DE1175796B - Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE1175796B
DE1175796B DEN16342A DEN0016342A DE1175796B DE 1175796 B DE1175796 B DE 1175796B DE N16342 A DEN16342 A DE N16342A DE N0016342 A DEN0016342 A DE N0016342A DE 1175796 B DE1175796 B DE 1175796B
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Germany
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boron oxide
semiconductor
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semiconductor device
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DEN16342A
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German (de)
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John Pritchard
Geoffry Brookes
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H10W76/48—
    • H10W72/00—

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
DEN16342A 1958-03-04 1959-03-03 Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung Pending DE1175796B (de)

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GB6908/58A GB915270A (en) 1958-03-04 1958-03-04 Improvements in and relating to semi-conductor devices

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DE1175796B true DE1175796B (de) 1964-08-13

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