DE112013007720B4 - Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm, Herstellungsverfahren dafür und Transistoren - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen, welches das Züchten einer amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht aufweist, wobei eine Siliziummonoxid-Schicht zuerst auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht gezüchtet wird und danach eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht gezüchtet wird, wobei die konkavförmige gewölbte Fläche das Lichtbündel, das senkrecht auf die Siliziummonoxid-Schicht auftrifft, brechen kann, wobei zuletzt ein Excimer-Laserstrahl zum Bestrahlen der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht durch die Siliziummonoxid-Schicht verwendet, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:
(a) Bereitstellen eines Substrats, und Herstellen einer Pufferschicht darauf;
(b) Herstellen einer amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht auf der Pufferschicht;
(c) Herstellen einer Siliziummonoxid-Schicht auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht, wobei eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen durch Anwendung einer Ätztechnik auf der Siliziummonoxid-Schicht hergestellt wird;
(d) Verwenden eines Excimer-Laserstrahl zum Bestrahlen der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht durch die Siliziummonoxid-Schicht, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht in Arrays angeordnet sind.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung begrifft das Gebiet der Flüssigkristallanzeige, bezieht sich auf einen Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm, Herstellungsverfahren dafür und einen Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmtransistor. Ein Polysilizium-Dünnfilm mit den Merkmalen des Oberbegriffs und ein Herstellungsverfahren sind beispielsweise aus der US 2007/0117286 A1 bekannt.
  • Hintergrund
  • Eine Flüssigkristallanzeige (Liquid Crystal Display, LCD) ist ein flaches und ultradünnes Anzeigegerät, die Flüssigkristallanzeige besteht aus einer gewissen Menge von farbigen Pixeln und schwarzweißen Pixeln, die vor der Lichtquelle oder der reflektierenden Oberfläche angeordnet sind. Der Energieverbrauch der Flüssigkristallanzeige ist sehr niedrig, darüber hinaus weist die Flüssigkristallanzeige folgende Besonderheiten auf: hohe Bildqualität, geringes Volumen und geringes Gewicht, daher ist sie sehr beliebt bei Käufern und ein wesentlicher Teil des Marktes. Ein Großteil der Flüssigkristallanzeigen sind gegenwärtig die Dünnfilmtransistoren (Thin Film Transistor, TFT). Einher mit der Entwicklung der Flachanzeigen, wird die Nachfrage der Anzeigetafeln mit hoher Auflösung und niedrigem Energieverbrauch stetig eingebracht. Die Elektronenmobilität des amorphen Siliziums ist niedrig, da das Niedertemperatur-Polysilizium (Low Temperature Poly-silicon) hingegen bei niedriger Temperatur herstellbar ist, hohe Elektronenmobilität aufweist und C-MOS-Schaltung erzeugen kann, ist das Niedertemperatur-Polysilizium weit verbreitet erforscht, um den Bedarf der Anzeigetafeln mit hoher Auflösung und niedrigem Energieverbrauch zu decken.
  • Zurzeit umfassen die Verfahren zum Herstellen des Niedertemperatur-Polysiliziums die Festphasen-Kristallisation (SPC), Metallinduzierte Kristallisation (MIC) und Excimer Laser Annealing (ELA), worin der Excimer Laser Annealing (ELA) gegenwärtig am weitesten verbreitet ist. Die Excimer-Laser-Annealing-Technik verwendet einen Excimer-Laser, um den amorphen Silizium-Dünnfilm auf dem Substrat kurzfristig zu bestrahlen, das amorphe Silizium schmelzt unter hoher Temperatur und rekristallisiert, das Polysilizium wird damit ausgebildet.
  • Die Größe des Niedertemperatur-Polysilizium-Kristallkörnchens hat bedeutenden Einfluss auf die elektrische Ausgestaltung des Polysiliziums. Während des ELA-Prozesses wird das amorphe Silizium nach der Hochtemperaturbehandlung im nahezu vollständig geschmolzenen Zustand, dann zum Ausbilden von Polysilizium rekristallisiert. Bei der Rekristallisation sind die Kristalle in der Richtung von niedriger Energie nach hoher Energie, von niedriger Temperatur nach hoher Temperatur ausgebildet. Gegenwärtig ist der Excimer-Laser verwendet, auf die Schicht des amorphen Silizium-Dünnfilms homogen aufzutreffen, deshalb ist die Temperatur jedes Teils der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht annähernd gleich, daher sind der Startpunkt und die Richtung bei der Rekristallisation unordentlich, so dass die Kristallkörnchen etwa zu klein sind und die Kristallografische Ebenen zwischen Kristallkörnchen etwa zu viel sind, und die Elektronenmobilität des Polysiliziums wird beeinflusst.
  • Inhalt der Erfindung
  • In Hinblick auf die Mängel des Standes der Technik, stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen bereit. Wenn die Excimer-Laser-Annealing-Technologie zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen angewendet ist, sind der Startpunkt und die Richtung bei der Rekristallisation steuerbar, damit werden größere Kristallkörnchen erhalten.
  • Um die obigen Ziele zu erreichen, sind die konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht in Arrays angeordnet.
  • Dabei umfasst das Verfahren den weiteren Schritt: die Siliziummonoxid-Schicht wird entfernt, nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird.
  • Dabei beträgt der Abstand zwischen den beiden benachbarten konkavförmigen gewölbten Flächen 300 ~ 600 µm.
  • Dabei ist der Außenrand der konkavförmigen gewölbten Fläche kreisförmig ist, der Durchmesser beträgt 10 ∼ 20 µm; das Tief der konkavförmigen gewölbten Fläche beträgt 150 ~ 200 nm.
  • Dabei, nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht im Schritt (b) erhalten wurde, wird Hochtemperatur-Dehydrierungsbehandlung für die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht durchgeführt.
  • Dabei ist das Material der Pufferschicht Siliziummonoxid.
  • Gemäß einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Erfindung einen Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm bereit, welcher durch das obengenannte Verfahren hergestellt und erhältlich ist.
  • Gemäß einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Erfindung einen Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmtransistor bereit, welche umfasst:
    • einen Substrat,
    • eine auf dem Substrat ausgebildete Halbleiterschicht, die Halbleiterschicht besteht aus obengenannten Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen, die Halbleiterschicht umfasst einen Quellbereich, einen Drainbereich und einen dazwischen angeordneten Kanalbereich;
    • eine Gate-Isolatorschicht und ein Gate, werden in Folge auf der Halbleiterschicht ausgebildet, die Gate-Isolatorschicht ist zum Isolieren des Gates und der Gate-Isolatorschicht verwendet, das Gate entspricht der Position des Kanalbereichs;
    • eine Dielektrische Schicht, wird über der Gate-Isolatorschicht und dem Gate ausgebildet, in der Dielektrische Schicht ist mit einem ersten Umlenkloch und einem zweiten Umlenkloch versehen, eine Quellelektrode ist durch das erste Umlenkloch mit dem Quellbereich verbunden und eine Drainelektrode ist durch das zweite Umlenkloch mit dem Drainbereich verbunden.
  • Die vorteilhaften Effekte der Erfindung: das durch die vorliegende Erfindung bereitgestellte Herstellungsverfahren für Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm, die Siliziummonoxid-Schicht mit einer Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen wird damit auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht gezüchtet; Wenn die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht durch den Excimer-Laserstrahl bestrahlt wird und rekristallisiert, wird der Excimer-Laserstrahl im Bereich der konkavförmigen gewölbten Fläche gebrochen und zerstreut. Zu diesem Zeitpunkt ist die Temperatur der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht in einem entsprechenden Bereich unterhalb der konkavförmigen gewölbten Fläche relativ niedriger und ein Niedertemperaturbereich wird dadurch erzeugt; wohingegen im Umfangbereich der konkavförmigen gewölbten Fläche, auftrifft der Laserstrahl senkrecht auf die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht und ein Hochtemperaturbereich wird dadurch erzeugt. Bei der Rekristallisation des Polysiliziums sind die Kristalle in der Richtung von niedriger Energie nach hoher Energie, von niedriger Temperatur nach hoher Temperatur ausgebildet, daher erzeugt im Niedertemperaturbereich einen Startpunkt zum Kristallisieren, und dann wachst und vergrößert sich in Richtung des Hochtemperaturbereichs rundum. Damit wird der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm mit Richtung-steuerbaren und größeren Polysilizium-Kristallkörnchen erhalten. Der Transistor, der mit der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, weist sehr hohe Elektronenmobilität und stabile elektrische Eigenschaften auf.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein technologisches schematisches Flussdiagramm des Verfahrens zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 2 ist eine Aufsicht von einer Vielzahl der konkavförmigen gewölbten Flächen, die auf der Siliziummonoxid-Schicht hergestellt werden, in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 3 ist eine schematische Darstellung des Wachstums der Kristallkörnchen bei der Rekristallisation in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführliche Beschreibung der Ausführungsformen
  • Wie zuvor erläutert, ist das Ziel der vorliegenden Erfindung, die Probleme aus dem Stand der Technik zu lösen, wenn die Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen mit der Excimer-Laser-Annealing-Technologie hergestellt sind, sind der Startpunkt und die Richtung bei der Rekristallisation unordentlich, dies führt zu dem Problem, dass Kristallkörnchen etwa zu klein und Kristallografische Ebenen zwischen Kristallkörnchen etwa zu viel sind. Um das Ziele zu erreichen, wird ein Verfahren für die Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen angeboten: nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht gezüchtet wurde, wird zuerst eine Siliziummonoxid-Schicht auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht gezüchtet; dann wird eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Silizium-monoxid-Schicht gezüchtet, die konkavförmige gewölbte Fläche kann das Lichtbündel, das senkrecht auf die Siliziummonoxid-Schicht auftrifft, brechen; zuletzt wird ein Excimer-Laserstrahl verwendet, von der Siliziummonoxid-Schicht auf die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht zu bestrahlen, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird. Durch den Bereich der konkavförmigen gewölbten Fläche wird der Laserstrahl gebrochen und zerstreut. Ein Niedertemperaturbereich wird auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht erzeugt, um dem Niedertemperaturbereich ist ein Hochtemperaturbereich (der Bereich, wo der Laserstrahl nicht gebrochen ist), daher erzeugt im Niedertemperaturbereich einen Startpunkt zum Kristallisieren, und dann wachst und vergrößert sich in Richtung des Hochtemperaturbereichs rundum. Damit wird der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm mit Richtung-steuerbaren und größeren Polysilizium-Kristallkörnchen erhalten.
  • Im Folgenden wird die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen weitergehend beschreiben.
  • Bezugnehmend auf 1 - 3, ist 1 ein technologisches schematisches Flussdiagramm des Verfahrens zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen gemäß dieser Ausführungsform, welches folgende Schritte umfasst:
    1. (a) Wie in 1a dargestellt, ein Substrat 1 wird bereitgestellt, darauf wird eine Pufferschicht 2 hergestellt; das Substrat 1 ist Glassubstrat, das Material der Pufferschicht 2 ist Siliziummonoxid.
    2. (b) Wie in 1b dargestellt, eine amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 wird auf der Pufferschicht 2 hergestellt und für die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 wird die Hochtemperatur-Dehydrierungsbehandlung durchgeführt.
    3. (c) Wie in 1c und 1d dargestellt, eine Siliziummonoxid-Schicht 4 wird auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 hergestellt, und eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen 401 wird durch die Ätztechnik auf der Siliziummonoxid-Schicht 4 hergestellt, die konkavförmige gewölbte Fläche entspricht einer konkaven Linsenfläche, welche das Lichtbündel, das senkrecht auf die Siliziummonoxid-Schicht 4 auftrifft, brechen kann. In dieser Ausführungsform beträgt die Dicke der Siliziummonoxid-Schicht 4 300 nm, Wie in 2 dargestellt, sind die konkavförmigen gewölbten Flächen 401 auf der Siliziummonoxid-Schicht 4 in Arrays angeordnet, wobei der Außenrand der konkavförmigen gewölbten Fläche kreisförmig ist mit einem Durchmesser von 20 µm und das Tief beträgt 150 nm (hier bezieht das Tief sich auf den senkrechten Abstand zwischen der tiefsten Stelle der konkavförmigen gewölbten Fläche 401 und der Oberfläche der Siliziummonoxid-Schicht 4), der Abstand zwischen den beiden benachbarten konkavförmigen gewölbten Flächen 401 beträgt 450 µm. In anderen Ausführungsformen, der bevorzugtere Bereich der Dicke der Siliziummonoxid-Schicht 4 ist 280 - 350 nm, der Durchmesser der konkavförmigen gewölbten Fläche 401 kann zwischen 10 und 20 µm eingestellt werden, der selektierbare Bereich des Tiefs der konkavförmigen gewölbten Fläche 401 ist 150 ~ 200nm, der Abstand zwischen den beiden benachbarten konkavförmigen gewölbten Flächen 401 kann zwischen 300 und 600µm eingestellt werden.
    4. (d) Wie in 1e dargestellt, der Excimer-Laserstrahl 5 wird verwendet, von der Siliziummonoxid-Schicht 4 auf die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 zu bestrahlen, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird. Wenn der Excimer-Laserstrahl 5 senkrecht auf die Siliziummonoxid-Schicht 4 auftrifft, wird der Laserstrahl im Bereich der konkavförmigen gewölbten Fläche 401 gebrochen und zerstreut. Zu diesem Zeitpunkt ist die Temperatur der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 in einem entsprechenden Bereich unterhalb der konkavförmigen gewölbten Fläche 401 relativ niedriger und ein Niedertemperaturbereich 301 wird dadurch erzeugt; wohingegen im Umfangbereich der konkavförmigen gewölbten Fläche, einstrahlt der Excimer-Laserstrahl 5 senkrecht an die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 einstrahlt und ein Hochtemperaturbereich 302 wird dadurch erzeugt. Bei der Rekristallisation des Polysiliziums sind die Kristalle in der Richtung von niedriger Energie nach hoher Energie, von niedriger Temperatur nach hoher Temperatur ausgebildet, daher wie die schematische Darstellung in 3 gezeigt, bei der Rekristallisation der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 erzeugt im Niedertemperaturbereich 301 einen Startpunkt zum Kristallisieren des Kristallkörnchens 6, und dann wachst und vergrößert sich in Richtung des Hochtemperaturbereichs 302 rundum (wie die Richtung des schwarzen Pfeiles in 3). Damit wird der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm mit Richtung-steuerbaren und größeren Polysilizium-Kristallkörnchen erhalten.
    5. (e) Nachdem die Rekristallisation der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht 3 fertig ist, wird die Siliziummonoxid-Schicht 4 entfernt (nicht dargestellt in der Zeichnung). Die Ätztechnik kann ausgewählt werden, die Siliziummonoxid-Schicht 4 dadurch zu entfernen.
  • Der nach oben beschriebenem Verfahren hergestellte Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm, weist sehr hohe Elektronenmobilität und stabile elektrische Eigenschaften auf, kann daher für die Herstellung eines Dünnflim-Transistors angewendet, insbesondere für den Dünnfilmtransistor im TFT-Array in der Flüssigkristallanzeige. Im Folgenden wird ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmtransistor der Erfindung vorgestellt. Der Transistor umfasst: einen Substrat, eine Halbleiterschicht, eine Gate-Isolatorschicht, ein Gate, eine Dielektrische Schicht sowie eine Quellelektrode und eine Drainelektrode. Wobei:
    • die Halbleiterschicht auf dem Substrat ausgebildet wird, die Halbleiterschicht besteht aus Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen, die durch das obengenannte Verfahren hergestellt sind, die Halbleiterschicht umfasst einen Quellbereich, einen Drainbereich und einen dazwischen angeordneten Kanalbereich; eine Gate-Isolatorschicht und ein Gate, werden in Folge auf der Halbleiterschicht geformt, die Gate-Isolatorschicht ist für das Isolieren des Gates und der Gate-Isolatorschicht verwendet, das Gate entpricht der Position des Kanalbereichs; die Dielektrische Schicht wird über der Gate-Isolatorschicht und dem Gate ausgebildet, in der Dielektrische Schicht ist mit einem ersten Umlenkloch und einem zweiten Umlenkloch versehen, die Quellelektrode ist durch das erste Umlenkloch mit dem Quellbereich verbunden und die Drainelektrode ist durch das zweite Umlenkloch mit dem Drainbereich verbunden.
  • Das Transistor-Array in der Flüssigkristallanzeige, das mit der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, der Transistor weist sehr hohe Elektronenmobilität und stabile elektrische Eigenschaften auf, die Darstellungsqualität der Flüssigkristallanzeige wird dadurch erhöht.
  • Zusammenfassend, in dem durch die Erfindung bereitgestellten Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen, wird die Siliziummonoxid-Schicht mit einer Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht gezüchtet; Wenn der Excimer-Laserstrahl wird verwendet, die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht zu bestrahlen, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert, wird der Laserstrahl im Bereich der konkavförmigen gewölbten Fläche gebrochen und zerstreut, zu diesem Zeitpunkt ist die Temperatur der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht in einem entsprechenden Bereich unterhalb der konkavförmigen gewölbten Fläche relativ niedriger und ein Niedertemperaturbereich wird dadurch erzeugt; wohingegen im Umfangbereich der konkavförmigen gewölbten Fläche, einstrahlt der Laserstrahl senkrecht an die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht und ein Hochtemperaturbereich wird dadurch erzeugt. Bei der Rekristallisation des Polysiliziums ist das Kristallisieren in der Richtung von niedriger Energie nach hoher Energie, von niedriger Temperatur nach hoher Temperatur, daher erzeugt im Niedertemperaturbereich einen Startpunkt zum Kristallisieren, und dann wachst und vergrößert sich in Richtung des Hochtemperaturbereichs rundum, damit wird der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm mit Richtung-steuerbaren und größeren Polysilizium-Kristallkörnchen erhalten. Der Transistor, der mit der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, weist sehr hohe Elektronenmobilität und stabile elektrische Eigenschaften auf.
  • Es wird angemerkt, in diesem Dokument können relationale Begriffe, wie beispielsweise erste (-r/-s), zweite (-r/-s) und Ähnliche, lediglich dazu verwendet werden, um eine Einheit oder Aktion von einer weiteren Einheit oder Aktion zu unterscheiden, ohne eines zwingenden Bedarfs oder Einziehens einer jeglichen tatsächlichen solchen Beziehung oder Ordnung zwischen solchen Einheiten oder Aktionen. Ferner bedeuten die Fachwörter „umfassen“ und „erhalten“ oder irgendwelche Variationen davon sollen eine nicht-ausschließliche Einbeziehung abdecken, so dass ein Prozess, ein Verfahren, ein Gegenstand oder eine Vorrichtung, die einer Liste von Elementen umfassen, nicht nur jede Elemente enthalten, sondern auch andere Elemente enthalten können, die nicht ausdrücklich aufgezählt oder einem solchen Prozess, Verfahren, Gegenstand oder einer solchen Vorrichtung inhärent sind. Ein Element, dem „umfasst ... ein“ vorhergeht, schließt nicht die Existenz anderer zusätzlicher identischer Elemente in dem Prozess, dem Verfahren, dem Gegenstand oder der Vorrichtung, die das Element umfasst, aus, ohne weitere Einschränkungen.

Claims (14)

  1. Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen, welches das Züchten einer amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht aufweist, wobei eine Siliziummonoxid-Schicht zuerst auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht gezüchtet wird und danach eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht gezüchtet wird, wobei die konkavförmige gewölbte Fläche das Lichtbündel, das senkrecht auf die Siliziummonoxid-Schicht auftrifft, brechen kann, wobei zuletzt ein Excimer-Laserstrahl zum Bestrahlen der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht durch die Siliziummonoxid-Schicht verwendet, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: (a) Bereitstellen eines Substrats, und Herstellen einer Pufferschicht darauf; (b) Herstellen einer amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht auf der Pufferschicht; (c) Herstellen einer Siliziummonoxid-Schicht auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht, wobei eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen durch Anwendung einer Ätztechnik auf der Siliziummonoxid-Schicht hergestellt wird; (d) Verwenden eines Excimer-Laserstrahl zum Bestrahlen der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht durch die Siliziummonoxid-Schicht, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht in Arrays angeordnet sind.
  2. Das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen gemäß Anspruch 1, wobei das Verfahren den weiteren Schritt umfasst: Entfernen der Siliziummonoxid-Schicht, nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet worden ist.
  3. Das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen gemäß Anspruch 1, wobei der Abstand zwischen den beiden benachbarten konkavförmigen gewölbten Flächen 300 ~ 600 µm beträgt.
  4. Das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen gemäß Anspruch 3, wobei der Außenrand der konkavförmigen gewölbten Fläche kreisförmig ist, der Durchmesser 10 ∼ 20 µm beträgt und die Tiefe der konkavförmigen gewölbten Fläche 150 ~ 200 nm beträgt.
  5. Das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen gemäß Anspruch 1, wobei eine Hochtemperatur-Dehydrierungsbehandlung auf die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht angewendet wird, nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht im Schritt (b) erhalten wurde.
  6. Das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen gemäß Anspruch 1, wobei als Material der Pufferschicht Siliziummonoxid verwendet wird.
  7. Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm, wobei das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen umfasst: Züchten einer amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht und Züchten einer Silizium-monoxid-Schicht auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht; Züchten wird einer Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht, wobei die konkavförmige gewölbte Fläche das Lichtbündel, das senkrecht auf die Siliziummonoxid-Schicht auftrifft, brechen kann; Verwenden eines Excimer-Laserstrahl zum Bestrahlen der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht durch die Siliziummonoxid-Schicht, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird, wobei das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen umfasst: (a) Bereitstellen eines Substrats, und Herstellen einer Pufferschicht darauf; (b) Herstellen einer amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht auf der Pufferschicht; (c) Herstellen einer Siliziummonoxid-Schicht auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht, wobei einer Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen durch Anwendung einer Ätztechnik auf der Siliziummonoxid-Schicht hergestellt wird; (d) Verwenden eines Excimer-Laserstrahls zum Bestrahlen der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht durch die Siliziummonoxid-Schicht, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht in Arrays angeordnet sind.
  8. Der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm gemäß Anspruch 7, wobei das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen den weiteren Schritt umfasst: Entfernen der Siliziummonoxid-Schicht, nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet worden ist.
  9. Der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm gemäß Anspruch 7, wobei der Abstand zwischen den beiden benachbarten konkavförmigen gewölbten Flächen 300 ~ 600 µm beträgt.
  10. Der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm gemäß Anspruch 8, wobei der Außenrand der konkavförmigen gewölbten Fläche kreisförmig ist, der Durchmesser 10 ~ 20 µm beträgt und die Tiefe der konkavförmigen gewölbten Fläche 150 ~ 200 nm beträgt.
  11. Der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm gemäß Anspruch 7, wobei eine Hochtemperatur-Dehydrierungsbehandlung auf die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht angewendet wird, nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht im Schritt (b) erhalten wurde.
  12. Der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm gemäß Anspruch 7, wobei als Material der Pufferschicht Siliziummonoxid verwendet wird.
  13. Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmtransistor, der aufweist: ein Substrat, eine auf dem Substrat ausgebildete Halbleiterschicht, wobei die Halbleiterschicht aus obengenannten Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen besteht, wobei die Halbleiterschicht einen Quellbereich, einen Drainbereich und einen dazwischen angeordneten Kanalbereich aufweist; eine Gate-Isolatorschicht und ein Gate, die nacheinander auf der Halbleiterschicht ausgebildet werden, wobei die Gate-Isolatorschicht zum Isolieren des Gates und der Gate-Isolatorschicht verwendet wird, wobei das Gate der Position des Kanalbereichs entspricht; eine Dielektrische Schicht, die über der Gate-Isolatorschicht und dem Gate ausgebildet ist, wobei die dielektrische Schicht mit einem ersten Umlenkloch und einem zweiten Umlenkloch versehen ist, wobei eine Quellelektrodedurch das erste Umlenkloch mit dem Quellbereich verbunden ist und eine Drainelektrode durch das zweite Umlenkloch mit dem Drainbereich verbunden ist, und wobei, das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen umfasst: zuerst wird eine amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht gezüchtet und wird eine Siliziummonoxid-Schicht darauf gezüchtet; dann wird eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht gezüchtet, die konkavförmige gewölbte Fläche kann das Lichtbündel, das senkrecht auf die Siliziummonoxid-Schicht auftrifft, brechen; zuletzt wird ein Excimer-Laserstrahl verwendet, von der Siliziummonoxid-Schicht auf die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht zu bestrahlen, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird, wobei das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen folgende Schritte umfasst: (a) Bereitstellen eines Substrats, une Herstellen einer Pufferschicht darauf; (b) Herstellen einer amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht auf der Pufferschicht; (c) Herstellen einer Siliziummonoxid-Schicht auf der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht, wobei eine Vielzahl von konkavförmigen gewölbten Flächen wird durch eine Ätztechnik auf der Siliziummonoxid-Schicht hergestellt wird; (d) Verwenden eines Excimer-Laserstrahl zum Bestrahlen der amorphen Silizium-Dünnfilm-Schicht durch die Siliziummonoxid-Schicht, so dass die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und ein Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die konkavförmigen gewölbten Flächen auf der Siliziummonoxid-Schicht in Arrays angeordnet sind, der Außenrand der konkavförmigen gewölbten Fläche kreisförmig ist, der Durchmesser 10 ∼ 20 µm beträgt, die Tiefe der konkavförmigen gewölbten Fläche 150 ~ 200 nm beträgt und der Abstand zwischen den beiden benachbarten konkavförmigen gewölbten Flächen 300 ~ 600 µm beträgt.
  14. Der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmtransistor gemäß Anspruch13, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren zur Herstellung von Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilmen den Schritt umfasst: Anwenden einer Hochtemperatur-Dehydrierungsbehandlung auf die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht erhalten wurde; Entfernen der Siliziummonoxid-Schicht, nachdem die amorphe Silizium-Dünnfilm-Schicht kristallisiert und der Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm ausgebildet worden ist.
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