DE1265318B - Elektro-optisches Halbleiterbauelement zur Verstaerkung von elektrischen Signalen oder von Strahlungssignalen - Google Patents
Elektro-optisches Halbleiterbauelement zur Verstaerkung von elektrischen Signalen oder von StrahlungssignalenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL243338 | 1959-09-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1265318B true DE1265318B (de) | 1968-04-04 |
Family
ID=19751918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN18889A Pending DE1265318B (de) | 1959-09-14 | 1960-09-12 | Elektro-optisches Halbleiterbauelement zur Verstaerkung von elektrischen Signalen oder von Strahlungssignalen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH384734A (enExample) |
| DE (1) | DE1265318B (enExample) |
| GB (1) | GB967439A (enExample) |
| NL (2) | NL113824C (enExample) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
0
- NL NL243338D patent/NL243338A/xx unknown
- NL NL113824D patent/NL113824C/xx active
-
1960
- 1960-09-09 GB GB31146/60A patent/GB967439A/en not_active Expired
- 1960-09-10 CH CH1027760A patent/CH384734A/de unknown
- 1960-09-12 DE DEN18889A patent/DE1265318B/de active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL243338A (enExample) | |
| NL113824C (enExample) | |
| GB967439A (en) | 1964-08-19 |
| CH384734A (de) | 1965-02-26 |
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