DE1439687A1 - Halbleiter-Bildwandler - Google Patents

Description

• "xrzl bleiter- "Bildwandler"

  Bildw4adlor sind bekanntlich Anordnun,6en, die ein aus ultra-

  rotem oder ultraviolettem Licht beatuhonden Bild in ein Bild

  aus sichtbaren Liebt umwandeln. Die bexannten elektronen-

  optischen Bildwandler haben den

  daß sie einen meint

  aus Glas hergestellten,,relativ großen evakuierten Körper be-

  nötigen und mit hohen Opannun4Sen betrieben werden müssen.

  Neben diesen elektronenoptleohen Bildwandlern gibt en auch

  bereits Festkörper-Bildxendler, die die Erscheinung der

  Elektrophotolumineesens susnu%sen. Diese Festkörper-Bild-

  windler sprechen aber nur auf einen ganz bestimmten Wellen-

  bereich an und erzielen außerdem auch keine großen Hellig-

  keiten.

  Neben &lektrophotolumineseenz-Bildwandlern gibt e® auch noch

  sogernannte Blektrolumineenens-Bildwandler" die eine mit einer

  durchsichtigen Elektrode versehene Glasplatte aufweisen, auf

  die eine aus einem Pulver, beispielsweise aus Zinkeulf id be-

  stehende ::ic;hiclxt :1uf@ebracht iot, ciie so pr:.tpariert Ist, saß

  sie beim Anle6en eincr @'c;hselsp@inn:,@cc; lau htet. ruf dieser

  Luainek3zenasohicht bofiziuet sieh noch eine photoleitende

  ,.chicht, beispielsweise aus üadmiumsulficI,, die ebenfalls mit

  einer durchsichtigen Elektrode kontaktiert ist. Im Betriebe-

  zustand wird an die beiden Ilektroden eine Wechselspannung S.-

  legt, die derartew=tilt ist, daß der Louchtatoff bei unbe-

  licUtetem Photoleiter noch nicht zum Leuchten kommt. Da$

  Leuchten der photoleitenden ilehcht ey"folz;t vielmehr erst

  bei B.ichtung.

  Dieser be'Lannte iälektroluaineszens-Bildwandl=3r hat den ;:ach-

  teil, daj, sie Aussteuerung zur .1bertraguug eines hellen Bildaa

  meist nicht Uitale.Lcllt." Außerdem weist auch die photoleitende

  Schicht eine atbrende Kapasita't auf, die nur durch technolo-

  glache lt:aL-3nahmen herabgesetzt werden kann, d L9 das nufl :: sunGe-

  rerrr.been des Bildwandlers beeintrachti,--len.

  Der 'rfindunG s iet;t die Hufgaue zugrunde, einen @ilrtwxntx@er auf-

  auseiGen, der die Nachteile der bekennten thiordnunjen nicht

  aufweint. Der Bildwandler ist erfindun;"a;@em,4li gekennzeichnet

  durch die Verwendung von einer oder mehreren Photodioden oder

  Phototraneistoren zur Aufnahme des umzuwandelnden Lichtes und

  durch die Verwendung von einer oder mehreren Lumineazenz-Dioden

  zur Abgabe des durch Umwandlung orsielten Lichtes.

  Ein wesentlicher Vorteil eines solchen Bildwut=d1Ers

  besteht darin, da-i' durch die Ausnutzung, der lnjaktioas-

  elektroluminessenz höhere Leuchtdichten als bisher ar-

  sielt Weri-Len. Außerdem gestattet der Bildwandler n@.ij;h

  der =efindung die Verwendun, von Gleichstrom und 1:ißt

  dadurch die liepasitäten der Anordnung nicht zur `"irkung

  kommen. fiu weitorer Vorteil der 7rfindung besteht darin,

  daß der Bildwandler auch ohne I%ototrrjaasist"-.ren als Ver#-

  st:ärker arbeitet, da die Kombination von Photodioden und

  glektroluminea$en$-Dioden die Struktur eines Mototran-

  sistore hat und damit auch seine veretärkunGseIGenschaften

  E .:

  aufweist.

  Die Photodioden und die ?@lektroluminessens-Dioden werden

  vorzugsweise hintereinander geschaltet.

  'il Bildwandler nach zier ';rt indung besteht beispielsweise

  aus einen rorsugsweise scheibenförmig ausgebildeten Halb-

  leiterkörper mit Zonen verschiedenen Leitungstyps, in dem

  die@n-Cbergiffl für die Photodioden oder l'hototranieturen

  und die pn-bergäage der Lumineesens-Dioden angeorinet sind.

  Der Halbleiterkörper besteht vorzugsweise aus Bereichen

  unterschiedlichen Halbleiterngteriais mit verschiedenem

  Bandabstand. Vo2zugsweise grenzen zwei Bereiche ait ver-

  schiedenem Bandabfltarv1 aneinander, wobei die Luminessenz-

  Diade(n) in dem einen Bereich und der oder die fn-Über-

  g;,;nge der Photodiode(n) an der Grenrfläflhe zwischen den

  beiden Bereichen angeordnet sind,

  Der Bildwanller besteht bexsielsweie aus einer Halb-

  leiterseheibe, auf dessen eine Oberflächenseite eine Halb-

  leiterschicht aus anderem Halbleiteruaterial aufgebracht ist.

  Hat die üalbleiteracheibe den ersten Leitungstyp, no weist

  die auf&ebraahte Halbleiterschicht den zweiten Leitungstyp

  auf, w:hi@end in die der Halbleiterschicht entgegengesetzte

  Oberflächenseite der Halbleiterscheibe eine oder mehrere

  Zonen vom zweiten Leitungstyp ein,ebracht sind,

  :allen an. der Grenntläaä» sächen Halbleiterscheibe und auf-

  gebrachter Ildlbleitereahicht mehrere pn-übergänge und damit

  mehrere Photodioden entstehen, so empfiehlt es sich, die

  zwischen den pa-Ubergrmgen liegenden .Bereiche der-Halb-

  leiterscheibe von den angrenzenden Bereichen der Halbleiter-

  nchicht durch eine Isolierschicht zu trennen.

  Für den fall, daG die @llaktx°oluL-=ineazenz-Dioaen In der

  Halbleiterscheibe vorgesehen sind, ist aus Liaterial für

  die dÄlüleitereclxeibe au zu w.@hlan, daul dis pn-iberg::nge

  in der Halbleiterooheibe die @.'ienscs:r@fl:en von @,1,@.ara#

  lu:.@ineszc:r@z-Dic@den haben. ,.Äind die

  Dioden dagegen in der auf"ebrachten Kdlbleiter»c4icht

  vorgesehen, so ist für die Pfalbleiterschioht ein

  luminessierendea Halbleitermaterial :u Verwenden,

  pir-1'lbergänge können beispielsweise dann zum Leuexltero, ge-

  bracht werden, wexuz das F1alble.Ltexuatex-idl, in de.#.: sie- sieh

  befinden, aus Verbindungen von !älementen der 111. Gruq».)e

  mit Elementen der Y. Gruppe den ;aeriodieahen .-äy®tema oder

  Iiieahungen solcher Vorbindun";en besteht. Außerdem kann

  beispielawelje auch Siliziumkorbid verwendet werden.

  l:n empf iehl t aioü, das iial bleitermaterial für die ä:uts@ inee-

  sens-Dioüen ,;.Leichtseitig so zu w,Ählen, da2 die luaines-

  sierenden Uioden Lauerwirkung zeigen, Dies hat-den Vorteil,

  daß die Helli6heit stärker ale proportional mit dem :,trom

  wehst und da(3 bei optischer Projektion den Hildes kleinere

  ':ffnu%en verwendet Werdßn können.

  Die Lumineneens--Dioden und aegebenenfalle auch die Photo-

  dioden können beispielsweise aua einem Punktraster oder

  Streifenreer legierter oder diffundierter pn#tibergänge be-

  stehen.

  17k3 :,lektroden Sind --le OberfLiche des

  aufgebracht und bestehen aas durch@iuhti-

  ;@@.. ri;:1 wie . F3. Zinnoxyd, @@enn -"Ue die, j#es:v#Ito 1cjit-

  z@:rrieh@ "rfivej bedecken.

  ton Jen f.lt@@=;@z-.l:r wird eine solche trlei;;ti3<.xnntxnöler;t,

  du13 die als Photodiode wirksa:lion pn-::bars.--@nge ,in

  r:-1 htung gepolt sind. Der Bildwandler kann mit einem Bild-

  schirm gezapz;.elt, worden, auf den ein verGrciiaerte BI7.d c108

  projiziert wird. Der Bil,.iwazidler h.anri an d:Lerae..;

  falle sui einer kleinem einKrßstall.inen läelhleizeri-r#-czieba

  bestehen. Y

  Die Orfindung wird im folG-nden an einigen ziusfühhrunßs- :.

  4ieispielen- n#.zlh@r --erl@futer6/!-. -

  De Fr'. 1 zei;ät in einem Aust-ihrungsbespiel den grund-

  eUtzlchen Aurbäu eineu Bildwandlers rech vier rrfndung ' ..-_ .

  Nach F181 ist «in eine falbloiterscheibe 'i' vorn n-Leitunr,s--.. ..:

  typ -eine lalblo.texzone 2 vom 1J-Leitun@styp eingebrecxit

  die-Sich Über den gesamten <@uersctt der Halbleiter- _ .

  Scheibe 1 erstreckt, Die `aneinander-- Grenzenden f Halb-

  leiterzonen 't und ?. bilden wegen ihres entgegeme;eaetzten -°@ ..

  . Leitungstype einen pn-ergans 3, der bei entsprechender

  fahl des 14aterials für die Halbleiterscheibe 1 die

  N igenschaft einer i},'lektrƒlumineszenz-Diode hat. Dies 3 et

  der ?all, nenn die Halbleiterschelbe `I besiel;.ei@:e aus

  Galliumgrsend, Gallwnp#osx)hi.d, 'iliziuuicarbid oder aus

  einem Gew.ijoh diasar hoffe be..3tAlit.

  ":uf die I3albleit=:r2caeibe 1 isst auf der der p-ne ,2 Seden-

  äberl ieSenden überfl @eh:?nevtte eine lialbleitersc > i#Gllt 4 vom

  p-1.etuui;styp aufgebracht, beispielsweise durch Epitaxie.

  per we itun;,;st,yp ilie8er aufsebrachten -"ohiaht 4 ist dem

  Le I t-znL,stya der T.:lbleiterc@:ieibe 1 entgegengesetzt, so

  da"such an dieser Grenafl£ohe zvjschen der n-leitenden

  1balbleiterse=teibe 1 und der aufgebrachten Schicht 4 ein

  prt-berganu 5 entsteht, 'Während :ier pn--bergc zig die

  Funktion einer il-Doae hat, dient der

  pn-vbsrng 5 als Photodiode.

  Die Halbleiterscheibe 1 und die Halbleiterschicht 3 haben

  vorzugeweine einen verschiedenen- Bandabstand. Dies hat

  den Vorteil, daß auf der einen Seite ein norz83er pn-Ü'ber-

  gang und auf der anderen "eite eine "i%tero-funetien" vor-

  gesehen sind,, so dai3@ die Ubgliohkeit besteht, das Ihpfindiicir-

  keitsmaxisrrm derPhotodiode und das Maxisiam der Emission der

  lumineesierenden Diode in verschiedene Gebiete des

  zu legen.

  G/um Anlegen einer Gleichspanaunk an den Sidwandler dienen.

  die aiLf die nach außen. weisenden :ßbe.rf-l=che-nreeten des BÜd##.@

  w@r@1.c#s aufgebrachten:,dureheichtigeri Elektroden 6 -and ?:!. - .

  die beispieltwe-iae aus :Gold beetehen. Ist die ßle@@ahepanaung

  ®o geriahtt;:=,daß._@d@esa@weuheri-isn.beden -verachiedenen .--

  Halbleitermaterialien bestebendpn#;Jbergang= 5 inl;exx. .:: . ..

  riahtung Gepolt : istso= i et der -im -usganämaterul = Yur- -

  handene- pr.-@`b@gr@; =j in Durohlaßrimhtung gepolt. Bei Be-

  lichtung- des sperrQnden ph-Überganges 5 fließtei-merlt# . -

  licher 2trom Tiber den. dtr-ohl.aaäendeu. p1-Übergang 3, welcher ::

  daclurch ° zum Leuchten, angeregt wird. -Auf diese -leise iäßt `- ..

  Sich du-roh die: -Anordnung -der Fig: 1 gemäß 'der =Erfindung

  ein Bild übertra reu.

  Da. (las ..eicht -der .Lwaine xenr-aDiode in- -der- Uhe--des -pn-absrV=Ganges- .ent.eteht,. =empflshlt @eg eich, -zurr :rhcselug@eines-

  grüßeren. ielUgseit-,-dea pn-Ylbergaxig- i AüstUsbe#-

  spiel der Flg.-_ °1' -.Mit bezeiahrie-t- -mÖglch-mt. .nahe - .-

  die @bertlhe=°dea Helbl-eiterkörpers-@-su legen:, Dies So @..... _-

  stattet beispielsweise die Auäführungefo:rrse:n.:der FiG. 2

  _

  -,@. ... -.-.s - . . . . . .. : - , . .. .-

  und

  Diex 1'1g:- 2: segt ein .Raster von Iegierten- gn-lbergängen, .

  das durch Enlegern -der Legrruagepllen 8 in den a-

  leitenden Xalbleterkörper 1 entsteht. In rg: f eM die

  luminessierenden Vioden streifentärraig ausgebildet. Die

  iaxatallutS der Anordnung der fig. 3 kann beepieleWeee

  so erfol;;en, da ß a at eine z. B, p-leitende Halbleiterecheibo

  2 antweaor mittels photoiaoktwhnik oder duah Bedampfung

  durch eine Schablone eine Anzahl von Streifen aus einem

  diffuaionahemmenden Material, beispidaweise A'3ilisiumoayd,

  aufgebracht ,w# Durch die freigebliebenen 3treii en läßt

  man einen freidatoff eindiffundieren, welcher in der Halb-

  leiterscheibe enigegeeee#sten Letuxgotyp .# Im Ausf,ihrunga-

  beispiel den n-Typ -- erzeugt, Dadurch entstehen .m p-leiten-

  vom

  den Halbleiterkörper 2 die Ditfusioneaonen 1 sag n#Leitungs-

  tyin. 1s empfiehlt siolz, ..t.e Sindiffusion der Zonen 1 von

  beiden Seiten der Halbleiterscheibe t? aus vorsuneh»n.

  Nach diesem riiffunionsproseß lest man. die leoleratrefen 9

  auf einer ßbertlLohens$ite der Halbleiteruchaibe 2 stehen

  oder v..@ret:irkt sie durch einen Isolierstotr, welcher für

  die :Veiterbehandlung geeigneter Ist e Die Weiterbehandlung

  btsteht im Äuatührungsbeispel der Piß. 3 darin, daß auf

  die mit Isolierstoffsireiton versehene Obertlüvbenseite eine

  Halbleiterschicht 4, beispielowsi®e epitaktisaä, aufgebracht

  wird. Ist der Leitungstyp dieser lialbleitersohicht arg im

  Auaführebeispiel der Mg. 3 den der Diffusionsnonen 1 out-i,

  gegengesetzt, so entstehen an den .;tollen, an denen die Halb-

  1terschlvht m31: den Diffuetonezonvn 3:n: unmittelbare

  Derhrung 'eoeicit - in Fig. 3 zwischen den Imolerstoff- -

  strci.Ven f die pn-R:bergänge 5,. Die aufgebrachte Halb-

  leiterschicht 4 unterscheidet sich nicht nur In, Leitunge--

  typ, sondern auch bezüglich des Bzindabst4ndes vom Grund.

  k@ype,r. '1, : _

  Die ?#apr@taltier#@z.,g des Bildwandlers ,erfolz-t emäß der Dar-.

  stellun-, in. Fiji: 3@Wol;t die d,ictifienqthiung auf der

  im üpitaxiialverfahron aufgebrachten Gexeso müe®en die

  an. die epitaktscho ?cQhioht 4 angrenzenden pn-@3bergäa@e

  in ;1)erriahtunL,Qpolt sein. Die auf der gee@@überl.iw;nden

  Ubos.l::chens®ite txeiliegenden pn-"bergs.Inf;Q 3 @@ken dann

  a13 humineezierende Di®(1e.a

  Die in den Fig1 bis 3 dargestellten Bildwandler haben die

  Struktur eines xhototriinsistaas:)Orgt man deshnlb daf=Ur;

  daß zwisßtlen den fhoto- Und (Ion -Lümilleozenz ßn-i'berg@itn693i

  keine wesentliche Ladwr@&sträger-.rtexombnation eintritt; so

  bewirken die über den sparrenden pn-i;bergg in die Zwischen-

  schicht eintretenden Ladungsträger, daß der -in ßurahlseeBrchtung

  gepolte gn-}fbergang weitere LadunGsträger injiziert, die den.

  -""iderstand: der ape!7enden Schicht noohraale herabsetzen, so

  daß eine Stromverstärkung stattfindet

  x:i4 -lumineszieren.len Diaden brauchen je..cch nicht in den

  Phota-Tranalstor einbezo !#:er.. zu:erc' BQ Uri e das in een 2it:;,

  1. ble -q dej# Fall ist. Bild 4 zeigt ein 13Qiepiel, in dem

  .. Getrennte :Schichten mit etreifenförmit#en Phato- .

  Tranaintoren und etreifenfarmigen LurAneazen-Diodeng

  die voneinander durch ein Gebiet i sehr geringer U-it-

  fähigkeit getrennte sind, einzeln hergestellt und später

  weral er

  und Mitiiziander verbunden, daß der

  %itter des Pboto-rranalgtürs mit einem Pol der luminem-

  zierendenDiode verbunden ist, w_hrend die restlic@@enu-@@ä@:r.n;e beider Scheiben durch eine Isolierschicht von-

  einander getrennt sind,

  Die Leaähtdiahte lumineszierender Dioden ist -so größ, d' aß

  man einen kleinen Bildschirm so hell ausleuchten kann, dei3

  =.r mit einer Linse vergröert und auf eine--- weso `dich grb3eren

  Bilda6hirm hetradhtet werden keim. Die Helligkeit kann noch

  weiter gesteigert' werden, indem m: als Material für die

  lumineasi.ereiuieabionen ein solchen Material verwenc:et, -

  weichen Laserwirkung seiUy__ _ _ , . ..

Claims (1)

1. ws E a t ern t a nrwwe DrWr ü c h e W wsm .r# #w rr .wW rawrnw@r..@s.... 1 Bildwandler, gekennzeichnet duraii die VerwenaunG von @.n;jr oder meh'C°eren Photodioden odor Pnototranaistoren zur Au£nahmEll des umsuwandinden Lichtes und durch die Ver- weneun,# von einer oder mehreren Lumineazenr.-Dioden zur Abgabe den durch Umwandlung erdrlten Lichtes. 4) Bildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennze ahnet, daß die üotodiods (n) und die Luminei3zenz-Diods(n:) .hin- . tereinandes geschaltet sind. ' - _ 3) Bildwandleg nach Anspruch-1 oller 2, dadurch gekemmn- . zo3.ohnet, daß er aua-einem Yüraugeweiae acheibent8rmig ®urgebildeten Ulbleiterkörrer mit Zonen verschiedenen Zeitungstype besteht, in dem die pn-Uberg?jnge für die I'hotodiodmaod®r Phototransistoren und die gn-Übergänge der hlmmi=i&#nz#Diod#n angeordnet sind*. 4) Bldweuridler nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, . daß der .Halbleiterkörper auz Bereichen unterschiedlichen Wbls tiermteriale mit veraahi®denem Banäabetand besteht. 5) Bildwandler nach Anspruch 4, dadurch &ekennseahnet, daß der Halbleiterkörper aus' swei aneinander grenzenden Bereichen unterschieMichen Halbleiteraaterials mit ver- . schfedenexa Bandabstand besteht und daß die in dem einen Pareiah und der ph-Übergang 4er 1-hotgdiode(n) an der u$renzfl.:@che zwischen den beiden. Bere.t cheü anGeordnet sind f) BildwnnIler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet-, daß der Ha ,bil.eiterk8r"3er aua zwei aneinander grenzenden Barelchen unberschiedlichen Halbleitermateriale mit vorschadonem Band- ub.itand besteht und daji der (die) pn-#Iergäng(e) der Photo- diode in dem einen 3ereich und die Luucineaz'enre-D.ode (n) an der Grenztl" che zwischen den beiden Bereichen au6acr4net sind. ?) Bildwandler nach eine* der rorhergehaaden Aust@rilohe, da- durch ge%ennzeiehnt!t, daß der Halbleiterkörper aus einer Halbleiteroaheibe besteht, auf dessen eine ObertLächeazeite eine 111.lbleitersahicht unterschiedlichen Halbleitermaterials aufgebracht ist. B)Bildwandlsr nach Anspruch 7, dadurch gehonn$eichnetf daß auf die eine abertläahenaeite einer HalbleItarscheibe vom ersten Leittr,;styp eine Halbleiterschiuht von zrä*ben Le# tunt;styp aufgebracht ist und -daß in die der Halbleiterschicht entgegengesetzte Oberfi:.ahenseite dem Halbleiterscheibe eIne oder mehrere Zonen vom zweiten Leituugetyp eingebracht sind. 9) Bildwandler nach einem: der vorhergehenden Anspräche, dadu- c;h ge,.@nnzeiatin;:t, ;1,ai.) zur --t:rzielunzy; mehrerer pn- :bexg::'n@e an der Grenzfläche zviechen tt:@alrlei'terssc_.aibe ünC -Halbleterechicht Bereieje der r'.lb#- . . leiterocnoibe von den angxeneaen(-en Bereichen der Halb- _- leitex#schicht durch eine Icolier:.-c@ruht getrennt lind, @) Hi@a@Y::nciar nach; einen, vier Itne-rr°:iche 7 bis 9da- d.urc% ielzerr we iebnet $ daE das il aterial für die laib- 1.c.tE:r oche.ibe derart _ ew:-hlt ist' (jwi.r oder die in. der liL1ble j terschelb vz°fi@hiew:c.>n-:@bsr,. -ne toi. @;igen.vchüfton von hl;tr`txc@lu.Lincsa@nz-I?i@eext haben, 11.) Bildwandler - nach einem vier' aprüehe 7 bis 9,, da- durch gekennzeichnet , daß üraa 1,liateral ;f ir die gutge- braähte Hal fil ,el.4ersch. i cht derart ge. w - -hl Uist' da-r? dop. oder die pu-@"berg:inga an dar Grenzfläche z,;..ischen Halb- leterscheibe und. äialbXterschcht die #,4genschaften: von. LI:3.ektroluminebzenr-Dioden habend 12) Bildwandler nach einem der vorhergehenden Ans-pr;che,, dadurch gekennzeichac:t, dedß die Halbleiterscheibe oder die aufgebrachte Halbleiterschicht seiner Verbindung eines Blsmentes'der III'. Gruppe Mit einem Plement der a:. Gruppe -den periodischen Sylt mb -oder einem Gemisch solo Verbindur4#en oder aus Biliziurzfkarbid Uestehte 13) Bildwandler neah einen der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennnechnet, dal4 aas Halbleitermaterial für die Luminensens-Dioden derart gewählt ist, dadie lumines:ierenden Dioden Laserwirkung neigen. 14) Bildwandler nach einen der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden ein Punktmater legierter oder diffundierter pa-Ubergänge bilden. 15) Bildwandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennsechnet, d" die Dioden ein Streifenraster legierter oder dittundiesten pa-Übergänge bilden. 16) Bildwandler nach einen der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Oberfläche den Halb- leiterkörpern durchsichtige 11-2ektroden autgebraaht aiad 17) Bildwandler nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Iaektroden aus Zinnoxyd bestehen, 18) Bildwandler nach einen der vorhergehendem AnsprUohe dadurch pkennseiohnet% daß an ihn eine solche ß1eiohnpan- nuag gelegt ist, daß die als Photodioden wirksamen pn-Uber- ggsge in sperrißhtung gepolt sind. 19) Bildwandler ncLeh einem der vorhergehenden liisirilche, dadurch gekennzeichnet, daß er mit einerk ßildscJ,irm ge- koppelt ist, auf den ein vergrÖ3ertes Bild des Bild- wandlers-projiziert wird. ?G) Verfahren zur Eierstellung einen Bildwandlers nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die eine Oberfl-:xchenseite einer Halbleiterscheibe vom ersten Leitungstyp eine Halbleiterschicht vom zweiten hoitungstyp aufgebracht wird, deren galbleite=aterial einen anderen Bandabstand hat talg das Halbleitermaterial dar llalbleiterscheibe, und daß in die der aufgebrachten Halbleiterschicht gegenüberliegende Oberflelehenseite der Halbleiterscheibe eine oder mehrere Zonen vom zweiten Leitungstyp, beispielsweise durch Legieren oder Diffusion, eingebracht werden. 21) Verl'ahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht auf die lialbleiteirscheibe epi- taktisch aufgebracht wird.