DE1253770B - Doppelgegentaktmodulator zur Amplitudenmodulation mit vier Transistoren - Google Patents

Doppelgegentaktmodulator zur Amplitudenmodulation mit vier Transistoren

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DE1253770B
DE1253770B DE1964S0090229 DES0090229A DE1253770B DE 1253770 B DE1253770 B DE 1253770B DE 1964S0090229 DE1964S0090229 DE 1964S0090229 DE S0090229 A DES0090229 A DE S0090229A DE 1253770 B DE1253770 B DE 1253770B
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transistors
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Withdrawn
Application number
DE1964S0090229
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Inventor
Dr Reginhard Pospischil
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Siemens AG
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Siemens AG
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Publication date
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/52Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
    • H03C1/54Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

  • Doppelgegentaktmodulator zur Amplitudenmodulation mit vier Transistoren Die Erfindung betrifft einen Doppelgegentaktrnodulator mit vier Transistoren, bei dem ein Eingangsübertrager, ein Trägerübertrager und ein Ausgangsübertrager jeweils als Symmetrieübertrager ausgebildet sind und bei dem die Kollektoren der Transistoren paarweise miteinander und mit einem äußeren Anschluß einer symmetrischen Primärwicklung des Ausgangsübertragers verbunden sind, deren Mittelanzapfung an einem Pol einer Stromquelle liegt.
  • Es sind verschiedene Modulatoren zur Modulation einer Trägerschwingung durch ein Signal bekannt. Bei der Umsetzung eines solchen Signals, das beispielsweise in der Trägerfrequenztechnik ein Nachrichtenband mit einer Vielzahl von modulierenden Einzelscbwingungen umfaßt, treten im allgemeinen außer den gewünschten auch unerwünschte Modulationsprodukte auf, von denen je nach Modulatorschaltung ein Teil unterdrückt werden kann.
  • Bei verschiedenen bekannten Doppelgegentaktmodulatorenwerdenz.B.Kombinationsfrequenzenvon der Form p o) ± q.Q, bei denen p und q nicht gleichzeitig ungerade sind, weitgehend unterdrückt. Durch diese Beseitigung unerwünschter Modulationsprodukte kann man vermeiden, daß gewisse Kombinationsfrequenzen in das bei der Modulation entstehende, umgesetzte Nachrichtenband fallen. Außerdem läßt sich der Aufwand an Filtermitteln zur Aussiebung des umgesetzten Nachrichtenbandes bei solchen Modulatorschaltungen erheblich verringern.
  • Zur Unterdrückung der genannten unerwünschten Kombinationsfrequenzen ist es bei bekannten Doppelgegentaktmodulatoren erforderlich, die Symmetrie der Schaltung genau einzuhalten. Bei verstärkenden Modulatoren mit Transistoren, die auf Grund ihrer Rückwirkungsfreiheit vorteilhaft zu verwenden sind, kann diese gleichmäßige Ausbildung der Modulatorzweige vor allem im Hinblick auf die Streuung der Transistorkennwerte und die bei der Schaltung zwangläufig auftretenden Schaltkapazitäten Schwierigkeiten bereiten. Bei Doppelgegentaktmodulatoren, bei denen paarweise verschiedene Transistorelektroden auf Nullpotential liegen, ist es deshalb bei besonders hohen Anforderungen an die Symmetrie erforderlich, daß die Emitter- und Basiskapazitäten verschiedener Transistoren jeweils gut übereinstimmen. Bei verschiedenen Doppelgegentaktmodulatoren, bei denen alle Elektroden der Transistoren wechselstrommäßig auf hohem Potential liegen, hängt die Symmetrie der Schaltung von der erreichbaren übereinstimmung der an diesen Elektroden wirksamen Schaltkapazitäten ab. Aufgabe der Erfindung ist es, einen verstärkenden Doppelgegentaktmodulator mit möglichst geringem Einfluß der Schaltkapazitäten auf die Linearität zu schaffen.
  • Gemäß der Erfindung wird der Doppelgegentaktmodulator derart ausgebildet, daß die Basisanschlüsse zweier Transistoren jeweils derart an eine von zwei symmetrischen Sekundärwicklungen des Trägerübertragers geführt sind, deren Mittelanzapfungen über eine symmetrische, mit ihrer Mittelanzapfung an dem anderen Pol der Stromquelle und den damit verbundenen Ernittern aller Transistoren liegende Sekundärwicklung des Eingangsübertragers miteinander verbunden sind, daß die Basiselektroden zweier kollektorseitig miteinander verbundener Transistoren jeweils an entgegengesetzten Wicklungsanschlüssen verschiedener Sekundärwicklungen des Trägerübertragers liegen. Durch diese Maßnahmen ergibt sich der Vorteil, daß bei einem rückwirkungsfreien Doppelgegentaktmodulator ein großer Teil der parasitären Kapazitäten für die Symmetrie der Modulatorschaltung unschädlich ist. Damit läßt sich eine besonders gute Kompensation unerwünschter Modulationsprodukte und eine hohe Linearität des Modulators erzielen.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung können ferner die Basis- und Emitteranschlüsse aller Transistoren jeweils miteinander vertauscht werden, so daß die Basisanschlüsse sämtlicher Transistoren miteinander verbunden sind. Dabei bleiben die ge- nannten Vorteile erhalten.
  • Die Erfindung wird an Hand eines in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Die Figur zeigt einen Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, deren Emitter miteinander verbunden sind.
  • Bei den Übertragern des Modulators sind die Anfänge der Wicklungen jeweils mit einem Punkt bezeichnet. Bei dem in der Figur dargestellten Modulator kann man die Trägerspannung der Frequenzw der Primärwicklung9 des irägerübertragers5 und das Eingangssignal der Frequenz-Q der Primärwicklung 13 des Eingangsübertragers6 zuführen und erhält dabei an der Sekundärwicklung15 des Ausgangsübertragers8 das Ausgangssignal mit den Frequenzen o) ± Q. Dabei kann jedoch die Trägerspannung auch dem Eingangsübertrager 6 und das Eingangssignal dem Trägerübertrager 5 zugeführt werden.
  • Bei den emitterseitig miteinander verbundenen Transistoren 1, 2,3, 4 sind jeweils die Basisanschlüsse zweier Transistoren 1, 4 bzw. 2, 3 an eine symmetrische Sekundärwicklung 10, 11 des Trägerübertragers 5 geführL Die Mittelanzapfungen dieser Sekundärwicklung 10, 11 sind über die Sekundärwicklung 12 des Signalübertragers 6 miteinander verbunden, deren Mittelanzapfung ihrerseits an der Emitterverbindung aller Transistoren 1, 2, 3, 4 liegt. Die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 12 ist ferner über die Stromquelle 7 an die Mittelanzapfung der symmetrischen Primärwicklung 14 des Ausgangsübertragers 8 geführt, deren äußere Anschlüsse jeweils mit den Kollektoren zweier, basisseitig an entgegengesetzten Wicklungsenden verschiedener Wicklungen des Trägerübertragers 5 liegenden Transistoren 1, 3 bzw. 2, 4 verbunden sind. Von den zwei kollektorseitig miteinander verbundenen Transistoren 1, 3 bzw. 2, 4 ist dabei jeweils die Basis des einen Transistors mit dem Anfang der einen Sekundärwicklung des Trägerübertragers 5 und die Basis des anderen Transistors mit dem Ende der anderen Sekundärwicklung verbunden. Legt man beispielsweise an den Trägerübertrager 5 eine Trägerspannung mit der Frequenz co an, so werden im Takt der Trägerfrequenz abwechselnd die Transistoren 1, 2 und 3, 4 durchgesteuert. Ein zusätzlich an die Primärwicklung 13 des Eingangsübertragers 6 geführtes Eingangssignal mit der Frequenz -0. hat zur Folge, daß während der einen Halbwelle, bei der der Anfang der Primärwicklung 13 positiv gegen das Ende ist, die Aussteuerung der Transistoren 2, 3 verkleinert und die der Transistoren 1, 4 vergrößert wird. Sind z. B. zu einem bestimmten Zeitpunkt gerade die Transistoren 1 und 2 durchgesteuert, so ergibt sich bei der angenommenen Signalpolarität, daß von den Kollektorströmen der Kollektorstrom des Transistors 1 überwiegt, d. h., der Ausgangsübertrager 8 wird mit einem resultierenden Strom gespeist, der in die Primärwicklung 14 am Wicklungsanfang hineinfließt. In der anderen Trägerhalbwelle sind anschließend die Transistoren 3, 4 durchgesteuert, und es überwiegt für dieselbe Halbwelle der Signalspannung der im Transistor 4 fließende Kollektorstrom gegenüber dem Kollektorstrom des Transistors 3, d. h., es fließt ein resultierender Kollektorstrom am Ende der Primärwicklung 14 des Ausgangsübertragers 8 in die Wicklung hinein, so daß sich eine Umpolung des Ausgangssignals an den Anschlüssen der Sekundärwicklung 15 im Takt der Trägerfrequenz ergibt. Vertauscht man die beiden Modulatoreingänge miteinander und legt an den Eingangsübertrager 6 eine Trägerspannung mit der Frequenz o) an, so werden abwechselnd die Transistoren 1, 4 und 2, 3 im Takt der Trägerfrequenz durchgesteuert. Führt man außerdem an die Primärwicklung 9 des Trägerübertragers 5 ein Eingangssignal mit der Frequenz Q, so tritt während der einen Halbwelle, bei welcher der Anfang der Primärwicklung 9 des Trägerübertragers 5 gegenüber dem Wicklungsende positiv ist, bei den Transistoren. 1, 2 eine Verkleinerung und bei den Transistoren 3, 4 eine Vergrößerung der Aussteuerung ein. Dies hat zur Folge, daß während der einen Trägerhalbwelle, bei der die Transistoren 1 und 4 durchgesteuert sind, der Kollektorstrom des Transistors 4 und während der anderen Trägerhalbwelle, bei der die Transistoren 2, 3 durchgesteuert sind, der Kollektorstrom des Transistors 3 gegenüber dem Kollektorstrom des anderen gerade durchgesteuerten Transistors überwiegt. Dadurch ergibt sich für die Sekundärwicklung 15 des Ausgangsübertragers 8 wiederum eine Umpolung der Ausgangsspannung im Takt der Trägerfrequenz.
  • Bei dem Modulator werden auf Grund der Doppelgegentaktanordnung alle Modulationsprodukte von der Form p a) ± q.Q, bei denen p und q nicht gleichzeitig ungerade sind, unterdrückt.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, bei dem ein Eingangsübertrager, ein Trägerübertrager und ein Ausgangsübertrager jeweils als Symmetrieübertrager ausgebildet sind und bei dem die Kollektoren der Transistoren paarweise miteinander und mit einem äußeren Anschluß einer symmetrischen Primärwicklung des Ausgangsübertragers verbunden sind, deren Mittelanzapfung an einem Pol einer Stromquelle liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisanschlüsse zweier Transistoren(1, 4 bzw. 2, 3) jeweils derart an eine von zwei symmetrischen Sekundärwicklungen (10, 11) des Trägerübertragers (5) geführt sind, deren Nfittelanzapfungen über eine symmetrische, mit ihrer Mittelanzapfung an dem anderen Pol der Stromquelle (7) und den damit verbundenen Emittern aller Transistoren (1, 2, 3, 4) liegende Sekundärwicklung (1-2) des Eingangsübertragers (6) miteinander verbunden sind, daß die Basiselektroden zweier kollektorseitig miteinander verbundener Transistoren jeweils an entgegengesetzten Wicklungsanschlüssen verschiedener Sekundärwicklungen (10, 11) des Trägerübertragers (5) liegen.
  2. 2. Doppelgegentaktmodulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis- und Emitteranschlüsse aller Transistoren (1, 2, 3, 4) jeweils miteinander vertauscht sind. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1075 679; französische Patentschrift Nr. 1145 796.
DE1964S0090229 1964-03-26 1964-03-26 Doppelgegentaktmodulator zur Amplitudenmodulation mit vier Transistoren Withdrawn DE1253770B (de)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1145796A (fr) * 1956-03-14 1957-10-29 Modulateur à transistrons

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR1145796A (fr) * 1956-03-14 1957-10-29 Modulateur à transistrons

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