DE1130535B

DE1130535B - Halbleitervorrichtung fuer elektrische Verstaerker- oder Schaltzwecke

Info

Publication number: DE1130535B
Application number: DEN18876A
Authority: DE
Inventors: Gesinus Diemer
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1959-09-12
Filing date: 1960-09-08
Publication date: 1962-05-30
Also published as: US3043959A; JPS4026014B1; NL243305A; DE1130535C2; CH384085A; NL113647C; GB967438A; FR1267057A

Description

DEUTSCHES

PATENTAMT

N18876Vfflc/21g

ANMELDETAG: 8. SEPTEMBER 1960

BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT: 30. MAI 1962

In der deutschen Patentschrift 820 015 wurde bereits vorgeschlagen, einen elektrischen Verstärker in der Weise aufzubauen, daß ein unter dem Einfluß elektrischer Ströme oder Spannungen leuchtender Kristall, dem die zu verstärkenden Ströme oder Spannungen gegebenenfalls zusammen mit zusätzlichen Hilfsströmen oder -spannungen zugeführt werden, mit einer lichtempfindlichen Anordnung optisch gekoppelt wird, welche den elektrischen Ausgang des Verstärkers bildet. Während in der erwähnten Patentschrift nur das Prinzip einer derartigen Verstärkungsanordnung angegeben wird und auf die Dimensionierung nicht tiefer eingegangen wird, wird gemäß einem späteren Vorschlag für eine derartige Halbleitervorrichtung für Verstärker- oder Schaltzwecke ein aus zwei Teilen aufgebauter Halbleiterkörper verwendet, bei dem im einen Teil des Körpers Strahlung durch Rekombination von Ladungsträgern erzeugt wird, und dieser Teil z. B. aus einer p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle besteht, und bei dem im anderen Teil, der optisch mit ersterem Teil gekoppelt ist und aus einem Halbleiter mit einer verbotenen Energiezone zwischen Leitungsband und Valenzband besteht, die kleiner ist als das der Wellenlänge der in einem Teil erzeugten Strahlung entsprechende Energiequantum, die elektrische Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Intensität der aus dem einen Teil zugeführten Strahlungsintensität gesteuert wird. Mit einer p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle wird hier auf übliche Weise ein Halbleiterkörper mit wenigstens einen p-n-Übergang gemeint, in dem die für die Strahlungsrekombination erforderlichen Ladungsträger durch Injektion von Minderheitsträgern in der Umgebung des p-n-Überganges beim Betrieb dieses Überganges in der Vorwärtsrichtung erhalten werden. Die Wellenlänge der erzeugten Strahlung wird dabei durch den Wert des bei der Rekombination freiwerdenden Energiequantums bestimmt, und diese Rekombination kann entweder durch einen direkten Übergang vom Leitungsband zu Valenzband oder durch einen Übergang über ein zwischen den Energiebändern hegendes Aktivatorniveau stattfinden.

Durch diese Kombination einer Rekombinationsstrahlungsquelle mit einem photoleitenden Teil wird eine Halbleitervorrichtung erhalten mit einem elektrischen Eingang, der durch die Zuführungselektroden der elektrischen Energie für die Strahlungsquelle im ersteren Teil gebildet wird, und mit einem elektrischen Ausgang, der durch die Elektroden auf dem anderen photoleitenden Teil gebildet wird. Es ist schon vorgeschlagen worden, diese zwei Teile zu einem Halbleiterkörper zu vereinigen, bei dem jedoch der zweite Halbleitervorrichtung für elektrische Verstärker- oder Schaltzwecke

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande)

Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt, Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Beanspruchte Priorität: Niederlande vom 12. September 1959 (Nr. 243 305)

Gesinus Diemer, Eindhoven (Niederlande), ist als Erfinder genannt worden

photoleitende Teil eine verbotene Energiezone kleiner als das dieser Zone zugeführte Strahlungsquantum aufweist und demzufolge auch eine verbotene Energiezone kleiner als diejenige des einen Teiles, in dem die Strahlung durch Rekombination erzeugt wird.

Die vorhegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung eines solchen Typs, bestehend aus einer zu einer konstruktiven Einheit zusammengebauten, vorzugsweise zu einem Körper vereinigten Kombination und wenigstens einer den elektrischen Eingang der Vorrichtung bildenden p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle mit wenigstens einem damit optisch gekoppelten und den elektrischen Ausgang der Vorrichtung bildenden photoleitenden Teil.

Die Erfindung schafft jedoch eine neue und besonders geeignete Ausführungsform einer solchen HaIbleitervorrichtung, die durch eine besonders und von der schon vorgeschlagenen Halbleitervorrichtung im wesentlichen verschiedene Wahl vom Halbleitermaterial für den photoleitenden Körper inhärent viel günstigere elektrische Eigenschaften, wie einen höheren Verstärkungsfaktor bei einem günstigeren Energieaufwand, aufweist.

Bei einer Halbleitervorrichtung, bestehend aus einer zu einer konstruktiven Einheit zusammengebauten, vorzugsweise zu einem Körper vereinigten Kombination von wenigstens einer den elektrischen Eingang der Vorrichtung bildenden p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle mit wenigstens einem damit

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optisch gekoppelten und den elektrischen Ausgang einer unmittelbar an den Strahlungserzeugenden Teil der Vorrichtung bildenden photoleitenden Teil, besteht angrenzenden dünnen Schicht des photoleitenden nach der Erfindung der photoleitende Teil aus einem Teiles, welche Schicht häufig für Elektroden schwer Halbleiter, der eine verbotene Energiezone zwischen zugänglich ist und demzufolge für die Photoleitf ähig-Leitungsband und Valenzband aufweist, die ebenso 5 keit in Zusammenhang mit der Stellung der Elekgroß wie oder größer ist als die durch die p-n-Rekombi- troden ungünstig ist. Bei der Vorrichtung nach der nationsstrahlungsquelle erzeugten Strahlungsquanten, Erfindung ist es möglich, die Absorption homogener und der Störzentren aufweist, welche in der ver- zu verteilen oder sogar an der meist gewünschten botenen Energiezone für die betreffenden Strahlungs- Stelle zu lokalisieren, was der Verstärkung und dem quanten Energieniveaus verursachen, die auf die be- ίο Energiewirkungsgrad zugute kommt. Vorzugsweise treffenden Strahlungsquanten der Rekombinations- werden darum bei der Halbleitervorrichtung nach der strahlung ansprechfähig sind. Erfindung die Störzentren im wesentlichen in jenem

Unter solchen Energieniveaus werden hier Energie- Teil des photoleitenden Teiles eingebaut, der mit dem niveaus verstanden, die unter Einfluß der betreffen- normalen bei Abwesenheit von Strahlung auftretenden den Strahlungsquanten, gegebenenfalls unter Mit- 15 Stromweg zwischen den Elektroden zusammenfällt, wirkung der thermischen Energie des Kristallgitters, Die obigen Vorteile treten in besonderem Maße her-

dem Leitungsband freie Elektronen liefern können vor in den Fällen, in denen der Halbleiter des photo- oder Elektronen aus dem Valenzband aufnehmen leitenden Teiles eine verbotene Energiezone aufweist, können, wodurch in dem Valenzband freie Löcher ge- die größer ist als der Energieinhalt des betreffenden bildet werden. Zu diesem Zweck müssen diese wirk- 20 Strahlungsquantums. Eine Verbesserung in dieser Hinsamen Energieniveaus natürlich in einem genügend sieht hinsichtlich der bekannten Halbleitervorrichtung großen Energieabstand von dem betreffenden Energie- wird aber auch schon erzielt, wenn die verbotene band liegen, so daß sie nicht schon allein durch die Energiezone und das Strahlungsquantum gleich groß thermische Energie des Kristallgitters in einem den sind.

Widerstand bei Abwesenheit von Strahlung auf stö- 25 Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung sind im rende Weise erhöhenden Maße frei gemacht werden. Fall der Gleichheit von verbotener Energiezone und Andererseits werden solche wirsamen Energieniveaus Strahlungsquantum vorzugsweise die p-n-Rekombinain einem solchen Energieabstand von dem betreffen- tionsstrahlungsquelle und der photoleitende Teil aus den Band liegen müssen, daß sie durch die betreffen- dem gleichen halbleitenden Material der gleichen verden Strahlungsquanten, gegebenenfalls unter Anwen- 30 botenen Energiezone aufgebaut, und es sind diese dung von thermischer Energie, frei gemacht werden Teile zu einem Halbleiterkörper vereinigt. Diese Auskönnen, d. h., dieser Energieabstand kann im allge- führungsform nach der Erfindung hat nämlich den meinen höchstens gleich dem Wert des betreffenden weiteren Vorteil, daß zwischen den beiden Teilen kein Strahlungsqantums sein oder im Fall von thermischer Unterschied im Brechungsindex besteht, wodurch die Energie, nur ein wenig, nämlich um einen der Energie 35 Strahlung von dem einen Teil in den anderen überentsprechenden Betrag, größer sein. gehen kann ohne irgendeine innere optische Reflexion. Die Dotierung von Halbleitern mit Störzentren In anderen Fällen jedoch, in denen die schon oben durch Einbau von Gitterabweichungen, wie Verun- erwähnten Vorteile von besonderer Wichtigkeit sind, reinigungen, ist eine in der Halbleitertechnik an sich wird ein Halbleiter mit einer verbotenen Energiezone bekannte Maßnahme. Zum Beispiel können wirksame 40 größer als das Strahlungsquantum bevorzugt, um so Energieniveaus durch Einbau von Donatorverunreini- mehr, als es nicht erforderlich ist, die verbotene gungen, die in einem geeigneten Abstand vom Lei- Energiezone viel größer als das Strahlungsquantum tungsband mit Elektronen gefüllte Energieniveaus zu wählen, da ja der spezifische Widerstand eines verursachen, oder durch Einbau von Akzeptorver- innerlichen Halbleiters exponential mit der Größe der unreinigungen, die in dem geeigneten Abstand vom 45 verbotenen Energiezone zunimmt, während der Valenzband liegende unbesetzte Energieniveaus ver- Brechungsindex der verschiedenen Halbleiter dennoch Ursachen, erhalten werden. Bei der Halbleitervorrich- verhältnismäßig wenig verschieden ist. Der Wert der tang nach der Erfindung wird demzufolge, im Gegen- verbotenen Energiezone für Germanium und Silicium satz zur bekannten Halbleitervorrichtung, bei der ein beträgt z. B. etwa 0,72 bzw. 1,12 eV und der spe-Halbleiter mit einer kleineren verbotenen Energie- 50 zifische Widerstand von eigenleitendem oder kompenzone als das Strahlungsquantum verwendet wird, ge- siertem Germanium etwa 60 cm, und von eigenleitenrade eine verbotene Energiezone, die ebenso groß wie dem oder kompensiertem Silicium ist der spezifische oder größer ist als das Strahlungsquantum, verwendet. Widerstand schon höher als 1000 Qcm, während der Durch diese besondere Wahl nach der Erfindung ist Brechungsindex von Germanium und Silicium nur bei der Halbleitervorrichtung nach der Erfindung der 55 wenig voneinander verschieden ist, und zwar 4,0 bzw. günstige Umstand gegeben, daß ein Halbleiter mit 3,45 beträgt.

einem höheren spezifischen Widerstand verwendet Die Erfindung wird nachstehend an Hand einer

wird, wodurch im photoleitenden Teil eine höhere Figur und einiger Ausführungsbeispiele näher erelektrische Feldstärke gestattet werden kann, die einen läutert.

höheren Verstärkungsfaktor des photoleitenden Teils 60 In der Figur ist eine Ausführungsform einer Haibund folglich der ganzen Vorrichtung ermöglicht. leitervorrichtung nach der Erfindung schematisch im Weiter hat die Vorrichtung nach der Erfindung den Längsschnitt gezeigt. Die p-n-Rekombinationsstrah-Vorteil, daß die Absorption der Strahlungsquanten lungsquelle 1 wird gebildet durch die p-Typ-Elekim photoleitenden Teil dieser Vorrichtung durch eine trode 3, welche aus einem Metallkontakt 3 α und einer geeignete Wahl der Einbaustelle der hier wirksamen 65 zugehörigen Halbleiterzone 3 b vom p-Typ besteht, Energieniveaus auf zweckmäßige Weise verteilt wer- durch die n-Typ-Elektrode 4, die aus einem Metallden kann. Bei der schon vorgeschlagenen Halbleiter- kontakt 4 σ und einer zugehörigen Halbleiterzone vorrichtung erfolgt die Absorption vorwiegend in Ab vom η-Typ und aus dem dazwischenliegenden

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hochohmigen, im wesentlichen eigenleitenden oder sehen den Elektroden 5 und 6 ist im photoleitenden kompensierten Halbleiterkörper besteht. Auch im Teil 2 Zink in einer atomaren Konzentration von photoleitenden Teil 2 sind einander gegenüber zwei etwa 10~⁵ eingebaut. Die Verunreinigung Zink verurohmsche Elektroden angeordnet und mit 5 bzw. 6 be- sacht zwei Akzeptorniveaus in der verbotenen Enerzeichnet. Der photoleitende Teil 2 besteht auch aus 5 giezone von Silicium, von denen das eine Energieeinem hochohmigen, im wesentlichen eigenleitenden niveau dem einfachen negativen Ladungszustand des oder kompensierten Halbleitermaterial. Die beiden Akzeptors entspricht und auf 0,31 eV über dem Glieder können im Fall von verschiedenen Halbleitern Valenzband liegt und das andere Energieniveau dem zu einem Körper kombiniert werden mittels an sich be- zweifachen negativen Ladungszustand des Akzeptors kannter Techniken, wie Zusammenschmelzen, Auf- io entspricht und auf 0,55 eV über dem Valenzband dampfen in aufeinanderfolgenden Schichten und liegt. Für die gegebenen Strahlungsquanten von 0,72 eV Übergang über Mischkristallbildung. können diese Zinkakzeptorniveaus als für die Photoin Teil 1 wird an Elektrode 3 gegenüber Elektrode 4 leitfähigkeit wirksame Zentren wirken, weil die beeine positive Spannung angelegt, wodurch in dem treffenden Quanten Elektronen aus dem Valenzband zwischen diesen Elektroden liegenden halbleitenden 15 zu diesem Niveau übertragen können und dadurch Teil aus der p-Typ-Elektrode 3 Löcher und aus der Löcherleitfähigkeit in dem Valenzband ermöglichen. n-Typ-Elektrode 4 injiziert werden. Diese injizierten Abhängig von der Intensität werden diese Niveaus Minderheitsladungsträger rekombinieren im zwischen- dabei erst einfach negativ und dann doppelt negativ liegenden Halbleiterteil, wobei, abhängig von dem geladen werden können.

Rekombinationsverfahren, Strahlung einer bestimm- 20 Obwohl die obenerwähnten Aktivierungsmöglichten Wellenlänge erzeugt wird. Wenn diese Rekombi- keiten des photoleitenden Teiles für den verfolgten nation durch unmittelbaren Übergang zwischen Zweck geeignet sind, haben sie trotzdem den NachLeitungsband und Valenzband erfolgt, so wird der teil, daß sie noch nicht völlig den maximal zu er-Wert der erzeugten Strahlungsquanten im wesent- zielenden Wert des spezifischen Widerstandes von liehen gleich dem Wert der verbotenen Energiezone 25 Silicium benutzen, weil die wirksamen Energieniveaus dieses halbleitenden Teiles sein. In vielen Fällen hier noch nicht so weit wie möglich vom betreffenden jedoch werden Strahlungszentren in diesen halbleiten- Energieband liegen. Vorzugsweise wird man die wirkden Teil eingebaut, die die Rekombination über ein in samen Energieniveaus derart wählen, daß das Fermider verbotenen Energiezone ligendes Zwischenenergie- niveau etwa in der Mitte der verbotenen Energiezone niveau erfolgen lassen, wodurch die Energie innerhalb 30 liegt. Durch Hinzufügung eines nahe am Leitungsband des Strahlungsquantums kleiner sein wird als die ver- liegenden Donatorniveaus kann man den Ladungsbotene Energiezone, und zwar gleich dem Wert des zustand des Zinkniveaus derart regeln, daß sich der Rekombinationsübergangs. spezifische Widerstand von dem Silicium im wesent-Der photoleitende Teil 2 besteht aus einem Halb- liehen den maximalen eigenleitenden Werten des speleiter, der eine verbotene Energiezone zwischen Lei- 35 zifischen Widerstandes annähert, nämlich durch Hintungs- und Valenzband aufweist, die ebenso groß wie zufügung von so viel dieser Donatorniveaus, daß das oder größer ist als der Energieinhalt des im Teil 1 er- Ferminiveau bei der Betriebstemperatur im wesentzeugten Strahlungsquantums. Im photoleitenden Teil 2 liehen in der Mitte des Bandes liegt. Im vorliegenden sind, besonders in dem Stromweg zwischen den zwei Fall einer atomaren Konzentration von etwa 10~⁵ Zn Elektroden 5 und 6, Störzentren eingebaut, die Ener- 40 bedeutet dies, daß durch Hinzufügung von Donatoren gieniveaus erzeugen, welche auf die betreffenden die Zinkakzeptorniveaus zu einem großen Teil bis den Strahlungsquanten ansprechen, und durch welche doppelt negativen Ladungszustand mit Elektroden beunter Einfluß dieser Strahlungsquanten eine von der setzt werden müssen, d. h., daß also wegen der zwei Strahlungsintensität abhängige Anzahl von Akzeptorniveaus, welche Zink enthalten, fast zweimal Ladungsträgem in einem der Energiebänder frei ge- 45 soviel Donatoratome als Zinkatome hinzugefügt wermacht wird und auf diese Weise die elektrische Leit- den müssen, um das Ferminiveau bei Betriebstempefähigkeit zwischen den Elektroden 5 und 6 als Funk- ratur etwa in der Mitte der verbotenen Energiezone zu tion der Strahlungsintensität beeinflußt werden kann. legen. So wird man z. B. eine atomare Konzentration Die Strahlungsintensität ist mit der der p-n-Rekom- von etwa 1,9 · 10~⁵ an Phosphoratomen hinzufügen binationsstrahlungsquelle zugeführten elektrischen 5° können. In diesem Zustand können durch die gege-Energie regelbar. benen Strahlungsquanten Elektronen aus den doppelt Zur Erläuterung seien noch einige Beispiele aus- negativ geladenen Zinkniveaus zu dem Leitungsband führlich beschrieben. gebracht werden, und diese Elektronen können dort

Der Halbleiterteil 1 der p-n-Strahlungsquelle kann zu freier Elektronenleitung veranlassen, z. B. aus im wesentlichen eigenleitendem Germani- 55 Ein Halbleiter, der mit einer Verunreinigung eines mit einem spezifischen Widerstand von etwa 50 bis bestimmten Typs aktiviert ist und dem eine zweite 60 Ωαη bestehen, wobei die Elektrode 3 durch eine Verunreinigung, ein sogenannter Koaktivator, hinzuaufgeschmolzene Indiumelektrode, der noch einige gefügt wird, um den Halbleiter im wesentlichen mög-Prozente Gallium hinzugefügt sind, gebildet wird; die liehst hochohmig zu machen, wird üblicherweise ein Elektrode 4 wird durch eine aufgeschmolzene Blei- 60 kompensierter Halbleiter genannt. Im vorliegenden Antimon- oder Blei-Arsen-Elektrode gebildet. Im Fall, in dem der Halbleiter ein aktivierter Photoleiter Halbleiterteil 1 können dann beim Betrieb des p-n- ist, wird durch einen solchen Ausgleichsvorgang ein Überganges in der Vorwärtsrichtung Strahlungsquan- kompensierter aktivierter Photoleiter erhalten, ten mit einem Energieinhalt von etwa 0,72 eV erzeugt Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung wird werden. 65 im photoleitenden Teil vorzugsweise ein im wesent-Der photoleitende Teil 2 kann dann z. B. aus SiIi- liehen kompensierter aktivierter Photoleiter verwencium bestehen, das eine verbotene Energiezone von det. Es wird übrigens wohl ohne weiteres deutlich etwa 1,12 eV aufweist. Im normalen Stromweg zwi- sein, daß es außer dem vorliegenden Fall, in dem ein

tiefliegendes Akzeptorniveau durch eine nahe an dem Leitungsband liegendes Donatorniveau in den geeigneten Ladungszustand gebracht und kompensiert wird, auch möglich ist, einen kompensierten aktivierten Photoleiter zu verwenden, in dem ein tiefliegendes Donatorniveau durch ein nahe am Valenzband Hegendes Akzeptorniveau in den geeigneten Ladungszustand gebracht und kompensiert wird.

Im obigen Beispiel wird im photoleitenden Teil ein Halbleiter mit einer verbotenen Energiezone verwendet, welche größer war als das Strahlungsquantum.

Abschließend wird noch ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung gegeben, bei der für die p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle und den photoleitenden Teil der gleiche Halbleiter mit der gleichen verbotenen Energiezone verwendet wird. Zu diesem Zweck kann z. B. der ganze Halbleiterkörper aus hoehohmigen Silicium bestehen, wobei die eine Hälfte des Körpers als photoleitender Teil verwendet wird und auf gleiche Weise aktiviert sein kann wie im vorigen Beispiel erwähnt, während in der anderen Hälfte des Körpers die p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle angeordnet ist, deren p-Typ-Elektrode, z. B. durch Aufschmelzen von Aluminium, und die n-Typ-Elektrode, z. B. durch Aufschmelzen einer Gold-Antimon-Legierung, erhalten werden kann.

Es wird noch bemerkt, daß die Erfindung selbstverständlich nicht auf die hier beispielsweise erwähnten Ausführungsformen beschränkt ist. Es können z. B. auch andere Halbleiter verwendet werden, und die Anordnung der Elektroden auf dem Körper kann auch abgeändert werden. Weiter ist es möglich, z. B. mehr als eine p-n-Strahlungsquelle mit einem Photoleiter zu einer konstruktiven Einheit zu kombinieren oder eine p-n-Strahlungsquelle mit mehr als einem photoleitenden Teil oder mehr als eine p-n-Strahlungsquelle mit mehr als einem photoleitenden Teil. Da der Verstärkungsfaktor einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung beträchtlich größer als 1 sein kann, kann damit durch Verwendung von elektrischer Rückkopplung eine regenerative Wirkung erhalten werden, durch welche es möglich ist, bistabile Elemente, Oszillatoren und Multivibratoren zu erhalten.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: 1. Halbleitervorrichtung für elektrische Verstärker- oder Schaltzwecke, bestehend aus einer zu einer konstruktiven Einheit zusammengebauten, vorzugsweise zu einem Körper vereinigten Kom-

45 bination von wenigstens einer den elektrischen Eingang der Vorrichtung bildenden p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle mit wenigstens einem mit der Quelle optisch gekoppelten und den elektrischen Ausgang der Vorrichtung bildenden photoleitenden Teil, dadurch gekennzeichnet, daß der photoleitende Teil aus einem Halbleiter besteht, der eine verbotene Energiezone zwischen Leitungsband und Valenzband aufweist, deren Energiebetrag ebenso groß wie oder größer ist als die Energie der durch die p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle erzeugten Strahlungsquanten, und der Störzentren aufweist, welche in der verbotenen Energiezone Energieniveaus entstehen lassen, die auf die betreffenden Strahlungsquanten der Rekombinationsstrahlung ansprechfähig sind.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der photoleitende Teil aus einem Halbleiter besteht, der eine verbotene Zone aufweist, deren Energiebetrag gleich der Energie des Strahlungsquantums der Rekombinationsstrahlung ist, und daß die p-n-Rekombinationsstrahlungsquelle und der photoleitende Teil aus dem gleichen Halbleitermaterial mit dem gleichen Wert der verbotenen Energiezone aufgebaut und zu einem gemeinsamen Halbleiterkörper vereinigt sind,
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der photoleitende Teil aus einem Halbleiter besteht mit einer verbotenen Zone, deren Energiebetrag größer ist als die Energie des Strahlungsquantums der Rekombinationsstrahlung.
4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Störzentren im wesentlichen in jenem Teil des photoleitenden Teiles eingebaut sind, der mit dem bei Abwesenheit von Strahlung auftretenden normalen Stromweg zwischen den Elektroden zusammenfällt.
5. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß im photoleitenden Teil ein hochohmiger, im wesentlichen kompensierter oder eigenleitender Photoleiter verwendet wird.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 820 015;
deutsche Auslegeschrift Nr. 1 054179.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

© 209 607/298 5.