DE961467C - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 49
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 38
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 238000010410 dusting Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XYUNNDAEUQFHGV-UHFFFAOYSA-N [Se].[Se] Chemical compound [Se].[Se] XYUNNDAEUQFHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Laminated Bodies (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Es ist bekannt, Selengleichrichter in der Weise herzustellen, daß auf eine Grundplatte Selenpulver aufgestreut, gegebenenfalls nachdem vorher eine Vorselenierung durchgeführt worden ist, und diese Selenschicht einer Preßbehandlung bei erhöhter Temperatur unterworfen wird. Die Vorselenierung besteht darin, vorab eine geringe Selenmenge auf der Grundplatte zum Schmelzen zu bringen, um eine gute Verbindung der durch Pressen fertiggestellten Selenschicht mit der Grundplatte zu bewirken.
- Es hat sich nun gezeigt, daß verhältnismäßig häufig Durchschläge am Rande der Gleichrichterscheibe auftreten. Dabei ist zu berücksichtigen, daß gewöhnlich große Gleichrichterscheiben im Preßverfahren hergestellt werden und daß diese großen Scheiben späterhin in kleinere Gleichrichterelemente aufgeteilt werden. Die Randdurchschläge häufen sich nun am Rande der großen Gleichrichterscheiben, also nicht etwa längs der Schnittkanten, durch welche die Aufteilung in kleine Gleichrichterelemente erfolgt. ` Wenn man nun beim Preßvorgang die gepreßte Scheibe beobachtet, dann zeigt 'sich, daß am Rande der Scheibe eine gewisse Selenmenge herausgequetscht wird. Da die Temperatur beim Pressen noch verhältnismäßig weit von der Schmelztemperatur des Selens entfernt ist, kann man davon ausgehen, daß durch den Preßvorgang gerade im Randbereich der Platte das Selen vermindert wird, so daß :hier eine verhältnismäßig dünne Selenschicht vorliegt. Es ist infolge der vorauszusetzenden Temperaturverteilung eventuell auch so, daß in der mit Selen bedeckten Grundplatte eine Spannung vorliegt, durch welche die Ränder bestrebt sind, sich nach oben zu wölben. Es liegt jedenfalls nahe, die Häufung der Durchschläge am Plattenrand mit dem zu beobachtenden Selenverlust am Rande in Zusammenhang zu bringen.
- Ein bekannter Vorschlag, den Rand einer dünnen Grundplatte eines Gleichrichterelements umzubördeln, soll der Erzielung der nötigen Stabilität und einer erhöhten Kühlung dienen. Der bekannte Vorschlag enthält jedoch keinerlei Hinweis, daß die Umbördelung der Verminderung der Selenschichtdicke im Randbereich entgegenwirken soll, was dadurch bestätigt wird, daß nichts darüber gesagt ist, wie weit z. B. der angebördelte Rand vom Außenrand des Preßstempels entfernt liegen soll.
- Ein anderer bekannter Vorschlag, die Grundplatte eines Gleichrichterelements U-förmig zu gestalten, soll die Einhaltung einer bestimmten Schichtdicke von praktisch gleicher Höhe gewährleisten. Die Verwendung einer Grundplatte von U-förmigem Querschnitt erscheint jedoch unzweckmäßig, weil durch die Anlage des Preßstempels auf den Rand der Grundplatte der tatsächlich auf die Selenschicht ausgeübte Druck unkontrollierbar und weil die gefährliche Nähe von Grundelektrode und Deckelelektrode nur dadurch beseitigt werden kann, daß man einen Teil der Selenfläche preisgibt und nicht zur Gleichrichterwirkung heranzieht.
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern, bei dem das Selen als Pulver auf die Grundplatte aufgebracht und dann einem Preßverfahren bei erhöhter Temperatur ausgesetzt wird.
- Gemäß der Erfindung erfolgt eine Vermi.ndierung des Durchschlagsausschusses bei der Herstellung von Selengleichrichtern, indem die Verteilung der Menge des Selenpulvers, der Kristallisationsvorgang und die Haftung des Selens auf der Grundplatte durch solche Maßnahmen einzeln oder zusammen beeinflußt werden, die einer Verminderung der Selenschichtdicke am Rande der Gleichrichterplatte beim Preßvorgang entgegenwirken.
- Durch diese Maßnahmen wird nicht nur eine Verminderung des Durchschlagsausschusses erreicht, vielmehr wird auch eine Ersparnis an Selen erzielt, da nämlich nunmehr die Selenschicht insgesamt dünner gehalten werden kann. Die anzuwendenden Maßnahmen können darin beruhen, eine andere Temperaturverteilung herbeizuführen, indem z. B. die Unterlage, auf welcher die zu pressende Platte aufliegt, eine etwas höhere Temperatur erhält als der Preßstempel, wodurch Formänderungen oder Spannungen verhindert werden, welche die Ränder nach oben zu biegen suchen. Eine andere Maßnahme ist die, längs der Ränder eine verstärkte Selenpulverauflage zu geben, so daß etwaige Preßverluste infolge Ausquetschens von Selen durch den größeren Vorrat am Rande ausgeglichen werden und keine Verminderung der Selenmenge unter das Soll an den Plattenrändern eintritt. Es zeigt sich sogar, daß bei verstärkter Selenauflage an den Rändern der Verlust an ausgequetschtem Selen wesentlich geringer ist. .Das mag damit zusammenhängen, daß nunmehr an den Rändern ein früherer Kontakt des Selens mit dem Preßstempel eintritt, so daß das Versintern des Selenpulvers früher beginnt und, bis die ganze Platte gleichmäßig vom Preßdruck erfaßt ist, am Rande bereits eine solche Struktur des Selens vorliegt, daß das Herausquetschen mindestens erschwert ist. Die Verstärkung der Selenschicht am Rande kann durch entsprechende Ausgestaltung der Streuvorrichtung bewirkt werden. Wenn durch ein Sieb aufgestreut wird, kann die Maschenweite über den Randteilen des Bleches vergrößert werden, so daß in der gleichen Zeit eine größere Selenmenge hindurchfällt, oder aber durch schräg gestellte Führungsbleche am Scheibenrande wird noch dasjenige Selenpulver auf die Scheibe geleitet, welches sonst an der Scheibe vorbeifallen würde.
- Weiterhin ist es möglich, zur Erzielung gleichmäßig dicker Selenschichten, durch Verhinderung des Herausquetschens an den Rändern, eine bestimmte Temperaturverteilung durchzusetzen. Dadurch wird am Rand und in der Scheibenmitte eine verschiedene Kristallisationsgeschwindigkeit erzielt. Man strebt auf diese Weise an, daß die Kristallisation am Rande schneller erfolgt als in der Mitte der Scheibe.
- Der gleiche Vorgang kann in der Weise durchgeführt werden, daß bereits Selenpulver verschiedenen Kristallisationszustandes aufgesiebt wird. So kann am Rande vorgetempertes Selen aufgebracht werden, während in der Mitte ungetempertes Selenpulver aufgesiebt wird.
- Im allgemeinen wird es vorteilhaft sein, die für die Grundplatte vorgesehene Auflageplatte der Presse etwas heißer zu halten als deren Stempel. Auch durch entsprechende Verteilung der Heizwicklungen kann dafür gesorgt werden, daß im Preßstempel mindestens für den Anfang des Preßvorganges über den Rändern der zu pressenden Platte eine etwas höhere Temperatur besteht als über der Mitte. Gegebenenfalls ist durch zusätzliche Kühlung .in der Mitte des Stempels dauernd eine etwas niedrigere Temperatur aufrechtzuerhalten.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern, bei dem das Selen als Pulver auf die Grundplatte aufgebracht und dann einem Preßverfahren bei erhöhter Temperatur ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Verteilung der Menge des Selenpulvers, der Kristallisationsvorgang und die Haftung des Selens auf der Grundplatte durch solche Maßnahmen einzeln oder zusammen beeinflußt werden, die einer Verminderung der Selenschichtdicke am Rande der Gleichrichterplatte beim Preßvorgang entgegenwirken. z. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Aufbringung des Selenpulvers auf die Grundplatte im Randbereich mehr Selenpulver aufgebracht wird als in der Mitte der Platte. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufbringung des Selenpulvers durch ein Sieb erfolgt, dessen Maschenweite über dem Rande der Grundplatte größer ist als über der Mitte. 4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Aufbringung des Selenpulvers am Rande der Grundplatte schräg aufgestellte Leitbleche verwendet werden. 5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß durch stufenweise Bestäubung der Grundplatte auf diese eine an ihrem Rande verstärkte Schicht von Selenpulver aufgebracht wird. 6. Verfahren nach Anspruch I, 2, 3, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß durch geeignete Temperaturverteilung zwischen dem Preßstempel und der Grundplatte ein Aufwölben der Grundplattenränder vermieden wird. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristallisationsvorgang bzw. die Haftung an den Rändern der Platte, z. B. .durch eine am Plattenrand gegenüber der Mitte erhöhte Temperatur, beschleunigt bzw. verbessert wird. 8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Grundplatte am Rande ein eine längere Zeit vorgetempertes Selen aufgestreut wird, dessen Kristallisation rascher verläuft als diejenige des in der Plattenmitte befindlichen Selens. In Betracht gezogene Druckschriften: Britische Patentschriften Nr. 578 050, 485 528; schweizerische Patentschrift Nr. 256 676.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1952S0028299 DE961467C (de) | 1952-04-26 | 1952-04-26 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1952S0028299 DE961467C (de) | 1952-04-26 | 1952-04-26 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE961467C true DE961467C (de) | 1957-04-04 |
Family
ID=7479386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1952S0028299 Expired DE961467C (de) | 1952-04-26 | 1952-04-26 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE961467C (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB485528A (en) * | 1937-05-29 | 1938-05-20 | British Thomson Houston Co Ltd | Improvements in and relating to light sensitive devices and methods of manufacturing the same |
GB578050A (en) * | 1944-02-07 | 1946-06-13 | Westinghouse Brake & Signal | Improvements relating to dry surface contact rectifiers |
CH256676A (de) * | 1943-10-07 | 1948-08-31 | Standard Telephon & Radio Ag | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichterelementes. |
-
1952
- 1952-04-26 DE DE1952S0028299 patent/DE961467C/de not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB485528A (en) * | 1937-05-29 | 1938-05-20 | British Thomson Houston Co Ltd | Improvements in and relating to light sensitive devices and methods of manufacturing the same |
CH256676A (de) * | 1943-10-07 | 1948-08-31 | Standard Telephon & Radio Ag | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichterelementes. |
GB578050A (en) * | 1944-02-07 | 1946-06-13 | Westinghouse Brake & Signal | Improvements relating to dry surface contact rectifiers |
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