DE1184172B - Verfahren zum galvanischen Abscheiden festhaftender und hochglaenzender Kupferueberzuege - Google Patents
Verfahren zum galvanischen Abscheiden festhaftender und hochglaenzender KupferueberzuegeInfo
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.:
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
C23b
Deutsche KL: 48 a - 5/20
1184 172
D 36927 VIb/48 a
31. August 1961
23. Dezember 1964
D 36927 VIb/48 a
31. August 1961
23. Dezember 1964
Gegenstand des Hauptpatentes 888 493 ist die Verwendung elektrolytlöslicher Abkömmlinge von
Estern der Sulfthio- oder Trithiokohlensäure bzw. der Dithiocarbaminsäure, welche mindestens einmal
die Gruppierung — CS — S — enthalten, als Glanzmittel in galvanischen Kupferbädern üblicher Zusammensetzung.
Die löslichmachende Gruppe, eine Carboxyl- bzw. Sulfonsäuregruppe, ist dabei über
einen kurzkettigen, zweiwertigen, aliphatischen Rest an das Schwefelatom der — CS — S-Gruppierung
gebunden. Diese Zusätze zeigen bei Badtemperaturen bis zu etwa 300C ausgezeichnete Glanzwirkung, sind
aber in ihrer einebnenden Wirkung nicht immer voll befriedigend.
Es wurde nun gefunden, daß man hochglänzende galvanisch abgeschiedene Kupferüberzüge mit guten
einebnenden Eigenschaften auch bei noch höheren Temperaturen bis zu etwa 500C erhalten kann, wenn
man den Bädern üblicher Zusammensetzung solche Sulfonsäuren oder deren Salze zusetzt, die ein oder
mehrere Kohlenstoffatome enthalten, welche nur an Heteroatome gebunden sind und bei denen die Sulfonsäuregruppe
an das Schwefelatom einer — CS—S-Gruppierung
über einen zweiwertigen Kohlenwasserstoffrest gebunden ist, der eine Arylgruppe enthält.
Verbindungen der hier in Betracht kommenden Art sind durch nachstehende allgemeine Formel charakterisiert
:
R — X — C — S — R' — SO3G
In dieser Formel bedeutet R einen aliphatischen, cycloaliphatischen oder aromatischen Kohlenwasserstoffrest,
X ein Heteroatom, wie O, NR" (R" = H oder R) oder S, R' einen zweiwertigen Kohlenwasserstoffrest,
der eine Arylgruppe enthält, und G eine anorganische oder organische Base oder auch Wasserstoff.
Für den Fall, daß R" einen aliphatischen Rest bedeutet, können die Reste R und R" mit dem
N-Atom auch ein Ringsystem bilden, das ein weiteres Heteroatom enthalten kann.
Verbindungen dieser Art erhält man in bekannter Weise z. B. durch Umsetzung von Dithiocarbaminaten
mit Tolylsulton (innerer Ester der O-Oxymethyl-sulfosäure)
oder Halogenalkylarylsulfonaten. Nachstehend werden einige Beispiele von Salzen derartiger Sulfonsäuren angegeben, die Alkylreste
enthalten und erfindungsgemäß als Glanzgalvanisierungsmittel verwendet werden können: N,N-diäthyldithiocarbaminsäure
- S - benzylester - ο - sulfonsaures Natrium, N-butyl-dithiocarbaminsäure-S-ben-Verfahren
zum galvanischen Abscheiden festhaftender und hochglänzender Kupferüberzüge
Zusatz zum Patent: 888 493
Anmelder:
Dehydag Deutsche Hydrierwerke G. m. b. H.,
Düsseldorf, Henkelstr. 67
Als Erfinder benannt:
Dr. Wennemar Strauss;
Dr. Wolf-Dieter Willmund,
Düsseldorf-Holthausen
Dr. Wennemar Strauss;
Dr. Wolf-Dieter Willmund,
Düsseldorf-Holthausen
zylester - ρ - sulfonsaures Natrium, S - phenyltrithiokohlensäure
- S - benzylester - ο - sulfonsaures Natrium, η - butyl - xanthogensäure -S- benzylesterp-sulfonsaures
Natrium oderN,N-l,5-Pentamethylendithiocarbaminsäure
- S - benzylester - ο - sulfonsaures Natrium.
Man kann die Mittel auch in Verbindung mit anderen bekannten Glanzmitteln sowie mit Einebnungsmitteln,
Porenverhütungsmitteln, Härtebindungsmitteln, Inhibitoren, Netzmitteln, Leitsalzen
usw. anwenden.
Die Mengen, in denen man die erfindungsgemäßen Mittel den Bädern zusetzt, liegen bei etwa 0,01 bis
20 g/l Badflüssigkeit. Im allgemeinen wird bei Stromdichten zwischen 0,5 und 12Amp./dm2 gearbeitet,
und man kann in besonderen Fällen bei Temperaturen bis zu 70°C galvanisieren. Besonders
ist hervorzuheben, daß mit den erfindungsgemäßen Mitteln im sauren Kupferbad innerhalb eines Temperaturbereiches
von 15 bis 500C mit vollem Spiegelglanzeffekt
gearbeitet werden kann, wobei der einebnende Effekt der Bäder den praktischen Anforderungen
in der Regel vollauf genügt.
Als zu galvanisierende Metallunterlagen können alle üblichen für diesen Zweck bisher verwendeten
Metallarten dienen, wie z. B. Eisen, Stahl, Zink und sonstige unedle Metalle oder Metallegierungen.
Erforderlichenfalls wird bei der galvanischen Verkupferung unedler Metalle wie üblich zunächst in
dünner Schicht cyankalisch vorverkupfert. Man kann das Bad nach der Erfindung jedoch mit Erfolg
auch bei der sauren Direktverkupferung verwenden, indem man die zu verkupfernden Gegenstände in
409 759/315
Claims (1)
1. Verfahren zum galvanischen Abscheiden festhaftender, hochglänzender Kupferüberzüge
aus sauren kupfersalzhaltigen Bädern üblicher Zusammensetzung mit einem Gehalt an elektrolytlöslichen
Abkömmlingen von Estern der SuIfthio- oder Trithiokohlensäure bzw. der Dithiocarbaminsäure,
welche mindestens einmal die Gruppierung — CS — S — aufweisen, als Glanzmittel
nach Patent 888 493, dadurch gekennzeichnet, daß als Glanzmittel Verbindungen der allgemeinen Formel
Il
R — X — C — S — R' — SO3G
verwendet werden, in der R einen aliphatischen, cycloaliphatischen oder aromatischen Kohlenwasserstoffrest,
X ein Heteroatom, wie O5NR" (R" = H oder R) oder S, R' einen zweiwertigen
Kohlenwasserstoffrest, der eine Arylgruppe enthält, und G eine anorganische oder organische
Base oder auch Wasserstoff bedeutet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß solche Verbindungen verwendet
werden, bei denen R" einen aliphatischen Rest bedeutet und die Reste R und R" mit dem Stickstoffatom
ein Ringsystem bilden, das gegebenenfalls ein weiteres Heteroatom aufweist.
409 759/315 12.64 & Bundesdruckerei Berlin
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Family Applications (1)
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