DE1160110B - Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Aufbau von Halbleiterkristalldioden - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Aufbau von Halbleiterkristalldioden

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DE1160110B DEN18307A DEN0018307A DE1160110B DE 1160110 B DE1160110 B DE 1160110B DE N18307 A DEN18307 A DE N18307A DE N0018307 A DEN0018307 A DE N0018307A DE 1160110 B DE1160110 B DE 1160110B
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
N18307 Vmc/21g
ANMELDETAG: 9. MAI 1960
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG VND AUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT: 27. DEZEMBER 1963
Beim Aufbauen von Halbleiterkristalldioden bildet insbesondere das Kontaktsuchen und die Kontaktherstellung zwischen einer Spitzenkontaktelektrode und einer Halbleiteroberfläche eine schwierige Aufgabe, besonders wenn dieser Verfahrensschritt vollkommen automatisch durchgeführt werden soll.
Bei einem bekannten Verfahren nach der deutschen Patentschrift 885 755 wird ein die Spitzenkontaktelektrode tragender Draht sehr fein in Längsrichtung verschoben und dabei um seine Längsachse verdreht. Die Elektrodenspitze wird vorsichtig auf die Kristalloberfläche geführt, und durch Bewegung des Drahtes wird ein günstiger Kontaktpunkt auf der Halbleiteroberfläche aufgesucht. Für die feine Längsbewegung des Drahtes kann auch, wie z. B. aus einer Veröffentlichung auf den Seiten 374 bis 378 von »Bell Laboratory Records« vom Oktober 1955 bekannt ist, ein Mikromanipulator verwendet werden. Es ist dabei üblich, die axiale Bewegung des Drahtes nach Berührung mit der Kristalloberfläche an derjenigen Stelle und erst dann zu beenden, wenn eine Messung auf elektrische Eigenschaften ein günstiges Ergebnis liefert. Ein ähnliches Verfahren ist in der USA.-Patentschrift 2 683 205 beschrieben worden.
Ein Nachteil der bekannten Verfahren ist, daß die erforderliche Feinbewegung des die Spitzenkontaktelektrode tragenden Drahtes eine zeitraubende Arbeit darstellt, bei der stets, also bei jeder zusammenzustellenden Halbleiterkristalldiode einzeln vorsichtig festgestellt werden muß, wann eine Berührung mit der Kristalloberfläche stattfindet und des weiteren die axiale Feinbewegung des Drahtes erst beendet wird, nachdem eine günstige Messung erzielt worden ist. Da diese für Massenfertigung zeitraubende Arbeit praktisch nur von Hand ausgeführt wird, ist das Endergebnis stark von der diese Arbeit ausführenden Person abhängig, was einen hohen Ausschußprozentsatz mit großen Schwankungen zur Folge hat.
Auch aus der USA.-Patentschrift 2 694 168 ist es bekannt, daß die Elektrodenspitze auf eine Stelle der Kristalloberfläche geführt wird, wobei der Moment, in dem ein richtiger Kontakt zustande kommt, durch eine Messung festgestellt wird. Es ist auch bei diesem Verfahren eine vorsichtig ausgeführte Längsbewegung der Elektrodenspitze vorzunehmen, um diesen Moment festzustellen. Danach wird bei diesem bekannten Verfahren die Elektrodenspitze noch um 50 Mikron weiter durchgedrückt.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren für den automatischen Aufbau von Halbleiterkristalldioden, welches ein sehr schnelles und richtiges Einstellen der Spitzenkontaktelektrode auf einer Kri-Verfahren und Vorrichtung
zum automatischen Aufbau
von Halbleiterkristalldioden
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 12. Mai 1959 (Nr. 239 128)
Willem Frederik Smits, Nijmegen (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden
Stalloberfläche ermöglicht. Das Verfahren ist praktisch unabhängig von der ausführenden Person, und das zeitraubende Verschieben eines die Spitzenkontaktelektrode tragenden Drahtes kann völlig vermieden werden.
Die Erfindung bezieht sich somit auf ein Verfahren zum automatischen Aufbau von Halbleiterkristalldioden, bei dem ein in seiner Längsrichtung verschiebbarer, mit einer Spitze versehener Draht einer Halbleiterkristalloberfläche etwa senkrecht gegenübergestellt wird, bei dem diese Spitzenkontaktelektrode mit der Halbleiteroberfläche zur Berührung gebracht wird und bei dem dann beide in ein Glasgehäuse eingeschmolzen werden. Die Erfindung besteht darin, daß die Spitzenkontaktelektrode und die Halbleiteroberfläche mit einer einstellbaren, nahezu konstanten Kraft zur Berührung gebracht werden, daß dann eine Prüfung der elektrischen Eigenschaften der Diode durchgeführt wird und daß bei gewünschtem Prüfergebnis unter Beibehaltung dieser Kraft das Glasgehäuse automatisch zugeschmolzen wird.
Beim Verfahren nach der Erfiindung wird also ein ganz anderer Weg als bei den bekannten Verfahren eingeschlagen. Das Elektrodenende und die HaIb-
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lederoberfläche werden mit einer konstanten Kraft anderen Linie, z. B. einer geraden Linie, hintereinmiteinander zur Berührung gebracht. Wenn das ander anzuordnen, jedoch aus praktischen Erwägun-Elektrodenende als Folge der konstanten Kraft eine gen wird das Karussell bevorzugt. Endstellung einnimmt, werden die dabei elektrischen Die obenerwähnte Vorrichtung wird vorzugsweise
Eigenschaften gemessen. Bei günstigem Meßergebnis 5 derart ausgebildet, daß sie an Transportbahnen gewird der Draht unter Beibehaltung seiner Endstellung kuppelt werden kann, über die Normalhalter geleitet an das Glasgehäuse angeschmolzen. Die Anwendung werden können. Diese Halter sind derart eingeeiner konstanten Kraft, mit der bei jeder Diode die richtet, daß sie an einer anderen Stelle hergestellte Spitzenkontaktelektrode auf dem Kristall ruht, ergibt Einzelteile automatisch, also ohne Berührung von die Möglichkeit, eine der Variablen bei den bekann- io Hand, aus diesen Haltern herausnehmen und in die ten Verfahren, nämlich die axiale Bewegung der Elek- Maschine setzen. Schließlich kann das auf der trodenspitze bis zur günstigen Messung, völlig zu ver- Maschine hergestellte Enderzeugnis auf ähnliche meiden. Ein auf dieser Erkenntnis begründetes Ver- Weise wieder in die Halter auf der Transportbahn fahren, bei dem also für jede Diode einer Serie das gesetzt werden.
Elektrodenende mit einer vorbestimmten Kraft auf 15 Das Verfahren und die Vorrichtung nach der Erdem Kristall zu ruhen kommt und der Kontakt erst findung ermöglichen es, größere Mengen von Kristalldanach gemessen wird, vereinfacht die Mechanisie- dioden pro Zeiteinheit zusammenzusetzen, deren rung der Massenfertigung von Dioden ganz beträcht- Typenzahl sehr verschieden ist. lieh. Es hat sich ergeben, daß durch den Fortfall Die Erfindung wird an Hand der ein Ausführungseiner der Variablen, nämlich des Druckes zwischen 20 beispiel darstellenden Zeichnungen näher erläutert. In dem Elektrodenende und dem Kristall, die Wahr- Fig. 1 ist ein Schema des Verfahrens nach der Er-
scheinlichkeit, daß der Kontakt bereits gute elek- findung dargestellt;
irische Eigenschaften hat, groß ist, wenn die End- Fig. 2 zeigt einen Einstellkopf mit einigen Detailstellung des ruhenden Elektrodenendes nur dadurch skizzen; in bedingt ist, daß sie mit konstanter Kraft aufgedruckt 25 Fig. 3 ist eine Vorrichtung zum Erzielen eines wird. Ein zeitraubendes und deshalb in Massenferti- konstanten Druckes zwischen dem Spitzenkontakt gung kostspieliges Kontaktsuchen wird somit ganz und dem Halbleiterkristall dargestellt; in vermieden. Fig. 4 ist schematisch veranschaulicht, wie der in
Wie ausgeführt, sind nach dem Anbringen eines einem Halter verschiebbare Anodendraht etwas in Kontaktes mit konstanter Kraft die meisten Prüf- 3° diesem Halter gedreht werden kann; ergebnisse schon gut. Für den Fall, daß nach dem Fig. 5 zeigt eine schematische Übersicht eines mit
Inkontaktbringen das Prüfergebnis nicht befriedigend Einstellköpfen ausgebildeten Karussells, sein sollte, wird das Verfahren nach der Erfindung Beim Verfahren nach der Erfindung wird ein mit
so weitergebildet, daß bei einem unerwünschten Er- einem Spitzenkontakt 3 versehener Anodendraht 1 gebnis der Prüfung der elektrischen Eigenschaften 35 (Fig. la) verschiebbar in einem Halter 6 (Fig. Ib) der Diode die Spitzenkontaktelektrode vom Halb- angeordnet, und ein mit einem Halbleiterkristall 4 leiterkristall wieder entfernt, die Spitzenkontaktelek- versehener und mit einem Glaskolben 5 verschmolzetrode um ihre Längsachse relativ zur Halbleiterober- ner Kathodendraht 2 wird mit seinem Kolbenteil im fläche gedreht und dann wieder die Spitzenkontakt- Halterungsorgan 7 festgehalten. Dem Anodendraht elektrode und die Halbleiteroberfläche zur Berührung 4° wird darauf eine Verschiebung in seiner Längsrichgebracht werden und eine neue Prüfung durchgeführt tung erteilt (Fig. 1 c), bis sein Spitzenkontaktende mit wird. einer Kraft P auf die obere Seite des Kristalls 4 zu
Die Vorrichtung dieses Verfahrens nach der Er- ruhen kommt. In dieser Lage kann über die Kontaktfindung ist als Karussellmaschine od. dgl. mit einer stelle zwischen dem Spitzenkontakt und dem Kristall Einstell-, Einschmelz- und einer Kühlzone ausge- 45 eine Prüfung bezüglich der elektrischen Eigenschaften bildet, an deren Umfang auf demselben Teilkreis erfolgen. Wenn die Messung günstige Ergebnisse Einschmelzköpfe liegen, die mit einer Zange zum liefert, wird unter Aufrechterhaltung der Kraft P die Festhalten des Kathodenteiles mit Kristall, einem noch offene Seite des mit dem Kathodendraht ver-Halter zum gerichteten und magnetischen Festhalten schmolzenen Kolbens anschließend mittels einer Heizeines Drahtes mit Spitzenkontakt des Anodenteiles in 5° vorrichtung mit dem Anodendraht verschmolzen der Weise, daß der Kristall des Kathodenteiles in (Fig. If), worauf schließlich das fertiggestellte ErFlucht mit diesem Draht liegt. Bei einer Weiterbildung Zeugnis (Fig. Ig) nach erfolgter Abkühlung als Krider Vorrichtung zum gesteuerten Verschieben des stalldiode aus den Haltern 6 und 7 entfernt werden Spitzenkontaktdrahtes in seiner Längsrichtung wird kann.
die Bewegung derart geführt, daß an deren Ende die 55 Falls das Ergebnis der Messung unbefriedigend Spitze des Kontaktes mit einer für jeden Einstellkopf sein sollte, wird nach der Erfindung vor dem Annahezu konstanten und einstellbaren Kraft auf den schmelzen der Spitzenkontaktdraht vom Kristall entKristall zu ruhen kommt. Bei einer um den Spitzen- fernt, und diesem Draht wird eine kleinere Winkelkontaktdraht in dessen Längsrichtung verschiebbaren drehung erteilt (Fig. 1 d), worauf der Anodendraht Vorrichtung zum Erhitzen der zusammengebrachten 6o mit dem Spitzenkontakt wieder auf den Kristall geKathode und Anode sowie Anschlägen zum Empfan- bracht wird (Fig. Ie). Hierbei kann wieder eine gen und Geben verschiedener Befehle sind weiterhin gleiche Messung durchgeführt werden wie bei Fig. Ic. Mittel vorhanden zum Prüfen des Kontaktes zwischen Wenn die Messung dann noch keine befriedigende dem Kristall und der auf diesem ruhenden Spitze des Ergebnisse liefert, kann das Entfernen des Spitzen-Kontaktes hinsichtlich seiner elektrischen Eigenschaf- 65 kontaktes vom Kristall und die geringe Winkelten, bevor die Heizvorrichtung in Betrieb gesetzt drehung des Anodendrahtes gegebenenfalls nochwird. Es ist grundsätzlich auch gut möglich, die Ein- mais wiederholt werden. Auf diese Weise wird also stellköpfe nicht in einem Kreis, sondern gemäß einer gegebenenfalls mehrmalig »gestochen« und gemessen,
bevor eine Verschmelzung des Anodendrahtes mit dem Kolben bewirkt wird.
Zum Erzielen des gewünschten einstellbaren und vorzugsweise konstanten Kontaktdruckes zwischen dem Spitzenkontäkt und dem Kristall ist es notwendig, daß der Anodendraht, nachdem sein Spitzenkontaktende mit der Kristalloberfläche in Berührung gekommen ist, noch über einen kleinen Abstand gesenkt wird. Dazu wird nach der Erfindung eine Vorrichtung verwendet, die im nachfolgenden noch näher beschrieben wird.
Die vorstehend beschriebenen Handlungen können mittels eines Einstellkopfes durchgeführt werden, dessen Bauart aus Fig. 2 mit Detailskizze und aus den Fig. 2 a bis 2 f ersichtlich ist. An diesem Einstellkopf lassen sich unter anderem folgende Teile unterscheiden: ein mit V-förmigen Lagerstellen versehener Halter 6 mit einem Magnetblock 12 zum gerichteten und in der Längsrichtung verschiebbaren Festhalten eines Anodendrahtes 1, wobei dieser Halter über die Körper 10 und 11 mit dem Gestell 8 des Einstellkopfes fest verbunden ist, eine mit dem Teil 9 verbundene Zange 7 zur zentrierten Halterung eines an einer Seite mit einem Kristall versehenen Kathodendräht verschmolzenen rohrförmigen Glaskolbens, wobei ein Stift 13 zum Öffnen und Schließen der Zange vorhanden ist (Fig. 2 a und 2b), eine verschiebbare Stange 16 mit einem Ende 17 zum Verschieben in der Längsrichtung des Anodendrahtes 1 mit dem Spitzenkontakt, wobei die Stange mittels eines um die Welle 21 schwenkbaren Hebels 20 eine senkrechte Bewegung ausführen kann und dabei im Lager 25 führbar ist (Fig. 2e), und eine in der Längsrichtung um den Glaskolben 5 verschiebbare, mit den aus Isoliermaterial bestehenden Körpern 26 und 29 verbundene Heizvorrichtung 14, welche um eine Welle 24 drehbar ist und mittels der Stifte 28 auf nicht näher dargestellte Weise an eine elektrische Energiequelle angeschlossen werden kann (Fig. 2 und 2e). Weiterhin ist bei diesem Einstellkopf eine durch einen nicht näher dargestellten Nocken in ihrer Längsrichtung bewegliche Stange 15 mit ihr verbundenen Trägern 22 und 23 vorhanden.
Bei der Aufwärtsbewegung der Stange 15 werden das Ende 17 der Stange 16 und die Heizvorrichtung 14 von diesen Trägern mit einem durch Anschläge bedingten Hub heraufbewegt. Dabei ist die Einstellung derart, daß zunächst der Hebel 20 mit der Stange 16 und dann die Heizvorrichtung heraufbewegt werden.
Die Wirkungsweise dieser Vorrichtung kann wie folgt erklärt werden: Wenn sich die Teile 17 und 14 in ihrer oberen Lage befinden, wird zunächst eine halbeingeschmolzene Kathode in die Zange 7 gesetzt (Fig. 2 a und 2 b). Darauf wird die Stange 15 herabbewegt, so daß die Heizvorrichtung 14 die Kathode umgibt (Fig. 2 c). Die Stange 15 wird dann kurzzeitig in dieser Lage gehalten, bis ein Anodendraht 1 mit Spitzenkontakt in den Halter 6 eingesetzt worden ist (Fig. 2d). Darauf wird die Stange 15 weiter herabbewegt, wobei die Vorrichtung 14 durch die Federstahlstreif en 27 in ihrer Lage aufrechterhalten wird (Fig. 2) und die Stange 16 mit dem Ende 17 den Anodendraht herabschiebt (Fig. 2e). Dabei sind der Anschlag 31 und der Stellbolzen 32 derart eingestellt, daß, nachdem der Spitzenkontaktpunkt des Anodendrahtes 1 mit dem Kristall in Berührung gekommen ist, die Stange 16 infolge ihres Eigengewichts weiter sinken kann und dabei die Spitze des Spitzenkontaktes mit einer unter anderem durch dieses Gewicht bedingten Kraft auf den Kristall drückt. Falls dieses Gewicht zu groß wäre, was bei sehr leicht zu deformierenden Spitzenkontakten leicht der Fall ist und um die Massenkräfte des sich herabbewegenden Endes 17 der Stange 16 auf die Spitze des Spitzenkontaktes des Anodendrahtes 1 herabzusetzen, ist nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ίο das Ende 17 der Stange 16 mit einem darin verschiebbaren, einer Federwirkung unterworfenen Gewicht 33 mit einem Magnetblock 34 versehen (s. Fig. 3). Bei dieser Ausführungsform wird der Kontaktdruck zwischen dem Spitzenkontakt und dem Kristall im wesentlichen durch die einstellbare Kraft der Feder 35 bedingt. Der Einstellkopf ist weiterhin mit zwei Kontaktspitzen 36 und 37 versahen, die über die Anschlußkabel 18 und 19 mit einer nicht näher dargestellten Meßvorrichtung zum Prüfen der elekirischen Eigenschaften des Kontaktes zwischen dem Spitzenkontakt und dem Kristall verbunden sind. Wie beim Verfahren nach der Erfindung bereits beschrieben, wird bei unbefriedigenden Ergebnissen der Messung der Anodendraht mit dem Spitzenkontakt vom Kristall entfernt. Dazu ist das Ende 17 der Stange 16 mit einem Magnet versehen, der bei einer Aufwärtsbewegung der Stange 16 den Anodendraht in den V-förmigen Trägern des Halters 6 hochziehen kann. Dem Anodendraht kann dann auf die in Fig. 4 schematisch dargestellte Weise eine Winkeldrehung erteilt werden, wobei ein auf den Anodendraht zu bewegter Gummiblock 39, der mit einem Finger 38 verbunden ist, gemäß dem Pfeil 40 a mit seiner flachen Seite gegen den Anodendraht gebracht wird und anschließend der Finger 38 über einen kurzen Abstand gemäß dem Pfeil 40 b bewegt wird.
Fig. 5 zeigt schließlich eine schematische Übersicht eines mit Einstellköpfen der vorstehend beschriebenen Art ausgerüsteten Karussells. Dabei Hegen die Einstellköpfe auf demselben Teilkreis auf einem stufenweise drehbaren Tisch, der gegenüber dem Gestell 41 jeweils um eine Position gedreht wird. Gegenüber dem Gestell 41 lassen sich bei diesem Karussell mehrere Zonen unterscheiden, d. h. eine Einstellzone A, eine Einschmelzzone B, eine Kühlzone C und eine Zone D zum Zuführen von Anoden- und Kathodendrälhten und zum Abführen der endgültigen auf dem Karussell hergestellten Dioden.
In der Einstellzone wird bei der Position b ein Anodendraht auf einen Kristall geführt. In der Position c wird dieser Kontakt hinsichtlich seiner elektrischen Eigenschaften geprüft. Bei der Position d wird der Spitzenkontakt vom Kristall gehoben, während beim Weiterdrehen des Karussells zur nächsten Position der Anodendraht mittels eines Gummiblocks etwas gedreht wird. In der Position e wird der Anodendraiht dann wieder gegen den Kristall geführt. Der Zyklus kann dann gewünschtenfalls nochmals in den Positionen /, g und h wiederholt werden. Das Maschinengestell ist weiterhin am Umriß des Karussells mit Teilen zum elektromagnetischen Sperren der vorstehend beschriebenen Handlungen bei den Positionen d bis k bzw. g bis k versehen, sobald eine Messung bezüglich elektrischer Eigenschaften bei der Position c bzw. / befriedigende Ergebnisse liefert. Wenn bei der letzten Messung bei k noch stets nicht der richtige elektrische Kontakt zwischen dem Spitzenkontakt und dem Kristall erzielt ist, wird bei der
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Position m auf gleichfalls elektromagnetische Weise die Kathodenzange mittels des Stiftes 19 geöffnet (Fig. 2 a), und der Kolben mit dem Kathodendraht fällt aus der Zange heraus.
In der Einschmelzzone B wird die Heizvorrichtung jedes Einstellkopfes betätigt, und es erfolgt das Verschmelzen des Anodendrahtes mit dem Kolben der Kathode unter Aufrechterhaltung des in der Einstellzone bewirkten Kontaktdruckes zwischen dem Spitzenkontakt und dem Kristall.
In der Zone C werden die angeschmolzenen Dioden in einer ruhigen Umgebung abgekühlt.
Die Maschine ist weiterhin mit zwei Führungsbahnen 42 und 43 zum Zu- und Abführen von Transporthaltern einer Normalausführung versehen. Diese Halter besitzen mehrere Öffnungen zum aufrechten Einsetzen von an sich geraden Anodendrähten mit Spitzenkontakt und Kathodendrähten mit Kolben und sind weiterhin mit einer Seitenflanke versehen, an der mehrere Zähne in solcher Weise angebracht sind, daß ao die Zahl der Zähne der Zahl der Öffnungen entspricht. Nach dem Einsetzen in die Führungsbahnen 42 und 43 kann ein antreibender Sperrklinkenmechanismus 47 dies Halter derart in diesen Führungsbahnen verlagern, daß bei jeder Weiterdrehung des Karussells um eine Position die Halter gleichfalls um einen Zahn weiterschieben. Synchronisiert wirksam mit der Weiterschiebbewegung dieser Halter sind Übernahmeelemente zum Herausnehmen der Kathoden- bzw. Anodendrähte aus den Haltern und zu deren Einsetzen in die Positionen s und t der Maschine gemäß den Schwenkbewegungen 48 und 49 sowie zum Herausnehmen von Dioden bzw. zurückgebliebenen Spitzenkontaktdrähten bei den Positionen η und r gemäß den in der Figur dargestellten Schwenkbewegungen 50 und 51. Schließlich sind in der Zone D Elemente zum elektromagnetischen Sperren der verschiedenen Handlungen in dieser Zone vorgesehen, wobei die Sperrung derart wirksam ist, daß beim Nichtfunktionieren des Teiles zum Herausnehmen von Dioden der Normaltransport einen Befehl zum Nichteinsetzen eines Anoden- bzw. Kathodendrahtes in die Position eines noch eine Diode enthaltenden Einstellknopfes erhält. Die Sperrung ist außerdem derart eingestellt, daß wenn kein Kathodendraht in die Maschine eingesetzt wird, auch kein Anodendjaht in den betreffenden Einstellkopf eingeführt wird.

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum automatischen Aufbau von Halbleiterkristalldioden, bei dem ein in seiner Längsrichtung verschiebbarer, mit einer Spitze versehener Draht einer Halbleiterkristalloberfläche etwa senkrecht gegenübergestellt wird, bei 55 S dem diese Spitzenkontaktelektrode mit der Halbleiteroberfläche zur Berührung gebracht wird und bei dem dann beide in ein Glasgehäuse eingeschmolzen werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitzenkontaktelektrode und die Halbleiteroberfläche mit einer einstellbaren, nahezu konstanten Kraft zur Berührung gebracht werden, daß dann eine Prüfung der elektrischen Eigenschaften der Diode durchgeführt wird und daß bei gewünschtem Prüfergebnis unter Beibehaltung dieser Kraft das Glasgehäuse automatisch zugeschmolzen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem unerwünschten Prüfergebnis die Spitzenkontaktelektrode von der Halbleiteroberfläche wieder entfernt wird, daß die Spitzenkontaktelektrode um ihre Längsachse relativ zur Halbleiteroberfläche gedreht wird, daß dann die Spitzenkontaktelektrode und die Halbleiteroberfläche wieder zur Berührung gebracht werden und daß eine neue Prüfung durchgeführt wird.
3. Vorrichtung zum Durchführen des Verfah-' rens nach Anspruch 1 oder 2 zur Massenherstellung, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Karussell mit einem Einstell-, Einschmelz- und Kühlsektor ausgebildet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß für die Drähte magnetische Halter verwendet sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Kraft bei der Berührung von Spitzenkontaktelektrode und Halbleiterkristall ein Gewicht dient.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewicht in seiner Bewegung durch ein mit Anschlägen versehenes Hebelsystem gesteuert ist und weiterhin in diesem Gewicht ein zweites, gegen Federdruck wirksames verschiebbares Gewicht angebracht ist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß Transportbahnen und Greifer zum Zuführen der Einzelteile und zum Abführen der Dioden vorgesehen sind.
8. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Einschmelzen in das Glasgehäuse elektrisch verschiebbare Heizspiralen vorgesehen sind.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 885 755 j USA.-Patentschriften Nr. 2 677 173, 2 683 205, 168;
Bell Cab. Rec, Bd. 33, Oktober 1955, Heft 10, bis 378.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
© 309 770/317 12.63
DEN18307A 1959-05-12 1960-05-09 Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Aufbau von Halbleiterkristalldioden Pending DE1160110B (de)

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