DE892191C - Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen - Google Patents

Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen

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DE892191C
DE892191C DES19633D DES0019633D DE892191C DE 892191 C DE892191 C DE 892191C DE S19633 D DES19633 D DE S19633D DE S0019633 D DES0019633 D DE S0019633D DE 892191 C DE892191 C DE 892191C
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DE
Germany
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semiconductor layers
applying
semiconductor layer
forming semiconductor
carrier substrates
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Expired
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DES19633D
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English (en)
Inventor
Franz Dr-Phys Rother
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Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
Original Assignee
Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination

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Description

  • Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Trägerunterlagen Es ist bekannt, Kristallsehrnelzen während des Erstarrungsvorganges durch die Einwirkung von Ultraschallwellen so zu beeinflussen, daß nach der Erstarrung eine andere Kristallform resultiert, als dies ohne diese Einwirkung der Fall gewesen wäre. Es hat sich gezeigt, daß die Einwirkung von Ultraschallwellen darüber hinaus eine spezifische Wirkung aufweist, wenn mit ihnen geschmolzene zähflüssige Halbleiterschichten während des Schmelz- und Erstarrungsvorganges beeinflußt werden. Diese Beeinflussung äußerst sich beispielsweise bei geschmolzenem Selen in der Weise, daß später auf eine solche Oberfläche aufgebrachte Deckelelektroden aus Kathoden zerstäubten durchsichtigen Metallen in Zusammenwirkung mit der in neuer Weise vorbehandelten Halbleiterschicht eine gesteigerte Sperrwirkung zeigen, die sich sowohl für Photozellen als auch für Sperrschichtzellen in leistungssteigernder Weise auswirkt. Das neue Verfahren kann so der technischen Anwen,dung zugänglich gemacb.t werden, _.daß im Fall der Selen-Schichten-Herstellung .die mit dem vorgeschmolzenen Selen versehenen Eisenscheiben am laufenden Band .durch einen entsprechend beheizten und nur an einer Stelle oben offenen Kanal fortbewegt werden, so daß die jeweils die offene Stelle passierende Selenschicht mit Unterlagen von einem gerichteten und reflektierten Ultraschallstrahl so lange getroffen wird,' bis Erstarrüng der Halbleiterschicht eingetreten ist.
  • Das neue Verfahren hat weiterhin zur Folge, daß in die Halbleitersubstanz, wie Beispiel Selen, schon vor dem Erhitzen eingebrachte Frerrid metalle während des Schmelz- und Erstarrungsvorganges durch die Einwirkung des Ultraschallstruhles besser und inniger durchmischt und damit in dem Halbleiter gleichmäßiger zur Verteilung gelangen.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Aufbringung und Formierung von "Hal!bleiterschichten auf Trägerunterlagen, .dadurch gekennzeichnet, daß während des Schmelz- und Erstarrungsvorganges der Halbleiterschicht auf diese Ultraschallwellen zur Einwirkung gelangen.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der behandelten Halbleiteroberfläche von der Ultraschallquelle unter Berücksichtigung der benutzten Wellenlänge so bemessen wird, .daß an und in der Oberfläche der Halbleiterschicht stehende Schallwellen sich bilden.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß -die Einwirkung der Ultraschallwellen auf die Halbleiterschicht in einer .anderen Gasatmosphäre stattfindet.
DES19633D 1939-05-31 1939-06-01 Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen Expired DE892191C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1154073B (de) * 1953-02-14 1963-09-12 Siemens Ag Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1154073B (de) * 1953-02-14 1963-09-12 Siemens Ag Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen

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