JPS60244064A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS60244064A JPS60244064A JP59099908A JP9990884A JPS60244064A JP S60244064 A JPS60244064 A JP S60244064A JP 59099908 A JP59099908 A JP 59099908A JP 9990884 A JP9990884 A JP 9990884A JP S60244064 A JPS60244064 A JP S60244064A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010351 charge transfer process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置、特にＣＯＤイメージセンサに関
する。
する。
（従来技術とその問題点）
近年、半導体・集積回路技術の急速な発達を背景に、固
体撮像装置の開発が強力に推進されている。この固体撮
像装置には画像歪、残像、焼き付きがなく、かつ小型軽
量、低消費電力であることから、家庭用テレビカメラを
中心に、撮像管の代替として実用化されつつある。しか
しながら、この固体撮像装置を高画質、高信頼性を宗と
する業務用テレビカメラに応用するためには、まだ解決
しなければならない問題が数多く残されている。
体撮像装置の開発が強力に推進されている。この固体撮
像装置には画像歪、残像、焼き付きがなく、かつ小型軽
量、低消費電力であることから、家庭用テレビカメラを
中心に、撮像管の代替として実用化されつつある。しか
しながら、この固体撮像装置を高画質、高信頼性を宗と
する業務用テレビカメラに応用するためには、まだ解決
しなければならない問題が数多く残されている。
その問題の一つが入力光全均一にしても不均一な映像信
号が得られてしまう、いわゆるシェーディングと呼ばれ
る現象であし、撮影画像を著しく劣化させていた。
号が得られてしまう、いわゆるシェーディングと呼ばれ
る現象であし、撮影画像を著しく劣化させていた。
以下、図面を参照しながら、上記シェーディング現象を
詳細に説明する。まず、第１図は本出願人による特願昭
５５−５１２７１および特願昭５５−１３０５１７によ
って発明されたインターライン転送方式電荷転送撮像装
置の概念図である。同図において１０は半導体基板との
Ｐ−Ｎ接合から成る光電変換部、１１は列状に配置され
ている垂直シフトレジスタで、この各垂直シフトレジス
タは、図示していないが四−′ｄ荷荷送送電極群駆動さ
れる。
詳細に説明する。まず、第１図は本出願人による特願昭
５５−５１２７１および特願昭５５−１３０５１７によ
って発明されたインターライン転送方式電荷転送撮像装
置の概念図である。同図において１０は半導体基板との
Ｐ−Ｎ接合から成る光電変換部、１１は列状に配置され
ている垂直シフトレジスタで、この各垂直シフトレジス
タは、図示していないが四−′ｄ荷荷送送電極群駆動さ
れる。
また各垂直シフトレジスタ１１の一端には水平シフトレ
ジスタ１２が″電気的に結合されており、さらに水平シ
フトレジスタ１２の一端には電荷検出部１３が配置され
ている。よって、光電変換部１０で光電変換された４８
号屯荷は、垂直シフトレジスタ１１および水平シフトレ
ジスタ１２を経由して、電荷検出部１３より時系列映像
信号として外部へ出力はれる。
ジスタ１２が″電気的に結合されており、さらに水平シ
フトレジスタ１２の一端には電荷検出部１３が配置され
ている。よって、光電変換部１０で光電変換された４８
号屯荷は、垂直シフトレジスタ１１および水平シフトレ
ジスタ１２を経由して、電荷検出部１３より時系列映像
信号として外部へ出力はれる。
第２図は第１図に示す撮像装置のＡ−Ｂ線上の断面を模
式的に示したもので、−例としてＮチャネルの半導体装
置の場合が示されている。同図においてＮ型半導体基板
１４上には接合深さの異る二つのＰ型領域１５．１６が
形成されている。これらＰ型領域のうち、接合深さの浅
いＰ型領域１５上にはＮ型の不純物が拡散され、光電変
換領域１７（Ｐ−Ｎ接合）が形成されている。一方、接
合深さの深いＰ型領域１６上にもＮ型の不純物が拡散さ
れ、埋込みチャネル構造の垂直シフトレジスタ領域１８
が形成されている。また、この垂直シフトレジスタ領域
１８上および表面チャネルで構成されるゲート領域１９
上には、絶縁層２０全介して、垂直シフトレジスタの電
荷転送電極２１が設けられている。さらに、光電変換領
域１７は隣接する垂直シフトレジスタ領域１８とＰ型不
純物礎度が冒いチャネルストップ領域２２によって分離
されている。
式的に示したもので、−例としてＮチャネルの半導体装
置の場合が示されている。同図においてＮ型半導体基板
１４上には接合深さの異る二つのＰ型領域１５．１６が
形成されている。これらＰ型領域のうち、接合深さの浅
いＰ型領域１５上にはＮ型の不純物が拡散され、光電変
換領域１７（Ｐ−Ｎ接合）が形成されている。一方、接
合深さの深いＰ型領域１６上にもＮ型の不純物が拡散さ
れ、埋込みチャネル構造の垂直シフトレジスタ領域１８
が形成されている。また、この垂直シフトレジスタ領域
１８上および表面チャネルで構成されるゲート領域１９
上には、絶縁層２０全介して、垂直シフトレジスタの電
荷転送電極２１が設けられている。さらに、光電変換領
域１７は隣接する垂直シフトレジスタ領域１８とＰ型不
純物礎度が冒いチャネルストップ領域２２によって分離
されている。
また光電変換領域１７以外は例えば金属層２３で光遮蔽
されている。ここで、かかる構造の撮１象装置の設計技
術者には周知なように、各垂直シフトレジスタを同一電
荷転送電極群で駆動するためには、電荷転送電極２１を
チャネルストップ領域２２上、言い換えれば不活性領域
上にも配線して、隣接する垂直シフトレジスタの電荷転
送電極と電気的に接続する必要がある。
されている。ここで、かかる構造の撮１象装置の設計技
術者には周知なように、各垂直シフトレジスタを同一電
荷転送電極群で駆動するためには、電荷転送電極２１を
チャネルストップ領域２２上、言い換えれば不活性領域
上にも配線して、隣接する垂直シフトレジスタの電荷転
送電極と電気的に接続する必要がある。
次に、このようなインターライン転送方式による撮像装
置の動作を簡学に説明する。ここで説明の便宜上、垂直
シフトレジスタの駆動は二相パルスで行なうものとする
。第３図の波形３０．３１は垂直シフトレジスタに印加
するパルス波形でちゃ、例えば第２図に示すパルス源２
４の波形が３０であれば、垂直方向に隣接する光電変換
部に対応した電荷転送電極には波形３１が印加されねば
ならない。まず、時刻ｔ１で波形３０が高レベルｖ１．
になると、第２図のゲート領域１９下の表面電位は理想
的には即座にｖ１□−ｖＦＢ（ｖＦＢはフラットバンド
電圧）となり、光電変換領域１７に蓄えられていた信号
電荷が垂直シフトレジスタ領域１８に読み出される。次
に時刻ｔ、で波形３０が中間レベルｖＭにガると、ゲー
′ト領域１９がカットオフ状態となると同時に、光電変
換領域１７は時刻ｔ、直前のゲート領域１７下の電位、
理想的には■□−ｖＦＢにリセットされたのちに浮遊状
態となり、次の周期に読み出されるまで光情報の蓄積を
行う。次いで期間ＴＩでは、時刻ｔ１で各垂直シフトレ
ジスタへ読み出された信号電荷が水平シフトレジスタ１
２へ並列に転送され、水平クロックパルスに同期して電
荷検出部１３へと導かれ、時系列の映像信号として外部
へ出力される。時刻ｔ３では今度は波形３１が高レベル
ｖＨとなるため、第２図の光電変換領域１７の垂直方向
に隣接した光電変換部に蓄えられていた信号電荷が対応
する各垂直シフトレジスタに読み出され、期間Ｔ２で上
述したのと同様な電荷転送プロセスヲ経て、時系列の映
像信号として外部へ出力される。さらに時刻ｔ、では再
び波形３０が高レベルｖＨとなるため、光電変換領域１
７内でほぼＴ。
置の動作を簡学に説明する。ここで説明の便宜上、垂直
シフトレジスタの駆動は二相パルスで行なうものとする
。第３図の波形３０．３１は垂直シフトレジスタに印加
するパルス波形でちゃ、例えば第２図に示すパルス源２
４の波形が３０であれば、垂直方向に隣接する光電変換
部に対応した電荷転送電極には波形３１が印加されねば
ならない。まず、時刻ｔ１で波形３０が高レベルｖ１．
になると、第２図のゲート領域１９下の表面電位は理想
的には即座にｖ１□−ｖＦＢ（ｖＦＢはフラットバンド
電圧）となり、光電変換領域１７に蓄えられていた信号
電荷が垂直シフトレジスタ領域１８に読み出される。次
に時刻ｔ、で波形３０が中間レベルｖＭにガると、ゲー
′ト領域１９がカットオフ状態となると同時に、光電変
換領域１７は時刻ｔ、直前のゲート領域１７下の電位、
理想的には■□−ｖＦＢにリセットされたのちに浮遊状
態となり、次の周期に読み出されるまで光情報の蓄積を
行う。次いで期間ＴＩでは、時刻ｔ１で各垂直シフトレ
ジスタへ読み出された信号電荷が水平シフトレジスタ１
２へ並列に転送され、水平クロックパルスに同期して電
荷検出部１３へと導かれ、時系列の映像信号として外部
へ出力される。時刻ｔ３では今度は波形３１が高レベル
ｖＨとなるため、第２図の光電変換領域１７の垂直方向
に隣接した光電変換部に蓄えられていた信号電荷が対応
する各垂直シフトレジスタに読み出され、期間Ｔ２で上
述したのと同様な電荷転送プロセスヲ経て、時系列の映
像信号として外部へ出力される。さらに時刻ｔ、では再
び波形３０が高レベルｖＨとなるため、光電変換領域１
７内でほぼＴ。
＋Ｔ、の期間の元情報の蓄積を行った信号電荷が垂直シ
フトレジスタ領域１８に読み出される。このようなｔ、
〜ｔ、までの動作をくり返すことにより、周知の動作で
あるインターレース走査がｏＴ能となる。
フトレジスタ領域１８に読み出される。このようなｔ、
〜ｔ、までの動作をくり返すことにより、周知の動作で
あるインターレース走査がｏＴ能となる。
ところで第２図に示すように、接合深さの異なる二つの
接合領域１５．１６ｉ持った撮像装置は縦形オーバフロ
ー構造の撮像装置と呼ばれ、強い光が入射してもブルー
ミングがほとんど生じないという特徴を有している。す
なわち、同図においてＰ型領域１５．１６とＮ型半導体
基板１４間は電圧源２５によって逆バイアスされている
ため、光電変換領域１７で発生した過剰電荷は、光電変
換領域１７（Ｎ型）とＰ型領域１５およびＮ型半導体基
板１４とで構成される縦形トランジスタのパンチスルー
電流として基板１４へ掃き出され、ブルーミングが完全
に抑制される。ここに光電変換領域１７で蓄えられる最
大電荷ＦｉｔｑＭＡＸは、光電変換領域１７の接合容量
ｋ Ｃｐｎ 、Ｊ ３図の時刻ｔ、において光電変換領
域１７がリセットされる電位ｋＷＴｏ、Ｐ型領域１５の
最小電位ｉＦ、Ｂ、Ｐ−Ｎ接合の電位障壁を’ｈｉとす
ると ＱＭＡＸ−ＣＰＤ （’ＴＧ −’ＰＲ−ｖ／ｌ＋ｉ
） ””””””（１）で表わされる。ここで’ＴＧは
理想的な場合には、前述したようにｖＩ□−ｖＦＢに等
しい。ところがかかる構造の撮像装置を実際に動作させ
ると、撮像面の中心部が暗く、周辺部が明るい、いわゆ
るシェーディング現象が穐生ずる。この現象は第２図に
示すＰ型領域１５．１６の電位の不安定性に起因する。
接合領域１５．１６ｉ持った撮像装置は縦形オーバフロ
ー構造の撮像装置と呼ばれ、強い光が入射してもブルー
ミングがほとんど生じないという特徴を有している。す
なわち、同図においてＰ型領域１５．１６とＮ型半導体
基板１４間は電圧源２５によって逆バイアスされている
ため、光電変換領域１７で発生した過剰電荷は、光電変
換領域１７（Ｎ型）とＰ型領域１５およびＮ型半導体基
板１４とで構成される縦形トランジスタのパンチスルー
電流として基板１４へ掃き出され、ブルーミングが完全
に抑制される。ここに光電変換領域１７で蓄えられる最
大電荷ＦｉｔｑＭＡＸは、光電変換領域１７の接合容量
ｋ Ｃｐｎ 、Ｊ ３図の時刻ｔ、において光電変換領
域１７がリセットされる電位ｋＷＴｏ、Ｐ型領域１５の
最小電位ｉＦ、Ｂ、Ｐ−Ｎ接合の電位障壁を’ｈｉとす
ると ＱＭＡＸ−ＣＰＤ （’ＴＧ −’ＰＲ−ｖ／ｌ＋ｉ
） ””””””（１）で表わされる。ここで’ＴＧは
理想的な場合には、前述したようにｖＩ□−ｖＦＢに等
しい。ところがかかる構造の撮像装置を実際に動作させ
ると、撮像面の中心部が暗く、周辺部が明るい、いわゆ
るシェーディング現象が穐生ずる。この現象は第２図に
示すＰ型領域１５．１６の電位の不安定性に起因する。
第４図（ａ）は上記シェーディング現象を説明するため
の図であり、Ｐ型領域１５．１６の等化回路が示されて
いる。通常、Ｐ型領域１５．１６は接地電位で使用され
るが、外部回路との接続は撮像面の外周でとられている
ため、撮像面の中心部はど抵抗値が高い。同図ではこれ
を抵抗３２の直列接ν読で表わしている。また、Ｐ型領
域１５．１６と第２図に示す電荷転送電極２１との間に
は容量３３が存在する。よって、端子３４に第３図に示
す波形３０゜３１を印加したときの各点の電位変化は、
簡単な過渡現象の問題を解くことにより類推できる。第
４図伽）は時刻ｔ、〜ｔ１間における各点の電位変化の
模様を示したものである。まず、時刻ｔ、において、端
子３４に印加されている波形３７は急激に変化する。一
方、撮像面の周辺部の点３５での電位変化は時定数ＣＲ
が小さいため、破線３８で示すごとく、短い期間で定常
状態となる。ところが、撮像面の中心部の点３６での電
位変化は時定数ＣＲが太きいため、一点破線３９で示す
ととく、時刻ｔ２でも定常状態とならない。前述したご
とく、第２図に示す充電変換領域１７は時刻ｔ、の直前
でリセットされる。よって、第（１）式の電位ＦＴ。は
撮像面の中心部の方が周辺部より小さい。すなわち、ｆ
ｆｉ電変溪領域１７に蓄積できる最大電荷量も、第４図
（ｅ）に示すごとく、中心部の方が周辺部よりも小さく
、これがシェーディング現象の原因となり、撮影画像を
著しく劣化させていた。
の図であり、Ｐ型領域１５．１６の等化回路が示されて
いる。通常、Ｐ型領域１５．１６は接地電位で使用され
るが、外部回路との接続は撮像面の外周でとられている
ため、撮像面の中心部はど抵抗値が高い。同図ではこれ
を抵抗３２の直列接ν読で表わしている。また、Ｐ型領
域１５．１６と第２図に示す電荷転送電極２１との間に
は容量３３が存在する。よって、端子３４に第３図に示
す波形３０゜３１を印加したときの各点の電位変化は、
簡単な過渡現象の問題を解くことにより類推できる。第
４図伽）は時刻ｔ、〜ｔ１間における各点の電位変化の
模様を示したものである。まず、時刻ｔ、において、端
子３４に印加されている波形３７は急激に変化する。一
方、撮像面の周辺部の点３５での電位変化は時定数ＣＲ
が小さいため、破線３８で示すごとく、短い期間で定常
状態となる。ところが、撮像面の中心部の点３６での電
位変化は時定数ＣＲが太きいため、一点破線３９で示す
ととく、時刻ｔ２でも定常状態とならない。前述したご
とく、第２図に示す充電変換領域１７は時刻ｔ、の直前
でリセットされる。よって、第（１）式の電位ＦＴ。は
撮像面の中心部の方が周辺部より小さい。すなわち、ｆ
ｆｉ電変溪領域１７に蓄積できる最大電荷量も、第４図
（ｅ）に示すごとく、中心部の方が周辺部よりも小さく
、これがシェーディング現象の原因となり、撮影画像を
著しく劣化させていた。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、シェーディングのない高画質の固体撮像装置を提供す
ることにある。
、シェーディングのない高画質の固体撮像装置を提供す
ることにある。
（発明の構成）
本発明によれば、半導体基板の主面に、前記基板と反対
の導電型を有する接合領域全形成し、該接合領域を選択
酸化法などを用いて活性領域と不活性領域に分離し、前
記活性領域内に光電変換装置や該光電変換装置からの信
号を読み出す装置を形成し、かつ前記不活性領域上に前
記光電変換装置あるいは前記した信号を読み出す装置を
機能させる配線層を形成すると共に前記接合領域と前記
配線層の間にシールド電極を設けたことを特徴とする固
体撮像装置が得られる。
の導電型を有する接合領域全形成し、該接合領域を選択
酸化法などを用いて活性領域と不活性領域に分離し、前
記活性領域内に光電変換装置や該光電変換装置からの信
号を読み出す装置を形成し、かつ前記不活性領域上に前
記光電変換装置あるいは前記した信号を読み出す装置を
機能させる配線層を形成すると共に前記接合領域と前記
配線層の間にシールド電極を設けたことを特徴とする固
体撮像装置が得られる。
（実施例）
本発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問題
点を解決した。すなわち、信号電荷の読み出しパルスが
印加される電荷転送電極と不活性領域との間にシールド
電極を設けることにより、電荷転送電極の対基板間容量
を小さくした。したがって固体撮像装置のシェーディン
グは極めて小さくなる。
点を解決した。すなわち、信号電荷の読み出しパルスが
印加される電荷転送電極と不活性領域との間にシールド
電極を設けることにより、電荷転送電極の対基板間容量
を小さくした。したがって固体撮像装置のシェーディン
グは極めて小さくなる。
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。説明を簡単にするため、本発明をＮチャネルのイ
ンターライン転送方式電荷転送撮像装置に適用した場合
について述べる。
する。説明を簡単にするため、本発明をＮチャネルのイ
ンターライン転送方式電荷転送撮像装置に適用した場合
について述べる。
第５図は本発明の実施例を示すもので、従来例で説明し
た第２図と同様に、第１図に示す撮像装置におけるＡ−
Ｂ線上の断面を模式的に示している。第５図において第
２図と同一機能をもつ領域は同一記号で示しである。こ
の第５図に示す実施例と第２図に示した従来例との相違
は、垂直シフトレジスタの電荷転送電極２１と、チャネ
ルストップ領域２２との間に新たなシールド電極５０を
設けたことにある。第５図には図示していないが、電荷
転送電極２１が配線されている他のすべての不活性領域
上にもシールド電誕５０が設けられている。第５図に示
す撮像装置の製造方法は、まず多結晶シリコン層等を気
相成長法などによシ生成したのち、通常の写真食刻技術
を用いてチャネルストップ領域２２および他の不活性領
域上すべてにシールド′電極５０を形成する。次に熱酸
化工程によりシールド電極５０上に絶縁層２０全形成し
たのち、同様な工程を繰り返して、第２．第３の多結晶
シリコン層等を用いて、電荷転送電極２１を形成する。
た第２図と同様に、第１図に示す撮像装置におけるＡ−
Ｂ線上の断面を模式的に示している。第５図において第
２図と同一機能をもつ領域は同一記号で示しである。こ
の第５図に示す実施例と第２図に示した従来例との相違
は、垂直シフトレジスタの電荷転送電極２１と、チャネ
ルストップ領域２２との間に新たなシールド電極５０を
設けたことにある。第５図には図示していないが、電荷
転送電極２１が配線されている他のすべての不活性領域
上にもシールド電誕５０が設けられている。第５図に示
す撮像装置の製造方法は、まず多結晶シリコン層等を気
相成長法などによシ生成したのち、通常の写真食刻技術
を用いてチャネルストップ領域２２および他の不活性領
域上すべてにシールド′電極５０を形成する。次に熱酸
化工程によりシールド電極５０上に絶縁層２０全形成し
たのち、同様な工程を繰り返して、第２．第３の多結晶
シリコン層等を用いて、電荷転送電極２１を形成する。
かかる構造の撮像装置の駆動において、シールド電極５
０は一定電位、例えば接地電位に保たれている。一方、
電荷転送電極２１には従来例と全く同じ波形３０．３１
が印加される。よって、この撮像装置の基本動作は従来
例と全く同じため、説明は省略するが、電荷転送電極２
１とＰ型領域１５．１６との間の容量、すなわち第４図
（ａ）に示す容量３３は、シールド電極５０の作用によ
り、従来例に比べて格段に小さくなっている。このこと
はＰ型領域１５．１６の′電位変化に対する時定数が小
さいことを意味し、光電変換領域１７に蓄えられる最大
電荷量も、′ｌ１ｔｉ像面の中心部と周辺部でほぼ等し
くなり、シェーディングもほとんど発生しない。
０は一定電位、例えば接地電位に保たれている。一方、
電荷転送電極２１には従来例と全く同じ波形３０．３１
が印加される。よって、この撮像装置の基本動作は従来
例と全く同じため、説明は省略するが、電荷転送電極２
１とＰ型領域１５．１６との間の容量、すなわち第４図
（ａ）に示す容量３３は、シールド電極５０の作用によ
り、従来例に比べて格段に小さくなっている。このこと
はＰ型領域１５．１６の′電位変化に対する時定数が小
さいことを意味し、光電変換領域１７に蓄えられる最大
電荷量も、′ｌ１ｔｉ像面の中心部と周辺部でほぼ等し
くなり、シェーディングもほとんど発生しない。
（発明の効果）
以上述べたｉＴｎす、本発明によれば、外部にシェーデ
ィング補正回路を付加することなく高画質の撮像装置を
得ることができ、カメラ重量の軽減。
ィング補正回路を付加することなく高画質の撮像装置を
得ることができ、カメラ重量の軽減。
低価格金はかることができる。なお、本発明の実施例で
は電荷転送撮像装置についてのみ説明したが、半導体基
板上に基板と反対の導電型を有する接合領域を形成した
全ての固体撮像装置に適用可能である。
は電荷転送撮像装置についてのみ説明したが、半導体基
板上に基板と反対の導電型を有する接合領域を形成した
全ての固体撮像装置に適用可能である。
第１図はインターライン転送方式による電荷転送撮像装
置の概念図、第２図は第１図のＡ−Ｂ線上の断面図、第
３図は垂直シフトレジスタに印加するパルス波形の一例
、第４図（ａ）は接合領域の等化回路、同１融）は接合
領域各点の電位変化を示す図、同ＩＷｅ）はシェーディ
ング波形、第５図は本発明による撮像装置の第１図Ａ−
８線上に対応した断面図である。 図において、 １０・・・光電変換部。 １１ 垂直シフトレジスタ。 １２・・水平シフトレジスタ １３・・・電荷検出部、１４・・・Ｎ型半導体基板。 １５．１６・・・Ｐ型領戟、１７・・・光電変換領域。 １８・・垂直シフトレジスタ領域。 １９・・・ゲート領域、 ２０・・・絶縁層。 ２１・・・電荷転送電極。 ２２・・・チャネルストップ領域。 ３０．３１・・垂直シフトレジスタの駆動パルス波形。 ５０・・・シールド電極 をそれぞれ示す。 ギ ３ 図 ２２ １５ ／４ ／ａ １６ ２２
置の概念図、第２図は第１図のＡ−Ｂ線上の断面図、第
３図は垂直シフトレジスタに印加するパルス波形の一例
、第４図（ａ）は接合領域の等化回路、同１融）は接合
領域各点の電位変化を示す図、同ＩＷｅ）はシェーディ
ング波形、第５図は本発明による撮像装置の第１図Ａ−
８線上に対応した断面図である。 図において、 １０・・・光電変換部。 １１ 垂直シフトレジスタ。 １２・・水平シフトレジスタ １３・・・電荷検出部、１４・・・Ｎ型半導体基板。 １５．１６・・・Ｐ型領戟、１７・・・光電変換領域。 １８・・垂直シフトレジスタ領域。 １９・・・ゲート領域、 ２０・・・絶縁層。 ２１・・・電荷転送電極。 ２２・・・チャネルストップ領域。 ３０．３１・・垂直シフトレジスタの駆動パルス波形。 ５０・・・シールド電極 をそれぞれ示す。 ギ ３ 図 ２２ １５ ／４ ／ａ １６ ２２
Claims (1)
- 半導体基板の主面に、前記基板と反対の導電型を有する
接合領唆全形成し、該接合領域を選択酸化法などを用い
て活性領域と不活性領域に分離し、前記活性領域内に光
電変換装置や該光電変換装置からの信号を読み出す装置
を形成し、かつ前記不活性領域上に前記光電変換装置あ
るいは前記した信号音読み出す装置を機能させる配線層
を形成すると共に前記接合領域と前記配線層の間にシー
ルド電極を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099908A JPS60244064A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099908A JPS60244064A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244064A true JPS60244064A (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=14259875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59099908A Pending JPS60244064A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60244064A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0346905A2 (en) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Nec Corporation | Electronic shutter controlling method for a two-dimensional charge-coupled device |
| JPH02105463A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4946625A (ja) * | 1972-07-10 | 1974-05-04 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59099908A patent/JPS60244064A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4946625A (ja) * | 1972-07-10 | 1974-05-04 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0346905A2 (en) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Nec Corporation | Electronic shutter controlling method for a two-dimensional charge-coupled device |
| JPH02105463A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
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