DE112014006442T5 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Testen derselben - Google Patents

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semiconductor
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Hajime Akiyama
Akira Okada
Kinya Yamashita
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Abstract

Ein Zweck der vorliegenden Erfindung ist, eine Technik zur Verfügung zu stellen, die in der Lage ist, eine elektrische Entladung während einer Evaluierung zu unterdrücken. Eine Halbleitervorrichtung 1 weist auf: einen Halbleiterbasiskörper 11, der einen Elementbereich 11a und einen Anschlussbereich 11b aufweist; eine Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12, die in einer Fläche angeordnet sind, die sich in dem Elementbereich 11a des Halbleiterbasiskörpers 11 befindet und von dem Anschlussbereich 11b getrennt ist, eine isolierende Schutzschicht 13, die eine Öffnung 13a über jeder der Elektrodenkontaktstellen 12 vorgesehen aufweist; und eine Mehrzahl von leitfähigen Schichten 14, die auf der Schutzschicht 13 angeordnet sind und jeweils durch die Öffnung 13a elektrisch mit der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12 verbunden sind. In einer Draufsicht erstreckt sich jede der leitfähigen Schichten 14 zu dem Anschlussbereich 11b oder zu der Umgebung des Anschlussbereichs 11b.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung, die mit einer Elektrodenkontaktstelle versehen ist, und ein Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung durch Eingeben und Ausgeben eines Stroms in die und aus der Elektrodenkontaktstelle, um die elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung zu evaluieren.
  • Hintergrund
  • Ein Testverfahren ist bekannt, in welchem eine Kontakt-Prüfsonde in Kontakt mit einer Elektrodenkontaktstelle eines zu messenden Objekts wie eines Halbleiterwafers oder einer Halbleitervorrichtung gebracht wird, und dann wird ein Strom über die Elektrodenkontaktstelle eingegeben und ausgegeben, um die elektrischen Eigenschaften des zu messenden Objekts zu evaluieren. In den letzten Jahren ist als Folge der Nachfrage nach Anwendungen mit hohen Strömen und hohen Spannungen, welcher über die Elektrodenkontaktstelle einzugeben und auszugeben ist, die Anzahl von Anschlüssen der Kontakt-Prüfsonden erhöht worden.
  • Aufgrund der vermehrten Anschlüsse kann allerdings ein partielles elektrisches Entladephänomen auftreten, zum Beispiel zwischen einer Kontakt-Prüfsonde und einem zu messenden Objekt oder zwischen den Kontakt-Prüfsonden während einer Evaluierung des zu messenden Objekts. Dieses Phänomen verursacht in einigen Fällen eine partielle Zerstörung oder eine Fehlfunktion des zu messenden Objekts. Wenn ein Auftreten einer partiellen elektrischen Entladung übersehen wird, und das gemessene Objekt mit einer Beschädigung oder dergleichen, die durch eine partielle elektrische Entladung verursacht wurde, als ein intaktes Produkt zu einem nachfolgenden Prozessschritt weitergeleitet wird, ist es extrem schwierig, das gemessene Objekt in dem nachfolgenden Prozessschritt zu finden. Daher sind Techniken gefragt, um die partielle elektrische Entladung während der Evaluierung des gemessenen Objekts einzuschränken.
  • Zum Beispiel schlagen Patentdokumente 1 und 2 Techniken vor, um die partielle elektrische Entladung einzuschränken. Weiter sind in den letzten Jahren Fehleranalysen vorgeschlagen worden, in welchen eine Beschädigung oder dergleichen auf der oberen oder unteren Oberfläche des zu messenden Objekts während der elektrischen Evaluierung durch Verwenden des OBIRCH-Verfahrens, welches Infrarotstrahlung zu Metall verwendet, des Photoemissionsmikroskopieverfahrens, welches Lichtemissionserfassung verwendet, einer Infrarotspektroskopietechnik oder anderer Verfahren (zum Beispiel Patentdokumente 3 und 4) erkannt werden.
  • Dokumente des Stands der Technik
  • Patentdokumente
    • Patentdokument 1: Offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2003-130889
    • Patentdokument 2: Offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 10-96746 (1998)
    • Patentdokument 3: Offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2013-101009
    • Patentdokument 4: Offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2013-118213
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Durch die Erfindung zu lösende Probleme
  • In der Technik zum Durchführen einer Untersuchung in einer isolierenden Flüssigkeit, wie sie im Patentdokument 1 offenbart ist, kann die elektrische Entladung, die während der Eigenschaftsuntersuchung von elektronischen Komponenten auftritt, unterdrückt werden. Nachteiligerweise erfordert diese Technik jedoch eine teure Prüfsonde und bedingt zusätzlich eine verlängerte Zeit für einen Evaluierungsvorgang, weil eine Evaluierung in einer Flüssigkeit ausgeführt wird, und somit ist diese Technik nicht für eine Kostenreduzierung geeignet. Weiter ist, wenn die zu messenden Objekte Halbleiterelemente in dem Wafer-Test oder Chip-Test sind, das vollständige Entfernen der isolierenden Flüssigkeit von dem Halbleiterelement nach der Evaluierung schwierig.
  • Weiter kann in der im Patentdokument 2 offenbarten Technik zum Durchführen einer Untersuchung in einem abgeschlossenen, mit einem Edelgas gefüllten Raum die Entladung, die während der Eigenschaftsuntersuchung von elektronischen Komponenten auftritt, unterdrückt werden. Nachteiligerweise bedingt diese Technik einen komplizierten Aufbau der Evaluierungsvorrichtung und ist nicht für eine Kostenreduzierung geeignet, und bedingt außerdem eine verlängerte Zeit für einen Evaluierungsvorgang.
  • Weiter ist, wenn eine Halbleitervorrichtung wie ein Leistungshalbleiterelement unter Verwendung des OBIRCH-Verfahrens untersucht wird, da eine Metallschicht auf der vorderen Oberfläche der gewöhnlichen Halbleitervorrichtung ausgebildet ist, die Bildung einer Vorrichtung notwendig, welche ermöglicht, dass von der rückwärtigen Oberflächenseite der Halbleitervorrichtung her evaluiert wird, nachdem die rückwärtige Oberfläche so bearbeitet ist, dass sie untersucht werden kann. Somit besteht ein Problem, dass eine Evaluierung nicht einfach durchgeführt werden kann.
  • In einer Fehleranalyse, in welcher eine Beschädigung oder dergleichen auf der oberen Oberfläche des zu messenden Objekts während der elektrischen Evaluierung unter Verwendung des Photoemissionsmikroskopieverfahrens, der Infrarotspektroskopietechnik oder dergleichen, erkannt wird, wird eine Mehrzahl von Kontakt-Prüfsonden für eine elektrische Verbindung auf dem zu messenden Objekt angeordnet. Deshalb besteht ein Problem, dass der Bereich, in welchem Infrarotstrahlung oder dergleichen durch die Kontakt-Prüfsonden blockiert wird, ein unerfassbarer Bereich wird, in welchem eine Beschädigung oder dergleichen nicht erkannt werden kann.
  • Entsprechend ist die vorliegende Erfindung angesichts der vorstehenden Probleme entwickelt worden, und eine Aufgabe davon ist, eine Technik zur Verfügung zu stellen, die in der Lage ist, die Entladung während der Evaluierung zu unterdrücken.
  • Mittel zum Lösen der Probleme
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist einen Halbleiterbasiskörper, der einen Elementbereich und einen Anschlussbereich aufweist, die in einer Draufsicht aneinander angrenzen, eine Mehrzahl von Elektroden-Kontaktstellen, die in einer Fläche angeordnet sind, welche sich in dem Elementbereich des Halbleiterbasiskörpers befindet und von dem Anschlussbereich getrennt ist, eine isolierende Schutzschicht, die in dem Elementbereich und dem Anschlussbereich des Halbleiterbasiskörpers angeordnet ist und eine über jeder Elektrodenkontaktstelle vorgesehene Öffnung aufweist, und eine Mehrzahl von leitfähigen Schichten, die auf der Schutzschicht angeordnet sind und jeweils durch die Öffnungen elektrisch mit der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen verbunden sind. In einer Draufsicht ist jede der leitfähigen Schichten zu dem Anschlussbereich oder zu der Umgebung des Anschlussbereichs hin gestreckt.
  • Weiter weist das Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung auf (a) einen Schritt des Herstellens eines Kontakts einer Mehrzahl von Prüfsonden mit Bereichen nahe dem Anschlussbereich der Mehrzahl von leitfähigen Schichten und (b) nach dem Schritt (a) einen Schritt des Eingebens und Ausgebens eines Stroms über die Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen durch die Mehrzahl von Prüfsonden und die Mehrzahl von leitfähigen Schichten.
  • Wirkungen der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann, weil der Abstand zwischen den Prüfsonden vergrößert werden kann, eine elektrische Entladung während der elektrischen Evaluierung unterdrückt werden.
  • Die Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus den nachfolgenden detaillierten Beschreibungen und den begleitenden Zeichnungen ersichtlicher.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform 1 darstellt.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, die die Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1 darstellt.
  • 3 ist eine Draufsicht, die eine Übersichtsanordnung eines Teils einer Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1 darstellt.
  • 4 ist eine Draufsicht, die eine Übersichtsanordnung eines Teils einer Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1 darstellt.
  • 5 ist eine Seitenansicht, die eine Übersichtsanordnung einer Halbleiterevaluierungsvorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1 darstellt.
  • 6 ist eine Draufsicht zum Erklären eines Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1.
  • 7 ist eine Draufsicht, die eine Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform 2 darstellt.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die die Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 2 darstellt.
  • 9 ist eine Draufsicht zum Erklären eines Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 2.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 3 darstellt.
  • 11 ist eine Querschnittsansicht, die die Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 3 darstellt.
  • Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen
  • Bevorzugte Ausführungsform 1
  • <Anordnung der Halbleitervorrichtung>
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung 1 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung darstellt, und 2 ist eine Querschnittsansicht, aufgenommen entlang einer Linie A-A in 1. Hierbei wird als die Halbleitervorrichtung 1 eine Halbleitervorrichtung der vertikalen Strukturart, welche den hohen Strom ein- oder ausschaltet, der in der Richtung aus der Ebene heraus in 1, nämlich der vertikalen Richtung (Z-Richtung) in 2 fließt, als ein Beispiel beschrieben, und insbesondere wird als eine Halbleitervorrichtung der vertikalen Strukturart ein IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) als ein Beispiel beschrieben. Die Halbleitervorrichtung 1 gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform ist jedoch nicht auf die Beispiele beschränkt, und die Halbleitervorrichtung 1 kann zum Beispiel eine andere Halbleitervorrichtung als der IGBT sein und kann eine Halbleitervorrichtung der horizontalen Strukturart sein, die in der horizontalen Richtung aufgebaut ist.
  • Die in 1 und 2 dargestellte Halbleitervorrichtung 1 weist einen Halbleiterbasiskörper 11, eine Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12 (zwei Emitter-Elektroden 12a, und eine Gate-Elektrode 12b), die in 1 durch Strichzweipunktlinien gezeigt sind, eine isolierende Schutzschicht 13, die mit Öffnungen 13a versehen ist, welche in 1 durch unterbrochene Linien gezeigt sind, eine Mehrzahl von leitfähigen Schichten 14 und eine Kollektor-Elektrode 15, die in 2 dargestellt ist, auf.
  • 3 ist eine Draufsicht, die den Halbleiterbasiskörper 11 und die Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12 darstellt. Der Halbleiterbasiskörper 11 weist einen Elementbereich 11a und einen Anschlussbereich 11b auf, die in einer Draufsicht aneinander angrenzen. Hierbei ist der Elementbereich 11a der innere Bereich einer unterbrochenen Linie in 3 und der Anschlussbereich 11b ist der äußere Bereich der unterbrochenen Linie in 3.
  • Der Elementbereich 11a ist ein Bereich, in welchem ein gewünschtes Halbleiterelement (hier ein IGBT), das die Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12 und einen Störstellenbereich (nicht dargestellt) aufweist, ausgebildet ist. Der Anschlussbereich 11b ist ein Bereich zum Aufrechterhalten einer Spannungsfestigkeit des Halbleiterelements und anderer und so ausgebildet, dass er den Elementbereich 11a in einer Draufsicht umgibt. Hierbei basiert die Beschreibung auf der Annahme, dass der Anschlussbereich 11b auf der Peripherie des Halbleiterbasiskörpers 11 ausgebildet ist.
  • Auf den vorderen und rückseitigen Oberflächen des Elementbereichs 11a des Halbleiterbasiskörpers 11 sind die Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12 (Emitter-Elektroden 12a und Gate-Elektrode 12b) und die Kollektor-Elektrode 15 montiert, um zu ermöglichen, dass ein Strom von der und an die Umgebung ein- und ausgegeben werden kann. Im Übrigen sind die Positionen und Nummern der Elektrodenkontaktstellen 12 (Emitter-Elektroden 12a und Gate-Elektroden 12b) und der Kollektorelektroden 15 nicht auf diejenigen in der in 3 und anderen Zeichnungen dargestellten Anordnung beschränkt.
  • Jede Elektrodenkontaktstelle 12 (Emitter-Elektrode 12a und Gate-Elektrode 12b) ist auf einer Fläche vorgesehen, die sich in dem Elementbereich 11a des Halbleiterbasiskörpers 11 befindet und die von dem Anschlussbereich 11b getrennt ist. Im Übrigen wird angenommen, dass in der bevorzugten Ausführungsform 1 jede Elektrodenkontaktstelle 12 aus einer transparenten, leitfähigen Schicht gebildet ist. Weiter wird angenommen, dass, wie nachfolgend beschrieben, auch jede leitfähige Schicht 14 aus einer transparenten, leitfähigen Schicht gebildet ist. Somit ist es möglich, wenn die Elektrodenkontaktstellen 12 und die leitfähigen Schichten 14 aus transparenten, leitfähigen Schichten gebildet sind, eine Evaluierung basierend auf einer Fehleranalyse (zum Beispiel ein Photoemissionsmikroskopieverfahren) durchzuführen, was unmöglich gewesen ist, als die Elektrodenkontaktstellen 12 und die leitfähigen Schichten 14 aus einem undurchsichtigen Metall gebildet waren.
  • Weiter kann angenommen werden, dass in der bevorzugten Ausführungsform 1 die transparente, leitfähige Schicht zum Beispiel Zinkoxid aufweist, das eine Dicke von ungefähr 3 µm bis 5 µm aufweist. Entsprechend einer solchen Anordnung kann ein Verkürzen und Vereinfachen des Prozesses erzielt werden. Die transparente, leitfähige Schicht ist jedoch nicht hierauf beschränkt und kann zum Beispiel ITO (Indium-Zinnoxid), IZO (Indium-Zinkoxid) und SnO2 aufweisen.
  • Zu 2 zurückkehrend ist die Schutzschicht 13 auf dem Elementbereich 11a und dem Anschlussbereich 11b des Halbleiterbasiskörpers 11 angeordnet. 4 ist eine Draufsicht, die eine Anordnung zeigt, die durch Ausstatten der Schutzschicht 13 mit einer Isolierungseigenschaft zu der in 3 dargestellten Anordnung erhalten wird. Im Übrigen sind in 4 die Konturlinien der Elektrodenkontaktstellen 12, die durch die Schutzschicht 13 versteckt sind, durch Strichzweipunktlinien gezeigt. Weiter ist in 4 zur Vereinfachung der Zeichnung die Darstellung der Grenzlinie (die unterbrochene Linie in 3) zwischen dem Elementbereich 11a und dem Anschlussbereich 11b weggelassen.
  • Wie in 4 dargestellt, weist die Schutzschicht 13 eine Öffnung 13a auf, die über jeder Elektrodenkontaktstelle 12 vorgesehen ist, und die Schutzschicht 13 ist auf der gesamten Oberfläche des Halbleiterbasiskörpers 11 außer der Öffnung 13a angeordnet. Das heißt, in der Öffnung 13a ist die Oberfläche der Elektrodenkontaktstelle 12 von der Schutzschicht 13 freigelegt.
  • Zusätzlich wird als ein Material der Schutzschicht 13 in der elektrischen Evaluierung ein Material verwendet, das ein gewisses Maß an Transparenz aufweist, thermisch und chemisch stabil ist und eine ausgezeichnete Isolierungsleistung aufweist. Insbesondere wird für das Material der Schutzschicht 13 zum Beispiel ein Schichtelement aus Polyimiden wie Kapton (eingetragene Schutzmarke), Polyphenyl-Silsesquioxarin oder Polyvinyl-Silsesquioxarin oder ein Photoresist eingesetzt. Für das Material der Schutzschicht 13 können jedoch andere als diese Materialien eingesetzt werden.
  • Anschließend wird ein Muster durch partielles Entfernen oder Ablösen der Schutzschicht 13 ausgebildet, gefolgt von der anschließenden Bearbeitung.
  • Wenn die Schutzschicht 13 aus dem Photoresist gebildet ist, wird die Musterbildung unter Verwendung des Veraschungsprozesses durchgeführt, der das Photoresist teilweise zersetzt und entfernt, und das Photoresist wird nach Bedarf einem Waschen unterzogen. Somit kann, wenn das Photoresist auf der Schutzschicht 13 eingesetzt wird, da die Schutzschicht 13 durch Verwenden eines allgemeinen Halbleiterprozesses relativ einfach ausgebildet werden kann, ein Verkürzen und eine Vergünstigung des Prozesses erzielt werden, und zusätzlich kann in gewissem Maß eine Transparenz zu der Schutzschicht 13 hinzugefügt werden.
  • Andererseits wird in dem Fall einer Bildung der Schutzschicht 13 aus der Polyimid-Schicht (Schichtelement aus Polyimid) im Wesentlichen die Polyimid-Schicht teilweise abgelöst und entfernt. Somit kann, wenn die Polyimid-Schicht auf der Schutzschicht 13 eingesetzt wird, da die Schutzschicht 13 relativ einfach gebildet werden kann, ein Verkürzen und eine Vergünstigung des Prozesses erzielt werden, und zusätzlich kann in gewissem Maß eine Transparenz zu der Schutzschicht 13 hinzugefügt werden. Im Übrigen kann die Halbleitervorrichtung, wenn sie ohne Ablösen der Polyimid-Schicht zu dem Montageprozess geschickt wird, den Entladungsunterdrückungseffekt während der elektrischen Evaluierung beibehalten. Weiter ist es möglich, wenn die haftende Schicht auf der Polyimid-Schicht vorgesehen ist, das Befestigen und Lösen der Schutzschicht 13 zu ermöglichen.
  • Wie nachfolgend detailliert in der bevorzugten Ausführungsform 3 beschrieben wird, kann die Schutzschicht 13 aus einer Mehrzahl von Schichten gebildet sein, die aus dem gleichen Material oder aus unterschiedlichen Materialien bestehen.
  • Zurückkehrend zu 2 ist die Mehrzahl der vorstehend beschriebenen leitfähigen Schichten 14 auf der Schutzschicht 13 angeordnet und einzeln durch die Öffnungen 13a elektrisch mit der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12 verbunden. 1 zeigt eine Anordnung, die durch Vorsehen einer Mehrzahl von leitfähigen Schichten 14 in der in 3 dargestellten Anordnung erhalten wird. Im Übrigen sind in 1 die Öffnungen 13a, die durch die leitfähige Schicht 14 versteckt sind, durch unterbrochene Linien gezeigt. Weiter sind ähnlich zu 4 die Konturlinien der Elektrodenkontaktstellen 12 durch Strichzweipunktlinien gezeigt, und die Grenzlinie zwischen dem Elementbereich 11a und dem Anschlussbereich 11b (unterbrochene Linie in 3) ist weggelassen.
  • Wie in 1 dargestellt, ist in einer Draufsicht jede leitfähige Schicht 14 zu dem Anschlussbereich 11b oder zu der Umgebung des Anschlussbereichs 11b ausgestreckt. Im Übrigen bedeutet in einer Draufsicht die Situation, in welcher die leitfähige Schicht 14 zu der Umgebung des Anschlussbereichs 11b ausgestreckt ist, dass der Abstand zwischen der leitfähigen Schicht 14 und dem Anschlussbereich 11b kurz ist und dass der Abstand zwischen der Elektrodenkontaktstelle 12, die elektrisch mit der leitfähigen Schicht 14 verbunden ist, und dem Anschlussbereich 11b kurz ist.
  • Weiter wird angenommen, dass in einer Draufsicht die Anordnung, in welcher die leitfähige Schicht 14 zu dem Anschlussbereich 11b ausgestreckt ist, eine Anordnung aufweist, in welcher in einer Draufsicht die leitfähige Schicht 14 zu der Grenze zwischen dem Elementbereich 11a und dem Anschlussbereich 11b ausgestreckt ist, und eine Anordnung, in welcher in einer Draufsicht die leitfähige Schicht 14 zu der Innenseite des Anschlussbereichs 11b über die Grenze hinaus ausgestreckt ist. In der bevorzugten Ausführungsform 1 basiert, wie in 2 dargestellt, eine Beschreibung auf der Annahme, dass in einer Draufsicht jede leitfähige Schicht 14 zu der Grenze zwischen dem Elementbereich 11a und dem Anschlussbereich 11b ausgestreckt ist. Mit dieser Anordnung kann, da der Abstand zwischen der leitfähigen Schicht 14 und anderen Elektroden durch die Endfläche der Halbleitervorrichtung 1 (Seitenoberfläche des Halbleiterbasiskörpers 11) in gewissem Maß verlängert werden kann, eine elektrische Entladung oder ein Kurzschluss zwischen der leitfähigen Schicht 14 und anderen Elektroden während der elektrischen Evaluierung unterdrückt werden.
  • Wie nachfolgend beschrieben, wird, nachdem jede Kontakt-Prüfsonde (Prüfsonde) in Kontakt mit einem Bereich jeder leitfähigen Schicht 14 nahe dem Anschlussbereich 11b gebracht worden ist, ein Strom durch jede Kontakt-Prüfsonde und jede leitfähige Schicht 14 über jede Elektrodenkontaktstelle 12 ein- und ausgegeben. Durch Verwenden einer solchen Ein- und Ausgabe eines Stroms wird ein Test zum Evaluieren der elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung 1 durchgeführt.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird in der bevorzugten Ausführungsform 1 angenommen, dass die leitfähige Schicht 14 aus einer transparenten, leitfähigen Schicht gebildet ist, die zum Beispiel aus Zinkoxid mit einer Dicke von ungefähr 3 µm bis 5 µm besteht; ohne jedoch darauf beschränkt zu sein, kann die leitfähige Schicht 14 aus einer transparenten, leitfähigen Schicht gebildet sein, die zum Beispiel aus ITO, IZO und SnO2 besteht. Weiter kann die leitfähige Schicht 14 aus einer Mehrzahl von Schichten gebildet sein, die aus dem gleichen Material oder aus verschiedenen Materialien bestehen, und mit dieser Anordnung kann eine Sicherstellung der elektrischen Leitfähigkeit und eine Unterdrückung einer Wärmeerzeugung verursacht durch ein Reduzieren der Stromdichte erwartet werden.
  • Die für die leitfähige Schicht 14 zu verwendende transparente, leitfähige Schicht wird zum Beispiel unter Verwendung von Sputtern oder dergleichen gebildet. Wenn ein Photoresist auf die Schutzschicht 13 aufgetragen wird, wird es als schwierig angesehen, das Sputtern der leitfähigen Schicht 14 durch Verwenden eines Photoresists durchzuführen, welches für eine feine Musterbildung als eine Maske geeignet ist. Im Allgemeinen ist es jedoch möglich, da der Bereich der leitfähigen Schicht 14 relativ groß ist, selbst wenn ein Photoresist nicht verwendet wird, durch Sputtern unter Verwendung einer Metallmaske, die ein bestimmtes Maß an Musterbildung erlaubt, die leitfähige Schicht 14 selektiv auszubilden. Außerdem kann, wenn die feine Musterbildung auf der leitfähigen Schicht 14 notwendig ist, durch Auftragen eines Schichtelements auf die Schutzschicht 13 und Sputtern unter Verwendung eines Photoresists als eine Maske die leitfähige Schicht 14 gebildet werden.
  • Weiter kann, bevor die leitfähige Schicht 14 gebildet wird, die obere Oberfläche der Elektrodenkontaktstelle 12 aufgeraut werden. Somit können eine Haftung und ein Kontaktwiderstand zwischen der Elektrodenkontaktstelle 12 und der leitfähigen Schicht 14 sichergestellt werden. Als ein Verfahren des Aufrauens können zum Beispiel mildes Ätzen oder ein Kurzzeitsandstrahlen der Elektrodenkontaktstellen 12 angewendet werden.
  • <Anordnung der Halbleiterevaluierungsvorrichtung>
  • 5 ist eine Seitenansicht, die eine Übersichtsanordnung einer Halbleiterevaluierungsvorrichtung 5 zum Evaluieren der elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung 1 des vertikalen Strukturtyps, wie vorstehend beschrieben, zeigt. Hierbei wird angenommen, dass die Halbleiterevaluierungsvorrichtung 5 die elektrischen Eigenschaften einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 1, die in einem einzelnen Wafer 1a ausgebildet sind, für jede einzelne der Halbleitervorrichtungen 1 evaluiert.
  • Die Halbleiterevaluierungsvorrichtung 5 weist eine Einspannplattform 51 auf, welche ein Sockel zum Fixieren des Wafers 1a durch Kontaktieren mit der Montage-Oberfläche des Wafers 1a (rückseitige Oberfläche, auf der in diesem Fall die Kollektor-Elektrode 15 angeordnet ist) ist. Hierbei wird angenommen, dass für die Fixierungseinrichtung der Einspannplattform 51 (Halteinrichtung) ein Vakuumsauger eingesetzt wird. Diese Fixierungseinrichtung ist jedoch nicht auf den Vakuumsauger beschränkt, und es kann zum Beispiel eine elektrostatische Anziehung eingesetzt werden.
  • Eine Elektrode in Kontakt mit der Elektrodenkontaktstelle 12, wenn die elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung 1 evaluiert werden, ist eine Kontakt-Prüfsonde 52. Hierbei ist eine Mehrzahl von Kontakt-Prüfsonden 52 basierend auf der Annahme vorgesehen, dass ein hoher Strom daran angelegt wird. Weiter ist die Kontakt-Prüfsonde 52 in einem Prüfsondenbasiskörper 53 vorgesehen, und der Prüfsondenbasiskörper 53 weist einen isolierenden Basiskörper 54 und ein Verbindungsteil 55a zusätzlich zu der Kontakt-Prüfsonde 52 auf.
  • Die Kontakt-Prüfsonde 52 ist mechanisch mit dem isolierenden Basiskörper 54 verbunden, und ein Verbindungsteil 55a ist auf dem isolierenden Basiskörper 54 angeordnet. Auf einem isolierenden Basiskörper 54 ist zum Beispiel eine Metallverdrahtung (nicht dargestellt) ausgebildet, und die Kontakt-Prüfsonde 52 ist über die Metallverdrahtung elektrisch mit dem Verbindungsteil 55a verbunden. Das Verbindungsteil 55a ist durch eine Signalleitung 56a elektrisch mit einer Evaluierungseinheit (Steuereinheit) 57 verbunden. Gemäß der vorstehenden Anordnung ist die Kontakt-Prüfsonde 52 durch die Metallverdrahtung, die auf dem isolierenden Basiskörper 54 vorgesehen ist, das Verbindungsteil 55a und die Signalleitung 56a elektrisch mit der Evaluierungseinheit 57 verbunden.
  • Die Halbleiterevaluierungsvorrichtung 5 ist, wenn die elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung 1 evaluiert werden, mit einer Elektrode (nicht dargestellt) als einer Elektrode in Kontakt mit der Kollektor-Elektrode 15 versehen, die auf der oberen Oberfläche der Einspannplattform 51 ausgebildet ist. Die Elektrode ist elektrisch mit dem Verbindungsteil 55b verbunden, das auf einer Seitenoberfläche der Einspannplattform 51 vorgesehen ist. Das Verbindungsteil 55b ist durch eine Signalleitung 56b elektrisch mit der Evaluierungseinheit (Steuereinheit) 57 verbunden. Gemäß der vorstehenden Anordnung ist die Elektrode, die auf der oberen Oberfläche der Einspannplattform 51 ausgebildet ist, durch das Verbindungsteil 55b und die Signalleitung 56b elektrisch mit der Evaluierungseinheit 57 verbunden.
  • Die Anordnungspositionen des Verbindungsteils 55a, welches die Verbindungsposition zwischen der Signalleitung 56a und dem isolierenden Basiskörper 54 definiert, und des Verbindungsteils 55b, das auf der Seitenoberfläche der Einspannplattform 51 vorgesehen ist, sind so ausgelegt, dass der Abstand zwischen den Verbindungsteilen 55a und 55b durch jede Kontakt-Prüfsonde 52 im Wesentlichen konstant ist. Gemäß solch einer Anordnung kann die Dichte des Stroms, die an jeder Kontakt-Prüfsonde 52 angelegt wird, im Wesentlichen angeglichen werden.
  • Ein Prüfsondenbasiskörper 53, der die Kontakt-Prüfsonde 52, den isolierenden Basiskörper 54 und das Verbindungsteil 55a aufweist, ist durch einen Bewegungsarm 58 in jeder Richtung beweglich. Selbstverständlich kann anstatt den Prüfsondenbasiskörper 53 zu bewegen, der Wafer 1a, nämlich die Einspannplattform 51 bewegt werden. Durch eine solche Bewegung kann eine Mehrzahl von Kontakt-Prüfsonden 52 in Kontakt mit der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12 der Halbleitervorrichtung 1 auf der Einspannplattform 51 gebracht werden.
  • In der bevorzugten Ausführungsform 1 ist eine Durchgangsbohrung 54a in dem isolierenden Basiskörper 54 (dem Prüfsondenbasiskörper 53) vorgesehen, und ein Detektor/ eine Kamera 59, die zur Analyse verwendet wird, ist über der Durchgangsbohrung 54a angebracht. Gemäß einer solchen Anordnung kann eine Fehleranalyse durchgeführt werden, in welcher eine Beschädigung auf der oberen Oberfläche der Halbleitervorrichtung 1 (zu messendes Objekt) während der elektrischen Evaluierung durch Verwenden eines Photoemissionsmikroskops, einer Infrarotspektroskopie oder dergleichen erkannt wird.
  • <Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung>
  • 6 ist eine Draufsicht zum Erklären eines Verfahrens zum Testen der Halbleitervorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1. Im Übrigen wird in der bevorzugten Ausführungsform 1, wie vorstehend beschrieben, die Evaluierung von elektrischen Eigenschaften einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 1, die auf einem einzelnen Wafer 1a ausgebildet sind, für jede einzelne der Halbleitervorrichtungen 1 durchgeführt.
  • Wie in 6 dargestellt, wird jede der Mehrzahl von Kontakt-Prüfsonden 52 in Kontakt mit einem Bereich von jeder der Mehrzahl von leitfähigen Schichten 14 gebracht, welche nah dem Anschlussbereich 11b liegt. In der bevorzugten Ausführungsform 1 wird jede Kontakt-Prüfsonde 52 in Kontakt mit einem Bereich in jeder der leitfähigen Schichten 14 gebracht, welche näher an dem Anschlussbereich 11b liegt als die Elektrodenkontaktstellen 12, die elektrisch mit den leitfähigen Schichten 14 verbunden sind.
  • Dann wird, nach einem Kontakt der Kontakt-Prüfsonde 52 durch Eingeben und Ausgeben eines Stroms durch die Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen 12 über eine Mehrzahl von Kontakt-Prüfsonden 52 und eine Mehrzahl von leitfähigen Schichten 14 ein Test zum Evaluieren der elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung 1 durchgeführt. Zusätzlich kann herbei durch Herstellen von Kontakten zwischen einer Mehrzahl von Kontakt-Prüfsonden 52 mit einer leitfähigen Schicht 14 ein hoher Strom angelegt werden.
  • <Wirkung>
  • Gemäß der Halbleitervorrichtung und dem Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1, wie vorstehend beschrieben, ist der Abstand zwischen den Kontakt-Prüfsonden 52, wenn die Kontakt-Prüfsonden mit den leitfähigen Schichten 14 in Kontakt gebracht sind, größer als der Abstand zwischen den Kontakt-Prüfsonden 52, wenn die Kontakt-Prüfsonden 52 mit den Elektrodenkontaktstellen 12 in Kontakt gebracht sind. Entsprechend kann, da der Abstand zwischen den Kontakt-Prüfsonden 52 vergrößert werden kann, eine elektrische Entladung während der elektrischen Evaluierung unterdrückt werden.
  • Im Übrigen ist, wie in 4 dargestellt, in einer Draufsicht der Abstand zwischen jeden zwei leitfähigen Schichten 14 so ausgelegt, dass er größer ist als der Abstand zwischen den zwei Elektrodenkontaktstellen 12, die jeweils elektrisch mit den zwei leitfähigen Schichten 14 verbunden sind. Gemäß einer solchen Anordnung kann, da der Abstand zwischen den zwei Elektrodenkontaktstellen 12 im Wesentlichen vergrößert werden kann, die elektrische Entladung während der elektrischen Evaluierung unterdrückt werden.
  • <Modifikationen>
  • In der bevorzugen Ausführungsform 1 sind zwei Emitter-Elektroden 12a so angeordnet, dass sie jeweils elektrisch mit zwei leitfähigen Schichten 14, die voneinander getrennt sind, verbunden sind. Das heißt, die Emitter-Elektrode 12a und die leitfähige Schicht 14 sind auf einer eins-zu-eins Basis gebildet. Wenn die zwei Emitter-Elektroden 12a im Wesentlichen das gleiche Potential aufweisen, können die zwei Emitter-Elektroden 12a (einige vorbestimmte Elektrodenkontaktstellen 12) jedoch durch eine leitfähige Schicht 14 elektrisch miteinander verbunden (gekoppelt) sein. Gemäß dieser Anordnung wird eine Trennbarkeit der Fläche einfach, und eine Vereinfachung des Prozesses kann erwartet werden. Zusätzlich kann der Effekt eines Unterdrückens einer Stromkonzentration und somit eines Unterdrückens einer Wärmeerzeugung während der elektrischen Evaluierung erwartet werden.
  • Weiter wird in dem Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1 die Evaluierung der elektrischen Eigenschaften einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 1, die in einem Wafer 1a ausgebildet sind, für jeden einzelnen der Halbleitervorrichtungen 1 durchgeführt. Das Verfahren ist jedoch nicht darauf beschränkt, und nachdem der Kontaktierungsvorgang der Kontakt-Prüfsonden 52 gleichmäßig auf die Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 1 (zum Beispiel alle Halbleitervorrichtungen 1), die in einem Wafer 1a ausgebildet sind, durchgeführt ist, kann der Vorgang der Eingebens und Ausgebens eines Stroms gleichmäßig auf die Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 1 ausgeführt werden. Gemäß einer solchen Anordnung können ein Verkürzen des Prozesses, eine Verbesserung des Durchsatzes und eine Reduzierung der Testkosten erzielt werden.
  • Weiter kann in der vorstehenden Beschreibung die Halbleitervorrichtung 1 weiter mindestens eins von einem ersten Sperrmetall (nicht dargestellt), das unter der Elektrodenkontaktstelle 12 angeordnet ist, und einem zweiten Sperrmetall (nicht dargestellt), das unter der leitfähigen Schicht 14 angeordnet ist, aufweisen. Gemäß einer solchen Anordnung kann ein Elektrodenmaterial wie eine transparente, leitfähige Schicht gehindert werden, sich zu einem tiefen Teil des Elementbereichs 11a zu erstrecken. Das erste und zweite Sperrmetall können Teile sein, die aus Wolframsilizid (WSi) bestehen, das zum Beispiel eine Dicke von ungefähr 50 nm bis 200 nm aufweist. Gemäß einer solchen Anordnung kann der Effekt des Sperrmetalls verbessert werden.
  • Daneben ist die Halbleitervorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform 1 so ausgelegt, dass die Schutzschicht 13 schließlich zurückbleibt. Die Schutzschicht 13 muss jedoch nur während der Evaluierung vorhanden sein, und somit kann die Schutzschicht 13 nach der Evaluierung durch Veraschung oder Abtragen entfernt werden. Weiter kann, nach dem Entfernen der transparenten, leitfähigen Schicht im Zusammenhang mit dem Entfernen der Schutzschicht 13 eine Elektrodenkontaktstelle (nicht dargestellt) aus einem intransparenten Metall als eine Komponente ausgebildet werden. Entsprechend kann eine Langzeitstabilität erzielt werden und die anschließende Bearbeitung kann ermöglicht werden.
  • Zusätzlich sind die Modifikationsbeispiele der bevorzugten Ausführungsform 1 vorstehend beschrieben worden, und die Modifikationen können auf die nachfolgend beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen angewendet werden.
  • <Bevorzugte Ausführungsform 2>
  • 7 ist eine Draufsicht, die eine Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung 1 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung zeigt, und 8 ist eine Querschnittsansicht, aufgenommen entlang einer Linie A-A in 7. Im Übrigen sind in der Halbleitervorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform 2 Komponenten, die identisch oder ähnlich zu den vorstehend beschriebenen Komponenten sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und hauptsächlich wird ein Unterschied beschrieben.
  • Wie in 7 dargestellt, ist in der bevorzugten Ausführungsform 2 korrespondierend zu jeder Elektrodenkontaktstelle 12 (in diesem Fall Emitter-Elektrode 12a) eine Mehrzahl von Öffnungen 13a (hier drei Öffnungen) auf der Schutzschicht 13 vorgesehen. Weiter ist eine leitfähige Schicht 14 korrespondierend zu jeder der Mehrzahl von Öffnungen 13a (hier alle drei Öffnungen) angeordnet, die korrespondierend zu einer Elektrodenkontaktstelle 12 vorgesehen sind.
  • 9 ist eine Draufsicht zum Erklären eines Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform 2. Wie in 9 dargestellt, kann in der bevorzugten Ausführungsform 2, dadurch dass eine Kontakt-Prüfsonde 52 auf einer eins-zu-eins Basis mit der leitfähigen Schicht 14 in Kontakt gebracht wird, ein hoher Strom angelegt werden.
  • Gemäß der Halbleitervorrichtung 1 und dem Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung 1 gemäß der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform 2 ist es möglich, nicht nur ähnliche Wirkungen wie in der bevorzugten Ausführungsform 1 zu erzielen, sondern auch die Stromkonzentration während der elektrischen Evaluierung zu unterdrücken, und somit kann die Wärmeerzeugung aufgrund des Stroms unterdrückt werden.
  • In der beispielhaften, in 9 dargestellten Anordnung sind drei Öffnungen 13a und drei leitfähige Schichten 14 vorgesehen, um einen Strom über eine der Elektrodenkontaktstellen 12a durch drei Kontakt-Prüfsonden 52 ein- und auszugeben. Die Anzahl der Öffnungen 13a und der leitfähigen Schichten 14 sind jedoch nicht auf drei beschränkt. Zum Beispiel können als Folge der Größe der Elektrodenkontaktstelle 12, die aus einer transparenten, leitfähigen Schicht besteht, der ein- und ausgegebene Strom, usw. und weiter die Anzahl der Kontakt-Prüfsonden 52, die Anzahl der Öffnungen 13a und der leitfähigen Schicht 14 erhöht oder verringert werden.
  • <Bevorzugte Ausführungsform 3>
  • In den vorstehenden bevorzugten Ausführungsformen ist die Halbleitervorrichtung 1 mit der Schutzschicht 13 versehen, die aus einer Schicht aufgebaut ist; in der bevorzugten Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung ist die Halbleitervorrichtung 1 jedoch mit einer isolierenden Schutzschicht versehen, die aus einer Mehrzahl von Schichten aufgebaut ist.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Übersichtsanordnung einer Halbleitervorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung zeigt. Zusätzlich sind in der Halbleitervorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform 3 Komponenten, die identisch oder ähnlich zu den vorstehend beschriebenen Komponenten sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und hauptsächlich wird ein Unterschied beschrieben. Weiter ist, obwohl die Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform 3 auch mit der leitfähigen Schicht 14 versehen ist, die Darstellung der leitfähigen Schicht 14 zur Vereinfachung in 10 weggelassen.
  • Wie in 10 dargestellt, ist auf die isolierende Schutzschicht 13-1 eine Schutzschicht 13-2 einer isolierenden Schicht laminiert. Die Schutzschichten 13-1 und 13-2 können aus dem gleichen Material oder unterschiedlichem Material gebildet sein. Zum Beispiel kann das vorstehend beschriebene Schichtteil auf die Schutzschicht 13-1 aufgebracht werden und ein Photoresist kann auf die Schutzschicht 13-2 aufgebracht werden.
  • Weiter kann, wie in 10 dargestellt, eine Öffnung 13a-1 der Schutzschicht 13-1 der unteren Schicht so ausgebildet sein, dass sie größer ist als die Öffnung 13a-2 der Schutzschicht 13-2 der oberen Schicht, und eine anschließende Bearbeitung kann nach dem Entfernen von nur der Schutzschicht 13-2 der oberen Schicht nach der elektrischen Evaluierung durchgeführt werden, während die Schutzschicht 13-1 der unteren Schicht belassen wird. Somit kann in einer anschließenden Bearbeitung zum Beispiel Wire-Bonding, welches eine relativ große Öffnung erfordert, einfach durchgeführt werden.
  • Weiter ist eine Anordnung wünschenswert, in welcher die Schutzschicht 13-1, die in einer vorangehenden Bearbeitung ausgebildet worden ist, mit der Schutzschicht 13-2 bedeckt wird, die in einer nachfolgenden Bearbeitung ausgebildet wird. Gemäß dieser Anordnung kann eine außerordentliche Differenz in einer Höhe verhindert werden, und die leitfähige Schicht 14, die nicht getrennt eingefügt wird, kann einfach ausgebildet werden.
  • Gemäß der Halbleitervorrichtung 1 und dem Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung 1 gemäß der bevorzugten Ausführungsform 3, wie vorstehend beschrieben, können die Wirkungen ähnlich denen der bevorzugten Ausführungsform 1 durch Verwenden der aus einer Mehrzahl von Schichten aufgebauten Schutzschicht verbessert werden. Weiter kann die Effizienz eines partiellen Entfernens der Schutzschicht erhöht werden.
  • Zusätzlich ist bekannt, dass eine partielle Entladung nicht nur in dem Elementbereich 11a als einem aktiven Bereich (zentraler Bereich der Halbleitervorrichtung 1) auftritt, mit welchem die Kontakt-Prüfsonde 52 in Kontakt gebracht ist, sondern auch in der Umgebung des äußeren Umfangsbereichs, wo der Anschlussbereich 11b ausgebildet ist. Deshalb kann, wie in 11 dargestellt, nur innerhalb der Umgebung des Anschlussbereichs 11b eine Schutzschicht, die aus der Schutzschicht 13-1 und der Schutzschicht 13-2 darauf aufgebaut ist, ausgebildet sein. Mit dieser Anordnung kann, da der Abstand zwischen der leitfähigen Schicht 14 und anderen Elektroden durch die Endfläche der Halbleitervorrichtung 1 (Seitenoberfläche des Halbleiterbasiskörpers 11) in Gewissem Maß vergrößert werden kann, eine Entladung oder ein Kurzschluss zwischen der leitfähigen Schicht 14 und anderen Elektroden während der elektrischen Evaluierung unterdrückt werden.
  • In der vorstehenden Beschreibung kann, obwohl die Anordnung, in welcher die Schutzschicht aus zwei Schichten aufgebaut ist (die Schutzschichten 13-1 und 13-2), beschrieben worden ist, die Schutzschicht aus drei oder mehr Schichten aufgebaut sein.
  • Zusätzlich kann die vorliegende Erfindung innerhalb des Gültigkeitsumfangs der vorliegenden Erfindung jeweilige bevorzugte Ausführungsformen frei kombinieren, und kann jede bevorzugte Ausführungsform geeignet modifizieren oder weglassen.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung detailliert beschrieben worden ist, ist die vorstehende Beschreibung in allen Aspekten darstellend, und die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Es wird verstanden, dass zahlreiche Modifikationen, deren Beispiele nicht beschrieben sind, denkbar sind, ohne von dem Gültigkeitsumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Halbleitervorrichtung
    11
    Halbleiterbasiskörper
    11a
    Elementbereich
    11b
    Anschlussbereich
    12
    Elektrodenkontaktstelle
    12a
    Emitter-Elektrode
    13, 13-1, 13-2
    Schutzschicht
    13a, 13a-1, 13a-2
    Öffnung
    14
    leitfähige Schicht
    52
    Kontakt-Prüfsonde

Claims (15)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: einen Halbleiterbasiskörper, der einen Elementbereich und einen Anschlussbereich, der in einer Draufsicht an den Elementbereich angrenzt, aufweist; eine Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen, die in einer Fläche in dem Elementbereich des Halbleiterbasiskörpers angeordnet sind, wobei die Fläche von dem Anschlussbereich getrennt ist; eine isolierende Schutzschicht, die in dem Elementbereich und dem Anschlussbereich des Halbleiterbasiskörpers angeordnet ist und eine Öffnung aufweist, die über jeder der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von leitfähigen Schichten, die auf der Schutzschicht angeordnet sind und jeweils durch die Öffnung elektrisch mit der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen verbunden sind, wobei jede der Mehrzahl von leitfähigen Schichten sich in einer Draufsicht zu dem Anschlussbereich oder einer Umgebung des Anschlussbereichs erstreckt.
  2. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei eine Mehrzahl von Öffnungen in der Schutzschicht vorgesehen ist, die zu jeder der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen korrespondiert.
  3. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei jede aus der Mehrzahl von leitfähigen Schichten korrespondierend zu jeder aus der Mehrzahl von Öffnungen angeordnet ist, die korrespondierend zu einer aus der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen vorgesehen sind.
  4. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei einige vorbestimmte Elektrodenkontaktstellen aus der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen durch eine aus der Mehrzahl von leitfähigen Schichten elektrisch miteinander verbunden sind.
  5. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei jede aus der Mehrzahl von leitfähigen Schichten sich zu einer Grenze zwischen dem Elementbereich und dem Anschlussbereich erstreckt.
  6. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei ein Abstand zwischen zweien aus der Mehrzahl von leitfähigen Schichten größer ist als ein Abstand zwischen zweien aus der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen, die in einer Draufsicht jeweils mit zweien aus der Mehrzahl von leitfähigen Schichten verbunden sind.
  7. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen und die Mehrzahl von leitfähigen Schichten aus transparenten, leitfähigen Schichten gebildet sind.
  8. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 7, wobei die transparenten, leitfähigen Schichten Zinkoxid aufweisen.
  9. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Schutzschicht eine Mehrzahl von Schichten aufweist, die aus einem identischen Material oder unterschiedlichen Materialien bestehen.
  10. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Schutzschicht ein Photoresist oder eine Polyimid-Schicht aufweist.
  11. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei wenn die Schutzschicht eine Polyimid-Schicht aufweist, die Polyimid-Schicht mit einer haftenden Schicht versehen ist.
  12. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, weiter aufweisend mindestens eins von einem ersten Sperrmetall, das unter der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen angeordnet ist, und einem zweiten Sperrmetall, das unter der Mehrzahl von leitfähigen Schichten angeordnet ist.
  13. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 12, wobei das erste und zweite Sperrmetall Wolframsilizid (WSi) aufweisen.
  14. Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: (a) Herstellen eines Kontakts jeweils zwischen einer Mehrzahl von Prüfsonden und Bereichen der Mehrzahl von leitfähigen Schichten, wobei sich die Bereiche nah bei dem Anschlussbereich befinden; und (b) Eingeben und Ausgeben eines Stroms in und aus der Mehrzahl von Elektrodenkontaktstellen durch die Mehrzahl von Prüfsonden und die Mehrzahl von leitfähigen Schichten nach dem Schritt (a).
  15. Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 14, wobei der Schritt (a) gleichmäßig auf eine Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen ausgeführt wird, die auf einem Wafer ausgebildet sind, und dann der Schritt (b) gleichmäßig an der Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen ausgeführt wird.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6858688B2 (ja) * 2017-10-24 2021-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3134214B2 (ja) 1994-12-01 2001-02-13 株式会社日立製作所 配線基板のパターンエリア保護方法
JP2969086B2 (ja) 1996-09-25 1999-11-02 中日本電子株式会社 大電流用小型接触子
JP4024990B2 (ja) * 2000-04-28 2007-12-19 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4270773B2 (ja) * 2001-06-08 2009-06-03 三洋電機株式会社 １チップデュアル型絶縁ゲート型半導体装置
JP2003130889A (ja) 2001-10-29 2003-05-08 Vector Semicon Kk 半導体装置検査装置及び検査方法
JP2003249558A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Seiko Instruments Inc 半導体チップ
US7579681B2 (en) * 2002-06-11 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Super high density module with integrated wafer level packages
JP4837295B2 (ja) 2005-03-02 2011-12-14 株式会社沖データ 半導体装置、ｌｅｄ装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
JP4761880B2 (ja) 2005-08-09 2011-08-31 パナソニック株式会社 半導体装置
US7901956B2 (en) 2006-08-15 2011-03-08 Stats Chippac, Ltd. Structure for bumped wafer test
JP2009087998A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2009218264A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Elpida Memory Inc 半導体装置
KR101079205B1 (ko) 2008-08-22 2011-11-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5486866B2 (ja) * 2009-07-29 2014-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
EP2290686A3 (de) * 2009-08-28 2011-04-20 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zum elektrischen Testen und zur Montage elektronischer Bauelemente
JP6158468B2 (ja) 2011-11-08 2017-07-05 富士電機株式会社 半導体装置の故障位置解析方法及び装置
JP6014321B2 (ja) 2011-12-01 2016-10-25 昭和電工株式会社 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
JP6180801B2 (ja) * 2013-06-07 2017-08-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6284840B2 (ja) * 2014-06-26 2018-02-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置

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