DE2241083A1

DE2241083A1 - Hochleistungs-speicherdiode

Info

Publication number: DE2241083A1
Application number: DE2241083A
Authority: DE
Inventors: Kirby Dillon Dorwachter; Donald Frank Stahr
Original assignee: FMC Corp
Current assignee: FMC Corp
Priority date: 1971-11-05
Filing date: 1972-08-21
Publication date: 1973-05-17
Also published as: GB1374682A; DE2241083B2; US3710203A; FR2158188B1; FR2158188A1

Description

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PMO CORPORATION, 1105 Coleman Avenue, San Jos6, California/uSA

Hochleistungs-Speieherdiode

Die Erfindung betrifft Silicongleichrichter und Verfahren zu ihrer Herstellung, insbesondere eine Hoehleistungs-Silicondiode des p-s-n-Typs mit relativ großer Rüekstrom-Speicherphase, der eine schnelle Rückkehr zur Rückstromsperrung folgt.

Die Sehaltvorgänge in Silicondioden vom Durchlaßstrom-Zustand zum Rückstrom-Zustand sind viele Jahre lang untersucht worden. In vielen Fällen ist es wünschenswert, den Rückstrom auf ein Minimum zu reduzieren, der durch die Anwesenheit von Minoritätsträgern in dem Raumladungsbereich der Vorrichtung hervorgerufen wird, die eine endliehe Zeit zum Austritt aus dieser erfordern. In bestimmten Fällen hat es sich jedoch als vorteilhaft erwiesen, die Rückkehrzeit der Diode auf eine endliche, genau gesteuerte Zeit festzulegen. Am Ende dieser Zeit (der Speicherphase) sollte die Diode nahezu augenblicklich in den Sperrzustand zurückkehren (Schnellrückkehrphase)_o Beispielsweise sind Dioden

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niedriger Leistung mit stufenweiser Rückkehr oder Erholung jahrelang auf dem Harkt gewesen und in weitem Umfange im Mikrowellenbereich für die Erzeugung von Harmonischen hoher Ordnung verwendet worden. Die Theorie des Aufbaus dieser Ladungsspeicherdioden mit niedrigem Injektionsniveau ist allgemein bekannt. Die Länge der Speicherphase ist direkt proportional zur Minoritätsträger-Lebensdauer (Zeit bis zur Verminderung der Minoritätsträger auf den — -ten Teil) und dem Betrag der gespeicherten Ladung, bestimmt nach dem Betrag und der Zeit des Durchgangsstromes. Die Minoritäteträger-Lebensdauer hängt ihrerseits wiederum von der Diodenfläche, dem Störstellenprofil, der Temperatur, dem Injektionsniveau und der Rekombinations-Trapdichte ab. Die Dauer der Schnellerholungsphase hängt in erster Linie von dem Störstellenprofil, dem Betrag der gespeicherten Ladung und den Parametern der äußeren Schaltung ab. Ein steiler Störstellengradient an der pn-Übergangsstelle führt zu einer kurzen Erholungsphase· Lange Erholungsphasen ergeben sich aus einem großen Betrag der gespeicherten Leistung·

Bei Hochleistungsvorrichtungen oder Ladungsspeichervorrichtungen mit hohem Injektionsniveau hat es sich jedoch gezeigt, daß eine unterschiedliche Gruppe von Faktoren berücksichtigt werden muß. Die Theorien, die im Zusammenhang mit den Umkehr-Erholungsvorgängen von Hochleistungs-Silicongleichrichtern stehen, sind ausführlich von Hansjochen Benda und Eberhard Spenke in "Proceedings of the IEEE",Band 55, Nr.8, August 1967 erörtert worden. Dort wird theoretisch angenommen, daß das Kippen der Minoritäteträger während des Umkehr-Erholungsvorgangeβ in der Diode gleichmäßig von zwei Seiten der Basisschicht erfolgt, da die Konzentrationsverteilung der Träger etwa gleichförmig ist, wenn sich die Diode in dem leitenden Durchgangszustand befindet.Wegen der ungleichmäßigen Elektronen- und Löcherbeweglichkeit ist die Störstellenverteilung auf der Seite des p-Kontaktes wesentlich wichtiger als diejenige auf der n-Kontaktseite· Wenn daher keine pn-Verbindung auf dieser wichtigeren Seite der Diode vorgesehen ist, kann die gespeicherte Ladung ohne einen großen Spannungsaufbau abgekippt werden. Es ist daher überlegt worden, daß ein Gleichrichter mit einem leicht gedopten Basisbereich aus p-Material

gegenüber Dioden vorzuziehen ist, die einen Basisbereich aus η-Material haben, da in diesem FaIIe die pn-Verbindung auf der p-Kontaktseite der Vorrichtung liegt· Das Problem gegenüber den bisherigen Überlegungen lag nunmehr darin, die Basisbreite der Diode und der Fläche zu variieren, um direkt die Länge der Speicherzeit und die anderen nützlichen Eigenschaften der Diode zu beeinflussen.

Durch die Erfindung wird eine Hochleiftungs-Speieherdiode geschaffen, die große Ströme von über 200 A in Durchgangsrichtung aufnehmen kann und große Rückströme von 50 bis 100 A für Speicherzeiten von 3 bis 6 Mikrosekunden je nach der Fläche der Vorrichtung aufweist. Die Hochleistungs-Speicherdioden zeichnen sich ferner aus durch eine stufenweise oder schlagartige Erholung, das heißt eine Erholungszeit von dem Zustand des maximalen Rückstroms in den Sperrzustand von weniger als 1/10 Mikrosekunde. Derartige Dioden weisen gleichförmige Rückstrombedingungen auf, wobei der Unterschied zwischen dem maximalen Rückstrom und dem Strom unmittelbar vor der schlagartigen Erholung ("droop") nicht mehr als 10 oder 20% des maximalen Rückstroms ausmacht. Derartige Hochleistungs-Speicherdioden haben sich als besonders nützlich für Impulsmodulatoren mit hoher Spitzenleistungs-Aufnahmefähigkeit erwiesen«

Es hat sich gezeigt, daß die herkömmlichen Theorien über die Rückstrombedingungen in Hochleistungs-Speicherdioden die Effekte der Variierung der Konzentrationsniveaus der Bor- und Phosphor-Dop-Verunreinigungen in den n- und p-Endschichten der Diode nicht ausreichend berücksichtigten. Es zeigte sich, daß bei starkem Dopen dieser Schichten die nützlichen Eigenschaften der Hochleistungs-Speicherdiode in hohem Maße verstärkt werden. Beispielsweise ergab sich, daß eine durchschnittliche Boratomkonzentration in der stark gedopten p-Schicht zumindest 2 x 10 Atome/cm betragen sollte, und daß dieses Konzentra-, tionsniveau einen direkten Einfluß auf die Umkehr-Erholungszeit aufweist. In der η-Schicht der Diode sollte die Phosphorkonzentration zwischen etwa 2 χ 10 und 5 x 10 Atome/cm- liegen· Dieser Bereich ist sowohl für die Maximierung der Speicherzeit

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als auch die Minimierung des Überganges in der Speicherphase besonders vorteilhaft.

Weiterhin ergab sich, daß die Diffusion von Nickel in den Raumladungsbereich der Diode zu den nützlichen Eigenschaften der Speichereinrichtung beitragen kann, indem sie die Minoritätsträger-Lebens dauer erhöht und damit die Speicherzeit vergrößert, ohne die anderen vorteilhaften elektrischen Eigenschaften der Vorrichtung in merkbarer Weise zu verschlechtern·

Die erfindungsgemäße Diode umfaßt einen Silioonkörper mit einem leicht gedopten Basisbereich aus P-MateriaL, der zwischen einer ersten Endschicht aus N-Material auf der einen Seite des Basisbereiches und einer zweiten Endschicht aus P-Material mit wesentlich höherer Dop-Konzentration als der des Basisbereiches auf der anderen Seite eingeschlossen ist, wobei der Basisbereich eine Dicke von wenigstens etwa 100 p aufweist, die erste Endechicht durch Diffundieren von Phosphor in das Silioonmaterial bis zu einer Durchschnittskonzentration des Phosphors in diesem Bereich zwischen etwa 2 χ 10 und 5 ι 10 Atome/cm und die zweite Endschicht durch Diffundieren von Bor in das Siliconmaterial bis zu einer Durchschnittskonzentration des Bor in

diesem Bereich von mehr als etwa 2x10 Atome/cm gebildet

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Aueführungsbeispielen anhand der beigefügten Zeichnung.

Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine herkömmliche n-p-p+ Diode, auf die das erfindungsgemäße Verfahren angewendet wird;

Fig. 2 ist ein schematisohes Diagramm des Stromes während des Umkehr-Erholungsvorganges der erfindungsgemäßen Hochleistungs-Speicherdiode·

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Bei der Gestaltung der Hochleistungs-Speicherdiode der vorliegenden Erfindung wurden verschiedene Parameter des Diodenaufbaus mit diffundierter Basis gegen das Gestaltungsziel der Herstellung einer Hochleistungs-Einrichtung abgewogen, die einen hohen Durchgangsstrom von 5 "bis 250 A "bei Umkehr spannungswert en von 25 bis 1500 V aufnehmen kann. Der Ausdruck »Speicherdiode" wird hier zur Bezeichnung einer Gruppe von Dioden verwendet, die nach dem Umschalten von einem Durchgangsstromzustand in einen Rückstromzustand eine endliche, gesteuerte Speicherphase aufweisen, der ein sehr plötzlicher Übergang vom Rückstromzustand zur Unterbrechung folgt· Während dieses Umkehr-Erholungsvorganges kann das Verhalten des Stromes gegenüber der Zeit bei diesen Dioden sehr nahe an eine Stufenfunktion herangebracht werden. Es ist von Bedeutung, daß der Rückstrom im wesentlichen gleichförmig während der Speicherphase bleibt, und daß der Übergang zur Unterbrechung oder Rückstromsperrung der Diode während eines sehr kurzen Zeitraumes erfolgen kann. Ferner kann die Speicherphase so lang wie möglich sein, ohne den Durchgangsstromabfall unangemessen zu vergrößern.

Es ist bekannt, daß eine Silieondiode des p-s -n (oder N-P-P+) Typs sehr geeignet zur Herstellung einer guten Hochleistungs-Speicherdiode ist. Eine derartige Diode umfaßt, wie Fig. 1 zeigt, einen Siliconkörper 10, der einen inneren, sehr leicht gedopten Grundbereich 12 mit P-Leitfähigkeit, einen stärker gedopten Endbereich 16 mit P-Leitfähigkeit und einen gegenüberliegenden Endbereich 14 mit N-Leitfähigkeit aufweist. In herkömmlicher Weise werden derartige Dioden aus einem Siliconkörper aus P-leitendem Material mit einer Dotierung von etwa 1 χ 10 Atome/cm hergestellt. Dieser Körper wird sodann einem doppelten Diffusionsvorgang unterworfen, wobei Phosphor zunächst in eine Endfläche bis zu einer gesteuerten Tiefe zur Bildung der N-Schicht 14 und Bor anschließend in die gegenüberliegende Endfläche bis zu einer gesteuerten Tiefe zur Bildung der P+-Schicht 16 eindiffundiert wird«, Der Grundbereich 12 umfaßt sodann eine Mittelschicht, die sich zwischen den äußeren, stark gedopten Schichten der Diode erstreckt.

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Es hat sich gezeigt, daß der Kristallwiderstand des Siliconaus-* gangsmateriales zwar im wesentlichen ohne Bedeutung in Bezug auf die Umkehrspeicherzeit und die Erholungszeit ist, jedoch einen Einfluß fUr die Festlegung der Lawinendurchschlagsspannung oder maximalen Rückspannung ausübt, die die Diode verarbeiten kann. Wenn eine Rückspannung von 1000 V oder mehr erforderlich ist, sollte der Ausgangs-Kristallwiderstand 100X1 cm oder mehr betragen. Weiter ist festgestellt worden, daß die kristalline Durchbildung kein kritischer Parameter bei der Bestimmung der Speicherdiodeneigenschaften ist und folglich jede von zahlreichen, allgemein verfügbaren Arten von Siliconmaterial verwendet werden kann.

Ein wesentlicher Paktor bei der Gestaltung von Hochleistungs-Speicherdioden der vorliegenden Erfindung ist die Basisbreite, die festgelegt wird, indem die Tiefe der Bor- und Phosphor-Diffusionen sorgfältig gesteuert wird. Wie es bereits zuvor bekannt war, erhöht sich die Umkehr-Speicherzeit, wenn die Basisbreite zunimmt. Dieses Merkmal ist in Mg. 2 angegeben, die den Verlauf des Stromes in der Hochleistungs-Speicherdiode während des Umsehaltens von dem Durchgangs— zu dem Rückstromzustand zeigt. Die Zeichnung gibt an, daß die Speicherphase von dem Zeitpunkt, an dem der Strom zu Null reduziert wird, bis zu dem Zeitpunkt, zu dem der Rückstrom seinen abrupten Rückgang auf Null beginnt, bestimmt wird. Wenn die Basisbreite der Diode zunimmt, nimmt jedoch auch, wie sich gezeigt hat, der "Durchhang" (droop) des Rückstromes zu. Dieser Durchhang ist in Fig. 2 durch die gestrichelte Linie wiedergegeben, die einen typischen Verlauf des Rückstromes in einer Speicherdiode zeigt, während die flache, durchgezogene Linie den idealen Rückstrom wiedergibt. Der Durchhang wird gemessen als Prozentsatz des maximalen Rückstromes, und im allgemeinen wird gefordert, daß dieser so niedrig wie möglich bleibt, so daß die Steuerung der Speicherzeit (die durch eine äußere Schaltung erfolgen kann) eine nahezu lineare Beziehung zu der durch die Rückstromimpulse gelieferten Leistung ergibt· Bekanntlich führt die Vergrößerung der Basisbreite ebenfalls zu einer Vergrößerung des Durchgangsstromabfalles. Es hat sich gezeigt, daß bei Basisbreiten unter etwa 60/u alle elektri-

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sehen Eigenschaften der Hoehleistungs-Speicherdiode vollständig verloren gehen. Folglich ist davon auszugehen, daß eine Basisbreite von wenigstens 100/u. für jede Hochleistungs-Speicherdiodeneinrichtung notwendig ist.

Ein besonders wichtiger faktor "bei jeder Hochleistungs-Speicherdiode und überhaupt bei jeder Art von Hochleistungsdioden ist der Querschnittsbereich der Vorrichtung. Wenn der Querschnittsbereich der Vorrichtung zunimmt, erhöht sich die Speicherzeit, während der Durchgangsstromabfall und das "Durchhängen" der Speicherphase abnimmt. Es ist daher offensichtlich, daß ein maximaler Flächenbereich angestrebt werden sollte, so daß diese drei Parameterverbesserungen ausgenutzt werden können.

Wie zuvor betont wurde, besteht der erste Schritt der Bearbeitung eines Siliconkörpers zur Verwendung als Hochleistungs-Speicherdiode darin, Atome aus Phosphor in eine Endfläche des Körpers einzudiffundiereni, Dies kann durchgeführt werden, indem der Siliconkörper 10 bei etwa 1250⁰O in einen Ofen gebracht wird, während POOl, über den Körper hinweggeleitet wird und so eine Schicht aus stark gedoptem N-Material auf dam Körper bildet. Durch Veränderung der Diffusionszeit und der Temperatur können das Konzentrationsniveau und die Tiefe der Diffusion variiert werden. Überraschenderweise hat sich durch Festlegung aller anderen Parameter der Hochleistungs-Speicherdiode und durch ausschließliche Variierung der Konzentration des Phosphors in der N-Sehieht gezeigt, daß die Phosphorkonzentration einen beträchtlichen Einfluß auf die Umkehr-Speicherungs-Eigenschaften der Diode hat. Diese Konzentration ist die Durchschnittskonzentration der Atome in der eindiffundierten Schicht und kann durch Messen des Schichtwiderstandes an der Oberfläche der Schicht und durch Messen der Tiefe der Schicht ermittelt werden. Durch Verwendung herkömmlicher und üblicher Gauss"scher Verteilungskurven der Dop-Anschlüsse kann die Durchschnittskonzenträtion der Atome ausgewertet werden«.

Weiterhin ergab sich, daß bei Verringerung der Phosphorkonzentration die Umkehr-Speicherzeit zunimmt, jedoch der "Durchhang"

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der Speicherphase vergrößert wird. Ee zeigte sich, daß eine

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Phosphorkonzentration im Bereich von etwa 2 χ 10 bis etwa 5x10 Atome/cm erforderlich zur Erzielung einer angemessen langen Speicherphase ohne unangemessenen Durchhang let. Eine Konzentration von 3,5 x 10 Atomen/cnr ist der günstigste Wert.

Nach der Phosphordiffusion wird der Siliconkörper an einer Seite zur Entfernung der N-Schient abgeschliffen. Biese Seite wird sodann mit Borontrioxyd (B₂O,) bestrichen, während der Rest dee Körpers abgedeckt wird, und ein zweiter Diffusionsvorgang wird in einer Stickstoffatmosphäre in einem Ofen bei etwa 1300°0 durchgeführt. Durch Variierung der Diffusionszeit und der Temperaturen können die Konzentration des Bor und die Diffusionstiefe gesteuert werden, und das Durchschnitte-Konzentrationsniveau wird auf dieselbe Art gemessen, wie es bei der Phosphordiffusion der Pail ist.

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Es ergab sich, daß die Borkonzentration ebenfalls ein wichtiger Paktor bei der Bestimmung der Rüokstromeigenschaften ist« Die Borkonzentration scheint der Hauptfaktor bei der Bestimmung der Rückspannungs-Aufbauzeit in der Diode (siehe Pig. 2) zu sein, und alle Konzentrationen von weniger als 2x10 Atomen/cm führen zu finer Umkehr-Erholungezeit von mehr als 1/10 MikroSekunde· Bei Borkonzentrationen von oberhalb 2 χ 10 Atomen/cnr betrug die Umkehr-Erholungszeit 1/10 einer Hikrosekunde oder weniger« Diese Konzentration dürfte ein allgemein kritischer Wert sein, und es ist anzunehmen, daß wenigstens etwa diese Borkonzentration oder eine stärkere Konzentration bei Hochleiatungs-Speicherdioden guter Qualität vorgesehen sein sollten.

Sodann sollte ein weiterer Faktor in Bezug auf die Borkonzentration beachtet werden. Hit zunehmenden Konzentrationen scheint sich der "Schwingungs"-Effekt zu erhöhen, der dem Rückspannungs-Aufbau folgt (siehe Fig. 2). Wenn diese gedämpften Schwingungen aufrund der Art der Schaltung, in die die Speicherdiode eingesetzt ist, unzulässig sind, sollte das untere Niveau der Borkonzentra-

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tion so nahe wie möglich bei 2 χ 10 Atoraen/cnr liegen.

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Eine weitere Peststellung in Verbindung mit der Gestaltung der Hochleistungs-Speicherdiode der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die Diffusion von Nickel in die Basis der Diode zum Zwecke der Verbesserung der Minoritätsträger-Lebensdauer bewirkte, die Umkehr-Speicherzeit zunimmt, ohne andere wertvolle elektrische Eigenschaften der Vorrichtung zu beeinträchtigen«, Bei der Durchführung der Nickeldiffusion wird der Nickelstrom auf eine Endfläche der Diode aufgebracht, nachdem die Phosphor- und Bordiffusion erfolgt ist. Die beschichtete Diode wird sodann in einem Ofen bei einer Temperatur von etwa 11OO C über Zeiträume erhitzt, die zwischen 4 und 14 Minuten lagen₀ Durch Vergleich der Ergebnisse, die bei nickeldiffundierten Dioden erzielt wurden, mit denjenigen, die sich bei Dioden identischer Eigenschaften ergaben, die kein Nickel in dem Raumladungsbereich aufwiesen, zeigte sich, daß ein leichter Anstieg der Umkehr-Speicherzeit auftrat, während die Umkehr-Erholungszeit und der "Durchhang" etwa unverändert blieben.

Als ein Beispiel der Hochleistungs-Speicherdiode, die entsprechend den Lehren der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, wurde eine Reihe von Dioden gebildet, die einen Querschnittsbe-

reich von 0,936 cm (0,146 square inches) aufwiesen und bei denen ein leicht gedoptes P-Silicon-Kristallmaterial von etwa 100il cm Widerstand verwendet wurde. Eine Phosphordiffusion bis

20 3 zu einer Durchschnittskonzentration von 3,5 x 10 Atome/cm wurde auf der N-Endfläche der Diode durchgeführt, und Bor wurde bis zu einer Durchschnittskonzentration von 4,2 χ 10 Atome/cm auf der P+-Endflache der Diode eindiffundiert₀ Die Basisbreite der fertigen Vorrichtung wurde auf etwa 11Ou festgelegte Unter Verwendung des Standardtests betrug der DurchgangsSpannungsabfall bei 200 A Durchgangsstrom (Sinusimpulse) 0,97 V, während die Rückspannung im Durchschnitt mit 1300 V bestimmt wurde_o Die Durchschnitts-Umkehr-Speicherzeit betrug 3,5 Mikrosekunden bei einem maximalen Rückstrom von etwa 50 A, eine Erholungszeit von weniger als 1/10 Mikrosekunden und einem Durchhang von etwa 12$. Wenn der Querschnitt auf etwa 12,6 cm (0,196 square inches) vergrößert wurde, während die übrigen Eigenschaften konstant blieben, fiel die Durchgangsspannung auf 0,93 V bei 200 A Durch-

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gangsatrom ab, während die Speicherzeit sich auf 4_f5 Mikrosekunden (bei 50 A Rückstrom) erhöhte und die Erholungezeit weniger als 1/10 Mikrosekunden und der "Durchhang" etwa 856 betrugen·

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Claims

Patentansprüche

Hochleistungs-Speicherdiode mit im wesentlichen konstanter Rucks tr omphase, der eine kurze Rückspannungs-Aufbauzeit nach dem Umschalten von dem Vorwartsstrom-Zustand auf den Rückstrom-Zustand erfolgt, gekennzeichnet durch einen Siliconkörper (10) mit einem leicht gedopten Basisbereich (12) aus P-Material, der zwischen einer ersten Endschieht (14) aus 3J-Material auf der einen Seite des Basisbereiches und einer zweiten Endschicht aus P-Material mit wesentlich höherer Dop-Konzentration als der des Basisbereiches auf der anderen Seite eingeschlossen ist, wobei der Basisbereieh eine Dicke von wenigstens 100/1 aufweist, die erste Endschicht durch Diffundieren von Phosphor in das Siliconmaterial bis zu einer Durchschnittskonzentration des

20 Phosphors in dem Bereich zwischen etwa 2x10 und 5x10 Atome/cm und die zweite Endschieht durch Diffundieren von Bor in das Siliconmaterial bis zu einer Durchschnittskonzentration des Bor in dem Bereich von mehr als

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etwa 2 χ 10 Atome/cnr gebildet wird.
2. Hoehleistungs-Speicherdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchschnittskonzentration des Phosphor in der ersten Endschieht (14) etwa

3,5 x TO²⁰ Atome/cm⁵ beträgt.
3. Hochleistungs-Speicherdiode nach Anspruch 1 oder 2, d a durc h gekennzeichnet, daß die Durchschnitt skonzentration des Bor in der zweiten Endschieht (16) etwa 2 χ 10 Atome/cnr beträgt»
4· Hochleietungs-Speicherdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Raumladungsbereich der Diode Dotierungseinschlüsse aus Nickel zur Erhöhung der Minoritätsträger-lebensdauer enthält.

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5. Verfahren zur Herstellung einer Hochleistungs-Speicherdiode gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,dad uroh gekennzeichnet, daß man einen Siliconkörper aus leicht gedopten P-Material auf der einen Seite einer Eiiidiffundierung von Phosphor auesetzt und einen Endbereich mit einer N-Leitfähigkeit und einer Durchschnitts-Dopkonzentration zwischen etwa 2 χ 10 und 5 χ 10 Atome/cm bildet, und daß man auf der anderen Seite Bor in den Siliconkörper eindiffundiert und so einen Endbereich bildet, der eine F-Leitfähigkeit und eine Durchsohnitts-Dopkonzentration aufweist, die größer als etwa 2 χ 10 Atome/cm ist, wobei der Basisbereich des Siliconkörpers zwischen den Endbereichen eine Dicke vonwenigetens etwa 100 μ aufweist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Nickel als Dop-Mittel in den Raumladungsbereich der Diode zur Vergrößerung der Minoritätsträger-Lebensdauer in dieser eindiffundiert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Nickel in den Silioonkörper durch ©inen Diffuui«nsvorgang eingebracht wird, wobei das Nickel zunächst auf eine der Endflächen des Körpers plattiert wird und der Körper anschließend in einem Ofen über einen vorbestimmten Zeitraum erhitzt wird.

0, Verjähren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der nickelplattierte Siliconkörper in einen Ofen bei etwa 11OO°<
4 Minuten behandelt wird.

einen Ofen bei etwa 110O⁰C über einen Zeitraum von wenigstens