DE1439687C3 - Festkörperbildwandler - Google Patents
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- DE1439687C3 DE1439687C3 DE19641439687 DE1439687A DE1439687C3 DE 1439687 C3 DE1439687 C3 DE 1439687C3 DE 19641439687 DE19641439687 DE 19641439687 DE 1439687 A DE1439687 A DE 1439687A DE 1439687 C3 DE1439687 C3 DE 1439687C3
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
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Description
perbildwandler der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß der Halbleiterkörper
scheibenförmig ausgebildet ist, daß die hintereinandergeschalteten
pn-Übergänge mindestens eine Lumineszenzdiode und mindestens eine Photodiode bilden, und
daß nur die äußeren Halbleiterzonen kontaktiert sind.
Ein wesentlicher Vorteil eines solchen Festkörperbildwandlers besteht darin, daß durch die Ausnutzung
der Injektionselektrolumineszenz höhere Leuchtdichten als bisher erzielt werden. Außerdem gestattet der
Festkörperbildwandler nach der Erfindung die Verwendung von Gleichstrom und läßt dadurch die Kapazitäten
der Anordnung nicht zur Wirkung kommen. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß der
Bildwandler auch ohne Photo transistoren als Verstärker arbeitet, da die Kombination von Photodioden und
Elektrolumineszenz-Dioden die Struktur eines Phototransistors hat und damit auch seine Verstärkungseigenschaften
aufweist
Der Halbleiterkörper des Festkörperbildwandlers nach der Erfindung besteht vorzugsweise aus Bereichen
unterschiedlichen Halbleitermaterials mit verschiedenem Bandabstand. Vorzugsweise grenzen zwei
Bereiche mit verschiedenem Bandabstand aneinander, wobei die Lumineszenz-Diode(n) in dem einen Bereich
und der oder die pn-Übergänge der Photodiode(n) an der Grenzfläche zwischen den beiden Bereichen angeordnet
sind.
Der Bildwandler besteht beispielsweise aus einer Halbleiterscheibe (1), auf dessen eine Oberflächenseite
eine Halbleiterschicht (4) aus anderem Halbleitermaterial aufgebracht ist Hat die Halbleiterscheibe den ersten
Leitungstyp, so weist die aufgebrachte Halbleiterschicht den zweiten Leitungstyp auf, während in die der
Halbleiterschicht entgegengesetzte Oberflächenseite der Halbleiterscheibe eine oder mehrere Zonen vom
zweiten Leitungstyp eingebracht sind.
Sollen an der Grenzfläche zwischen Halbleiterscheibe und aufgebrachter Halbleiterschicht mehrere pn-Übergänge
und damit mehrere Photodioden entstehen, so empfiehlt es sich, die zwischen den pn-Übergängen
liegenden Bereiche der Halbleiterscheibe von den angrenzenden Bereichen der Halbleiterschicht durch eine
Isolierschicht zu trennen.
Für den Fall, daß die Elektrolumineszenz-Dioden in
der Halbleiterscheibe vorgesehen sind, ist das Material für die Halbleiterscheibe so zu wählen, daß die pn-Übergänge
in der Halbleiterscheibe die Eigenschaften von Elektrolumineszenz-Dioden haben. Sind die Elektrolumineszenz-Dioden
dagegen in der aufgebrachten Halbleiterschicht vorgesehen, so ist für die Halbleiterschicht
ein lumineszierendes Halbleitermaterial zu verwenden. pn-Übergänge können beispielsweise dann
zum Leuchten gebracht werden, wenn das Halbleitermaterial, in dem sie sich befinden, aus Verbindungen
von Elementen der III. Gruppe mit Elementen der V. Gruppe des periodischen Systems oder Mischungen
solcher Verbindungen besteht. Außerdem kann beispielsweise auch Siliziumkarbid verwendet werden.
Es empfiehlt sich, das Halbleitermaterial für die Lumineszenz-Dioden
gleichzeitig so zu wählen, daß die lumineszierenden Dioden Laserwirkung zeigen. Dies
hat den Vorteil, daß die Helligkeit stärker als proportional mit dem Strom wächst und daß bei optischer
Projektion des Bildes kleinere öffnungen verwendet werden können.
Die Lumineszenz-Dioden und gegebenenfalls auch die Photodioden können beispielsweise aus einem
Punktraster oder Streifenraster legierter oder diffundierter pn-Übergänge bestehen.
Die Elektroden sind vorzugsweise auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht und bestehen aus
durchsichtigem Material wie z. B. Zinnoxid, wenn sie die gesamte lichtaufnehmende bzw. lichtabgebende
Seite bedecken.
An den Festkörperbildwandler wird eine solche Gleichspannung gelegt, daß die als Photodiode wirksamen
pn-Übergänge in Sperrichtung gepolt sind. Der Festkörperbildwandler kann mit einem Bildschirm gekoppelt
werden, auf den ein vergrößertes Bild des Festkörperbildwandlers projiziert wird. Der Festkörperbildwandler
kann in diesem Falle aus einer kleinen einkristallinen Halbleiterscheibe bestehen.
Die Erfindung wird im folgenden an einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert
Die F i g. 1 zeigt in einem Ausführungsbeispiel den grundsätzlichen Aufbau eines Festkörperbildwandlers
nach der Erfindung. Nach F i g. 1 ist in eine Halbleiterscheibe 1 vom n-Leitungstyp eine Halbleiterzone 2
vom p-Leitungstyp eingebracht, die sich über den gesamten Querschnitt der Halbleiterscheibe 1 erstreckt.
Die aneinandergrenzenden Halbleiterzonen 1 und 2 bilden wegen ihres entgegengesetzten Leitungstyps einen
pn-Übergang 3, der bei entsprechender Wahl des Materials für die Halbleiterscheibe 1 die Eigenschaft einer
Elektrolumineszenz-Diode hat Dies ist der Fall, wenn
die Halbleiterscheibe 1 beispielsweise aus Galliumarsenid, Galliumphosphid, Siliziumkarbid oder aus einem
Gemisch dieser Stoffe besteht
Auf die Halbleiterscheibe 1 ist auf der der p-Zone 2 gegenüberliegenden Oberflächenseite eine Halbleiterschicht
4 vom p-Leitungstyp aufgebracht, beispielsweise durch Epitaxie. Der Leitungstyp dieser aufgebrachten
Schicht 4 ist dem Leitungstyp der Halbleiterscheibe 1 entgegengesetzt, so daß auch an dieser Grenzfläche
zwischen der η-leitenden Halbleiterscheibe 1 und der aufgebrachten Halbleiterschicht 4 ein pn-Übergang 5
entsteht. Während der pn-Übergang 3 die Funktion einer Elektrolumineszenz-Diode hat, dient der pn-Übergang
5 als Photodiode.
Die Halbleiterscheibe 1 und die Halbleiterschicht 4 haben vorzugsweise einen verschiedenen Bandabstand.
Dies hat den Vorteil, daß auf der einen Seite ein normaler pn-Übergang und auf der anderen Seite eine »Hetero-Junction«
vorgesehen sind, so daß die Möglichkeit besteht, das Empfindlichkeitsmaximum der Photodiode
und das Maximum der Emission der lumineszierenden Diode in verschiedene Gebiete des Spektrums zu legen.
Zum Anlegen einer Gleichspannung an den Bildwandler dienen die auf die nach außen weisenden
Oberflächenseiten des Bildwandlers aufgebrachten durchsichtigen Elektroden 6 und 7, die beispielsweise
aus Gold bestehen. Ist die Gleichspannung so gerichtet, daß der zwischen den beiden verschiedenen Halbleitermaterialien
bestehende pn-Übergang 5 in Sperrichtung gepolt ist, so ist der im Ausgangsmaterial vorhandene
pn-Übergang 3 in Durchlaßrichtung gepolt Bei Belichtung des sperrenden pn-Überganges 5 fließt ein merklicher
Strom über den durchlassenden pn-Übergang 3, welcher dadurch zum Leuchten angeregt wird. Auf diese
Weise läßt sich durch die Anordnung der F i g. 1 ein Bild übertragen.
Da das Licht der Lumineszenz-Diode in der Nähe des pn-Überganges entsteht, empfiehlt es sich, zur Erzielung
einer größeren Helligkeit, den pn-Übergang im Ausführungsbeispiel der F i g. 1 mit »3« bezeichnet —
möglichst nahe an die Oberfläche des Halbleiterkörpers zu legen. Dies gestatten beispielsweise die Ausführungsformen
der F i g. 2 und 3.
Die F i g. 2 zeigt ein Raster von legierten pn-Übergängen,
das durch Einlegieren der Legierungspillen 8 in den η-leitenden Halbleiterkörper 1 entsteht. In F i g. 3
sind die lumineszierenden Dioden streifenförmig ausgebildet. Die Herstellung der Anordnung der Fig.3
kann beispielsweise so erfolgen, daß auf eine p-leitende Zone 2 einer Halbleiterscheibe 1, entweder mittels
Photolacktechnik oder durch Bedampfung durch eine Schablone eine Anzahl von Streifen aus einem diffusionshemmenden
Material, beispielsweise Siliziumoxid, aufgebracht wird. Durch die freigebliebenen Streifen
läßt man einen Fremdstoff eindiffundieren, welcher in der Halbleiterscheibe entgegengesetzten Leitungstyp 8
im Ausführungsbeispiel den n-Typ 8 erzeugt. Dadurch entstehen in der p-leitenden Zone 2 des Halbleiterkörpers
1, die Diffusionszonen 1 vom n-Leitungstyp. Es empfiehlt sich, die Eindiffusion der η-leitenden Zonen 1
von beiden Seiten der Halbleiterscheibe 1 aus vorzunehmen.
Nach diesem Diffusionsprozeß läßt man die Isolierstreifen 9 auf einer Oberflächenseite der Halbleiterscheibe
über der p-leitenden Zone 2 stehen oder verstärkt sie durch einen Isolierstoff, welcher für die
Weiterbehandlung geeigneter ist. Die Weiterbehandlung besteht im Ausführungsbeispiel der F i g. 3 darin,
daß auf die mit Isolierstoffstreifen versehene Oberflächenseite eine Halbleiterschicht 4, beispielsweise epitaktisch,
aufgebracht wird. Ist der Leitungstyp dieser Halbleiterschicht wie im Ausführungsbeispiel der
F i g. 3 dem der Diffusionszonen Γ entgegengesetzt, so entstehen an den Stellen, an denen die Halbleiterschicht
mit den Diffusionszonen in unmittelbare Beruhrung kommt — in F i g. 3 zwischen den Isolierstoffstreifen
9, die pn-Übergänge 5. Die aufgebrachte Halbleiterschicht 4 unterscheidet sich nicht nur im Leitungstyp, sondern auch bezüglich des Bandabstandes vom
Grundkörper 1.
Die Kontaktierung des Bildwandlers erfolgt gemäß der Darstellung in F i g. 3. Erfolgt die Lichteinstrahlung
auf der im Epitaxialverfahren aufgebrachten Seite, so müssen die an die epitaktische Halbleiterschicht 4 angrenzenden
pn-Übergänge 5 in Sperrichtung gepolt sein. Die auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite
frei liegenden pn-Übergänge 3 wirken dann als lumineszierende Dioden.
Die in den F i g. 1 bis 3 dargestellten Bildwandler haben die Struktur eines Phototransistors. Sorgt man deshalb
dafür, daß zwischen den Photo- und den Lumineszenz- pn-Übergängen keine wesentliche Ladungsträger-Rekombination
eintritt, so bewirken die über den sperrenden pn-übergang in die Zwischenschicht eintretenden
Ladungsträger, daß der in Durchlaßrichtung gepolte pn-Übergang weitere Ladungsträger injiziert,
die den Widerstand der sperrenden Schicht nochmals herabsetzen, so daß eine Stromverstärkung stattfindet.
Die lumineszierenden Dioden brauchen jedoch nicht in den Photo-Transistor einbezogen zu werden, wie das
in den F i g. 1 bis 3 der Fall ist. F i g. 4 zeigt ein Beispiel, in dem zwei getrennte Schichten mit streifenförmigen
Photo-Transistoren und streifenförmigen Lumineszenz-Dioden, die voneinander durch ein Gebiet / sehr
geringer Leitfähigkeit getrennt sind, einzeln hergestellt und später so übereinandergelegt und miteinander verbunden
werden, daß der Emitter des Photo-Transistors mit einem Pol der lumineszierenden Diode verbunden
ist, während die restlichen pn-Übergänge beider Scheiben durch eine Isolierschicht voneinander getrennt
sind.
Die Leuchtdichte lumineszierender Dioden ist so groß, daß man einen kleinen Bildschirm so hell ausleuchten
kann, daß er mit einer Linse vergrößert und auf einem wesentlich größeren Bildschirm betrachtet
werden kann. Die Helligkeit kann noch weiter gesteigert werden, indem man als Material für die lumineszierenden
Dioden ein solches Material verwendet, welches Laserwirkung zeigt
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
1. Festkörperbildwandler, bestehend aus einem Halbleiterkörper mit Halbleiterzonen verschiedenen
Leitungstyps, bei dem eine Lumineszenzdiode und ein photoempfindlicher Teil hintereinandergeschaltet
sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (10) scheibenförmig ausgebildet
ist, daß die hintereinandergeschalteten pn-Übergänge (3, 5) mindestens eine Lumineszenzdiode
(5) und mindestens eine Photodiode (3) bilden, und daß nur die äußeren Halbleiterzonen (2,4) kontaktiert
sind.
2. Festkörperbildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper
(10) aus Bereichen (1, 2, 4) unterschiedlichen Halbleitermaterials mit verschiedenem Bandabstand besteht.
3. Festkörperbildwandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der (die) pn-Übergang(e)
(3) der Photodiode in dem einen Bereich (1, 2) und die Lumineszenzdiode an der Grenzfläche (5)
zwischen den beiden Bereichen (1, 4) angeordnet sind.
4. Festkörperbildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß an der
Grenzfläche (5) zwischen den Bereichen unterschiedlichen Halbleitermaterials stellenweise eine
Isolierschicht (9) vorhanden ist, so daß mehrere pn-Übergänge (5) entstehen.
5. Festkörperbildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial
aus einer Verbindung eines Elements der III. Gruppe mit einem Element der IV Gruppe
des periodischen Systems oder einem Gemisch solcher Verbindungen oder aus Siliziumkarbid besteht.
6. Festkörperbildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial
für die Lumineszenzdioden derart gewählt ist, daß die Lumineszenzdioden Laserwirkung
zeigen.
7. Festkörperbildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden
durch einen Punktraster legierter oder diffundierter pn-Übergänge gebildet sind.
8. Festkörperbildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden
aus einem Streifenraster legierter oder diffundierter pn-Übergänge bestehen.
9. Verfahren zur Herstellung eines Festkörperbildwandlers nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper dadurch gebildet wird, daß auf die eine Oberflächenseite
einer Halbleiterscheibe (1) vom ersten Leitungstyp eine Halbleiterschicht (4) vom zweiten
Leitungstyp aufgebracht wird, deren Halbleitermaterialien einen anderen Bandabstand haben als
das Halbleitermaterial der Halbleiterscheibe (1), und'daß in die der aufgebrachten Halbleiterschicht
(4) gegenüberliegende Oberflächenseite der Halbleiterscheibe (1) eine oder mehrere Zonen (2) vom
zweiten Leitungstyp, beispielsweise durch Legieren oder Diffusion, eingebracht werden.
10. Verfahren nach Anspruch (9), dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht (4) auf die
Halbleiterscheibe (1) epitaktisch aufgebracht wird.
Die Erfindung betrifft einen Festkörperbildwandler, bestehend aus einem Halbleiterkörper mit Halbleiterzonen
verschiedenen Leitungstyps, bei dem eine Lumineszenzdiode und ein photoempfindlicher Teil hintereinandergeschaltet
sind. Eine solche Anordnung ist aus der DT-AS 1 054 179 bekannt.
Bildwandler sind bekanntlich Anordnungen, die ein aus ultrarotem oder ultraviolettem Licht bestehendes
Bild in ein Bild aus sichtbarem Licht umwandeln. Die
ίο bekannten elektronenoptischen Bildwandler haben den
Nachteil, daß sie einen meist aus Glas hergestellten, relativ großen evakuierten Körper benötigen und mit hohen
Spannungen betrieben werden müssen.
Neben diesen elektronenoptischen Bildwandlern gibt es auch bereits Festkörper-Bildwandler, die die Erscheinung der Elektrophotolumineszenz ausnutzen. Diese Festkörper-Bildwandler sprechen aber nur auf einen ganz bestimmten Wellenbereich an und erzielen außerdem auch keine großen Helligkeiten.
Neben diesen elektronenoptischen Bildwandlern gibt es auch bereits Festkörper-Bildwandler, die die Erscheinung der Elektrophotolumineszenz ausnutzen. Diese Festkörper-Bildwandler sprechen aber nur auf einen ganz bestimmten Wellenbereich an und erzielen außerdem auch keine großen Helligkeiten.
Neben Elektrophotolumineszenz-Bildwandlern gibt es auch noch sogenannte Elektrolumineszenz-Bildwandler
oder Festkörperbildwandler, die normalerweise eine mit einer durchsichtigen Elektrode versehene
Glasplatte aufweisen, auf die eine aus einem Pulver, beispielsweise aus Zinksulfid bestehende Schicht aufgebracht
ist, die so präpariert ist, daß sie beim Anlegen einer Wechselspannung leuchtet. Auf dieser Lumineszenzschicht
befindet sich noch eine photoleitende Schicht, beispielsweise aus Cadmiumsulfid, die ebenfalls
mit einer durchsichtigen Elektrode kontaktiert ist. Im Betriebszustand wird an die beiden Elektroden eine
Wechselspannung gelegt, die derart gewählt ist, daß der Leuchtstoff bei unbelichtetem Photoleiter noch
nicht zum Leuchten kommt. Das Leuchten erfolgt vielmehr erst bei Belichtung der photoleitenden Schicht.
(Philips Res. Repts. 15 368-389.1960)
Diese bekannten Elektrolumineszenz-Bildwandler haben den Nachteil, daß die Aussteuerung zur Übertragung
eines hellen Bildes meist nicht ausreicht. Außerdem weist auch die photoleitende Schicht eine störende
Kapazität auf, die das Auflösungsvermögen des Bildwandlers beeinträchtigen.
Durch die US-PS 3 043 958 ist ein Lichtverstärker bekannt, der aus der Hintereinanderschaltung einer
Elektronenlumineszenzdiode mit pn-Übertragung und aus einem photoleitenden Bereich besteht. Wir bei dieser
bekannten Anordnung an die Lumineszenzdiode eine Spannung in Flußrichtung angelegt, so wird eine
Strahlung erzeugt, die den elektrischen Widerstand des photoleitenden Teils der Anordnung beeinflußt.
Durch die DT-AS 1 054 179 ist schließlich ein Festkörperbildwandler
bekannt, welcher ebenfalls aus der Hintereinanderschaltung einer Lumineszenzdiode und
eines photoleitenden Teils besteht. An den photoleitenden Teil ist eine Spannungsquelle angeschlossen, die
einen Strom im photoleitenden Teil erzeugt, der durch die Rekombinationsstrahlung aus der Lumineszenzdiode
beeinflußt wird. Der in den photoleitenden Teil fließende verstärkte Strom wird bei dem bekannten
Bildwandler entweder zur Rekombinationsstrahlung in einen angrenzenden dritten Halbleiterkörper verwendet
oder direkt von dem photoleitenden Teil in die Lumineszenzdiode injiziert
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Festkörperbildwandler anzugeben, dessen Herstellung
in moderner Technik möglich ist und dessen Aufbau möglichst einfach ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Festkör-
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Festkör-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0026258 | 1964-05-26 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1439687A1 DE1439687A1 (de) | 1968-11-28 |
DE1439687B2 DE1439687B2 (de) | 1975-02-27 |
DE1439687C3 true DE1439687C3 (de) | 1975-10-02 |
Family
ID=7552647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19641439687 Expired DE1439687C3 (de) | 1964-05-26 | 1964-05-26 | Festkörperbildwandler |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1439687C3 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2247966A1 (de) * | 1972-09-29 | 1974-04-11 | Heinz Prof Dr Rer Nat Beneking | Halbleiteranordnung zum nachweis von lichtstrahlen |
DE2629245C2 (de) * | 1976-06-30 | 1983-05-19 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Strahlungsempfindliches Halbleiterbauelement |
DE2946108C2 (de) * | 1979-11-15 | 1985-02-14 | Koch & Sterzel Gmbh & Co, 4300 Essen | Strahlendetektor |
-
1964
- 1964-05-26 DE DE19641439687 patent/DE1439687C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1439687B2 (de) | 1975-02-27 |
DE1439687A1 (de) | 1968-11-28 |
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SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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