DE892191C - Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen - Google Patents
Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf TraegerunterlagenInfo
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- DE892191C DE892191C DES19633D DES0019633D DE892191C DE 892191 C DE892191 C DE 892191C DE S19633 D DES19633 D DE S19633D DE S0019633 D DES0019633 D DE S0019633D DE 892191 C DE892191 C DE 892191C
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
- Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Trägerunterlagen Es ist bekannt, Kristallsehrnelzen während des Erstarrungsvorganges durch die Einwirkung von Ultraschallwellen so zu beeinflussen, daß nach der Erstarrung eine andere Kristallform resultiert, als dies ohne diese Einwirkung der Fall gewesen wäre. Es hat sich gezeigt, daß die Einwirkung von Ultraschallwellen darüber hinaus eine spezifische Wirkung aufweist, wenn mit ihnen geschmolzene zähflüssige Halbleiterschichten während des Schmelz- und Erstarrungsvorganges beeinflußt werden. Diese Beeinflussung äußerst sich beispielsweise bei geschmolzenem Selen in der Weise, daß später auf eine solche Oberfläche aufgebrachte Deckelelektroden aus Kathoden zerstäubten durchsichtigen Metallen in Zusammenwirkung mit der in neuer Weise vorbehandelten Halbleiterschicht eine gesteigerte Sperrwirkung zeigen, die sich sowohl für Photozellen als auch für Sperrschichtzellen in leistungssteigernder Weise auswirkt. Das neue Verfahren kann so der technischen Anwen,dung zugänglich gemacb.t werden, _.daß im Fall der Selen-Schichten-Herstellung .die mit dem vorgeschmolzenen Selen versehenen Eisenscheiben am laufenden Band .durch einen entsprechend beheizten und nur an einer Stelle oben offenen Kanal fortbewegt werden, so daß die jeweils die offene Stelle passierende Selenschicht mit Unterlagen von einem gerichteten und reflektierten Ultraschallstrahl so lange getroffen wird,' bis Erstarrüng der Halbleiterschicht eingetreten ist.
- Das neue Verfahren hat weiterhin zur Folge, daß in die Halbleitersubstanz, wie Beispiel Selen, schon vor dem Erhitzen eingebrachte Frerrid metalle während des Schmelz- und Erstarrungsvorganges durch die Einwirkung des Ultraschallstruhles besser und inniger durchmischt und damit in dem Halbleiter gleichmäßiger zur Verteilung gelangen.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Aufbringung und Formierung von "Hal!bleiterschichten auf Trägerunterlagen, .dadurch gekennzeichnet, daß während des Schmelz- und Erstarrungsvorganges der Halbleiterschicht auf diese Ultraschallwellen zur Einwirkung gelangen.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der behandelten Halbleiteroberfläche von der Ultraschallquelle unter Berücksichtigung der benutzten Wellenlänge so bemessen wird, .daß an und in der Oberfläche der Halbleiterschicht stehende Schallwellen sich bilden.
- 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß -die Einwirkung der Ultraschallwellen auf die Halbleiterschicht in einer .anderen Gasatmosphäre stattfindet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES19633D DE892191C (de) | 1939-05-31 | 1939-06-01 | Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0019633 | 1939-05-31 | ||
| DES19633D DE892191C (de) | 1939-05-31 | 1939-06-01 | Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE892191C true DE892191C (de) | 1953-10-05 |
Family
ID=25994908
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DES19633D Expired DE892191C (de) | 1939-05-31 | 1939-06-01 | Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE892191C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1154073B (de) * | 1953-02-14 | 1963-09-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen |
-
1939
- 1939-06-01 DE DES19633D patent/DE892191C/de not_active Expired
Cited By (1)
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| DE1154073B (de) * | 1953-02-14 | 1963-09-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Umschmelzen von langgestreckten Koerpern, insbesondere von Staeben aushalbleitendem Material, durch Zonenschmelzen |
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