 33 über einem bestimmten Plättchen 2 angeeinzelnen Plättchen 2 erfolgt mit Hilfe der in 40 ordnet wird. Auf einen entsprechenden Befehl der Fig.4 (e) gezeigten Vorrichtung. Die Anordnung Steuereinheit28 bewegt sich das Vakuumfutter33 wird in eine schwach gekrümmte, sphärische Hart- nach unten, um das betreffende Plättchen 2 aufzuform 24 eingesetzt, und mittels eines Preßwerkzeugs, greifen. Je nach der in der Steuereinheit 28 über den bestehend aus einer Holzplatte 25 und einem Schaum- Prüfzustand des betreffenden Plättchens 2 gespeigurnmikissen 26, wird ein Druck auf die Scheibe 23 45 cherten Information wird der Revolverkopf 30 so geausgeübt. Dadurch wird die Scheibe verbogen und dreht, daß das Vakuumfutter 33 entweder in die zerbrochen. Auf Grund der in den öffnungen der Ladestellung L (wenn die gespeicherte Information Biegeform 20 festgehaltenen Hütchen 3 werden die anzeigt, daß das Plättchen einwandfrei ist) oder in einzelnen Plättchen 2 jedoch in dem gegebenen Ko- die Ausschußstellung D gebracht wird. Wenn das ordinatennetzmuster festgehalten. Wenn andere Zer- 50 Plättchen mangelhaft ist, wird es vom Vakuumfutter teilverfahren angewendet werden, z. B. Ultraschall- in einen an der Ausschußstelle D befindlichen Abfallschneiden, Zentrifugalschleifen oder Diamantrad- trichter ausgetragen. Wenn es einwandfrei ist, wird es schneiden, kann die Form 20 aus relativ hartem durch das Vakuumfutter 33 in ein quadratisches Material bestehen und braucht nicht biegsam zu Loch 34 eines Vorratsbandes 35 eingesenkt, wobei sein. Wie bereits erwähnt, ist der Zerteilvorgang 55 sein Hütchen 3 sicherstellt, daß es richtig im Loch 34 nicht kritisch, da die Hütchen 3 und nicht die sitzt. Nach diesem Sorliervorgang wird die A-V-Ko-Ränder der Plättchen als Orientierungshilfe die- ordinatentafel 27 so geschaltet, daß das nächste Platinen, chen unter das Vakuumfutter 33 gebracht wird. Der
Nach Beendigung des in Fig. 4 veranschaulich- Sortiervorgang wird so lange wiederholt, bis sämt-
ten Verfahrens hat man eine Anzahl von elektrisch 6° liehe Plättchen der Scheibe 23 sortiert sind,
isolierten Halbleiterbausteinen 1, die durch die fest- Die geprüften und für einwandfrei befundenen
geklebten, in den Öffnungen der Form 20 befindlichen Plättchen sitzen jetzt auf den Quadratlöchern des
Hütchen 3 in dem gegebenen Koordinatenncizmuster Bandes 35 in lagerichtiger Orientierung in bezug auf
festgehalten werden. Die Anordnung kann daher auf die Baudränder. Das Band 35 kann als Vorratsbehiil-
eine gewöhnliche Α'-Γ-Koordinateiitafel (wenn das 65 ter für die geprüften Bausteine oder aber unmittelbar
ursprüngliche Muster ein Koordinalennctzmustcr ist) für den automatischen Einbau der Bausteine in ein
aufgesetzt werden, und die ein/einen Plättchen kön- gedrucktes Schaltungs- oder Dünnschichtsubstrat
nen automatisch geprüft und gch-stet werden, ohne verwendet werden. Die Vorrichtung nach Fig. 8
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enthält einen Mechanismus zur automatischen Mon- ordnet sind. Ein lichtdurchlässiger Schirm 49 bedeckt tage der vom Band 35 bereitgehaltenen Bausteine auf das offene Ende des Gehäuses 47, so daß die Lichteinem gedruckten Schaltungssubstrat. quelle 46 in Verbindung mit den reflektierenden Flä-
Ein Teil 35' des Bandes 35 wird durch entspre- chen 48 den Schirm 49 ausleuchtet, wobei das Licht chend ausgerichtete Schalträder (nicht gezeigt), die 5 durch den Schirm gestreut wird, so daß eine im mit den Perforationen 26 des Bandteils 35' kor- wesentlichen gleichmäßige Lichtabstrahlung vom respondieren, in eine bestimmte Richtung (nach rechts Schirm erfolgt. In einem bestimmten Abstand X vom in Fig. 8) bewegt. Ein zweites Band37 mit einer Schirm49 ist ein lichtempfindliches Blatt50 angefortlaufenden Anordnung von untereinander ver- ordnet. Das Blatt 50 besteht vorzugsweise aus einem schalteten, flexiblen gedruckten Schaltungen 38 wird io photoempfindlichen polymeren Material oder stattparallel zum Bestandteil 35'bewegt. Wenn die einzel- dessen aus einem Polyamidmaterial von der in der nen Bausteine 1 sich der Übergabestelle (angedeutet USA.-Patentschrift 3 081168 .beschriebenen Art durch die gestrichelte Linie in Fig. 8) nähern, wird Zwischen der belichteten Oberfläche des Blattes50 das Bandteil 35' in einer durch das Zusammenwirken und dem Streulichtschirm 49 ist eine durchsichtige eines Schalthebels 39 mit einem entsprechenden Per- 15 Maske mit undurchsichtigen Bereichen an den im forationsloch 36 des Bandteils 35' fixierten Stellung Blatt 50 zu bildenden Eintiefungen oder öffnungen kurzzeitig gestoppt. In diesem Augenblick wird der entsprechenden Stellen angeordnet. Baustein 1 von einem Vakuumübergabearm 40 auf- Die einzelnen undurchsichtigen Bereiche der Maske
gegriffen und an eine (zur Anfangslage parallele) 52 sind jeweils an den Orten der einzelnen Schaltun-Stelle direkt über einem entsprechenden Quadratloch ao gen 22 in der Scheibe 23 entsprechenden Stellen an-41 der gedruckten Schaltung 38', auf welcher der geordnet. Fig. 9A zeigt einen kleinen Teil der Baustein 1 montiert werden soll, gebracht. Das Qua- Scheibe 23 mit einer Anzahl von Schaltungen 22. M dratloch 41 ist mittels einer Rastschiene 42 mit einer Fig. 9B zeigt einen entsprechenden Teil der Maske ™ Anzahl von Rastklinken 43, die jeweils mit einer ent- 51, in der die einzelnen undurchsichtigen Bereiche in sprechenden Kerbe 44 zwischen den einzelnen ge- as einem Koordinatennetzmuster entsprechend dem für druckten Schaltungen 38 korrespondieren, in bezug die Anbringung der Schaltungen 22 verwendeten auf den Vakuumübergabearm 40 genau lagerichtig Muster angeordnet sind. Das vom Schirm 49 abgeeingestellt. Nach diesem Einstellvorgang läßt der strahlte Licht (F i g. 6) beleuchtet das photoempfind-Vakuumübergabearm 40 den Baustein los, so daß liehe Blatt 50 mit Ausnahme der durch die undurchdas Hütchen 3 (F i g. 1) des Bausteins in das Quadrat- 30 sichtigen Bereiche der Maske 51 geschützten Teile, loch 41 der gedruckten Schaltung 38' einfällt, wobei Da das Material des Schirmes 50 lichtdurchlässig ist, die Kontaktflächen 4 (Fig. 1) genau mit den entspre- bestrahlt das vom Schirm 49 abgestrahlte Licht das chenden Kontaktbereichen der gedruckten Schaltung gesamte Material des Blattes 50 mit Ausnahme der 38' an der Peripherie des Loches 41 zur Deckung den zu bildenden öffnungen entsprechenden pyramigebracht werden. 35 denstumpfförmigen Gebiete 52. Der Verjüngungs-
Die Bausteine werden in dieser Weise nacheinander winkel sowie die Tiefe d dieser nichtbestrahlen auf einer entsprechenden gedruckten Schaltungsplatte Gebiete 52 hängen vom Abstand X sowie von der montiert. Bei entsprechender Programmierung der effektiven Größe des Schirmes 49 ab. Bei Verwen-Steuereinheit können mit der Vorrichtung nach dung eines polymeren Materials und der Vorrichtung Fig. 8 nacheinander verschiedenartige Halbleiter- 40 nach Fig. 6 können ohne weiteres öffnungen mit bausteine auf den gedruckten Schaltungen 38 mon- einer Tiefe d von ungefähr 1 mm hergestellt werfen, tiert werden, wobei lediglich erforderlich ist, daß der Die genaue Verjüngung ist nicht kritisch, solange die Bandteil 35' entsprechend mit den jeweils benötigten Basisabmessungen der einzelnen öffnungen gleich- g Bausteinen beladen wird. bleiben. Die bestrahlten Bereiche des photoempfind- f
Nach dem lagerichtigen Einsetzen (mittels des Hut- 45 liehen Blattes 50 werfen gegen ein bestimmtes Löchens) der einzelnen Bausteine in die entsprechenden sungsmittel (z. B. verdünntes Natriumhydroxyd) geLöcher des gedruckten Schaltungssubstrats werfen härtet, während die nichtbestrahlten Gebiete 52 durch die mit den entsprechenden Kontaktbereichen des das Lösungsmittel weggelöst werfen. Die sich nach Substrats korrespondierenden Kontaktflächen der Eintauchen des belichteten Blattes 50 ergebende An-Bausteine beim Durchgang der gedruckten Schaltun- 50 Ordnung ist in Fig. 7 (α) gezeigt, gen durch eine HF-Induktionsheizspule 45 an den Das erhaltene Muster muß jetzt auf eine biegsame
Kontakten befestigt. Bei Anwendung dieser Induk- Unterlage übertragen werfen. Dazu wird eine »Negationsbeheizung bestehen die Hütchen 3 des Bau- tivform« 53 aus relativ hartem Epoxydmaterial mit steins 1 aus Metall oder metallbeschichtetem Isolier- den Öffnungen im entwickelten Blatt 50 nach F ig. 7 (α) material, wie in Fig.2E gezeigt. Die bei der HF- 55 entsprechenden Ansätzen hergestellt. Mittels dieser Beheizung in dem Hütchen 3 erzeugte Wärme wird Negativform 53 wird das gewünschte Muster in eine auf die Kontaktflächen des Bausteins übertragen, so ungehärtete Silikonkautschukunterlage 54 eingedaß das Lot auf diesen Flächen geschmolzen und sie prägt, wie in F i g. 7 (c) gezeigt. Nachdem der SiIidadurch permanent mit den entsprechenden Kontak- konkautschuk durch einige Stunden langes Stehenten der gedruckten Schaltung verbunden werfen. 60 lassen bei Zimmertemperatur ausgehärtet ist, wird die Statt dessen kann man zum Anlöten die gedruckten Negativform53 entfernt. Fig. 7 (d) zeigt die resul-Schaltungun auch durch einen Durchlaufofen tierende Biegeform 20 aus Silikonkautschuk, schicken. Bei verhältnismäßig großen Bausteinen kann es
Die Herstellung der Biegeform 20 soll an Hand der wünschenswert sein, mehr als ein Hütchen pro Schal-Fig. 6, 7 und 9 erläutert werfen. Fig. 6 zeigt eine 65 tungsplättchen 2 vorzusehen. Der Basisquerschnitt Streulichtquelle, bestehend aus einer oder mehreren des Hütchens kann so gewählt sein, daß jedes Hüt-Punkt- oder Linienlichtquellen 46, die in einem Ge- chen jeweils nur in ein Substratloch an einer ganz häuse 47 mit reflektierenden Innenflächen 48 ange- bestimmten Stelle paßt.
11 12
Die Handhabung der Halbleiterbausteine kann einem entsprechenden Loch 50'im Schaltungssubstrat
statt mit Vakuumspannfuttern auch mit anderweiti- 51' korrespondiert.
gen Vorrichtungen erfolgen. Beispielsweise kann man Im vorliegenden Fall ist der Ansatz 49' mit den bei Verwendung von Hütchen aus magnetischem Rändern des Loches 50' statt mit den Enden der AnMaterial eine magnetische Greifervorrichtung ver- 5 Schlußleitungen 6' wie bei den Ausführungsformen wenden. nach Fig. 3 und 4 verankert. Der Ansatz 49' sollte
Fig. 10 zeigt ein auf einer passenden Anschluß- vorzugsweise verhältnismäßig dick sein, um das lageleitungsanordnung montiertes Plättchen 20' aus richtige Einsetzen in das Loch 50' zu erleichtern, monolithischem Halbleitermaterial wie Silicium, des- Jedoch wird das Ätzen von Präzisionsmustern mit sen eine Hauptfläche mit einem Mesa 12', dessen io wachsender Dicke der Isolierschicht zunehmend Umfang einem gewünschten Muster entspricht, aus- schwieriger. Als Kompromiß wurde gefunden, daß gebildet ist. Das Plättchen 20' enthält eine Diode 21' eine Dicke von ungefähr 0,025 bis 0,25 mm für den mit einem p-Gebiet 22', einem n-Gebiet 23' und da- Ansatz 49' gute Resultate ergibt. Er kann aus einem zwischen einem pn-übergang. Das n-Gebiet 23' ist Glas wie Borsilikat oder Phosphorsilikat, einem Nidurch ein η+-Gebiet 24' ohmisch kontaktiert. Eine 15 trid wie Siliciumnitrid, einer organischen Polymerenähnliche Diode 25' ist im Plättchen 20* elektrisch mit verbindung wie einem Kunstharz oder einer Verbundder Diode 21' in Reihe geschaltet. Die freiliegende Schichtanordnung aus zwei oder mehr Dielektrikas Hauptfläche des Plättchens 20' ist mit einer Schutz- bestehen. Gute Resultate wurden insbesondere mit schicht 26' aus Siliciumdioxyd von ungefähr 0,2 bis einem Ansatz 49' aus einer Grundschicht aus Phos-2 Mikron Dicke bedeckt. Die aktiven Gebiete des ao phorsilikatglas mit einer Dicke von ungefähr Plättchens 20' sind-mittels auf die Isolierschicht 26' 0,025 mm und einer verhältnismäßig dünnen Oberaufgedampfter Aluminiumleitungen 28' elektrisch schicht aus Borsilikatglas erhalten. Da das Phosphoruntereinander und mit Kontaktflächen 27' verbunden. silikatglas (das aus einem Gemisch aus SiH4, PH, Letztere bestehen jeweils aus einer aufgedampften, und O2 bei ungefähr 450° C aufgebracht wird) weit mit einer stromlos aufplattierten Nickelschicht be- 35 schneller weggeätzt wird als die überlagernde Bordeckten Aluminiumschicht. Auf den einzelnen Kon- silikatschicht, wirkt das Borsilikatglas als Atzmaske, taktflächen 27' ist jeweils eine Lotperle 29* ange- wodurch die Ätzmusterschärfe verbessert wird. Eine bracht. Die Außenfläche des die aktiven Halbleiter- gute Ätzmusterschärfe wird auch bei Verwendung bauelemente enthaltenden Mesateils 4' des Plättchens eines photoempfindlichen Polymers etwa von der in 20' ist mit einer Isolierschutzschicht 30' aus SiIi- 30 der USA.-Patentschrift 3 081168 beschriebenen Art ciumdioxyd bedeckt. erhalten.
Ein oder mehrere Mesas 12' von der in Fig. 12 Der in das Loch 5C passende Ansatz 49' kann von gezeigten Art können nach üblichen Ätzverfahren beliebiger Form sein, wie in Fig. 12 gezeigt, so hergestellt werden. Die nicht zu ätzenden Teile des daß sich die gewünschte Deckung zwischen den Plättchens können dabei durch eine geeignete Ätz- 35 Kontaktflächen 46' und den entsprechenden Konreserve geschützt werden. Wegen des natürlichen takten der Anschlußleitungen 6' auf dem Substrat 7' Bestrebens der Ätzlösung, sowohl seitwärts als auch ergibt.
in die Tiefe zu ätzen, sind die Kanten des Mesas 12' Um die Herstellungskosten zu erniedrigen, ist es abgeschrägt. Diese Abschrägung oder Keilform er- wünschenswert, eine Schicht aufzudampfen, aufzuleichtert das Einsetzen des Plättchens in die hierfür 40 schichten oder anderweitig aufzubringen und das gevorgesehene Ausführung der Anschlußleitungsanord- wünschte Reliefmuster bzw. die Ansätze 49' auszunung, wobei bezüglich der anfänglichen Anordnung ätzen, während das Substrat 41' Bestandteil einer des Plättchens eine größere Toleranz besteht. Halbleiterscheibe ist. Die resultierende Anordnung
Statt eines Mesas mit dem Halbleitermaterial des 52', bestehend aus einer Halbleiterscheibe, in der die Plättchens kann man auch ein Halbleitersubstrat mit 45 gewünschten aktiven Bauelemente ausgebildet und darin ausgebildeten aktiven Bauelementen verwen- auf die die Verbindungsleitungen und Kontaktflächen den, auf das eine Isolierschicht von dem gewünsch- aufgebracht sind, ist in Fig. 12 gezeigt. Um das ten Reliefmuster entsprechender Form aufgedampft, fertige Plättchen zu erhalten, braucht man nur noch aufgeschichtet oder anderweitig aufgebracht ist. die einzelnen Bereiche des Substrats 41' von der Fig. 11 zeigt eine derartige Anordnung, bei welcher 50 Halbleiterschicht abzutrennen,
das Plättchen 40' aus einem Halbleitersubstrat 4Γ Zur Verankerung des Mikrominiaturbausteins an besteht, in dem sich aktive Bauelemente oder diffun- einer Anschlußleitungsanordnung kann man statt dierte Dioden 42' und 43' befinden. Diejenige Ober- einer Erhebung auf dem Plättchen auch eine oder fläche des Substrats 41', in der die Bauelemente ange- mehrere Erhebungen auf der Anschlußleitungs- oder ordnet sind, ist mit einer Isolierschutzschicht 44' aus 55 Substratanordnung mit einem oder mehreren entspre-Siliciumdioxyd, Siliciumnitrid od. dgl. bedeckt. Auf chenden Löchern in der Plättchenoberfläche verwendie Isolierschicht 44' aufgebrachte Aluminiumleitun- den. Eine derartige Anordnung, bei der die Verankegen 45' verbinden die Arbeitsgebiete der Dioden 42' rungselemente zugleich als elektrische Kontakte die- und 43' elektrisch untereinander und mit Kontakt- nen, ist in Fig. 13 gezeigt. Das Plättchen60 beflächen 46', die aus einer aufgedampften Aluminium- 60 steht aus einem dem Substrat 41' in Fig. Il ähnschicht mit einem stromlos aufplattierten Nickelbelag liehen Halbleitersubstrat 61. Die Teile 62 bis 68 diebestehen. Auf den einzelnen Kontaktflächen 46' sind nen ähnlichen Funktionen und werden in ähnlicher Lotperlen 47' angebracht. Die freiliegende Fläche der Weise hergestellt wie die Teile 42 bis 48 des SubLeitungen 45' und des Halbleitersubstrats 4Γ sind strats 41. Eine Isolierschicht 69, die aus einem ahndurch eine Isolierschicht48' aus Siliciumdioxyd ge- 65 liehen Material wie die Schicht49' in Fig. 11 beschützt. Eine vom Substrat 41' nach außen vor- stehen kann, ist auf derjenigen Hauptfläche des Plattstehende Glasschicht bildet einen Ansatz 49' mit zu- chens 60 angeordnet, auf der sich die Kontaktflächen laufenden Kanten von solcher Form, daß er mit 66 befinden. In der Isolierschicht 69 sind eine Anzahl
von zulaufenden Ausnehmungen vorgesehen, die jeweils mindestens einen Teil einer entsprechenden Kontaktfläche 66 freilegen. Die dazugehörige Anschlußleitungsanordnung besteht aus einer Anzahl von auf einer Isolierunterlage 71 angeordneten An-Schlußleitungen 70, die z. B. aus Kupfer bestehen können und jeweils an ihrem Ende 73 eine allgemein konische Spitze 72 haben. Die einzelnen Spitzen 72 sind so angeordnet, daß sie mit einer entsprechenden Kontaktfläche 66 des Plättchens 60 in Kontakt ge- ίο bracht werden können, wobei die Deckung zwischen den einzelnen Anschlußleitungsspitzen 72 und den entsprechenden Kontaktflächen 66 durch die zulaufenden Löcher in der Isolierschicht 69 sichergestellt ist.
Die Erfindung ist auch auf einen Baustein anwendbar, der an Anschlußleitungen montiert ist, die frei tragend von einem Stützrahmen nach innen stehen, wie in Fig. 14 gezeigt. Dabei sind die Anschlu3-leitungen 74 bis 77 von einem Isolierrahmen 78 aus ao Keramik getragen. Ein Baustein oder Plättchen 80, bestehend aus einem Halbleitersubstrat mit einem darin ausgebildeten Transistor und einem keilförmigen Ansatz 81 aus Isoliermaterial auf der die Kontaktflächen 82 bis 85 tragenden Hauptfläche des Plättchens, ist elektrisch an die Enden der Anschlußleitungen 74 bis 77 angeschlossen und von diesen Enden getragen. Die richtige Ausrichtung der Kontaktflächen 82 bis 85 auf die entsprechenden Enden der Anschlußleitungen 74 bis 77 wird durch lagerichtige Orientierung des Ansatzes 81 in bezug auf die einzelnen Anschlußleitungsenden sichergestellt. Wie in Fi g. 14 gezeigt, ist das Ende 79 der Leitung 77 größer als die Enden der anderen Anschlußleitungen. In diesem Bereich hat der Ansatz 81 eine größere Ausnehmung, um das Leitungsende 79 aufnemen zu können. Die Kontaktfläche 84 hat ebenfalls eine entsprechende Größe. Beim Befestigen des Plättchens 80 an der Anschlußleitungsanordnung paßt es nur in diejenige Lage, in der das Anschlußende 79 die Fläche 84 kontaktiert. Die Anschlußleitungen 74 bis 77 können aus irgendeinem geeigneten Metall bestellen und brauchen lediglich an ihren Enden mit den entsprechenden Kontaktflächen 82 bis 85 des Plättchens 80 verlötbar oder anderweitig verbindbar zu sein, wobei man den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Materials der Anschlußleitungen vorzugsweise so wählt, daß die Leitungsverbindung durch die Kontaktflächen nicht übermäßig gespannt oder belastet wird. Wie in der Schnittdarstellung nach Fig. 15 gezeigt, enthält das Plättchen80 ein Halbleitersubstrat 86, das als Kollektor des Transistors arbeitet. Die diffundierten Gebiete 87 und 88 bilden den Emitter bzw. die Basis des Transistors. Eine Siliciumdioxyd-Isolierschicht 89 schützt die freiliegende Halbleiteroberfläche an den Emitter- und Basisgebieten, während aufgebrachte Aluminiumleitungen 90 die Emitter- und Basisgebiete mit den entsprechenden Anschlußleitungen 74 und 75 verbinden.

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Elektronischer Baustein mit einem Schaltungsplättchen, welches mindestens ein elektronisches Bauelement enthält und auf welchem Kontaktflächen zur elektrischen Verbindung des oder der Bauelemente mit einer äußeren Schaltung ausgebildet sind und welches mit mindestens einer Vorrichtung zum Ausrichten des Schaltungsplättchens mit seinen Kontaktflächen auf entsprechende Kontaktflächen der äußeren Schaltung versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung durch eine Profilierung (3, 8, 9, 10, 12) derjenigen der beiden Hauptflächen des Schaltungsplättchens (2), auf der sich . die Kontaktflächen (4) befinden, gebildet wird und daß die Profilierung in eine Gegenprofilierung der die äußere Schaltung enthaltenden Trägerplatte (12) paßt.
2. Baustein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der profilierten Hauptfläche ein vorspringender Ansatz (z. B. 3) befestigt ist, des- ^ sen Basisteil einen nicht kreisförmigen Querschnitt % hat, der die geometrische Orientierung der Kontaktflächen bestimmt, und daß die Höhe des- Ansatzes über der Hauptfläche wesentlich größer ist als die Dicke des Schaltungsplättchens (2).
3. Baustein nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ansatz (3, 8) pyramidenförmig ist.
4. Baustein nach Anspruch 2; dadurch gekennzeichnet, daß der Ansatz (9) die Form eines elliptischen Kegels hat.
5. Baustein nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ansatz einen allgemein symmetrischen Querschnitt, jedoch einen unsymmetrisch angeordneten Teil (10) besitzt (Fig.2D).
6. Baustein nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der sich nach oben verjüngende Ansatz (z. B. 3) in der Mitte des Schaltungsplättchens (2) angeordnet ist, an dessen Umfang sich die Kontaktflächen (4) befinden.
7. Baustein nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Ansatz (z. B. 3) J magnetischen Werkstoff enthält. ™
8. Baustein nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Ansatz (z. B. 3) lösbar an der Hauptfläche des Schaltungsplättchens (2) befestigt ist.
9. Baustein nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Ansatz (z. B. 3) aus einem Werkstoff mit guter Wärmeleitfähigkeit gebildet ist und einen Wärmeleiter zwischen dem Schaltungsplättchen (2) und einer Wärmesenke darstellt."
10. Baustein nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Ansatz eine oder mehrere Ausnehmungen zur Aufnahme passender Teile (72) einer Unterlage (71) für den Baustein enthält (Fig. 13).
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
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