CN112805887B

CN112805887B - 半导体激光装置

Info

Publication number: CN112805887B
Application number: CN201980064456.5A
Authority: CN
Inventors: 田尻浩之; 酒井贤司; 泉和刚
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2018-10-01
Filing date: 2019-09-24
Publication date: 2024-05-10
Anticipated expiration: 2039-09-24
Also published as: WO2020071168A1; JP7329527B2; US20210336410A1; DE112019004926T5; CN112805887A; JPWO2020071168A1

Abstract

本发明提供一种半导体激光装置(A1)，其包括：半导体激光芯片(2)；和支承半导体激光芯片(2)的基座(1)，其包含基底(11)和固定于基底(11)的引线(3A、3B、3C)。半导体激光装置(A1)还具有第一金属层(15)，其包括：覆盖基底(11)和引线(3A、3B、3C)的第一层(151)；设置在第一层(151)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第二层(152)；和设置在第二层(152)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第三层(153)。第二层(152)的晶粒比第三层(153)的晶粒小。依据这样的结构，能够抑制腐蚀。

Description

半导体激光装置

技术领域

本发明涉及半导体激光装置。

背景技术

作为搭载在各种电子设备的光源装置，半导体激光装置被广泛采用。专利文献1公开了现有技术的半导体激光装置的一例。该文献中所公开的半导体激光装置包括基座、半导体激光芯片和罩。所述基座具有：金属制的板状的基底；从该基底向射出方向前方突出的块体；和固定于基座且分别向所述射出方向后方延伸的多个引线。所述半导体激光芯片搭载于所述块体。所述罩覆盖所述块体和所述半导体激光芯片，具有使来自所述半导体激光芯片的光通过的开口。依据这样的结构，当经由所述多个引线供给电力时，来自所述半导体激光芯片的光向所述射出方向前方射出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-31900号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，伴随着上述半导体激光装置的使用，存在由金属形成的基座发生腐蚀的情况。

本发明是基于上述的问题而想出的发明，其目的在于，提供一种能够抑制腐蚀的半导体激光装置。

用于解决问题的技术方案

本发明所提供的半导体激光装置，其包括：半导体激光芯片；和支承所述半导体激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引线，所述半导体激光装置具有第一金属层，所述第一金属层包括：覆盖所述基底和所述引线的第一层；设置在所述第一层与所述基底以及所述引线之间的第二层；和设置在所述第二层与所述基底以及所述引线之间的第三层，所述第二层的晶粒比所述第三层的晶粒小。

发明效果

依据本发明的半导体激光装置，能够抑制腐蚀。

本发明的其他的特征和优点通过参照附图在以下进行的详细的说明能够更加明确。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的立体图。

图2是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的平面图。

图3是沿着图2的III-III线的截面图。

图4是沿着图2的IV-IV线的截面图。

图5是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。

图6是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。

图7是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。

图8是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分放大截面图。

图9是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分放大截面图。

图10是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分放大截面图。

图11是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分放大截面图。

图12是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分放大截面图。

图13是表示本发明的第二实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。

图14是表示本发明的第二实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。

图15是表示本发明的第二实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。

图16是表示本发明的第三实施方式的半导体激光装置的截面图。

图17是表示本发明的第三实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。

图18是表示本发明的第四实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。

具体实施方式

以下，基于本发明的优选的实施方式，参照附图进行具体的说明。

本发明中的“第一”、“第二”、“第三”等的用语只是作为标签使用的用语，并不一定意图表示对这些对象物排序。

<第一实施方式>

图1～图7表示基于本发明的第一实施方式的半导体激光装置。本实施方式的半导体激光装置A1包括基座1、半导体激光芯片2、导线5和第一金属层15。半导体激光装置A1的用途没有特别的限定，例如可以作为CD播放器或DVD刻录机的读写用的光源、激光打印机的光源来使用。

此外，图1～图7中的z方向相当于半导体激光芯片2的射出方向。x方向和y方向分别是相对于z方向为直角的方向。

基座1是半导体激光装置A1的基体，具有基底11、块体12和多个引线3A、3B、3C。本实施方式的基座1中，基底11和块体12一体地形成。基座1的材质没有特别的限定，例如，由Fe或者Fe合金形成。另外，基座1所具有的引线的个数没有特别的限定。在以下的说明中，以具有3根引线3A、3B、3C的情况为例进行说明。

基底11是以z方向为厚度方向的板状的部位，在本实施方式中，在z方向观察为大致圆形形状。基底11具有朝向z方向前方的主面111。举例基底11的尺寸的一个例子，直径为5.6mm程度，厚度为1.2mm程度。

在基底11形成有2个引线用贯通孔114。引线用贯通孔114的形状和大小没有特别的限定，在本实施方式中，形成直径为1.0mm程度的圆形贯通孔。引线用贯通孔114的直径能够根据基底11和引线3A、3B的尺寸、引线3A与引线3B的间隔等适当地设定。

2个引线用贯通孔114是为了将引线3A和引线3B固定在基底11而形成。如图2所示，2个引线用贯通孔114隔着块体12形成在x方向两侧。各引线用贯通孔114在z方向上贯通基底11。各引线用贯通孔114的形状没有特别的限定，在本实施方式中，引线用贯通孔114在z方向观察为圆形形状。

块体12从基底11的主面111向z方向前方(图中上方)突出。块体12的形状没有特别的限定，在本实施方式中，块体12形成为长方体形状。块体12具有支承面121。支承面121是搭载半导体激光芯片2的面，在本实施方式中相对于z方向平行。举例块体12的大小的一例，x方向尺寸为1.0mm程度，y方向尺寸为1.2mm程度，z方向尺寸为1.5mm程度。

多个引线3A、3B、3C为了将半导体激光装置A1固定在电子设备等而使用，且形成向半导体激光芯片2的电力供给路径。多个引线3A、3B、3C例如是由Fe-Ni合金形成的直径为0.45mm程度的棒状部件。此外，多个引线3A、3B、3C的大小和形状没有任何限定。

引线3A和引线3B分别被插通在2个引线用贯通孔114中。如图3所示，引线3A的z方向前方侧部分从引线用贯通孔114向z方向前方突出。另外，引线3A的位于z方向后方侧的大部分从基底11向z方向后方突出。虽然引线3B的z方向前方侧部分从引线用贯通孔114向z方向前方突出一些，但比引线3A的突出长度小。另外，引线3B的位于z方向后方侧的大部分从基底11向z方向后方突出。引线3A的z方向后方端附近的部位，形成将半导体激光装置A1搭载在电子设备等时使用的端子部31A。同样地，引线3B的z方向后方端附近的部位，形成将半导体激光装置A1搭载在电子设备等时使用的端子部31B。

举例引线3A的长度的一例，例如是9.2mm程度。引线3A之中收容在引线用贯通孔114中的长度为1.2mm程度，向z方向前方突出的长度为1.5mm程度，向z方向后方突出的长度为6.5mm程度。

举例引线3B的长度的一例，例如是7.7～7.9mm程度。引线3B之中收容在引线用贯通孔114中的长度为1.2mm程度，向z方向前方突出的长度为0～0.2mm程度，向z方向后方突出的长度为6.5mm程度。

如图4所示，引线3C与基底11的朝向z方向后方的面接合，与基底11导通。另外，根据图3和图4理解，在本实施方式中，引线3C在z方向观察与块体12重叠。引线3C的长度例如为6.5mm程度。引线3C的z方向后方端附近的部位，形成将半导体激光装置A1搭载在电子设备等时使用的端子部31C。引线3C与基底11的接合方法没有特别的限定，例如能够适当利用熔接或使用了导电性接合材料的接合等。

在本实施方式中，如图2和图3所示，在引线3A以及引线3B与2个引线用贯通孔114之间填充有绝缘填充材料17。绝缘填充材料17发挥将引线3A以及引线3B相对于基底11固定，并且将引线3A以及引线3B与基底11绝缘的功能。绝缘填充材料17的材质没有特别的限定，在本实施方式中，绝缘填充材料17由玻璃形成。如图5和图6所示，绝缘填充材料17具有主面171和背面172。主面171是在z方向上朝向与主面111相同侧的面。背面172是在z方向上朝向与主面171相反侧的面。主面171和背面172的形状没有任何限定。在图示的例子中，主面171和背面172是平坦的面。

如图1和图2所示，引线3A和半导体激光芯片2通过导线5连接。具体而言，形成于半导体激光芯片2的半导体元件21的焊垫电极(省略图示)与引线3A经由导线5连接。导线5例如由Au形成。在半导体激光芯片2中，导线5可以焊接于半导体元件21上所形成的上述焊垫电极，导线5也可以焊接于垫片22上所形成的焊垫。引线3C经由基底11和接合材料与半导体激光芯片2的垫片22的上述背面电极导通。根据这样的结构，在半导体激光装置A1中，由引线3A和引线3C形成向半导体激光芯片2的电力供给路径。

在仅以使半导体激光芯片2发光为目的向半导体激光装置A1供给电力的情况下，能够形成不将引线3B作为电力路径使用的结构。引线3B可以为了将半导体激光装置A1相对于电子设备仅机械性固定而使用。另外，也可以作为向半导体激光芯片2的电力供给路径而使用，在半导体激光装置A1具有未图示的受光元件的情况下，可以使该受光元件与引线3B导通。

半导体激光芯片2是半导体激光装置A1中的发光元件。在本实施方式中，半导体激光芯片2由半导体元件21和垫片22构成。此外，半导体激光芯片2的结构并不限定于此，例如也可以是不具有垫片22而仅由半导体元件21构成的结构。在本发明中，半导体激光芯片2是指搭载在基座1的块体12的例如支承面121上的要素，在采用垫片22的情况下定义为包括垫片22在内的结构。在图示的例子中，半导体元件21的z方向前方端比垫片22的z方向前方端更向z方向前方突出。但是，并不限定于这一结构，也可以是半导体元件21的z方向前方端不比垫片22的z方向前方端更向z方向前方突出的结构。

半导体元件21具有层叠有多个半导体层的构造。半导体元件21形成为在z方向上延伸的形状。光从半导体元件21向z方向前方射出。垫片22支承半导体元件21，并且与基座1的块体12的支承面121接合。垫片22例如由Si或者AlN形成。另外，在本实施方式中，在垫片22形成有用于使半导体元件21与块体12导通的配线图案或贯通孔电极等的导通路径(省略图示)。

半导体激光芯片2的垫片22例如通过接合材料(省略图示)与基座1的块体12的支承面121接合。接合材料只要是能够将半导体激光芯片2适当地接合的材料就没有特别的限定，例如可以是包含Ag、In、Au、Sn等的金属膏或者焊锡等。此外，在本实施方式中，作为接合材料能够采用具有导电性的材料。由此，形成于半导体元件21的例如背面电极(省略图示)与块体12经由接合材料(省略图示)导通。

如图5、图6和图7所示，第一金属层15覆盖基底11和多个3A、3B、3C。在本实施方式中，第一金属层15包含第一层151、第二层152和第三层153。第一层151覆盖基底11和多个3A、3B、3C。第二层152设置在第一层151与基底11以及多个3A、3B、3C之间。第三层153设置在第二层152与基座1以及多个3A、3B、3C之间。在图示的例子中，第三层153与基底11以及多个3A、3B、3C相接触。第二层152与第三层153相接触。第一层151与第二层152相接触。

第二层152的晶粒比第三层153的晶粒小。作为第一层151的一例，能够举例由例如Au形成的镀覆层。作为第二层152的一例，能够举例由例如Pd形成的镀覆层。作为第三层153的一例，能够举例由例如Ni形成的镀覆层。

第一层151和第二层152的绝对厚度和相关关系没有任何限定。在本实施方式中，第二层152的厚度比第一层151的厚度厚。另外，第二层152的厚度比第三层153的厚度薄。第一层151的厚度例如为0.01μm～0.1μm程度。第二层152的厚度例如为0.05μm～1.0μm程度。第三层153的厚度例如为2.0μm～5.0μm程度。

形成第一层151、第二层152和第三层153的方法没有特别的限定，例如能够使用转筒滚镀。

如图5和图6所示，在图示的例子中，第一金属层15形成在基座1的避开基底11与绝缘填充材料17之间的区域。即，第一金属层15形成在基底11的主面111、朝向与主面111相反侧的面以及周端面，没有形成于引线用贯通孔114中。另外，第一金属层15形成于避开引线3A、3B与绝缘填充材料17之间的区域。即，第一金属层15形成在引线3A和引线3B之中的、从绝缘填充材料17露出的部分。

如图7所示，在图示的例子中，第一金属层15形成于避开引线3C与基底11之间的区域。即，第一金属层15形成在引线3C之中的除与基底11接合的区域以外的区域。

本实施方式的半导体激光装置A1的制造中，例如在将引线3A、3B、3C安装在基底11之后，例如利用转筒滚镀，按照第三层153、第二层152和第一层151的顺序将它们依次形成。

接着，关于半导体激光装置A1的作用进行说明。

依据本实施方式，在第一层151与第三层153之间插设有第二层152。第二层152是晶粒比第三层153小的层。由此，在半导体激光装置A1的使用时，能够抑制第三层153向第一层151扩散而漏出到第一金属层15的表面。通过抑制第三层153的扩散和漏出，能够在更长期间中维持第三层153更可靠地覆盖基底11和引线3A、3B、3C的状态。因此，能够抑制基底11和引线3A、3B、3C的腐蚀。

通过令第三层153由Ni形成，对于抑制基底11和引线3A、3B、3C的腐蚀是优选的。通过令第二层152由Pd形成，能够更可靠实现第二层152的晶粒比第三层153的晶粒小的结构。通过令第一层151由Au形成，具有容易进行导线5的接合以及将半导体激光装置A1安装于电路基板时的焊接等的优点。

第一层151和第二层152的绝对厚度和相对关系没有任何限定，但第二层152的厚度比第一层151的厚度厚的情况下，能够更可靠地抑制第三层153的扩散等。通过使第二层152的厚度比第三层153的厚度薄，能够避免第一金属层15整体的厚度不当地变厚。第三层153的厚度相对地较厚的结构对于抑制基底11和引线3A、3B、3C的腐蚀是优选的。

图8～图18表示了本发明的变形例和其他实施方式。此外，在这些图中，对于与上述实施方式相同或者类似的要素，标注与上述实施方式相同的附图标记。

<第一实施方式第一变形例>

图8和图9表示半导体激光装置A1的第一变形例。本例的半导体激光装置A11，其绝缘填充材料17的主面171和背面172的形状与上述的例子不同。

在本例中，主面171为向z方向图中下方凹陷的凹曲面。另外，背面172是向z方向图中上方凹陷的凹曲面。例如，在绝缘填充材料17的形成中，用于形成绝缘填充材料17的玻璃材料成为液状时，由于表面张力而成为本例的主面171和背面172那样的形状。以后的例子或实施方式中的主面171和背面172可以是平坦的面，也可以是如本例的凹曲面。

<第一实施方式第二变形例>

图10～图12表示半导体激光装置A1的第二变形例。本例的半导体激光装置A12，其第三层153的结构与上述的例子不同。

在本例中，第三层153包括1次层1531和2次层1532。1次层1531和2次层1532分别由与上述例子的第三层153相同的材质形成。1次层1531形成在基座1的基底11的外表面。即，主面111和引线用贯通孔114被1次层1531覆盖。并且，在基底11中，在1次层1531层叠有2次层1532。因此，在基底11中，第三层153由1次层1531和2次层1532形成。另一方面，在图示的例子中，在引线3A、引线3B和引线3C没有形成1次层1531。并且，在引线3A、引线3B和引线3C直接形成有2次层1532。因此，在引线3A、引线3B和引线3C，第三层153仅由2次层1532形成。

1次层1531和2次层1532的厚度分别可以是与上述例子的第三层153相同的厚度。或者，1次层1531和2次层1532合计的厚度可以是与上述第三层153同样的厚度。

根据本例理解，第三层153的结构能够进行各种设定，没有任何限定。在以后的实施方式中，能够设定为第三层153为单层的情况，或者包含1次层1531和2次层1532的多层的情况等的各种结构。

<第二实施方式>

图13～图15表示本发明的第二实施方式的半导体激光装置。本实施方式的半导体激光装置A2中，第一金属层15包含第一层151、第二层152、第三层153、第四层154和第五层155。

第四层154设置在引线3A、3B、3C与第三层153之间。第五层155设置在引线3A、3B、3C与第四层154之间。在图示的例子中，第五层155与引线3A、3B、3C相接触。第四层154与第三层153和第五层155相接触。

第四层154的晶粒比第五层155的晶粒小。作为第四层154的一例，能够举例由例如Pd形成的镀覆层。作为第五层155的一例，能够举例由例如Ni形成的镀覆层。

在基底11上没有形成第四层154和第五层155。因此，在基底11中，第三层153与基底11相接触。

第一层151、第二层152和第三层153形成于避开基底11与绝缘填充材料17之间的区域。即，第一层151、第二层152和第三层153以覆盖基底11的主面111、朝向与主面111相反侧的面以及周端面的方式形成，且不形成于引线用贯通孔114。另外，第一层151、第二层152和第三层153形成于避开引线3A、3B与绝缘填充材料17之间的区域。即，第一层151、第二层152和第三层153以覆盖引线3A和引线3B之中的从绝缘填充材料17露出的部分的方式形成。

如图13和图14所示，第四层154和第五层155设置在引线3A、3B与绝缘填充材料17之间。即，在本实施方式中，第四层154和第五层155覆盖引线3A、3B的整体。

如图15所示，第四层154和第五层155设置在引线3C与基底11之间。即，第四层154和第五层155覆盖引线3C的整体。第一层151、第二层152和第三层153形成于避开引线3C与基底11之间的区域。

本实施方式的半导体激光装置A2的制造中，首先，在引线3A、3B、3C，例如利用转筒滚镀，按照第五层155和第四层154的顺序将它们依次形成。接着，在基底11安装引线3A、3B、3C。之后，在基底11和3A、3B、3C例如利用转筒滚镀，按照第三层153、第二层152和第一层151的顺序将它们依次形成。

基于这样的实施方式，能够抑制半导体激光装置A2的腐蚀。另外，依据本实施方式，引线3A、3B、3C在第一层151、第二层152和第三层153的基础上还被第四层154和第五层155覆盖。依据发明者们的见解，引线3A、3B、3C比基底11易于腐蚀。依据半导体激光装置A2，能够进一步抑制在引线3A、3B、3C产生腐蚀，能够进一步延长半导体激光装置A2的可使用寿命。

<第三实施方式>

图16和图17表示本发明的第三实施方式的半导体激光装置。本实施方式的半导体激光装置A3包括基座1、半导体激光芯片2、罩4、导线5、第一金属层15和第二金属层47。

罩4覆盖半导体激光芯片2和块体12，固定于基座1的基底11的主面111。罩4具有主体部41、顶部42、凸缘部44和透明盖45。主体部41在z方向观察包围半导体激光芯片2和块体12，例如形成为圆形形状。罩4的材质没有特别的限定，例如由Fe或者Fe合金形成。

顶部42与主体部41的z方向前方端相连，相对于半导体激光芯片2位于z方向前方。在本实施方式中，顶部42为圆形形状。在顶部42形成有开口43。开口43是用于使来自半导体激光芯片2的光通过的结构。在本实施方式中，开口43形成为圆形形状。

凸缘部44与主体部41的z方向后方相连，沿着xy平面向外方延伸。凸缘部44例如为圆环形状，利用熔接或者接合材料等固定于基底11的主面111。

透明盖45封闭开口43，透过来自半导体激光芯片2的光。透明盖45由相对于来自半导体激光芯片2的光透明的材质形成。在设置有这样的透明盖45的情况下，能够将来自半导体激光装置A3的光有选择地射出到比较狭窄的区域。在本实施方式中，透明盖45安装在罩4的顶部42的图中下表面。

第二金属层47覆盖罩4的主体部41、顶部42和凸缘部44。第二金属层47包括第六层471和第七层472。第六层471覆盖罩4的主体部41、顶部42和凸缘部44。第七层472设置在第六层471与罩4的主体部41、顶部42以及凸缘部44之间。

第六层471的晶粒比第七层472的晶粒小。第六层471由与第二层152相同的材质形成。作为第六层471的一例，能够举例由例如Pd形成的镀覆层。第七层472由与第三层153相同的材质形成。作为第七层472的一例，能够举例由例如Ni形成的镀覆层。

第六层471的厚度比第七层472的厚度薄。第六层471的厚度例如为0.05μm～1.0μm程度。第七层472的厚度例如为2.0μm～5.0μm程度。

本实施方式的第一金属层15的结构能够适当地采用上述的半导体激光装置A1的第一金属层15或半导体激光装置A2的第一金属层15的结构。

依据这样的实施方式，能够抑制半导体激光装置A3的腐蚀。另外，依据本实施方式，能够利用罩4保护半导体激光芯片2，能够进一步延长半导体激光装置A3的可使用寿命。

另外，罩4被第二金属层47覆盖。利用第六层471抑制第七层472的扩散等，由此能够抑制罩4的腐蚀。

<第四实施方式>

图18表示本发明的第四实施方式的半导体激光装置。在本实施方式的半导体激光装置A4中，第一金属层15的结构与上述的实施方式不同。在本实施方式中，第一金属层15由第一层151和第二层152构成。第二层152设置在第一层151与基底11以及引线3A、3B、3C之间。第一层151例如由Au形成。第二层152例如由Ni形成。第一层151的厚度为1.0μm以上，优选为3.5μm～5.0μm。第二层152的厚度例如为2.0μm～4.0μm。

依据这样的实施方式，能够抑制半导体激光装置A4的腐蚀。

本发明的半导体激光装置并不限定于上述的实施方式。本发明的半导体激光装置的各部的具体的结构能够自由地进行各种设计变更。

〔附记1〕

一种半导体激光装置，其包括：

半导体激光芯片；和

支承所述半导体激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引线，

所述半导体激光装置具有第一金属层，所述第一金属层包括：覆盖所述基底和所述引线的第一层；设置在所述第一层与所述基底以及所述引线之间的第二层；和设置在所述第二层与所述基底以及所述引线之间的第三层，

所述第二层的晶粒比所述第三层的晶粒小。

〔附记2〕

如附记1记载的半导体激光装置，所述第二层的厚度比所述第一层的厚度厚。

〔附记3〕

如附记2记载的半导体激光装置，所述第二层的厚度比所述第三层的厚度薄。

〔附记4〕

如附记2或3记载的半导体激光装置，所述第一层由Au形成。

〔附记5〕

如附记4记载的半导体激光装置，所述第二层由Pd形成。

〔附记6〕

如附记5记载的半导体激光装置，所述第三层由Ni形成。

〔附记7〕

如附记6记载的半导体激光装置，所述第一层的厚度为0.01μm～0.1μm。

〔附记8〕

如附记7记载的半导体激光装置，所述第二层的厚度为0.05μm～1.0μm。

〔附记9〕

如附记8记载的半导体激光装置，所述第三层的厚度为2.0μm～5.0μm程度。

〔附记10〕

如附记1～9中任一项记载的半导体激光装置，所述基座包括固定于所述基底且支承所述半导体激光芯片的块体。

〔附记11〕

如附记10记载的半导体激光装置，所述基底具有供所述引线插通的贯通孔。

〔附记12〕

如附记11记载的半导体激光装置，具有设置在所述基底与所述引线之间的绝缘部件。

〔附记13〕

如附记12记载的半导体激光装置，所述第一金属层形成于避开所述基底与所述绝缘部件之间的区域。

〔附记14〕

如附记13记载的半导体激光装置，所述第一金属层形成于避开所述引线与所述绝缘部件之间的区域。

〔附记15〕

如附记12记载的半导体激光装置，所述第一金属层包括：设置在所述引线与所述第三层之间的第四层；和设置在所述引线与所述第四层之间的第五层，

所述第四层的晶粒比所述第五层的晶粒小。

〔附记16〕

如附记15记载的半导体激光装置，

所述第四层由Pd形成，

所述第五层由Ni形成。

〔附记17〕

如附记15或16记载的半导体激光装置，

所述第三层与所述基底彼此接触。

〔附记18〕

如附记17记载的半导体激光装置，

所述第一层、所述第二层和所述第三层形成于避开所述基底与所述绝缘部件之间的区域。

〔附记19〕

如附记18记载的半导体激光装置，

所述第一层、所述第二层和所述第三层形成于避开所述引线与所述绝缘部件之间的区域。

〔附记20〕

如附记19记载的半导体激光装置，

所述第四层和所述第五层设置在所述引线与所述绝缘部件之间。

〔附记21〕

如附记12～20中任一项记载的半导体激光装置，

包括罩，所述罩被固定于所述基底且覆盖所述半导体激光芯片，并且具有使来自所述半导体激光芯片的光通过的开口，

所述半导体激光装置具有第二金属层，所述第二金属层包括覆盖所述罩的第六层和设置在所述罩与所述第六层之间的第七层，

所述第六层的晶粒比所述第七层的晶粒小。

〔附记22〕

如附记21记载的半导体激光装置，

所述第六层由与所述第二层相同的材质形成，

所述第七层由与所述第三层相同的材质形成。

〔附记23〕

一种半导体激光装置，其包括：半导体激光芯片；和支承所述半导体激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引线，

所述半导体激光装置具有第一金属层，所述第一金属层包括：覆盖所述基底和所述引线的第一层；和设置在所述第一层与所述基底以及所述引线之间的第二层，

所述第一层由Au形成，所述第二层由Ni形成，

所述第一层的厚度为1.0μm以上。

Claims

1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：

半导体激光芯片；和

所述第二层的晶粒比所述第三层的晶粒小，

所述基座包括固定于所述基底且支承所述半导体激光芯片的块体，

所述基底具有供所述引线插通的贯通孔，

具有设置在所述基底与所述引线之间的绝缘部件，

所述第一金属层形成于避开所述基底与所述绝缘部件之间的区域。

2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二层的厚度比所述第一层的厚度厚。

3.如权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二层的厚度比所述第三层的厚度薄。

4.如权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一层由Au形成。

5.如权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二层由Pd形成。

6.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第三层由Ni形成。

7.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一层的厚度为0.01μm～0.1μm。

8.如权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二层的厚度为0.05μm～1.0μm。

9.如权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第三层的厚度为2.0μm～5.0μm程度。

10.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一金属层形成于避开所述引线与所述绝缘部件之间的区域。

11.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一金属层包括：设置在所述引线与所述第三层之间的第四层；和设置在所述引线与所述第四层之间的第五层，

所述第四层的晶粒比所述第五层的晶粒小。

12.如权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第四层由Pd形成，

所述第五层由Ni形成。

13.如权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第三层与所述基底彼此接触。

14.如权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于：

15.如权利要求14所述的半导体激光装置，其特征在于：

16.如权利要求15所述的半导体激光装置，其特征在于：

17.如权利要求1～16中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第六层的晶粒比所述第七层的晶粒小。

18.如权利要求17所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第六层由与所述第二层相同的材质形成，

所述第七层由与所述第三层相同的材质形成。