DE2755228A1 - Schaltungsanordnung zur traegereinspeisung fuer modulatoren - Google Patents

Schaltungsanordnung zur traegereinspeisung fuer modulatoren

Info

Publication number
DE2755228A1
DE2755228A1 DE19772755228 DE2755228A DE2755228A1 DE 2755228 A1 DE2755228 A1 DE 2755228A1 DE 19772755228 DE19772755228 DE 19772755228 DE 2755228 A DE2755228 A DE 2755228A DE 2755228 A1 DE2755228 A1 DE 2755228A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diodes
constant voltage
collectors
voltage
resistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19772755228
Other languages
English (en)
Inventor
Viktor Dipl Ing Schiffer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wandel and Golterman GmbH and Co
Original Assignee
Wandel and Golterman GmbH and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wandel and Golterman GmbH and Co filed Critical Wandel and Golterman GmbH and Co
Priority to DE19772755228 priority Critical patent/DE2755228A1/de
Publication of DE2755228A1 publication Critical patent/DE2755228A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/52Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
    • H03C1/54Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

  • Schaltungsanerdnung zur Trägereinspeisung
  • für Medulatoren Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Trägereinspeisung für Kodulatoren, wie Ringmodulatoren, bei denen die Sognalspannung an einer Mittelanzapfung der Pri-ärwicklung eines Ausgangsübertragers anliegt und abwechselnd im Takt einer Trägerfrequenz eines der Enden der Primärwicklung über einschaltbare Dioden an einer im wesentlichen konstanten Spannung anliegt, wobei zwei emittergekoppelte Transistoren vorgesehen sind, die im Gegentakt betrieben die Dioden paarweise umschalten.
  • Bei Modulatoren werden häufig Dioden eingesetzt, die mit der Frequenz eines Trägersignals abwechseln ein- und ausgeschaltet werden, um eine Tastung bzw. eine Unschalturg des Zeichensignals zu erreichen. Dabei besteht die Forderung, daß durch die Umschaltung der Dioden moglichst keine Verzerrungen am Zeichensignal auftreten, d.h , es soll eine möglichst ideale Tastune bzw. Umpolung erfolgen. Wegen des exponentiellen Verlaufs der Diodenkennlinien ist deshalb eine möglichst schnelle Umschaltung der Dioden vom Sperrbereich in den Durchlaßbereich notwendig, um die genannten Verrerrungen weitgehendst zu vermeiden.
  • Bei den bekannten Ringmodulatoren, die eine Umschaltung (Umpolung) der Spannung des Zeichensignals mit der Frequenz des Trägersignals gestatten, sind stets zwei Ubertrager vorgesehen, von denen einer primärseitig mit dem Trägersigna- @eaufschlagt wird, welches sekundärseitig als Umschaltsignal an den Dioden anliegt. in den Buch vr: Steinbuch/Rupprecht "Nachrichtentechnik", erschienen im Springer-Verlag, 196@, ist auf Seite 292 ein solcher Ringmodulator angegeben. Die großen wicklungskapazitäten, die bei Ubertragern zwangsläufig gegeben sind, wirken sich bei dieser bekannten Schal@ngsanordnung nachteilig auf die Umschaltgeschwindigkeit zwischen Sperrbereich und Durchlaßbereich der Dioden aus. Die Verwenaug vcn Übertragern erlaubt es, hohen Anforderungen an ein symmetrisches Ausgangssignal gerecht zu werden, aber eine sonrelle U-schaltung der Dioden ist wegen der gegebenen großen Schaltkapazitäten nicht möglich, weshalb das Modulatorausgangssignal insbesondere bei hohen Trägerfrequenzen lT erheblichen Verzerrungen behaftet ist.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eie Schaltungsanordnung zu schaffen, mit der der vom Trägersignal herrührende Trägerstrom mit möglichst geringen Umschaltverlusten den Dioden im Modulator so zuzuführen, daß eine möglichst schnelle Umschaltung der Dioden vom Sperrbereich in den Durchlaßbereich erfolgt. Die dazu notwendigen mittel sollen eine kostengünstigere und einfachere Herstellung von Nodulatoren ermöglichen.
  • Die Lösung dieser Aufgabe wird bei einer Schaltungsanordnung der eingangs genannten Gattung erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die beiden Kollektoren der Transistoren an einer an sich bekannten aus vier Dioden bestehenden Ringschaltung a een und abwechselnd mit der Frequenz des Trägersignals jeweils zwei in Serie geschaltete Dioden ar Ringschaltung im Durchiaßbereich betreiben und d>5 jeder der Hollektoren über einen ohmschen Widerstand an einer ge-eins--en konstanten Spannung liegt, wobei die Widerstandswerte der beiden Widerstände vorzugsweise gleich grob sind.
  • Für die meisten Anwendungsfälle genügt es, einprezentige Metallschichtwiderstände zu verwenden. Durch die Verwendung von widerständen im Gegensatz zu Ütertra5ern kann aer nert für die unerwünschten Schaltungskapazitäten etwa um den Faktor 5 verringert werden. Die Umladung dieser senr viel kleineren Kapazitäten erfolgt selbstverständlich in wesentlich kürzerer Zeit, und die Kennlinie der Dioden kann in wesentlich kürzerer Zeit durchfahren werden. Die Verwendung einer Konstantstromquelle, mit der die Sun-e der Emitterströme beider Transistoren konstant gehalten wird, wirkt sich auch günstig auf Verzerrungsfreiheit und Sy==etrie des modulierten Ausgangssignals aus.
  • Die erfindung ist anhand der Zeichnung näher erläutert.
  • Es zeigen: Fig. 1 einen erfindungsgemäßen Modulator, Fig. 2 den Spannungsverlauf des Zeichensignais, Fig. 3 den Spannungsverlauf des Trägersignals und Fig. 4 den Spannungsverlauf des modulierten Ausgangssignals.
  • Bei dem in Fig. 1 dargestellten Modulator liegt am Eingang E das in Fig. 2 dargestellte Zeichensignal Uz an. üoer einen Widerstand R1 wird es der Mittelanzapfung 1 der Primärwicklung 2 des Übertragers 3 zugeführt. Die beiden erden 4 und 5 der Primärwicklung 2 sind mit den eine Ringschaltung 6 bildenden Dioden 1>1 bis D4 des Modulators in bekannter Weise verbunden. Die Sekundärwicklung 7 des Übertrasers 3 bildet mit ihren Wicklungsenden den Modulatorausgang A, an dem ane in Fig. 4 dargestellte Spannung UM auftritt.
  • Eine paarweise Umschaltung der Dioden 31 und D2 bzw. D3 und D4 wird über die Transistoren T1 und T2 vorgenommen. Zu diese Zweck liegt an der Basis B1 des Transistors T1 das Trärersignal UT an, welches den in Fig. 3 dargestellten Spannungsverlauf hat. An der Basis B2 des Transistors T2 liegt ds inverse Trägersignal -UT an. Die Emitter 1 und E2 der beiden Transistoren T1 und T2 sind miteinander verbunden und die Summe beider Emitterströme ergibt den von einer Konstant stromquelle 8 konstant gehaltenen Gleichstrom 1.
  • Jeweils einer der Transistoren T1, T2 ist leitend, so daß der Stron I abwechselnd von einem der Kollektoren K1 bzw.
  • K2 über den zugehörigen Transistor T1 bzw. 22 zu der Konstantspannungsquelle -U3 abfließt. Ist z.B. Transistor leitend, so liegt auch der Arbeitspunkt der Dioden D3 und D4 im Durchlaßbereich ihrer Kennlinien. Die Parallelschaltung der Widerstände R2 und R3, die der Sym-etrie wegen gleich große Widerstandswerte haben, stellen den wirksamen Kollektorwiderstand dar (R1 nicht berücksichtigt) und sind jeweils mit einem Ende mit einem der Kollektoren K1 bzw. K verbunden, während ihre anderen Enden an Masse liegen. Das Ende 4 der Primärwicklung 2 des Übertragers 3 liegt somit an einer im wesentlichen konstanten Spannung. Theoretisch ST alet Spannung nicht exakt konstant, da stets eine Umladung parasitärer Kapazitäten notwendig ist. Bei der erfinaurgsremäßen Schaltungsanordnung sind aber gerade diese unerwünschten parasitären Kapazitäten äußerst klein und haben somit wenig Einfluß auf die zwischen den Dioden D3 und 24 bzw.
  • D1 und D2 liegenden Spannungen. Wird der Transistor T2 leitend, so sind die Dioden D1 und D2 in Durchlaßrichtung betrieben,,ind es liegt am Lande 5 der Primärwicklung 2 die gleiche Spannung wie zuvor deren Ende 4. Die periodische Umschaltung mit der Frequenz des in Fig. 3 dargestellten Trägersignals UT er gibt eine Modulation des in Fig. 2 dargestellten Zeichensignals Uz, und am Ausgang A des Y.oduiators erhält man das in Fig. 4 dargestelite modulierte Signal UX.
  • L e e r s e i t e

Claims (3)

  1. A n s p r ü c h e 1. Schaltungsanordnung zur Trägereinspeisung für Noduatoren, wie Ringnodulatoren, bei denen die signalspannung an einer Mittelanzapfung der Primärwicklung eines Ausgangsübertragers anliegt und abwechselnd im. Takt einer @rägerfrequenz eines der Enden der Primärwicklung über einschaltbare Dioden an einer irr' wesentlichen konstanten Spannung anllet, wobei zwei emittergekoppelte Transistoren vergesehen sind, die im Gegentakt betrieben die Dioden paarweise umschalten, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die beiden @ollektoren (K1, K2) der Transistoren (T1, T2) an einer an sich bekannten aus vier Dioden (D1, D2, D3, D4) bestehenden Ringschaltung (6) anliegen und abwechseln lt der Erequenz des Trägersignals (UT) jeweils zwei in serie geschaltete Dioden (D1, D2, D3, D4) der Ringschaltung (6) im Durchlaßbereich betreiben und daß jeder der Kollektoren (K1, K2)~ über einen ohmschen Widerstand (R2 bzw. R3) an einer gemeinsamen konstanten Spannung anliegt, wobei die Widerstandswerte der beiden Widerstände (R2, R3) vorzugsweise gleich groß sina.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, d a d u r c h eekennzeichnet, daß die mit den Kollektoren (K1, !2) verounaenen Widerstände (R2, R3) Metallschichtwiderstände sind.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach einem der Anspruche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß den miteinander verbundenen Emittern (E1, E2) eine Konstantstromquelle (8) nachgeschaltet ist.
DE19772755228 1977-12-10 1977-12-10 Schaltungsanordnung zur traegereinspeisung fuer modulatoren Ceased DE2755228A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772755228 DE2755228A1 (de) 1977-12-10 1977-12-10 Schaltungsanordnung zur traegereinspeisung fuer modulatoren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772755228 DE2755228A1 (de) 1977-12-10 1977-12-10 Schaltungsanordnung zur traegereinspeisung fuer modulatoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2755228A1 true DE2755228A1 (de) 1979-06-13

Family

ID=6025882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772755228 Ceased DE2755228A1 (de) 1977-12-10 1977-12-10 Schaltungsanordnung zur traegereinspeisung fuer modulatoren

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2755228A1 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000041303A1 (en) * 1999-01-06 2000-07-13 Raytheon Company System for continuous-time modulation
US6229468B1 (en) 1999-01-06 2001-05-08 Raytheon Company System for quantizing an analog signal utilizing a resonant tunneling diode differential ternary quantizer
US6292118B1 (en) 1999-01-06 2001-09-18 Raytheon Company System for quantizing an analog signal utilizing a resonant tunneling diode bridge
US6348887B1 (en) 1999-01-06 2002-02-19 Raytheon Company Method and system for quantizing an analog signal utilizing a clocked resonant tunneling diode pair
US6490193B1 (en) 2001-08-22 2002-12-03 Raytheon Company Forming and storing data in a memory cell
US6509859B1 (en) 2001-08-22 2003-01-21 Raytheon Company Method and system for quantizing an analog signal

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000041303A1 (en) * 1999-01-06 2000-07-13 Raytheon Company System for continuous-time modulation
US6229468B1 (en) 1999-01-06 2001-05-08 Raytheon Company System for quantizing an analog signal utilizing a resonant tunneling diode differential ternary quantizer
US6292118B1 (en) 1999-01-06 2001-09-18 Raytheon Company System for quantizing an analog signal utilizing a resonant tunneling diode bridge
US6348887B1 (en) 1999-01-06 2002-02-19 Raytheon Company Method and system for quantizing an analog signal utilizing a clocked resonant tunneling diode pair
US6366229B2 (en) 1999-01-06 2002-04-02 Raytheon Company System for continuous-time modulation
US6490193B1 (en) 2001-08-22 2002-12-03 Raytheon Company Forming and storing data in a memory cell
US6509859B1 (en) 2001-08-22 2003-01-21 Raytheon Company Method and system for quantizing an analog signal
US6667490B2 (en) 2001-08-22 2003-12-23 Raytheon Company Method and system for generating a memory cell

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2755228A1 (de) Schaltungsanordnung zur traegereinspeisung fuer modulatoren
EP0349732B1 (de) Leistungsverstärker
EP0108194A1 (de) Schaltungsanordnung für einen selektiven Gegentaktverstärker
EP0271703B1 (de) Amplitudenmodulierter Rundfunksender
EP0066904A1 (de) Schaltverstärker
DE2802450A1 (de) Roentgendiagnostikgenerator mit einem seinen hochspannungstransformator speisenden wechselrichter
EP0169609A2 (de) Schaltungsanordnung zum Schalten des Stromes in einer induktiven Last
EP0083714B1 (de) Schaltverstärker
DE1275637B (de) Vielkanal-Modulations-Signaluebertragungssystem
DE2902251A1 (de) Impulsbreitengeregelter gegentakt- gleichspannungswandler
DE698170C (de) Tasteinrichtung fuer Wechselstromtelegrafie
DE2109107A1 (de) Tonfrequenzfilter fuer Rundsteuerempfaenger
DE2045202C3 (de) Schaltung zur Auswahl einer von zwei vorgegebenen Oberwellen eines Diodenvervielfachers
DE628791C (de) Einrichtung zur Modulation von Wechselstroemen (Traegerstroemen) durch Signalstroeme
DE1041111B (de) Schaltungsanordnung zur Unterdrueckung der bei der Demodulation amplituden-modulierter Hochfrequenzsignale mittels Gleichrichter auftretenden Oberwellen
DE2734112A1 (de) Verstaerkende zweikreis-bandfilteranordnung
DE1300154B (de) Verstaerkender Transistormodulator
DE1944080C3 (de) Schaltungsanordnung zur Umformung von, insbesondere sinusförmigen Wechselspannungen in Rechteckspannungen mit einem Tastverhältnis 1 zu 1
DE1296676B (de) Verstaerkender Gegentaktmodulator mit zwei Transistoren
DE1292220C2 (de) Quasi-gegentakt-modulator zur umsetzung modulierender signale mit hilfe einer traegerspannung und zur unterdrueckung des traegers am modulatorausgang
DE1916736B2 (de) Gegentaktverstaerker mit zwei transistoren entgegengesetzten leitfaehigkeitstyps
DE1265796B (de) Gegentaktmodulator zur Amplitudenmodulation mit zwei Transistoren
DE1949405B1 (de) Phasenumkehrschaltung mit Transistoren
DE1228317B (de) Doppelgegentaktmodulator zur Amplituden-modulation mit vier Transistoren
CH634450A5 (en) Circuit arrangement for the charge pulse counter of a subscriber station

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection