DE1154073B - Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen - Google Patents

Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen

Info

Publication number
DE1154073B
DE1154073B DES36929A DES0036929A DE1154073B DE 1154073 B DE1154073 B DE 1154073B DE S36929 A DES36929 A DE S36929A DE S0036929 A DES0036929 A DE S0036929A DE 1154073 B DE1154073 B DE 1154073B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
melting
remelting
sound
melted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES36929A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Theodor Rummel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DES32193A external-priority patent/DE1061527B/de
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES36929A priority Critical patent/DE1154073B/de
Priority claimed from DE1953S0036998 external-priority patent/DE975158C/de
Publication of DE1154073B publication Critical patent/DE1154073B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/32Mechanisms for moving either the charge or the heater

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
S 36929 IVc/12c
ANMELDETAG: 23. DEZEMBER 1953
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT: 12. SEPTEMBER 1963
Es ist bekannt, daß beim tiegellosen Zonenschmelzen eines nur an seinen Enden gehalterten aufrechten Siliziumstabes die den Stab durchwandernde geschmolzene Zone lediglich auf Grund ihrer Oberflächenspannung von den angrenzenden Stabteilen getragen wird. Es ist ferner bekannt, daß zur Herstellung einer Trockengleichrichterzelle durch Aufschmelzen einer Selenschicht auf eine metallische Trägerplatte das aufgebrachte Selen vor, während oder nach dem Aufbringen auf seine Unterlage in einem elektrischen Wechselfeld mit Kurz- oder Ultrakurzwellen und auch mit Ultraschallwellen behandelt wird. Hierdurch wird amorphes Selen in eine allotrope kristalline Modifikation übergeführt und die gewünschten Gleichrichtereigenschaften erhalten bzw. verbessert.
Beim Aufbringen von Halbleiterschichten auf eine Unterlage ist bekannt, daß während des Schmelz- und Erstarrungsvorganges der Halbleiterschicht auf diese Ultraschallwellen zur Einwirkung gelangen. Auch hier wird eine Verbesserung der Kristalleigenschaften, insbesondere aber auch die Verbesserung der Sperrwirkung angestrebt. Schließlich ist beim Ziehen von Kristallen aus einer in einem Tiegel gehalterten Schmelze bekannt, die Schmelze unter Einwirkung von Ultraschall zu haltern, um eine ständige Durchmischung der Schmelze zu erzielen.
Es ist auch bereits ein Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Körpern, insbesondere von Stäben aus halbleitendem Material vorgeschlagen worden, bei dem in dem umzuschmelzenden Körper eine durch den Querschnitt gehende geschmolzene Zone erzeugt und allmählich von dem einen bis zu dem anderen Ende des Körpers durch eine Relativbewegung zwischen dem Körper und der die Zone schmelzenden Wärmequelle verschoben wird und der umzuschmelzende Körper nur an einigen Stellen, vorzugsweise nur an den Enden gehaltert und das Zonenschmelzverfahren ohne Anwendung eines Schmelztiegels durchgeführt wird, wobei dem Abfließen der unter Einwirkung der Oberflächenspannung, gegebenenfalls auch durch Einwirkung der Wärmequelle, zwischen den nicht geschmolzenen Teilen des Stabes festgehaltenen sowie bei senkrechter Anordnung der Stäbe von dem unteren Stab getragenen Schmelzzone durch Anwendung zusätzlicher Maßnahmen, z. B. zusätzlicher Anwendung elektromagnetischer Stützfelder oder zusätzlicher Anwendung das Abfließen der Schmelzzone verhindernder Gasströme, entgegengewirkt wird [Patentanmeldung S 32197 IVc/12 c (deutsche Auslegeschrift 1062 431)].
Verfahren zum Umschmelzen
von langgestreckten Körpern,
insbesondere von Stäben aus halbleitendem
Material, durch Zonenschmelzen
Zusatz zur Patentanmeldung S 32197 IVc/12 c (Auslegeschrift 1 062 431)
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München, München 2, Witteisbacherplatz 2
Dr. Theodor Rummel, München, ist als Erfinder genannt worden
Es wurde gefunden, daß dem Abfließen der Schmelzzone auch dadurch entgegengewirkt werden kann, daß erfindungsgemäß der Schmelzzone über einen der sie tragenden festen Teile des umzuschmelzenden Körpers Schall-, insbesondere Ultraschallschwingungen zugeleitet werden.
Dabei ist insbesondere vorgesehen, daß der zur Erzeugung der Schall- bzw. Ultraschallwellen dienende Sender auf das während des Zonenschmelzens nichtaufschmelzende Endstück des langgestreckten Körpers unmittelbar aufgesetzt wird.
Die Einwirkung von Ultraschall auf die Schmelzzone bewirkt zunächst, daß etwa vorhandene Gasreste ausgetrieben werden. Da Gaseinschlüsse die Zerreißfestigkeit von Flüssigkeiten und damit die Oberflächenspannung stark herabsetzen, ist bereits auf diese Weise eine gewisse Erhöhung der mechanischen Stabilität der Schmelzzone bedingt, wenn die Schmelzzone unter Einwirkung von Schall- bzw. Ultraschallschwingungen gehalten wird.
Abgesehen davon entstehen infolge der die Schrnelzzone durchwandernden Schall- bzw. Ultraschallwellen hydrodynamische Kräfte, welche eine Saugwirkung zwischen der Schmelzzone und den sie tragenden Stabteilen hervorrufen.
Es laufen nämlich die aus dem mit der Schmelze in Berührung stehenden, als Schallstrahler wirkenden
309 687/193
Stabende in die Schmelze austretenden Schallwellen auseinander und erzeugen darin eine periodische Strömung, wobei die Strömungslinien in der Nähe des Stabendes dichter als in den übrigen Teilen der Schmelze sind. Dies bedeutet aber auf Grund der Bernoullischen Gleichung der Hydrodynamik eine zusätzliche Verminderung des Binnendruckes der Schmelze an dieser Stelle. Wenn z. B. die Ultraschallwirkung durch Vermittlung des oberen Stabteiles auf die Schmelzzone übertragen wird, so wird sich dort Unterdruck einstellen, demzufolge die Flüssigkeit sich an das feste Stabende ansaugt. Die Tatsache, daß es sich hierbei nicht um eine eindeutig gerichtete Strömung, sondern um eine Wechselströmung handelt, bleibt dabei bedeutungslos, da, wie das Auftreten eines Schalldruckes beweist, auch eine Wechselströmung in einer Flüssigkeit eine von Null verschiedene, eindeutig gerichtete Kraftwirkung hervorrufen kann. Dies konnte bei den der Erfindung zugrunde liegenden Untersuchungen auch experimentell vollauf bestätigt werden.
Durch die beanspruchte Maßnahme kann beim tiegellosen Zonenschmelzen die Schmelzzone größer gemacht werden, als dies möglich ist, wenn die Schmelzzone nur auf Grund der Oberflächenspannung von den sie tragenden Stabteilen gehalten wird.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    schnitt gehende geschmolzene Zone erzeugt und allmählich von dem einen bis zu dem anderen Ende des Körpers durch eine Relativbewegung zwischen dem Körper und der die Zone schmelzenden Wärmequelle verschoben wird und der umzuschmelzende Körper nur in einigen Stellen, vorzugsweise an den Enden, gehaltert und das Zonenschmelzverfahren ohne Anwendung eines Schmelztiegels durchgeführt wird, wobei dem Abfließen der unter Einwirkung der Oberflächenspannung, gegebenenfalls auch durch Einwirkung der Wärmequelle, zwischen den nicht geschmolzenen Teilen des Stabes festgehaltenen sowie bei senkrechter Anordnung der Stäbe von dem unteren Stab getragenen Schmekzone entgegengewirkt wird, nach Patentanmeldung S 32197IV c/12 c (deutsche Auslegeschrift 1062 431), dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzzone über einen der sie tragenden festen Teile des umzuschmelzenden Körpers Schall-, insbesondere Ultraschallschwingungen zugeleitet werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zur Erzeugung der Schallbzw. Ultraschallwellen dienende Sender auf das während des Zonenschmelzens nicht aufzuschmelzende Endstück des langgestreckten Körpers unmittelbar aufgesetzt wird.
    1. Verfahren zum Umschmelzen von lang- 30 In Betracht gezogene Druckschriften:
    gestreckten Körpern, insbesondere von Stäben Deutsche Patentschriften Nr. 892191, 958 583,
    aus halbleitendem Material, bei dem in dem um- 973 231;
    zuschmelzenden Körper eine durch den Quer- Phys. Rev., März 1953, S. 1207.
    © 309 687/193 9.63
DES36929A 1953-02-14 1953-12-23 Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen Pending DE1154073B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES36929A DE1154073B (de) 1953-02-14 1953-12-23 Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES32193A DE1061527B (de) 1953-02-14 1953-02-14 Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
DES36929A DE1154073B (de) 1953-02-14 1953-12-23 Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen
DE1953S0036998 DE975158C (de) 1953-12-30 1953-12-30 Verfahren und Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines langgestreckten stabfoermigen Koerpers
DES44099A DE1210415B (de) 1953-02-14 1955-05-26 Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen eines durch Ziehen aus der Schmelze erhaltenen Halbleiterstabes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1154073B true DE1154073B (de) 1963-09-12

Family

ID=27437474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES36929A Pending DE1154073B (de) 1953-02-14 1953-12-23 Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1154073B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1244111B (de) * 1964-05-23 1967-07-13 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zur Herstellung von homogenen Staeben aus halbleitenden Mehrkomponentensystemen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE892191C (de) * 1939-05-31 1953-10-05 Sueddeutsche App Fabrik G M B Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen
DE958583C (de) * 1939-11-14 1957-02-21 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht bei Trockengleichrichter, insbesondere bei Selengleichrichter
DE973231C (de) * 1953-01-20 1959-12-24 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE892191C (de) * 1939-05-31 1953-10-05 Sueddeutsche App Fabrik G M B Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen
DE958583C (de) * 1939-11-14 1957-02-21 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht bei Trockengleichrichter, insbesondere bei Selengleichrichter
DE973231C (de) * 1953-01-20 1959-12-24 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1244111B (de) * 1964-05-23 1967-07-13 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zur Herstellung von homogenen Staeben aus halbleitenden Mehrkomponentensystemen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1014332B (de) Verfahren und Vorrichtung zum fraktionierten Umkristallisieren von unter Mischkristallbildung erstarrenden Legierungen und Halbleiterausgangsstoffen durch Zonenschmelzen
DE944571C (de) Verfahren zur Beeinflussung DER elektrischen Eigenschaften von Halbleiterkoerpern bei deren Herstellung aus reinem Halbleitermaterial, welches nur sehr kleine Anteile an Geber- und Nehmerberunreinigung enthaelt
DE1193022B (de) Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DE1023889B (de) Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DE1177119B (de) Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium
DE1179184B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen, insbesondere duennen halbleitenden Schichten
DE1154073B (de) Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen
DE1278413B (de) Verfahren zum Ziehen duenner stabfoermiger Halbleiterkristalle aus einer Halbleiterschmelze
DE2418101A1 (de) Verfahren zur herstellung einer verbindung zwischen diamanten und einem metall
DE1908473A1 (de) Aushaerten von Legierungen in einem einzigen Verfahrensschritt
DE1243641B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstaeben durch Ziehen aus der Schmelze
DE3438634A1 (de) Verfahren zum auftragen von verschleissfesten werkstoffen sowie vorrichtung zu dessen durchfuehrung
DE2143112A1 (de) Verfahren zur erzielung eines gleichmaessigen radialen widerstandsverlaufs beim herstellen eines halbleiter-einkristallstabes durch tiegelfreies zonenschmelzen
DE2159916A1 (de) Verfahren zur erzielung eines gleichmaessigen radialen widerstandsverlaufs beim herstellen eines halbleitereinkristallstabes durch tiegelfreies zonenschmelzen
DE1608152C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur schmelzmetallurgischen Herstellung genau zusammengesetzter Legierungen unter Einwirkung von Schallschwingungen
DE1170913B (de) Verfahren zur Herstellung von kristallinem Silicium in Stabform
DE2007200A1 (en) Semiconductor rods from melts
DE266566C (de)
DE1162329B (de) Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere dendritischen Halbleiterkoerpern und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
DE3116792C2 (de) Verfahren zur Gewinnung von Granalien aus einer Legierungsschmelze und Vorrichtung zur Durchführung desselben
DE1062431B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern durch Zonenschmelzen
DE968581C (de) Verfahren zur Herstellung von fuer Gleichrichter, Richtleiter, Transistoren od. dgl. bestimmten Kristallen
DE3701733A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum zuechten von czochralski-einkristallen
DE3732250C2 (de) Verfahren zum Ziehen von Einkristallen
SU139336A1 (ru) Способ насыщени поверхности металла серой