DE1154073B - Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen - Google Patents
Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch ZonenschmelzenInfo
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B13/16—Heating of the molten zone
-
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- C30B13/32—Mechanisms for moving either the charge or the heater
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
S 36929 IVc/12c
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT: 12. SEPTEMBER 1963
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT: 12. SEPTEMBER 1963
Es ist bekannt, daß beim tiegellosen Zonenschmelzen eines nur an seinen Enden gehalterten aufrechten
Siliziumstabes die den Stab durchwandernde geschmolzene Zone lediglich auf Grund ihrer Oberflächenspannung
von den angrenzenden Stabteilen getragen wird. Es ist ferner bekannt, daß zur Herstellung
einer Trockengleichrichterzelle durch Aufschmelzen einer Selenschicht auf eine metallische
Trägerplatte das aufgebrachte Selen vor, während oder nach dem Aufbringen auf seine Unterlage in
einem elektrischen Wechselfeld mit Kurz- oder Ultrakurzwellen und auch mit Ultraschallwellen behandelt
wird. Hierdurch wird amorphes Selen in eine allotrope kristalline Modifikation übergeführt und
die gewünschten Gleichrichtereigenschaften erhalten bzw. verbessert.
Beim Aufbringen von Halbleiterschichten auf eine Unterlage ist bekannt, daß während des Schmelz-
und Erstarrungsvorganges der Halbleiterschicht auf diese Ultraschallwellen zur Einwirkung gelangen.
Auch hier wird eine Verbesserung der Kristalleigenschaften, insbesondere aber auch die Verbesserung
der Sperrwirkung angestrebt. Schließlich ist beim Ziehen von Kristallen aus einer in einem Tiegel gehalterten
Schmelze bekannt, die Schmelze unter Einwirkung von Ultraschall zu haltern, um eine ständige
Durchmischung der Schmelze zu erzielen.
Es ist auch bereits ein Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Körpern, insbesondere von
Stäben aus halbleitendem Material vorgeschlagen worden, bei dem in dem umzuschmelzenden Körper
eine durch den Querschnitt gehende geschmolzene Zone erzeugt und allmählich von dem einen bis zu
dem anderen Ende des Körpers durch eine Relativbewegung zwischen dem Körper und der die Zone
schmelzenden Wärmequelle verschoben wird und der umzuschmelzende Körper nur an einigen Stellen,
vorzugsweise nur an den Enden gehaltert und das Zonenschmelzverfahren ohne Anwendung eines
Schmelztiegels durchgeführt wird, wobei dem Abfließen der unter Einwirkung der Oberflächenspannung,
gegebenenfalls auch durch Einwirkung der Wärmequelle, zwischen den nicht geschmolzenen
Teilen des Stabes festgehaltenen sowie bei senkrechter Anordnung der Stäbe von dem unteren Stab
getragenen Schmelzzone durch Anwendung zusätzlicher Maßnahmen, z. B. zusätzlicher Anwendung
elektromagnetischer Stützfelder oder zusätzlicher Anwendung das Abfließen der Schmelzzone verhindernder
Gasströme, entgegengewirkt wird [Patentanmeldung S 32197 IVc/12 c (deutsche Auslegeschrift
1062 431)].
Verfahren zum Umschmelzen
von langgestreckten Körpern,
insbesondere von Stäben aus halbleitendem
Material, durch Zonenschmelzen
Zusatz zur Patentanmeldung S 32197 IVc/12 c
(Auslegeschrift 1 062 431)
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München, München 2, Witteisbacherplatz 2
Dr. Theodor Rummel, München, ist als Erfinder genannt worden
Es wurde gefunden, daß dem Abfließen der Schmelzzone auch dadurch entgegengewirkt werden
kann, daß erfindungsgemäß der Schmelzzone über einen der sie tragenden festen Teile des umzuschmelzenden
Körpers Schall-, insbesondere Ultraschallschwingungen zugeleitet werden.
Dabei ist insbesondere vorgesehen, daß der zur Erzeugung der Schall- bzw. Ultraschallwellen dienende
Sender auf das während des Zonenschmelzens nichtaufschmelzende Endstück des langgestreckten
Körpers unmittelbar aufgesetzt wird.
Die Einwirkung von Ultraschall auf die Schmelzzone bewirkt zunächst, daß etwa vorhandene Gasreste
ausgetrieben werden. Da Gaseinschlüsse die Zerreißfestigkeit von Flüssigkeiten und damit die
Oberflächenspannung stark herabsetzen, ist bereits auf diese Weise eine gewisse Erhöhung der mechanischen
Stabilität der Schmelzzone bedingt, wenn die Schmelzzone unter Einwirkung von Schall- bzw.
Ultraschallschwingungen gehalten wird.
Abgesehen davon entstehen infolge der die Schrnelzzone durchwandernden Schall- bzw. Ultraschallwellen
hydrodynamische Kräfte, welche eine Saugwirkung zwischen der Schmelzzone und den sie
tragenden Stabteilen hervorrufen.
Es laufen nämlich die aus dem mit der Schmelze in Berührung stehenden, als Schallstrahler wirkenden
309 687/193
Stabende in die Schmelze austretenden Schallwellen auseinander und erzeugen darin eine periodische
Strömung, wobei die Strömungslinien in der Nähe des Stabendes dichter als in den übrigen Teilen der
Schmelze sind. Dies bedeutet aber auf Grund der Bernoullischen Gleichung der Hydrodynamik eine zusätzliche
Verminderung des Binnendruckes der Schmelze an dieser Stelle. Wenn z. B. die Ultraschallwirkung
durch Vermittlung des oberen Stabteiles auf die Schmelzzone übertragen wird, so wird sich dort
Unterdruck einstellen, demzufolge die Flüssigkeit sich an das feste Stabende ansaugt. Die Tatsache,
daß es sich hierbei nicht um eine eindeutig gerichtete Strömung, sondern um eine Wechselströmung handelt,
bleibt dabei bedeutungslos, da, wie das Auftreten eines Schalldruckes beweist, auch eine Wechselströmung
in einer Flüssigkeit eine von Null verschiedene, eindeutig gerichtete Kraftwirkung hervorrufen
kann. Dies konnte bei den der Erfindung zugrunde liegenden Untersuchungen auch experimentell
vollauf bestätigt werden.
Durch die beanspruchte Maßnahme kann beim tiegellosen Zonenschmelzen die Schmelzzone größer
gemacht werden, als dies möglich ist, wenn die Schmelzzone nur auf Grund der Oberflächenspannung
von den sie tragenden Stabteilen gehalten wird.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHE:schnitt gehende geschmolzene Zone erzeugt und allmählich von dem einen bis zu dem anderen Ende des Körpers durch eine Relativbewegung zwischen dem Körper und der die Zone schmelzenden Wärmequelle verschoben wird und der umzuschmelzende Körper nur in einigen Stellen, vorzugsweise an den Enden, gehaltert und das Zonenschmelzverfahren ohne Anwendung eines Schmelztiegels durchgeführt wird, wobei dem Abfließen der unter Einwirkung der Oberflächenspannung, gegebenenfalls auch durch Einwirkung der Wärmequelle, zwischen den nicht geschmolzenen Teilen des Stabes festgehaltenen sowie bei senkrechter Anordnung der Stäbe von dem unteren Stab getragenen Schmekzone entgegengewirkt wird, nach Patentanmeldung S 32197IV c/12 c (deutsche Auslegeschrift 1062 431), dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzzone über einen der sie tragenden festen Teile des umzuschmelzenden Körpers Schall-, insbesondere Ultraschallschwingungen zugeleitet werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zur Erzeugung der Schallbzw. Ultraschallwellen dienende Sender auf das während des Zonenschmelzens nicht aufzuschmelzende Endstück des langgestreckten Körpers unmittelbar aufgesetzt wird.1. Verfahren zum Umschmelzen von lang- 30 In Betracht gezogene Druckschriften:gestreckten Körpern, insbesondere von Stäben Deutsche Patentschriften Nr. 892191, 958 583,aus halbleitendem Material, bei dem in dem um- 973 231;
zuschmelzenden Körper eine durch den Quer- Phys. Rev., März 1953, S. 1207.© 309 687/193 9.63
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES36929A DE1154073B (de) | 1953-02-14 | 1953-12-23 | Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES32193A DE1061527B (de) | 1953-02-14 | 1953-02-14 | Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken |
DES36929A DE1154073B (de) | 1953-02-14 | 1953-12-23 | Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen |
DE1953S0036998 DE975158C (de) | 1953-12-30 | 1953-12-30 | Verfahren und Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines langgestreckten stabfoermigen Koerpers |
DES44099A DE1210415B (de) | 1953-02-14 | 1955-05-26 | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen eines durch Ziehen aus der Schmelze erhaltenen Halbleiterstabes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1154073B true DE1154073B (de) | 1963-09-12 |
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ID=27437474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DES36929A Pending DE1154073B (de) | 1953-02-14 | 1953-12-23 | Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1154073B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1244111B (de) * | 1964-05-23 | 1967-07-13 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zur Herstellung von homogenen Staeben aus halbleitenden Mehrkomponentensystemen |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE892191C (de) * | 1939-05-31 | 1953-10-05 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen |
DE958583C (de) * | 1939-11-14 | 1957-02-21 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht bei Trockengleichrichter, insbesondere bei Selengleichrichter |
DE973231C (de) * | 1953-01-20 | 1959-12-24 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze |
-
1953
- 1953-12-23 DE DES36929A patent/DE1154073B/de active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE892191C (de) * | 1939-05-31 | 1953-10-05 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen |
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---|---|---|---|---|
DE1244111B (de) * | 1964-05-23 | 1967-07-13 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zur Herstellung von homogenen Staeben aus halbleitenden Mehrkomponentensystemen |
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