DE2334116A1 - Ueberstroemkanal fuer ladungsuebertragende abbildungs-baueinheiten - Google Patents
Ueberstroemkanal fuer ladungsuebertragende abbildungs-baueinheitenInfo
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Description
233411Θ
Western Electric Company Inc,
195 Broadway
New York, N.Y. 10007
USA a 33 594 ~ 3, M 1973
Überströmkanal für ladungsübertragende Abbildungs-Baueinheiten
Die Erfindung betrifft ladungstibertragende Abbildungs-Baue inhe it en, insbesondere ein Schema zur Vermeidung einer
"Blumenbildung" in solchen Baueinheiten.
Eine ladungsübertragende Baueinheitl! (OTD) wurde als allgemeiner
Ausdruck für Baueinheiten bekannt, welche Ladungsträger in einem Halbleitermedium mittels entsprechener Potentiale
speichern oder übertragen, die an eine Anordnung von Elektroden gelegt werden, welche auf einer Isolierschicht
angeordnet sind, welche eine Oberfläche des Mediums überdeckt»
Diese Baueinheiten können ladungsgekoppelt (CCD) oder als Becherwerk (BBD) ausgebildet sein. Bei einer Becherwerk-Baueinheit
sind die diffundierten Teilchen im Halbleiter unterhalb jeder Elektrode vorgesehen und erstrecken sich etwas
in den Bereich unterhalb einer benachbarten Elektrode in dem Ladungsübertragungsweg, Wenn eine Elektrode impuls-
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getastet wird, so wird die Diffusion unmittelbar unterhalb derselben in Umkehrrichtung vorgespannt j der Kanal sswischen
dieser Diffusion und ihrem Nachbarbereich wird invertiert. Daher wird Ladung in den Diffusionen als Mehrheitsträger gespeichert
und über die Kanalbereiche zwischen den Diffusionen als Minoritätsträger übertragen. Die BBD-Baueinheit kann als
eine Reihe von I&FET-Baueinheiten betrachtet werden. Andererseits
speichert die CCD-Baueinheit Ladung in den Potentialmulden, die unter auf Entleerung vorgespannten Elektroden gebildet
werden, und überträgt Ladung durch Schaffung einer Aufeinanderfolge von Potentialmulden längs der Halbleiterfläche. Daher
wird Ladung als Minoritatsträger gespeichert und übertragen;
die Notwendigkeit für diffundierte "Quellen"- und "Ablauf"-Bereiche wird vermieden.
Es ist bekannt, daß die Minoritäts-Ladungsträger in einem Halbleiter durch Schaffung von Lochelektronenpaaren durch
Photonenabsorbtion erzeugt werden können. Die Ladungsübertragungs-Baueinheit
wurde demgemäß bisher für Abbildungszwecke vorgeschlagen, wobei Ladung in dem Medium proportional zum
Lichteinfall auf die Baueinheit erzeugt sowie gespeichert und lediglich durch Vorspannen der Elektroden in richtiger Folge
ausgelesen wird. Eine solche Baueinheit vermeidet die Notwendigkeit
für eine Elektronenstrahlauslesung und ermöglicht demgemäß die Herstellung von kompakteren und billigeren Bildröhren.
Ein v/es entliches Problem in Zuordnung zu der Verwendung von CTD-Baueinheiten für die Abbildung stellt die "Blumenbildung"
dar. Dieser Zustand tritt auf, wenn einfallendes Licht von ausreichender Intensität ist, so daß überschüssige Ladungsträger
in einigen Integrationsstellen erzeugt werden (sei es in den diffundierten Bereichen der BBD-Baueinheit oder den entleerten
Bereichen der CCD-Baueinheit). Diese überschüssige Ladung ist danach einem :ϊÜberlaufen" in benachbarte Stellen
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unterworfen, wodurch unerwünschte weiße Bereiche über einen wesentlichen Teil des endgültigen Bildes entstehen.
Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung ist demgemäß die Vermeidung
wesentlicher "Blumenbildung" in einer ladungsübertragenden Abbildungs-Baueinheit.
Zur Vermeidung der vorangehenden Schwierigkeit hinsichtlich
"Blumenbildung" geht die Erfindung von einer ladungsübertragenden Abbildungs-Baueinheit aus, mit einem Halbleiter-Ladungsspeichermedium
einer zumindest einen Teil der Fläche deB Mediums überdeckenden Isolierschicht und einer Anordnung von
Metallelektroden an der Schicht zur Bildung örtlich festgelegter Integrationsstellen in dem Medium zwecks Sammlung der
"beweglichen Ladungsträger in Abhängigkeit vom Licht, das auf das Medium fällt, um die beweglichen Ladungsträger in einer
Richtung im wesentlichen parallel zu der Fläche aus den Integrationsstellen zu einem Ausgangselement zu übertragen. Die
Erfindung kennzeichnet sich dadurch, daß ein Ablaufbereich für die beweglichen Ladungsträger neben den Integrationsstellen
aufgebaut wird und daß Elemente zum Aufbau eines Potentials in. dem Medium in dem Bereich zwischen den Integrationsstellen und
dem Ablaufbereich vorgesehen sind, so daß überschüssige bewegliche Ladungsträger in den Integrationsstellen sich zu dem Ablauf
bewegen,
&emäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel stellt der Ablauf
einen Verunreinigungsbereich umgekehrter Vorspannung in Form eines oder mehrerer Streifen in dem Halbleitermedium neben allen
Integrationsstellen dar. Dieses Schema kann sowohl für Flächenabbildungs-Baueinheiten als auch für Linienabbildungs-Baueinheiten
angewendet werden.
Die Erfindung ist nachstehend anhand der Zeichnung näher er-
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a. Λ —
läutert: Es zeigen:
Pig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer ladungsgekoppelten I1Iachenabbildungs-Baueinheit
nach der Erfindung in Draufsicht sowie in teilweise aufgebrochener Darstellung,
Pig, 1 ein Schnitt längs der Linie II - II von Pig» 1t
Pig. 3 ein gegenüber Pig» 1» 2 abgewandeltes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Abbildungs-Baueinheit
im Schnitt ähnlich Pig* 2 sowie in teilweise schematischer Darstellung,
Pig, 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Abbildungs-Baueinheit im Schnitt
ähnlich Pig. 2 sowie in teilweise schematischer Darstellung,
Fig. 5 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Linienabbildungs-Baueinheit in
Draufsicht sowio in teilweise aufgebrochener Darstellung,
Pig. 6A und 6B Schnitte längs den Linien 6A, 6B - 6A, 6B von
Pig. 5.
Pig. 1 zeigt eine ladungsgekoppelte Abbildungs-Baueinheit vom Rahmenübertragungs- und Speichertyp. Dies bedeutet, daß die
Baueinheit einen Abbildungsbereich IA aufweist, wobei die Ladung in Abhängigkeit vom einfallenden Licht gesammelt wird,
sowie ferner einen Speicher- und Auslesebereich SRA, der gegenüber dem Licht abgeschirmt ist und zu welchem die Ladung
zur Ablesung übertragen wird, um ein :'Verschmierenw zu vermeiden.
Jedoch kann die Erfindung aber auch auf andere CCD-Gebilde angewendet werden. Zusätzlich kann die Erfindung
auch für BBD-Baueinheiten verwendet werden.
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Die Abbildungs-Baueinheit umfaßt grundsätzlich ein Halbleiter-Speichermedium
10, beispielsweise aus Silizium, eine Isolierschicht 11, beispielsweise aus SiOp, welche das Medium überdeckt
und eine Anordnung von Elektroden in Anordnung daran, um eine Ladungsspeicherung und einen Übergang in dem Medium
zu schaffen. In dem veranschaulichten Gebilde beinhalten diese Elektroden tatsächlich Metallfinger von Leitungen ffl-w,
" ^2s» ®lr und ffi2r· In a^-en* außer der letzten Reihe der
Baueinheit, stellt jeder Finger eine Reihe der Elektroden in der Anordnung dar. Die Pinger sind in wirksamer Weise in einzelne
Elektroden in einer Reihe durch vertikale Streifen eines
■Verunreinigungsbereiches 12 getrennt, die gesonderte Spalten
von Übertragungsbereichen 13 in dem Halbleitermedium bilden. Dieser Verunreinigungsbereich ist nachfolgend näher erläutert.
In der letzten Reihe der Anordnung stellt jeder Metallfinger eine besondere Elektrode dar. Die dritte und fünfte
Elektrode in dieser Reihe sind mit (D,r durch eine diffundierte
Unterkreuzung (nicht veranschaulicht) gekoppelt. Diese Reihe ist so ausgebildet, daß Ladung nach rechts zu einigen Ausgangselementen
übertragen wird, welche tatsächlich einen diffundierten Bereich in dem Halbleiter darstellen (nicht veranschaulicht),
der durch eine Leitung 14 zur Sammlung der Ladung nach rückwärts vorgespannt ist. Die Ausgangselemente können
irgendeine Anzahl von Formen aufweisen, wie sie an sich bekannt sind.
Auf diese Weise umfaßt die veranschaulichte Baueinheit eine Anordnung von 3x12 CCD-Elektroden und eine Auslesereihe von
sechs CCD-Elektroden. Die ersten sechs Reihen umfassen den Abbildungebereich; die letzten sieben Reihen, welche vom Licht
abgeschirmt und durch den strichpunktierten Pfeil veranschaulicht sind, umfassen den Speicher- und Ausleseber;ich, (Die
ersten drei Reihen des Abbildungsbereiches sind in Fig. 1 nicht veranschaulicht). Während einer Integrationsperiode
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wird entweder ÖL. oder OJ2- auf einem konstanten Potential V
gehalten, um Ladungsträgerpakete in den Übertragungsbereichen
unter den hiermit gekoppelten Metallfingern zu sammeln« Die wechselnden Reihen werden auf einem niedrigen Restpotential
V gehalten. Der gesamte Rahmen wird danach zu dem Speicherbereich durch entsprechende Impulstastung der Leitungen ÖL .,
(Dpj , ffi-ig und (Dpg zwischen V und V übertragen* Jede Reihe
der Ladung wird danach aufeinanderfolgend zu der Auslesereihe durch Impulstastung von ffi-iS5 ®o8 und ffl-, übertragen
und seitlich durch Impulstastung von QL und ÖL, ausgelesen.
(Die Rahmenübertragungs- und Speichereinrichtung ist bereits
Gegenstand eines nicht zum Stande der Technik gehörigen Vorschlags (Deutsche Patentanmeldung P 22 11 886,1-3). Die Elemente
zur Vorspannung dieser Elektroden sind bekannt und daher nicht veranschaulicht.
Die neuartigen Merkmale dieser Baueinheit ergeben sich am besten in den abgebrochenen Teilen von Fig. 1 und aus Fig.
Zum Zwecke der besseren Darstellung ist vorliegender Halbleiter p-leitend, obgleich die vorliegend beschriebenen Grundlagen
auch in gleicher Weise auf ein η-leitendes Medium anwendbar sind, indem eine geeignete Umkehr der veranschaulichten
Polungen erfolgt. Gemäß Fig. 1 ist ein erster Bereich von Verunreinigungen 15 aus n+ leitendem Material in dem Halbleitermedium
gebildet. Der Bereich verläuft' durch die gesamte Länge des Abbildungsbereiches in vertikalen Streifen, so daß
eine dichte Nachbarschaft zu jeder Integrationsstelle in dem Medium vorliegt. Dieser Bereich wird in Umkehrrichtung durch
einige Bauelemente vorgespannt, die schematisch als Batterie 16 dargestellt sind, so daß der Bereich Ladungsträger anzieht,
welche beim vorliegenden Beispiel Elektronen sind. In den Bereichen zwischen den Integrationsstellen und dem Bereich 15
liegt ein zweiter Bereich p+ leitender Verunreinigungen gemäß den vorangehenden Erläuterungen. Da eine der Funktionen dieses
Bereiches in der Definition der Ladungsübertragungswege
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liegt, verläuft der p+ Bereich über die volle Länge der Baueinheit.
Da der Bereich lediglich den Teil umfaßt, welcher in dem Abbildungsbereich liegt, der hinsichtlich der erfindungsgemäßen
Merkmale wirksam ist, wird vorliegend das volle Muster des p+ Bereiches nicht veranschaulicht.
Die Wirkungsweise dieser Bereiche von Verunreinigungen ist
in Fig. 2 dargestellt» Die gestrichelte Linie 17 veranschaulicht eine Kurve zur Darstellung des Potentials, das an der
Halbleiterfläche längs einer Reihe der Baueinheit gebildet wird. ÖL. wurde a.uf ein konstantes Potential V in der Integrationsbetriebcart
vorgespannt. Licht fällt lediglich auf die zweite Integrationsstelle dieser Reihe, wobei sich demgemäß
Elektronen dort sammeln, während die erste und dritte Stelle leer bleiben. Wenn die zweite Stelle Ladung sammelt, nimmt
das Potential an der Oberfläche ab. Solange das Potential an der Stelle ^g größer als das GrenzwertpotentialV-, verbleibt,
das durch den Verunreinigungsbereich 12 zur Bildung des Übergangsbereiches geschaffen wird, ergibt sich eine Begrenzung
der Ladung auf die Integrationsstelle, Wenn jedoch das Licht ausreichend intensiv ist, wird genügend Ladung gesammelt,
so daß^j, kleiner oder gleichem ist, wobei die Ladung
in die benachbarten Bereiche "überströmt". Statt eines Ausbreitens der Ladung in die benachbarten Integrationsstellen
schafft jedoch der Verunreinigungsbereich 15 ein PotentialY",»,.
welches die überschüssige Ladung anzieht. .Daher ergibt sich keine Verzerrung dos Bildes. Die Überschußladung wird auch
daran gehindert, in benachbarte Reihen der Integrationsstellen überzuströmen (d.h. in einer Richtung senkrecht zu der Ebene
von Pig. 2), daYT auf einen höheren Wert als das Potential
eingestellt wird, das durch die mit Π5-, . gekoppelten Elektroden
geschaffen wird, die während der Integrationsbetriebsart auf einem Restpotential gehalten werden. Während der Übertragungs-
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Betriebsart, wenn also 05-, . bei V impulsgetastet wird, vermag
die Ladung in dem Integrationsbereich auf eine benachbarte Reihe überzugehen. Allgemein ergibt sich, daß der erste Bereich
von Verunreinigungen 15 einen Ablauf für überschüssige Ladungsträger bildet, während der zweite Bereich der Verunreinigungen
12 das richtige GrenzpotentialY™ an der Halbleiterfläche aufrecht
erhält, so daß überschüssige Ladung zu dem Ablauf über« geht und nicht zu irgendwelchen benachbarten Integrationsstellen
während der Integration»
Jeder Bereich von Verunreinigungen kann durch ein übliches Diffusions- oder Ionenimplantationsverfahren gebildet werden.
Vorteilhafterweise kann man in die Verunreinigungen des ersten Bereiches während des gleichen Verfahrensschrittes eine Diffusion
durchführen, wie bei der Bildung der Ausgangsdiodendiffusion,
und danach am zweiten Bereich von Verunreinigungen auf einer Fläche eine Ionenimplantation durchführen, welche
den ersten Bereich überlappt, Da der erste Bereich wesentlich stärker als der zweite Bereich dotiert ist, hält der erste
Bereich die richtige Polung aufrecht. Die Verunreinigungen des ersten Bereiches können irgendwelche aus zahlreichen Donatorenverunreinigungen
sein, die an sich bekannt sind, beispie3.sweise aus P oder As, während der zweite Bereich irgendwelche
bekannten Akzeptoren enthalten kann, beispielsweise B. Die Dotierungskonzentration des ersten Bereiches beträgt vorzugs-
1Q —^
weise annähernd 10 cm , obgleich ein zweiter Bereich zulässig ist, solange die Konzentration größer als diejenige des zweiten Bereiches ist. Die Dotierungskonzentration des zweiten Bereiches sollte zumindest dem zehnfachen Wert derjenigen des Halbleitermediums entsprechen, um eine richtige Entleerung der Oberfläche in diesen Bereichen gemäß den oben erwähnten Grundsätzen sicher zu stellen. In einer typischen Baueinheit, wo V +2OV und R + 2 V betragen, rückt diese Konzentration in
weise annähernd 10 cm , obgleich ein zweiter Bereich zulässig ist, solange die Konzentration größer als diejenige des zweiten Bereiches ist. Die Dotierungskonzentration des zweiten Bereiches sollte zumindest dem zehnfachen Wert derjenigen des Halbleitermediums entsprechen, um eine richtige Entleerung der Oberfläche in diesen Bereichen gemäß den oben erwähnten Grundsätzen sicher zu stellen. In einer typischen Baueinheit, wo V +2OV und R + 2 V betragen, rückt diese Konzentration in
P 16-3
die Größenordnung von 10 cm . Eine Bestimmung der erfindungs-
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gemäß erforderlichen Dotierungskonzentrationen liegt im üblichen Fachwissen. Demgemäß ist diesbezüglich hierauf nicht weiter
eingegangen.
Es stehen viele andere Mittel zur Verfügung, um das gewünschte Oberflächenpotential zwischen den Ablauf- und Integrationsstellen aufrecht zu erhalten. In Fig. 3 und 4 sind zwei wahlweise
Ausführungsbeispiele dargestellt» welche wiederum in Querschnittsdarstellung durch eine Reihe einer Fläehenabbil-,dungs-Baueinheit
die Integrationsbetriebsart darstellen. Gemäß Fig. 3 ist der Metallfinger über einen Isolator 11 mit
einer abgestuften Geometrie niedergeschlagen, welche durch übliche photolithographische Ätzverfahren gemäß dem Stand
der Technik erzielt werden kann. Das Potentialprofil 17 ist im wesentlichen identisch demjenigen gemäß Pig, 2. Die Dicke
des abgestuften Isolators ist so gewählt, daß das Oberflächenpotential Vm gemäß den obigen Erläuterungen gebildet wird.
Wenn beispielsweise V + 20 7 und V+ 2 V sind, beträgt der dicke Teil des Isolators angenähert das 5-fache des dünnen
Teils.
Gemäß Pig. 4 wird die besondere Grenzwertelektrode 18 verwendet,
um das richtige OberflächenpotentialV™ aufrecht
zu erhalten. Dies stellt ein Muster eines leitenden Materials in überdeckung zu dem Isolator in Form von Streifen dar, die
in der Baueinheit vertikal nach unten verlaufen, und zwar grundsätzlich in der gleichen Weise wie der Verunreinigungsbereich 12 von Fig. 1« Die Streifen Bind an einem Ende der
Baueinheit mit einem Konstantvorspannungselement (nicht veranschaulicht)
gekoppelt, das im vorliegenden Beispiel positiv ist und dessen Größe im Sinne der Bildung des gewünschten
PotentialsVm an den Grenzflächen der Integrationsstellen
zum Überströmen in den Ablauf gewählt ist. Bei der Baueinheit wird ein zweiter Isolator 19 über der Grenzwertelektrode niedergeschlagen,
um diese gegenüber den CCD-Elektroden (^pi^
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zu isolieren, (Eine weitere Erläuterung der Anwendung von Grenzwertelektroden, in CÖD-Baueinheiten auch KantenaMeckung
genannt, ergibt sich aus der vorangehend erwähnten, nicht zum Stande der Technik gehörigen Patentanmeldung),
Die Grundlagen der vorliegenden Erfindung können auf Linienabbildungs-Baueinheiten
ausgedehnt werden, wie Fig. 5 eine in Draufsicht zeigt. Diese Baueinheit stellt grundsätzlich die
gleiche Übertragungs- und Speicherbaueinheit dar? wobei
eine Reihe der Ladung unter der Leitung QJ-, (Abbildimgebereich)
integriert wird und wobei die Reihe der Ladung danach durch den Bereich unter (D2 in den Bereich unter der letzten Reihe
übertragen wird, welche die Leitungen ÖL und OJ21, enthält;
die letzteren drei Leitungen überdecken einen Bereich, der gegenüber dem einfallenden Licht abgeschirmt ist und den Aualesebereich
umfaßt. Es werden wiederum Ladungspakete durch
seitliche Übertragung zu einigen Ausgangselementen ausgelesen,
beispielsweise dem Element 14. Diffundierte Bereiche von p+ Leitfähigkeit 24 (für ein p-leitendes Halbleitermediura)
sind auch vorgesehen, um die Übertragungskanäle festzulegen, beispielsweise in der Flächenabbildungs-Baueinheit.
Das Überström-Schutzsenema nach dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfaßt eine einzige Schiene von Verunreinigungen 20
mit n+ Leitfähigkeit (p-leitendes Medium), welche wiederum durch gewisse Elemente 21 in Umkehrrichtung vorgespannt ist,
um bewegliche Ladungsträger zu sammeln; eine einzige Metallelektrode 22 überdeckt den Isolator in dem Bereich zwischen
dem Abbildungsbereich und dem Bereich der Verunreinigungen·
Diese Elektrode wird auf einem konstanten postiven Potential
Vm durch Vorspannungselemente 23 gehalten. Gemäß Pig. 6k
wird diese konstante Vorspannung wiederum so gewählt, daß das PotentialVfj, an der darunter liegenden Halbleiterfläche
größer als das Potential unter der benachbarten Elektrode ffiL
ist, wenn es auf dem Restpotential während der Integrations-
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betriebsart gehalten wird, so daß die Überschußträger in den
Bereich 20 atrömen und nicht in den Auslesebereich der Baueinheit.
Gemäß Pig. 6B wird, wenn DL impulsgetastet wird,
um die Reihe der Ladung zu dem Aueleeebereich zu übertragen, ein Potential größer als Ψ"^ aufgebaut, so daß keinerlei Ladung
zu dem Überström-Ablauf während der Auslesung übertragen wird.
Es sind auch einige andere praktische Alternativen für die Linienabbildungs-Baueinheit verfügbar. Beispielsweise kann
die Elektrode 22 durch einen horizontalen Streifen von p+ leitfähigen Verunreinigungen in dem Medium ersetzt werden, um das
notwendige OberflächenpotentialV zu schaffen, wie in der
Flächenabbildungs-Baueinheit. Zusätzlich ist es möglich, als
Ablauf eine umgekehrt vorgespannte Metallelektrode vorzusehen, welche den Isolator zusammen mit einem kleinen Bereich von n+
Verunreinigungen in dem Bereich an einem Ende der Elektrode überdeckt.
Die Metallelektrode könnte einen Entleerungsbereich in dem darunter liegenden Medium erzeugen, um die Ladung zu
sammeln, während die Diode an dem Ende ermöglicht, daß die Ladung aus dem Medium gezogen wird. Die Integrationsstellen
können, wie sich versteht, diffundierte oder implantierte Bereiche von Verunreinigungen an Stelle des vorgespannten Elektrodengebildes
(ID,) sein.
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Claims (11)
1.jLadungsübertragungs«Baueinheit mit einem Halbleiter-
^"^ Ladungsspeichermedium, einer Isolierschicht, welche zumindest
einen Teil einer Oberfläche des Mediums überdeckt, und einer Anordnung von Metallelektroden an der Schicht
zur Bildung örtlich festgelegter Integrationsstellen in dem Medium zwecks Sammlung beweglicher Ladungsträger in
Abhängigkeit von auf das Medium fallendem Licht sowie zur Übertragung der beweglichen Ladungsträger in einer Richtung
im wesentlichen parallel zu der Oberfläche aus den Integrationsstellen sowie zu einem Ausgangselement, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Ablaufbereich (15) für die beweglichen Ladungsträger neben den Integrationsstellen
aufgebaut ist und daß Elemente (12) zum Aufbau eines Potentials in dem Medium in dem Bereich zwischen den Integrationsstellen
und dem Ablaufbereich vorgesehen sind, so daß überschüssige bewegliche Ladungsträger in den Integrationsstellen sich zu dem Ablauf bewegen*
2. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ablaufbereich einen Bereich (15) aus einem Leitfähigkeitstyp
entgegengesetzt dem Leitfähigkeitstyp des Mediums
umfaßt.
3. Baueinheit nach einer der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Elemente zum Aufbau des Potentials einen Bereich (12) vom gleichen. Leitfähigkeitstyp wie das
Medium umfassen und zwischen den Integrationsstellen und
dem Ablaufbereich liegen.
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4. Baueinheit nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Bauelemente zum Aufbau des Potentials einen verdickten Abschnitt der Isolierschicht (11)
in Überdeckung zu dem Bereioh zwischen den Integrationsstellen und dem Ablaufbereich umfassen»
5· Baueinheit nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Elemente zum Aufbau dea Potentials eine Metallelektrode (18) umfassen, welche den Ablaufbereich
überdeckt,
6. Baueinheit nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Bauelemente zum Aufbau des Potentials eine Metallelektrode (22) umfassen, welche den Bereich
zwischen den Integrationsstellen und dem Ablaufboreich überdeckt»
7. Baueinheit nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektroden (tl·,.,,- ®o±* usw») ^n einer
zweidimensionalen Anordnung vorgesehen sind, um Spalten von Integrationsstellen zu bilden.
8. Baueinheit nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Ablaufbereiche und die Elemente zum Aufbau des Potentials längs der Spalten verlaufen,
9. Baueinheit nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektroden (ffl^) im Sinne der Bildung einer Reihe von Integrationsstellen angeordnet sind,
10. Baueinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Ablaufbereich zur Vorspannung in Umkehrrichtung ausgebildet
ist,
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11. Baueinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Ablaufbereich (15) und die Elemente (12) zum Aufbau
des Potentials in Streifenform vorliegen«
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Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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