DE112023005604T5 - Isoliertes Substrat und Halbleitervorrichtung - Google Patents

Isoliertes Substrat und Halbleitervorrichtung

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outer circumferential
circuit structures
semiconductor device
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German (de)
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Katsuhiko Kondo
Yuji Imoto
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3932343B2 (ja) * 1996-08-27 2007-06-20 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 半導体用基板およびその製造方法
JP4904916B2 (ja) * 2006-05-18 2012-03-28 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
JP4926033B2 (ja) * 2007-12-25 2012-05-09 京セラ株式会社 回路基板及びこれを用いたパッケージ並びに電子装置
JP2014027221A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Kyocera Corp 回路基板およびそれを用いた電子装置
JP6201490B2 (ja) * 2013-07-30 2017-09-27 株式会社豊田自動織機 半導体装置
JP6210818B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-11 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10170433B2 (en) * 2014-12-18 2019-01-01 Mitsubishi Electric Corporation Insulated circuit board, power module and power unit
EP3358614B1 (en) * 2015-09-28 2022-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate and semiconductor device

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