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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterlaser-Bauteil.
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STAND DER TECHNIK
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Als ein Lichtquellen-Bauteil, das für verschiedene Elektronikbauteile vorgesehen ist, wird ein Halbleiterlaser-Bauteil in weitem Umfang eingesetzt. Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel eines herkömmlichen Halbleiterlaser-Bauteils. Das Halbleiterlaser-Bauteil, das in dem Patentdokument 1 offenbart ist, beinhaltet einen Stamm („stem“), einen Halbleiterlaser-Chip und eine Kappe. Der Stamm bzw. Stammabschnitt ist aus Metall hergestellt und weist eine Vielzahl von Anschlüssen auf. Jeder der Anschlüsse ist an einer plattenartigen Basis festgelegt, wobei ein Block in einer Emissionsrichtung von der Basis und dem Stamm nach vorne vorsteht. Die Vielzahl von Anschlüssen erstreckt sich in der Emissionsrichtung nach hinten. Der Halbleiterlaser-Chip ist an dem Block montiert. Die Kappe bedeckt den Block und den Halbleiterlaser-Chip und weist eine Öffnung auf, die es erlaubt, dass Licht von dem Halbleiterlaser-Chip hier hindurch verläuft. Gemäß einer derartigen Konfiguration wird dann, wenn Leistung über die Vielzahl von Anschlüssen angelegt wird, Licht von dem Halbleiterlaser-Chip nach vorne in der Emissionsrichtung emittiert.
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DOKUMENT DES STANDES DER TECHNIK
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Patentdokument
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Patentdokument 1:
JP-A-2004-31900 -
ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
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Technisches Problem
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Der aus Metall hergestellte Stamm kann jedoch während des Gebrauchs des Halbleiterlaser-Bauteils korrodieren.
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Die vorliegende Offenbarung ist im Hinblick auf die vorstehenden Umstände erdacht worden und stellt darauf ab, ein Halbleiterlaser-Bauteil bereitzustellen, das dazu in der Lage ist, eine Korrosion zu unterdrücken.
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Lösung des Problems
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Ein Halbleiterlaser-Bauteil, das von der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist auf: einen Halbleiterlaser-Chip; einen Stamm, der eine Basis und einen Anschluss aufweist, der an der Basis festgelegt ist, wobei der Stamm den Halbleiterlaser-Chip lagert bzw. trägt; und eine erste Metallschicht, die eine die Basis und den Anschluss bedeckende erste Schicht, eine zweite Schicht, die zwischen der ersten Schicht und jeweils der Basis und dem Anschluss angeordnet ist, und eine dritte Schicht beinhaltet, die zwischen der zweiten Schicht und jeweils der Basis und dem Anschluss angeordnet ist, wobei Kristallkörner („crystal grains“) in der zweiten Schicht kleiner sind als Kristallkörner in der dritten Schicht.
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Vorteile der Erfindung
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Das Halbleiterlaser-Bauteil, das vorliegend offenbart ist, kann eine Korrosion unterdrücken.
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Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.
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Figurenliste
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- 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Halbleiterlaser-Bauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 2 ist eine Draufsicht, die das Halbleiterlaser-Bauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 3 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie III-III in 2.
- 4 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie IV-IV in 2.
- 5 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 6 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 7 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 8 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt einer ersten Variation des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 9 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt der ersten Variation des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 10 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt einer zweiten Variation des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 11 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt der zweiten Variation des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 12 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt der zweiten Variation des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 13 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt eines Halbleiterlaser-Bauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 14 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 15 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 16 ist eine Querschnittsansicht, die einen Halbleiterlaser-Bauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 17 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Hauptabschnitt des Halbleiterlaser-Bauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
- 18 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die ein Halbleiterlaser-Bauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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MODUS BZW. AUSFÜHRUNGSFORM ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
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Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Detail unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
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Die Begriffe wie „erstes“, „zweites“ und „drittes“ in der vorliegenden Offenbarung werden lediglich als Bezeichnungen verwendet und sollen den Elementen, die diesen Begriffen zugeordnet sind, keine Reihenfolge auferlegen bzw. zuordnen.
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<Erste Ausführungsform>
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Die 1 bis 7 zeigen einen Halbleiterlaser-Bauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterlaser-Bauteil A1 der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet einen Stamm bzw. Stammabschnitt 1, einen Halbleiterlaser-Chip 2, einen Draht 5 und eine erste Metallschicht 15. Das Halbleiterlaser-Bauteil A1 kann als eine Lichtquelle zum Lesen und Schreiben in einem CD-Spieler oder einem DVD-Recorder oder als eine Lichtquelle eines Laserdruckers verwendet werden, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
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Die z-Richtung der 1 bis 7 entspricht einer Emissionsrichtung des Halbleiterlaser-Chips 2. Die x-Richtung und die y-Richtung sind senkrecht zu der z-Richtung.
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Der Stamm 1 dient als die Basis des Halbleiterlaser-Bauteils A1 und weist eine Basis 11, einen Block 12 und eine Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C auf. Die Basis 11 und der Block 12 in dem Stamm 1 der vorliegenden Ausführungsform sind einstückig miteinander ausgebildet. Der Stamm 1 kann aus Fe oder einer Fe-Legierung hergestellt sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die Anzahl von Anschlüssen in dem Stamm 1 ist nicht besonders eingeschränkt. Die folgende Beschreibung vermittelt ein Beispiel, das drei Anschlüsse hat, d.h. die Anschlüsse 3A, 3B und 3C.
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Die Basis 11 ist ein plattenartiger Abschnitt, dessen Dickenrichtung sich in der z-Richtung erstreckt. In der vorliegenden Ausführungsform hat die Basis 11 eine im Wesentlichen kreisförmige Form, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung. Die Basis 11 hat eine Vorderfläche 111, die in der z-Richtung nach vorne weist. Beispielsweise hat die Basis 11 Abmessungen wie einen Durchmesser von etwa 5, 6 mm und eine Dicke von etwa 1,2 mm.
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Die Basis 11 ist mit zwei Anschlussdurchgangslöchern 114 ausgebildet. Die Form und die Größe von jedem Anschlussdurchgangsloch 114 ist nicht besonders eingeschränkt. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Anschlussdurchgangslöcher 114 kreisförmig, mit einem Durchmesser von etwa 1,0 mm. Der Durchmesser von jedem Anschlussdurchgangsloch 114 wird gemäß den Größen der Basis 11 und der Anschlüsse 3A und 3B, sowie der Distanz zwischen dem Anschluss 3A und dem Anschluss 3B, etc. geeignet gewählt.
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Zwei Anschlussdurchgangslöcher 114 sind gebildet, um die Anschlüsse 3A und 3B an der Basis 11 festzulegen. Wie es in 2 gezeigt ist, sind die zwei Anschlussdurchgangslöcher 114 in der x-Richtung auf beiden Seiten des Blocks 12 gebildet. Die Anschlussdurchgangslöcher 114 verlaufen in der z-Richtung durch die Basis 11 hindurch. Die Form von jedem Anschlussdurchgangsloch 114 ist nicht besonders eingeschränkt. In der vorliegenden Ausführungsform haben die Anschlussdurchgangslöcher 114 bei einer Betrachtung in der z-Richtung jeweils eine Kreisform.
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Der Block 12 steht gegenüber der Vorderfläche 111 der Basis 11 in der z-Richtung vor (in den Figuren nach oben) . Die Form des Blocks 12 ist nicht besonders eingeschränkt. In der vorliegenden Ausführungsform hat der Block 12 eine rechteckige Parallelepiped-Form. Der Block 12 weist eine Trägerfläche 121 auf. Die Trägerfläche 121 ist eine Fläche, an der der Halbleiterlaser-Chip 2 montiert ist. In der vorliegenden Ausführungsform verläuft die Trägerfläche 121 parallel zu der z-Richtung. Beispielsweise hat der Block 12 Abmessungen von etwa 1,0 mm in der x-Richtung, von etwa 1,2 mm in der y-Richtung und von etwa 1,5 mm in der z-Richtung.
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Die Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C werden dazu verwendet, um das Halbleiterlaser-Bauteil A1 an einem Elektronikbauteil oder dergleichen festzulegen, und bilden Leistungsversorgungspfade zu dem Halbleiterlaser-Chip 2. Die Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C sind stabartige Elemente, die aus einer Fe-Ni-Legierung hergestellt sind und einen Durchmesser von etwa 0,45 mm haben, um Beispiele zu nennen. Die Größe und die Form der Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C sind nicht besonders eingeschränkt.
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Der Anschluss 3A und der Anschluss 3B werden in das jeweilige der zwei Anschlussdurchgangslöcher 114 eingeführt. Wie es in 3 gezeigt ist, steht ein Abschnitt des Anschlusses 3A auf der Vorderseite in der z-Richtung nach vorne vor, und zwar ausgehend von dem Anschlussdurchgangsloch 114 in der z-Richtung. Auch steht ein großer Abschnitt des Anschlusses 3A auf der Rückseite in der z-Richtung vor, und zwar rückwärts bzw. nach hinten ausgehend von der Basis 11 in der z-Richtung. Ein Abschnitt des Anschlusses 3B auf der Vorderseite in der z-Richtung steht etwas gegenüber dem Anschlussdurchgangsloch 114 in der z-Richtung vor, jedoch weniger als die Länge des Vorsprungs des Anschlusses 3A. Auch steht ein großer Abschnitt des Anschlusses 3B auf der Rückseite in der z-Richtung vor, und zwar nach hinten bzw. rückwärts ausgehend von der Basis 11 in der z-Richtung. Ein Abschnitt des Anschlusses 3A nahe dem rückseitigen Ende hiervon in der z-Richtung dient als ein Terminal-Abschnitt 31A, der verwendet wird, wenn das Halbleiterlaser-Bauteil A1 an ein Elektronikbauteil oder dergleichen montiert wird. Ähnlich hierzu dient ein Abschnitt des Anschlusses 3B nahe dem rückseitigen Ende hiervon in der z-Richtung als ein Terminal-Abschnitt 31B, der verwendet wird, wenn das Halbleiterlaser-Bauteil A1 an einem Elektronikbauteil oder dergleichen montiert wird.
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Die Länge des Anschlusses 3A beträgt bspw. etwa 9,2 mm. Der Abschnitt des Anschlusses 3A, der in dem Anschlussdurchgangsloch 114 aufgenommen ist, hat eine Länge von etwa 1,2 mm, der Abschnitt, der in der z-Richtung nach vorne vorsteht, hat eine Länge von etwa 1,5 mm, und der Abschnitt, der in der z-Richtung nach hinten vorsteht, hat eine Länge von etwa 6,5 mm.
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Die Länge des Anschlusses 3B beträgt bspw. etwa 7,7 bis 7,9 mm. Der Abschnitt des Anschlusses 3B, der in dem Anschlussdurchgangsloch 114 aufgenommen ist, hat eine Länge von etwa 1,2 mm, der Abschnitt, der in der z-Richtung nach vorne vorsteht, hat eine Länge von etwa 0 bis 0,2 mm, und der Abschnitt, der in der z-Richtung nach hinten vorsteht, hat eine Länge von etwa 6,5 mm.
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Wie es in 4 gezeigt ist, ist der Anschluss 3C an die Fläche der Basis 11 gefügt, die in der z-Richtung nach hinten weist, und ist elektrisch mit der Basis 11 verbunden. Wie sich aus den 3 und 4 verstehen lässt, überlappt bei der vorliegenden Ausführungsform der Anschluss 3C mit dem Block 12, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung. Die Länge des Anschlusses 3C beträgt bspw. etwa 6,5 mm. Ein Abschnitt des Anschlusses 3C nahe dem rückseitigen Ende hiervon in der z-Richtung dient als ein Terminal-Abschnitt 31C, der verwendet wird, wenn das Halbleiterlaser-Bauteil A1 an einem Elektronikbauteil oder dergleichen montiert wird. Das Verfahren des Fügens bzw. Verbindens des Anschlusses 3C und der Basis 11 ist nicht besonders eingeschränkt. Beispielsweise kann das Fügen durch Schweißen oder durch ein leitfähiges Fügematerial erreicht werden, und zwar so wie es zweckmäßig ist.
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In der vorliegenden Ausführungsform sind, wie es in den 2 und 3 gezeigt ist, Räume zwischen den Anschlüssen 3A, 3B und den zwei Anschlussdurchgangslöchern 114 mit einem isolierenden Füllmaterial („filler“) 17 gefüllt. Das isolierende Füllmaterial 17 hat eine Funktion des Festlegens der Anschlüsse 3A und 3B an der Basis 11 und des Isolierens der Anschlüsse 3A und 3B gegenüber der Basis 11. Das Material des isolierenden Füllmaterials 17 ist nicht besonders eingeschränkt, in der vorliegenden Ausführungsform ist das isolierende Füllmaterial 17 jedoch aus Glas hergestellt. Wie es in den 5 und 6 gezeigt ist, weist das isolierende Füllmaterial 17 eine Vorderfläche 171 und eine Rückfläche 172 auf. Die Vorderfläche 171 weist in der z-Richtung hin zu der gleichen Seite wie die Vorderfläche 111. Die Rückfläche 172 weist in der z-Richtung weg von der Vorderfläche 171. Die Formen der Vorderfläche 171 und der Rückfläche 172 sind nicht eingeschränkt. In dem dargestellten Beispiel sind die Vorderfläche 171 und die Rückfläche 172 flache Flächen.
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Wie es in den 1 und 2 gezeigt ist, ist der Anschluss 3A mit dem Halbleiterlaser-Chip 2 mittels des Drahts 5 verbunden. Genauer gesagt ist der Anschluss 3Amittels des Drahts 5 mit einer Pad-Elektrode (nicht gezeigt) verbunden, die an einem Halbleiterelement 21 des Halbleiterlaser-Chips 2 gebildet ist. Der Draht 5 ist bspw. aus Au hergestellt. In dem Halbleiterlaser-Chip 2 kann der Draht 5 an die Pad-Elektrode gebondet werden, die an dem Halbleiterelement 21 gebildet ist. Alternativ hierzu kann der Draht 5 an ein Pad gebondet werden, das an einem Sub-Träger bzw. Sub-Hügel („sub-mound“) 22 gebildet ist. Der Anschluss 3C ist elektrisch mit der rückseitigen Elektrode des Sub-Trägers 22 des Halbleiterlaser-Chips 2 verbunden, und zwar über die Basis 11 und ein Fügematerial. Gemäß einer derartigen Konfiguration sind in dem Halbleiterlaser-Bauteil A1 Leistungsversorgungspfade hin zu dem Halbleiterlaser-Chip 2 durch den Anschluss 3A und den Anschluss 3C gebildet.
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Wenn dem Halbleiterlaser-Bauteil A1 Leistung nur dazu zugeführt wird, damit der Halbleiterlaser-Chip 2 Licht emittiert, wird der Anschluss 3B ggf. nicht als ein Leistungspfad verwendet. Der Anschluss 3B kann verwendet werden, um einfach das Halbleiterlaser-Bauteil A1 an einem Elektronikbauteil festzulegen. Alternativ hierzu kann der Anschluss 3B als ein Leistungsversorgungspfad hin zu dem Halbleiterlaser-Chip 2 verwendet werden. Wenn das Halbleiterlaser-Bauteil A1 ein Licht-empfangendes Element (nicht gezeigt) aufweist, kann das Licht-empfangende Element elektrisch mit dem Anschluss 3B verbunden sein.
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Der Halbleiterlaser-Chip 2 ist ein Licht-emittierendes Element des Halbleiterlaser-Bauteils A1. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Halbleiterlaser-Chip 2 aus dem Halbleiterelement 21 und dem Sub-Träger 22 aufgebaut. Es ist anzumerken, dass der Halbleiterlaser-Chip 2 nicht auf diese Konfiguration eingeschränkt ist und nur das Halbleiterelement 21 und nicht den Sub-Träger 22 enthalten kann. In der vorliegenden Offenbarung bezieht sich der Halbleiterlaser-Chip 2 auf ein Element, das bspw. an der Trägerfläche 121 des Blocks 12 des Stamms 1 montiert ist. Im Falle des Verwendens des Sub-Trägers 22 ist der Halbleiterlaser-Chip 2 als ein Element definiert, das den Sub-Träger 22 beinhaltet. In dem dargestellten Beispiel steht das vordere Ende des Halbleiterelements 21 in der z-Richtung mehr nach vorne in der z-Richtung vor als das vordere Ende des Sub-Trägers 22 in der z-Richtung. Es ist jedoch keine Beschränkung vorgenommen auf derartige Konfigurationen, und das vordere Ende des Halbleiterelements 21 in der z-Richtung steht ggf. nicht mehr vor als das vordere Ende des Sub-Trägers 22 in der z-Richtung.
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Das Halbleiterelement 21 weist eine Konfiguration auf, bei der eine Vielzahl von Halbleiterschichten aufeinandergestapelt sind. Das Halbleiterelement 21 weist eine längliche Form in der z-Richtung auf. Das Halbleiterelement 21 emittiert Licht nach vorne in der z-Richtung. Der Sub-Träger 22 lagert bzw. trägt das Halbleiterelement 21 und ist an die Trägerfläche 121 des Blocks 12 des Stamms 1 gefügt. Der Sub-Träger 22 kann aus Si oder AlN hergestellt sein. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Sub-Träger 22 mit einem Leitungspfad (nicht gezeigt) wie einem Verdrahtungsmuster oder einer Durchgangselektrode gebildet, und zwar zum elektrischen Verbinden des Halbleiterelements 21 mit dem Block 12.
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Der Sub-Träger 22 des Halbleiterlaser-Chips 2 ist an die Trägerfläche 121 des Blocks 12 des Stamms 1 bspw. mittels eines Fügematerials (nicht gezeigt) gefügt. Das Fügematerial ist nicht besonders eingeschränkt, solange es den Halbleiterlaser-Chip 2 geeignet fügen kann, und es kann sich bspw. um eine Metallpaste handeln oder um ein Lötmittel, die bzw. das Ag, In, Au oder Sn beinhaltet. Es ist anzumerken, dass bei der vorliegendenAusführungsform ein Fügematerial verwendet wird, das eine elektrische Leitfähigkeit hat. Dies ermöglicht es, dass die rückseitige Elektrode (nicht gezeigt), die an dem Halbleiterelement 21 bspw. gebildet ist, über das Fügematerial (nicht gezeigt) elektrisch mit dem Block 12 verbunden werden kann.
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Wie es in den 5, 6 und 7 gezeigt ist, bedeckt die erste Metallschicht 15 die Basis 11 und die Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C. In der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet die erste Metallschicht 15 eine erste Schicht 151, eine zweite Schicht 152 und eine dritte Schicht 153. Die erste Schicht 151 bedeckt die Basis 11 und die Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C. Die zweite Schicht 152 ist zwischen der Basis 11 und der ersten Schicht 151 sowie zwischen der Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C und der ersten Schicht 151 vorgesehen. Die dritte Schicht 153 ist zwischen dem Stamm 1 und der zweiten Schicht 152 und zwischen der Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C und der zweiten Schicht 152 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel steht die dritte Schicht 153 in Kontakt mit der Basis 11 und der Vielzahl von Anschlüssen 3A, 3B und 3C. Die zweite Schicht 152 steht in Kontakt mit der dritten Schicht 153. Die erste Schicht 151 steht in Kontakt mit der zweiten Schicht 152.
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Die Kristallkörner („crystal grains“) in der zweiten Schicht 152 sind kleiner als jene in der dritten Schicht 153. Beispielsweise kann die erste Schicht 151 eine Au-Plattierungsschicht sein. Die zweite Schicht 152 kann bspw. eine Pd-Plattierungsschicht sein. Die dritte Schicht 153 kann bspw. eine Ni-Plattierungsschicht sein.
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Die absolute Dicke der ersten Schicht 151 und der zweiten Schicht 152 und die relative Beziehung dazwischen sind nicht eingeschränkt. In der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Schicht 152 dicker als die erste Schicht 151. Die zweite Schicht 152 ist dünner als die dritte Schicht 153. Die erste Schicht 151 hat eine Dicke von bspw. etwa 0,01 µm bis 0,1 µm. Die zweite Schicht 152 hat eine Dicke von bspw. etwa 0,05 µm bis 1,0 µm. Die dritte Schicht 153 hat bspw. eine Dicke von etwa 2,0 µm bis 5,0 µm.
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Das Verfahren zum Bilden der ersten Schicht 151, der zweiten Schicht 152 und der dritten Schicht 153 ist nicht besonders eingeschränkt. Es ist bspw. möglich, ein Trommelplattieren bzw. -galvanisieren zu verwenden.
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Wie es in den 5 und 6 gezeigt ist, ist in dem dargestellten Beispiel die erste Metallschicht 15 in Bereichen gebildet, die die Grenze zwischen der Basis 11 des Stamms 1 und dem isolierenden Füllmaterial 17 ausschließen bzw. ausschließlich der Grenze zwischen der Basis 11 des Stamms 1 und dem isolierenden Füllmaterial 17. Das heißt, die erste Metallschicht 15 ist auf der Vorderfläche 111 der Basis 11, der Fläche gegenüberliegend der Vorderfläche 111 und der umfänglichen Endfläche gebildet, ist jedoch nicht in den Anschlussdurchgangslöchern 114 gebildet. Die erste Metallschicht 15 ist auch in Bereichen ausschließlich der Grenze zwischen den Anschlüssen 3A, 3B und dem isolierenden Füllmaterial 17 gebildet. Das heißt, die erste Metallschicht 15 ist an den Abschnitten der Anschlüsse 3A und 3B gebildet, die gegenüber dem isolierenden Füllmaterial 17 freiliegen.
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Wie es in 7 gezeigt ist, ist in dem dargestellten Beispiel die erste Metallschicht 15 in Bereichen ausschließlich der Grenze zwischen dem Anschluss 3C und der Basis 11 gebildet. Das heißt, die erste Metallschicht 15 ist an dem Anschluss 3C gebildet, jedoch ohne den Abschnitt, der an die Basis 11 gefügt bzw. damit verbunden ist.
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In einem Beispiel des Herstellens des Halbleiterlaser-Bauteils A1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden die Anschlüsse 3A, 3B und 3C an der Basis 11 angebracht, und dann werden die dritte Schicht 153, die zweite Schicht 152 und die erste Schicht 151 in dieser Reihenfolge durch Trommelplattieren gebildet.
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Als Nächstes werden Vorteile des Halbleiterlaser-Bauteils A1 beschrieben.
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Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Schicht 152 zwischen der ersten Schicht 151 und der dritten Schicht 153 vorgesehen. Die zweite Schicht 152 beinhaltet kleinere Kristallkörner als die dritte Schicht 153. Auf diese Art und Weise wird während des Gebrauchs des Halbleiterlaser-Bauteils A1 verhindert, dass sich die dritte Schicht 153 in die erste Schicht 151 hinein ausbreitet und zu der Oberfläche der ersten Metallschicht 15 austritt. Ein Verhindern des Ausbreitens und des Austretens („spread and leak“) der dritten Schicht 153 ermöglicht es, dass die dritte Schicht 153 die Basis 11 und die Anschlüsse 3A, 3B und 3C für einen längeren Zeitraum verlässlicher bedeckt. Dies ermöglicht es, eine Korrosion der Basis 11 und der Anschlüsse 3A, 3B und 3C zu unterdrücken.
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Die dritte Schicht 153 ist aus Ni hergestellt und ist daher geeignet zum Unterdrücken einer Korrosion der Basis 11 und der Anschlüsse 3A, 3B und 3C. Die zweite Schicht 152 ist aus Pd hergestellt, so dass die Kristallkörner der zweiten Schicht 152 definitiv kleiner sind als jene der dritten Schicht 153. Da die erste Schicht 151 aus Au hergestellt ist, liegen Vorteile wie ein leichtes Verbinden des Drahtes 5 und ein leichtes Löten vor, wenn das Halbleiterlaser-Bauteil A1 an einer Leiterplatte montiert wird.
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Obgleich die absolute Dicke der ersten Schicht 151 und der zweiten Schicht 152 und die relative Beziehung dazwischen nicht eingeschränkt sind, kann das Ausbilden der zweiten Schicht 152 derart, dass diese dicker ist als die erste Schicht 151, bspw. verlässlicher verhindern, dass eine Ausbreitung in die dritte Schicht 153 stattfindet. Da die zweite Schicht 152 dünner ist als die dritte Schicht 153, ist es möglich, zu verhindern, dass die Gesamtdicke der ersten Metallschicht 15 unangemessen groß wird. Die Konfiguration, bei der die dritte Schicht 153 relativ dick ist, ist geeignet, um eine Korrosion der Basis 11 und der Anschlüsse 3A, 3B und 3C zu unterdrücken.
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Die 8 bis 18 zeigen Variationen und andere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Es ist anzumerken, dass in diesen Figuren jenen Elementen, bei denen es sich um die gleichen oder um ähnliche Elemente handelt, wie bei der obigen Ausführungsform, die gleichen Bezugszeichen zugewiesen sind wie bei der obigen Ausführungsform.
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<Erste Variation der ersten Ausführungsform>
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Die 8 und 9 zeigen eine erste Variation des Halbleiterlaser-Bauteils A1. Das Halbleiterlaser-Bauteil A11 der vorliegenden Variation unterscheidet sich von dem obigen Beispiel hinsichtlich der Formen der Vorderfläche 171 und der Rückfläche 172 des isolierenden Füllmaterials 17.
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Bei der vorliegenden Variation ist die Vorderfläche 171 eine konkave Fläche, die in den Figuren in der z-Richtung nach unten ausgenommen bzw. zurück versetzt ist. Die Rückfläche 172 ist eine konkave Fläche, die in den Figuren in der z-Richtung nach oben ausgenommen bzw. zurück versetzt ist. Wenn bspw. das Glasmaterial des isolierendenFüllmaterials 17 während der Bildung bzw. Ausgestaltung des isolierenden Füllmaterials 17 verflüssigt wird, werden die Vorderfläche 171 und die Rückfläche 172 in die jeweiligen Formen gebildet, die in der vorliegenden Variation beschrieben sind, und zwar aufgrund der Oberflächenspannung. Die Vorderfläche 171 und die Rückfläche 172, die in den folgenden Variationen und Ausführungsformen beschrieben sind, können flache Flächen sein oder die konkaven Flächen, die in der vorliegenden Variation beschrieben sind.
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<Zweite Variation der ersten Ausführungsform>
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Die 10 bis 12 zeigen eine zweite Variation des Halbleiterlaser-Bauteils A1. Ein Halbleiterlaser-Bauteil A12 der vorliegenden Variation unterscheidet sich von dem obigen Beispiel hinsichtlich der Konfiguration der dritten Schicht 153.
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Bei der vorliegenden Variation beinhaltet die dritte Schicht 153 eine Primärschicht 1531 und eine Sekundärschicht 1532. Die Primärschicht 1531 und die Sekundärschicht 1532 sind aus dem gleichen Material wie die dritte Schicht 153 des obigen Beispiels hergestellt. Die Primärschicht 1531 ist an der äußeren Fläche der Basis 11 des Stamms 1 gebildet. Das heißt, die Vorderfläche 111 und die Anschlussdurchgangslöcher 114 sind mit der Primärschicht 1531 bedeckt. An der Basis 11 ist die Sekundärschicht 1532 auf der Primärschicht 1531 gebildet. Demgemäß beinhaltet die dritte Schicht 153 auf der Basis 11 die Primärschicht 1531 und die Sekundärschicht 1532. In dem dargestellten Beispiel ist die Primärschicht 1531 nicht auf dem Anschluss 3A, dem Anschluss 3B oder dem Anschluss 3C gebildet. Die Sekundärschicht 1532 direkt auf den Anschlüssen 3A, 3B und 3C gebildet. Demgemäß ist in Bezug auf die Anschlüsse 3A, 3B und 3C die dritte Schicht 153 nur aus der Sekundärschicht 1532 gebildet.
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Sowohl die Primärschicht 1531 als auch die Sekundärschicht 1532 haben die gleiche Dicke wie die dritte Schicht 153 in dem obigen Beispiel. Alternativ hierzu kann die Gesamtdicke der Primärschicht 1531 und der Sekundärschicht 1532 die gleiche sein wie die Dicke der oben beschriebenen dritten Schicht 153.
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Wie es sich in der vorliegenden Variation verstehen lässt, ist die Konfiguration der dritten Schicht 153 nicht eingeschränkt und kann aus verschiedenen Konfigurationen ausgewählt werden. In den nachstehenden Ausführungsformen kann die dritte Schicht 153 eine Konfiguration haben, die aus verschiedenen Konfigurationen ausgewählt ist, wie eine Einzelschicht-Konfiguration oder eine Mehrschicht-Konfiguration, die die Primärschicht 1531 und die Sekundärschicht 1532 beinhaltet.
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<Zweite Ausführungsform>
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Die 13 bis 15 zeigen ein Halbleiterlaser-Bauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In einem Halbleiterlaser-Bauteil A2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet die erste Metallschicht 15 die erste Schicht 151, die zweite Schicht 152, die dritte Schicht 153, eine vierte Schicht 154 und eine fünfte Schicht 155.
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Die vierte Schicht 154 ist zwischen den Anschlüssen 3A, 3B, 3C und der dritten Schicht 153 vorgesehen. Die fünfte Schicht 155 ist zwischen den Anschlüssen 3A, 3B, 3C und der vierten Schicht 154 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel steht die fünfte Schicht 155 in Kontakt mit den Anschlüssen 3A, 3B und 3C. Die vierte Schicht 154 steht in Kontakt mit der dritten Schicht 153 und der fünften Schicht 155.
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Die Kristallkörner in der vierten Schicht 154 sind kleiner als jene in der fünften Schicht 155. Beispielsweise kann die vierte Schicht 154 eine Pd-Plattierungsschicht sein. Beispielsweise kann die fünfte Schicht 155 eine Ni-Plattierungsschicht sein.
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Weder die vierte Schicht 154 noch die fünfte Schicht 155 ist auf der Basis 11 gebildet. Demgemäß steht an der Basis 11 die dritte Schicht 153 in Kontakt mit der Basis 11.
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Die erste Schicht 151, die zweite Schicht 152 und die dritte Schicht 153 sind in Bereichen ausschließlich der Grenze zwischen der Basis 11 und dem isolierenden Füllmaterial 17 gebildet. Das heißt, die erste Schicht 151, die zweite Schicht 152 und die dritte Schicht 153 sind gebildet, um die Vorderfläche 111 der Basis 11, die Fläche gegenüberliegend der Vorderfläche 111 und die umfängliche Endfläche zu bedecken, sind jedoch nicht in den Anschlussdurchgangslöchern 114 gebildet. Die erste Schicht 151, die zweite Schicht 152 und die dritte Schicht 153 sind auch in Bereichen ausschließlich der Grenze zwischen den Anschlüssen 3A, 3B und dem isolierenden Füllmaterial 17 gebildet. Das heißt, die erste Schicht 151, die zweite Schicht 152 und die dritte Schicht 153 sind gebildet, um die Abschnitte der Anschlüsse 3A und 3B zu bedecken, die gegenüber dem isolierenden Füllmaterial 17 freiliegen.
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Wie es in den 13 und 14 gezeigt ist, sind die vierte Schicht 154 und die fünfte Schicht 155 zwischen den Anschlüssen 3A, 3B und dem isolierenden Füllmaterial 17 vorgesehen. Das heißt, in der vorliegenden Ausführungsform bedecken die vierte Schicht 154 und die fünfte Schicht 155 jeden der Anschlüsse 3A und 3B insgesamt.
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Wie es in 15 gezeigt ist, sind die vierte Schicht 154 und die fünfte Schicht 155 zwischen dem Anschluss 3C und der Basis 11 vorgesehen. Das heißt, die vierte Schicht 154 und die fünfte Schicht 155 bedecken den Anschluss 3C insgesamt. Die erste Schicht 151, die zweite Schicht 152 und die dritte Schicht 153 sind in Bereichen ausschließlich der Grenze zwischen dem Anschluss 3C und der Basis 11 gebildet.
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Bei der Herstellung des Halbleiterlaser-Bauteils A2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden die fünfte Schicht 155 und die vierte Schicht 154 als erstes in dieser Reihenfolge auf den Anschlüssen 3A, 3B und 3C gebildet, und zwar durch Trommelplattieren. Als Nächstes werden die Anschlüsse 3A, 3B und 3C an der Basis 11 angebracht. Dann werden die dritte Schicht 153, die zweite Schicht 152 und die erste Schicht 151 in dieser Reihenfolge auf der Basis 11 und der Anschlüssen 3A, 3B und 3C durch Trommelplattieren gebildet.
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Eine solche Ausführungsform kann auch eine Korrosion des Halbleiterlaser-Bauteils A2 unterdrücken. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind die Anschlüsse 3A, 3B und 3C mit der vierten Schicht 154 und der fünften Schicht 155 bedeckt, und zwar zusätzlich zu der ersten Schicht 151, der zweiten Schicht 152 und der dritten Schicht 153. Die Erfinder haben herausgefunden, dass die Anschlüsse 3A, 3B und 3C gegenüber Korrosion empfindlicher sind als die Basis 11. Das Halbleiterlaser-Bauteil A2 kann eine Korrosion der Anschlüsse 3A, 3B und 3C weiter unterdrücken und kann deren dessen nutzbare Lebensdauer weiter verlängern.
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<Dritte Ausführungsform>
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Die 16 und 17 zeigen ein Halbleiterlaser-Bauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterlaser-Bauteil A3 beinhaltet den Stamm 1, den Halbleiterlaser-Chip 2, eine Kappe 4, den Draht 5, eine erste Metallschicht 15 und eine zweite Metallschicht 47.
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Die Kappe 4 bedeckt den Halbleiterlaser-Chip 2 und den Block 12 und ist an der Vorderfläche 111 der Basis 11 des Stamms 1 festgelegt. Die Kappe 4 weist einen Körperabschnitt 41, einen oberen Abschnitt 42, einen Flanschabschnitt 44 und eine transparente Abdeckung 45 auf. Der Körperabschnitt 41 umgibt den Halbleiterlaser-Chip 2 und den Block 12, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung, und weist bspw. eine kreisförmige Form auf. Die Kappe 4 kann aus Fe oder einer Fe-Legierung hergestellt sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
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Der obere Abschnitt 42 ist mit dem vorderen Ende des Körperabschnittes 41 in der z-Richtung verbunden und ist weiter vorne angeordnet als der Halbleiterlaser-Chip 2 in der z-Richtung. In der vorliegenden Ausführungsform weist der obere Abschnitt 42 eine Kreisform auf. Der obere Abschnitt 42 ist mit einer Öffnung 43 ausgebildet. Die Öffnung 43 ermöglicht es, dass Licht von dem Halbleiterlaser-Chip 2 hier hindurch verläuft. In der vorliegenden Ausführungsform hat die Öffnung 43 eine Kreisform.
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Der Flanschabschnitt 44 ist mit dem rückseitigen Ende des Körperabschnittes 41 in der z-Richtung verbunden und erstreckt sich entlang der xy-Ebene nach außen. Der Flanschabschnitt 44 weist bspw. eine Ringform auf und ist an der Vorderfläche 111 der Basis 11 bspw. durch Schweißen oder ein Fügematerial festgelegt.
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Die transparente Abdeckung 45 schließt die Öffnung 43 und lässt Licht von dem Halbleiterlaser-Chip 2 hindurch. Die transparente Abdeckung 45 ist aus einem Material hergestellt, das für Licht von dem Halbleiterlaser-Chip 2 transparent ist. Wenn die transparente Abdeckung 45, wie oben geschrieben, vorgesehen ist, kann Licht von dem Halbleiterlaser-Bauteil A3 selektiv zu einem relativ schmalen Bereich bzw. auf einen relativ schmalen Bereich emittiert werden. In der vorliegenden Ausführungsform ist die transparente Abdeckung 45 an der unteren Fläche des oberen Abschnittes 42 der Kappe 4 in der Figur angebracht.
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Die zweite Metallschicht 47 bedeckt den Körperabschnitt 41, den oberen Abschnitt 42 und den Flanschabschnitt 44 der Kappe 4. Die zweite Metallschicht 47 beinhaltet eine sechste Schicht 471 und eine siebte Schicht 472. Die sechste Schicht 471 bedeckt den Körperabschnitt 41, den oberen Abschnitt 42 und den Flanschabschnitt 44 der Kappe 4. Die siebte Schicht 472 ist zwischen der sechsten Schicht 471 und jeweils dem Körperabschnitt 41, dem oberen Abschnitt 42 und dem Flanschabschnitt 44 der Kappe 4 angeordnet.
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Die Kristallkörner in der sechsten Schicht 471 sind kleiner als jene in der siebten Schicht 472. Die sechste Schicht 471 ist aus dem gleichen Material hergestellt wie die zweite Schicht 152. Die sechste Schicht 471 kann bspw. eine Pd-Plattierungsschicht sein. Die siebte Schicht 472 ist aus dem gleichen Material wie die dritte Schicht 153 hergestellt. Beispielsweise kann die siebte Schicht 472 eine Ni-Plattierungsschicht sein.
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Die sechste Schicht 471 ist dünner als die siebte Schicht 472. Die sechste Schicht 471 hat eine Dicke von bspw. etwa 0,05 µm bis 1,0 µm. Die siebte Schicht 472 hat eine Dicke von bspw. etwa 2,0 µm bis 5.0 µm.
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Die erste Metallschicht 15 der vorliegenden Ausführungsform kann die gleiche Konfiguration haben wie die erste Metallschicht 15 des Halbleiterlaser-Bauteils A1 oder wie die erste Metallschicht 15 des Halbleiterlaser-Bauteils A2, und zwar situationsabhängig.
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Eine derartige Ausführungsform kann auch eine Korrosion des Halbleiterlaser-Bauteils A3 unterdrücken. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Kappe 4 den Halbleiterlaser-Chip 2 schützen, wodurch die nutzbare Lebensdauer des Halbleiterlaser-Bauteils A3 weiter verlängert werden kann.
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Ferner ist die Kappe 4 mit der zweiten Metallschicht 47 bedeckt. Da die sechste Schicht 471 eine Diffusion der siebten Schicht 472 unterdrückt, ist es bspw. möglich, eine Korrosion der Kappe 4 zu unterdrücken.
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<Vierte Ausführungsform>
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18 zeigt ein Halbleiterlaser-Bauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterlaser-Bauteil A4 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von jenen der obigen Ausführungsformen hinsichtlich der Konfiguration der ersten Metallschicht 15. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Metallschicht 15 aus der ersten Schicht 151 und der zweiten Schicht 152 ausgebaut. Die zweite Schicht 152 ist zwischen der ersten Schicht 151 und jeweils der Basis 11 und den Anschlüssen 3A, 3B und 3C vorgesehen. Die erste Schicht 151 ist bspw. aus Au hergestellt. Die zweite Schicht 152 ist bspw. aus Ni hergestellt. Die erste Schicht 151 weist eine Dicke von nicht weniger als 1,0 µm auf, vorzugsweise von 3,5 µm bis 5,0 µm. Die zweite Schicht 152 hat bspw. eine Dicke von 2,0 µm bis 4,0 µm.
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Auch eine derartige Ausführungsform kann eine Korrosion des Halbleiterlaser-Bauteils A4 unterdrücken.
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Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf jene in den obigen Ausführungsformen beschränkt. Es können verschiedene Konstruktions- bzw. Designänderungen an den speziellen Konfigurationen der Elemente des Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden.
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Klausel 1.
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Halbleiterlaser-Bauteil, das aufweist:
- einen Halbleiterlaser-Chip;
- einen Stamm, der eine Basis und einen an der Basis festgelegten Anschluss aufweist, wobei der Stamm den Halbleiterlaser-Chip trägt; und
- eine erste Metallschicht, die eine die Basis und den Anschluss bedeckende erste Schicht, eine zwischen der ersten Schicht und jeweils der Basis und dem Anschluss angeordnete zweite Schicht und eine dritte Schicht enthält, die zwischen der zweiten Schicht und jeweils der Basis und dem Anschluss angeordnet ist,
- wobei Kristallkörner in der zweiten Schicht kleiner sind als Kristallkörner in der dritten Schicht.
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Klausel 2.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 1, wobei die zweite Schicht dicker ist als die erste Schicht.
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Klausel 3.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 2, wobei die zweite Schicht dünner ist als die dritte Schicht.
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Klausel 4.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 2 oder 3, wobei die erste Schicht aus Au hergestellt ist.
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Klausel 5.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 4, wobei die zweite Schicht aus Pd hergestellt ist.
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Klausel 6.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 5, wobei die dritte Schicht aus Ni hergestellt ist.
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Klausel 7.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 6, wobei die erste Schicht eine Dicke von 0,01 um bis 0,1 um hat.
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Klausel 8.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 7, wobei die zweite Schicht eine Dicke von 0,05 um bis 1,0 µm hat.
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Klausel 9.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 8, wobei die dritte Schicht eine Dicke von etwa 2,0 um bis 5,0 µm hat.
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Klausel 10,
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Halbleiterlaser-Bauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1 bis 9, wobei der Stamm einen Block aufweist, der an der Basis festgelegt ist und den Halbleiterlaser-Chip trägt.
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Klausel 11.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 10, wobei die Basis mit einem Durchgangsloch zum Einführen des Anschlusses gebildet ist.
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Klausel 12.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 11, ferner mit einem Isolator, der zwischen der Basis und dem Anschluss angeordnet ist.
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Klausel 13.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 12, wobei die erste Metallschicht in einem Bereich ausschließlich einer Grenze zwischen der Basis und dem Isolator gebildet ist.
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Klausel 14.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 13, wobei die erste Metallschicht in einem Bereich ausschließlich einer Grenze zwischen dem Anschluss und dem Isolator gebildet ist.
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Klausel 15.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 12, wobei die erste Metallschicht eine vierte Schicht, die zwischen demAnschluss und der dritte Schicht angeordnete ist, und eine fünfte Schicht beinhaltet, die zwischen dem Anschluss und der vierten Schicht angeordnet ist, und
wobei Kristallkörner in der vierten Schicht kleiner sind als Kristallkörner in der fünften Schicht.
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Klausel 16.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 15, wobei die vierte Schicht aus Pd hergestellt ist, und
wobei die fünfte Schicht aus Ni hergestellt ist.
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Klausel 17.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 15 oder 16, wobei die dritte Schicht und die Basis miteinander in Kontakt stehen.
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Klausel 18.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 17, wobei die erste Schicht, die zweite Schicht und die dritte Schicht in einem Bereich ausschließlich einer Grenze zwischen der Basis und dem Isolator gebildet sind.
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Klausel 19.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 18, wobei die erste Schicht, die zweite Schicht und die dritte Schicht in einem Bereich ausschließlich einer Grenze zwischen dem Anschluss und dem Isolator gebildet sind.
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Klausel 20.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 19, wobei die vierte Schicht und die fünfte Schicht zwischen dem Anschluss und dem Isolator angeordnet sind.
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Klausel 21.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach einer beliebigen der Klauseln 12 bis 20, mit:
- einer Kappe, die an der Basis festgelegt ist und den Halbleiterlaser-Chip bedeckt, wobei die Kappe eine Öffnung hat, die den Durchgang von Licht von dem Halbleiterlaser-Chip erlaubt; und
- einer zweiten Metallschicht, die eine die Kappe bedeckende sechste Schicht und eine siebte Schicht beinhaltet, die zwischen der Kappe und der sechsten Schicht angeordnet ist,
- wobei Kristallkörner in der sechsten Schicht kleiner sind als Kristallkörner in der siebten Schicht.
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Klausel 22.
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Halbleiterlaser-Bauteil nach Klausel 21, wobei die sechste Schicht und die zweite Schicht aus dem gleichen Material hergestellt sind und
wobei die siebte Schicht und die dritte Schicht aus dem gleichen Material hergestellt sind.
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Klausel 23.
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Halbleiterlaser-Bauteil, das aufweist:
- einen Halbleiterlaser-Chip;
- einen Stamm, der eine Basis und einen an der Basis festgelegten Anschluss aufweist, wobei der Stamm den Halbleiterlaser-Chip trägt; und
- eine erste Metallschicht, die eine die Basis und den Anschluss bedeckende erste Schicht und eine zweite Schicht beinhaltet, die zwischen der ersten Schicht und jeweils der Basis und dem Anschluss angeordnet ist,
- wobei die erste Schicht aus Au hergestellt ist und wobei die zweite Schicht aus Ni hergestellt ist, und
- wobei die erste Schicht eine Dicke von nicht kleiner als 1,0 um hat.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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