DE112013006398T5

DE112013006398T5 - Array-Substrat, Verfahren zur Herstellung desselben und Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112013006398T5
Application number: DE112013006398.0T
Authority: DE
Inventors: Tsung-Yi Hsu
Original assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2013-02-05
Filing date: 2013-02-19
Publication date: 2015-09-24
Also published as: GB201513062D0; CN103137557A; JP6063587B2; GB2524212A; JP2016510510A; CN103137557B; WO2014121525A1

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Array-Substrats, umfassend: ein Substrat, eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode, eine Treiberelektrode und eine erste Kapazitätselektrode, welche auf dem Substrat ausgebildet sind; wobei eine erste dielektrische Schicht ausgebildet ist, um die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode abzudecken. Wobei die erste dielektrische Schicht einen ersten Abschnitt, welcher die erste Kapazitätselektrode abdeckt, und einen zweiten Abschnitt umfasst, welcher die Treiberelektrode abdeckt; wobei der zweite Abschnitt dicker ist als erste Abschnitt; wobei die zweite Kapazitätselektrode auf dem ersten Abschnitt der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist; wobei erste Kondensator mittels der zweiten Kapazitätselektrode, der ersten Kapazitätselektrode und dazwischen der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist. Mit erfindungsgemäßem Arraysubstrat ist die Klebeabdichtung an der Anzeigevorrichtung besonders effektiv.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet von Flüssigkeitskristallanzeigen und betrifft insbesondere auf ein Array-Substrat, ein Verfahren zur Herstellung desselben und Anzeigevorrichtung.
2. Stand der Technik
Ein Flüssigkristallanzeigenpaneel aus dem Stand der Technik umfasst gewöhnlich ein Farbfilmsubstrat und ein Array-Substrat. Das Verfahren zur Herstellung des Flüssigkristallanzeigepaneels umfasst üblicherweise einen Array-Prozess, einen Zell-Prozess und einen Modul-Prozess. Der Array-Prozess umfasst im Wesentlichen das Herstellungsverfahren des Array-Substrats. Der Zellprozess umfasst im Wesentlichen das Anbringen des Array-Substrats und des Farbfilmsubstrats. Der Modul-Prozess umfasst die FPC-(flexible Leiterplatte)-Montage und andere Schaltungsmontagen.
TFT (Dünnschichttransistor), Kondensator und Pixelelektrode sind auf dem Array-Substrat gemäß einer Array-Konfiguration ausgebildet. Eine Treiberelektrode ist in deren Umgebung ausgebildet. Die Treiberelektrode steuert das Ein- und Ausschalten des TFT; daher ist die Treiberelektrode mit dem TFT und der FPC verbunden. Vor dem Zusammenbau des Array-Substrats und des Farbfilmsubstrats werden die Rahmen der Array-Substrats und de Farbfilmsubstrats während des Zell-Prozesses mittels Kleber versiegelt; wobei das Versiegeln Kleben und Verhärten umfasst.
Das OLED-(organische Elektrolumineszenzanzeigen)-Paneel ist bei zukünftigen Flüssigkristallanzeigepaneelen ein neuer Entwicklungstrend; jedoch reagieren OLED auf Feuchtigkeit und Oxidationsmittel sehr empfindlich; somit sind die Voraussetzungen für die Abdichtung vergleichsweise hoch.
Im Stand der Technik besteht der Versiegelungsprozess für die OLED in der Erhitzung der zu schaffenden Rahmendichtung mittels eines Laserstrahls nach dem Verkleben. Die Temperatur des Laserstrahls zur Schaffung der Rahmendichtung beträgt mehr als eintausend Grad Celsius. Jedoch ist der Abschnitt, welcher von der Rahmendichtung abgedeckt ist, identisch mit der Position der Treiberelektrode. Wenn die Rahmendichtung und die Treiberelektrode während des Herstellungsprozesses in direkten Kontakt miteinander treten, kann es zu einem Abschälen der Rahmendichtung an der Position der Treiberelektrode kommen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Array-Substrat, ein Herstellungsverfahren für dasselbe und eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, um im Ergebnis die Rahmenabdichtung zu verbessern.
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Array-Substrats bereit, welches die Schritte umfasst: Ausbilden einer Source-Elektrode, einer Drain-Elektrode, einer Treiberelektrode und einer ersten Kapazitätselektrode auf dem Substrat; Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht, um die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode abzudecken, wobei die erste dielektrische Schicht einen ersten Abschnitt zum Abdecken der ersten Kapazitätselektrode und einen zweiten Abschnitt zum Abdecken der Treiberelektrode umfasst; wobei der zweite Abschnitt dicker als der erste Abschnitt ist; Anordnen von Glasschmelzkleber am zweiten Abschnitt; Ausbilden einer zweiten Kapazitätselektrode auf dem ersten Abschnitt der ersten dielektrischen Schicht; und Ausbilden eines ersten Kondensators mittels der zweiten Kapazitätselektrode, der ersten Kapazitätselektrode und dazwischen der ersten dielektrischen Schicht.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist die Dicke des ersten Abschnitts 200 bis 1000 Å ist; wobei die Dicke des zweiten Abschnitts 1000 bis 8000 Å ist.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfassen die Schritte nach dem Ausbilden der ersten dielektrischen Schicht: Ausbilden einer Pixelelektrode auf der ersten dielektrischen Schicht, um die Source-Elektrode anzuschließen; Ausbilden einer organische Materialschicht auf der ersten dielektrischen Schicht, um die zweite Elektrodenplatte abzudecken; Freilegen der Pixelelektrode auf der organischen Materialschicht; und Ausbilden mehrerer extrudierter Abstandshalter auf der organischen Materialschicht.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst der Schritt zum Ausbilden der Source-Elektrode, der Drain-Elektrode, der Treiberelektrode und der ersten Kapazitätselektrode auf dem Substrat: Ausbilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf dem Substrat; Ausbilden einer Halbleiterschicht und einer dritten Kapazitätselektrode auf der zweiten dielektrischen Schicht; Ausbilden einer dritten dielektrischen Schicht auf der zweiten dielektrischen Schicht, um die Halbleiterschicht und die dritte Kapazitätselektrode abzudecken; Ausbilden einer Gate-Elektrode und einer vierten Kapazitätselektrode auf der dritten dielektrischen Schicht; wobei die Gate-Elektrode gegenüber liegend zur Halbleiterschicht ausgebildet ist; Ausbilden eines zweiten Kondensators mittels der vierten Kapazitätselektrode, der dritten Kapazitätselektrode und dazwischen der dritten dielektrischen Schicht; Ausbilden einer vierten dielektrischen Schicht auf der dritten dielektrischen Schicht, um die Gate-Elektrode und die vierte Kapazitätselektrode abzudecken; Ausbilder der Source-Elektrode, der Drain-Elektrode, der Treiberelektrode und der ersten Kapazitätselektrode auf der vierten dielektrischen Schicht; und Anschließen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode an die Halbleiterschicht.
Vorliegende Erfindung stellt weiter ein Array-Substrat zur Verfügung, welches umfasst: Ein Substrat, eine Treiberelektrode, einen ersten Kondensator, eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und eine erste Kapazitätselektrode; wobei der erste Kondensator die erste Kapazitätselektrode und eine zweite Kapazitätselektrode umfasst; wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode auf dem Substrat ausgebildet sind; wobei die erste dielektrische Schicht die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode abdeckt; wobei die erste dielektrische Schicht einen ersten Abschnitt, welcher die erste Kapazitätselektrode abdeckt, und einen zweiten Abschnitt umfasst, welcher die Treiberelektrode abdeckt; wobei der zweite Abschnitt dicker als der erste Abschnitt ist; wobei Glasschmelzkleber auf dem zweiten Abschnitt angeordnet ist; und wobei die zweite Kapazitätselektrode auf dem ersten Abschnitt ausgebildet ist.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist die Dicke des ersten Abschnitts 200 bis 1000 Å; wobei die Dicke des zweiten Abschnitts 1000 bis 8000 Å ist.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst das Array-Substrat eine Pixelelektrode, eine organische Materialschicht und einen Abstandshalter; wobei die Pixelelektrode auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, um die Source-Elektrode anzuschließen; wobei die organische Materialschicht auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, um die zweite Elektrodenplatte abzudecken; wobei die Pixelelektrode auf der organischen Materialschicht freigelegt ist; und wobei Abstandshalter extrudiert und auf der organischen Materialschicht ausgebildet sind.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist die zweite Kapazitätselektrode aus einem Metallmaterial oder einem transparenten leitenden Material gefertigt.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst das Array-Substrat eine zweite dielektrische Schicht, eine Halbleiterschicht, eine dritte dielektrische Schicht, eine Gate-Elektrode, eine vierte dielektrische Schicht und einen zweiten Kondensator; wobei der zweite Kondensator eine dritte Kapazitätselektrode und eine vierte Kapazitätselektrode umfasst; wobei die zweite dielektrische Schicht auf der Trägerplatte ausgebildet ist; wobei die Halbleiterschicht und die dritte Kapazitätselektrode zwischen der zweiten dielektrischen Schicht und der dritten dielektrischen Schicht angeordnet ist; wobei die Gate-Elektrode und die vierte Kapazitätselektrode zwischen der dritten dielektrischen Schicht und der vierten dielektrischen Schicht angeordnet sind; und wobei die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode mit der Halbleiterschicht verbunden sind.
Vorliegende Erfindung stellt weiter eine Anzeigevorrichtung bereit, welche umfasst: Ein Array-Substrat, ein Farbfilmsubstrat und ein Formrahmen, welcher von Glasschmelzkleber umgeben ist; wobei der Formrahmen zwischen dem Array-Substrat und dem Farbfilmsubstrat angeordnet ist; wobei das Array-Substrat ein Substrat, eine Treiberelektrode, einen ersten Kondensator, eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und eine erste dielektrische Schicht umfasst; wobei der erste Kondensator eine erste Kapazitätselektrode und eine zweite Kapazitätselektrode umfasst; wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode auf dem Substrat ausgebildet sind; wobei die erste dielektrische Schicht die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode abdeckt; wobei die erste dielektrische Schicht einen ersten Abschnitt, welcher die erste Kapazitätselektrode abdeckt, und einen zweiten Abschnitt umfasst, welcher die Treiberelektrode abdeckt; wobei der zweiten Abschnitt dicker ist als der erste Abschnitt; wobei Glasschmelzkleber an dem zweiten Abschnitt angeordnet ist; und wobei eine zweite Kapazitätselektrode auf dem ersten Abschnitt ausgebildet ist.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist die Dicke des ersten Abschnitts 200 bis 1000 Å; wobei die Dicke des zweiten Abschnitts 1000 bis 8000 Å ist.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst das Array-Substrat eine Pixelelektrode, eine organische Materialschicht und Abstandshalter; wobei die Pixelelektrode auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, um an die Source-Elektrode anzuschließen; wobei die organische Materialschicht auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, um die zweite Elektrodenplatte abzudecken; wobei die Pixelelektrode auf der organischen Materialschicht freigelegt ist; und wobei die Abstandshalter extrudiert und auf der organischen Materialschicht ausgebildet sind.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist die zweite Kapazitätselektrode aus einem Metallmaterial oder einem transparenten leitenden Material gefertigt.
Gemäß zweckmäßiger Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst das Array-Substrat eine zweite dielektrische Schicht, eine Halbleiterschicht, eine dritte dielektrische Schicht, eine Gate-Elektrode, eine vierte dielektrische Schicht und einen zweiten Kondensator; wobei der zweite Kondensator die dritte Kapazitätselektrode und die vierte Kapazitätselektrode umfasst; wobei die zweite dielektrische Schicht auf der Trägerplatte ausgebildet ist; wobei die Halbleiterschicht und die dritte Kapazitätselektrode zwischen der zweiten dielektrischen Schicht und der dritten dielektrischen Schicht vorgesehen sind; wobei die Gate-Elektrode und die vierte Kapazitätselektrode zwischen der dritten dielektrischen Schicht und der vierten dielektrischen Schicht vorgesehen sind; und wobei die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode an die Halbleiterschicht angeschlossen sind.
Zweck der vorliegenden Erfindung ist es sich vom Stand der Technik abzugrenzen. Gemäß vorliegender Erfindung umfasst die erste dielektrische Schicht des Array-Substrats den ersten Abschnitt zwischen der ersten Kapazitätselektrode und der zweiten Kapazitätselektrode und den zweiten Abschnitt zur Abdeckung der Treiberelektrode; wobei der zweite Abschnitt dicker als der erste Abschnitt ist. Unter Verwendung dieser erfindungsgemäßen Konstruktion können nicht nur die Grundladungsspeicherkapazität des ersten Kondensators gleich bleiben, aber auch das Abziehen der Glasschmelzklebers, welches durch direkten Kontakt mit der Treiberelektrode während des Rahmenversiegelungsprozesses verursacht wird, vermieden werden. Darüber hinaus ist der zweite Abschnitt entsprechend der Treiberelektrode vergleichsweise dick; im Ergebnis ist der Rahmenabdichtungsprozess besonders effektiv.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 zeigt eine Vorderansicht der Struktur eines Array-Substrats gemäß der vorliegenden Erfindung;
2 zeigt eine Draufsicht des Array-Substrats, welches an der Anzeigevorrichtung angeordnet ist;
3 zeigt eine Vorderansicht der Struktur des Bereichs A der Anzeigevorrichtung gemäß 2;
4 zeigt ein Flussdiagramm der Schritte des Herstellungsverfahren des Arraysubstrats.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Bezugnehmend auf die 1 und 2 umfasst das erfindungsgemäße Array-Substrats: Ein Substrat 1, eine Treiberelektrode 2, einen ersten Kondensator 3, eine TFT-Schicht (nicht in den Figuren), eine erste dielektrische Schicht 51, eine Pixelelektrode 6, eine organische Materialschicht 7 und einen Abstandshalter 8. Der erster Kondensator 3 weist eine erste Kapazitätselektrode 31 und eine zweite Kapazitätselektrode 32 auf.
TFT-Schicht umfasst: Eine zweite dielektrische Schicht 52, eine Halbleiterschicht 43, eine dritte dielektrische Schicht 53, eine Gate-Elektrode 44, eine vierte dielektrische Schicht 54, eine Source-Elektrode 41, eine Drain-Elektrode 42 und einen zweiten Kondensators 9. Der zweite Kondensator 9 umfasst eine dritte Kapazitätselektrode 91 und eine vierte Kapazitätselektrode 92.
Die zweite dielektrische Schicht 52 wird auf dem Substrat 1 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 43 und die dritte Kapazitätselektrode 91 werden auf einer Seite der zweiten dielektrischen Schicht 52 des Substrats 1 ausgebildet. Die dritte Kapazitätselektrode 91 und die Halbleiterschicht 43 können in verschiedenen Prozessen oder in demselben Prozess ausgebildet werden. Wenn die dritte Kapazitätselektrode 91 und die Halbleiterschicht 43 in demselben Prozess ausgebildet werden, ist das verwendete Material zur Ausbildung der dritten Kapazitätselektrode 91 und der Halbleiterschicht 43 dasselbe, wobei auch die dritte Kapazitätselektrode 91 aus Halbleitermaterial gefertigt ist.
Die dritte dielektrische Schicht 53 ist auf der zweiten dielektrischen Schicht 52 ausgebildet. Die dritte dielektrische Schicht 53 bedeckt die Halbleiterschicht 43 und die dritte Kapazitätselektrode 91, um die dritte Kapazitätselektrode 91 und die Halbleiterschicht 43 zwischen der zweiten dielektrischen Schicht 52 und der dritten dielektrischen Schicht 53 zu positionieren.
Die Gate-Elektrode 44 und die vierte Kapazitätselektrode 92 sind auf der dritten dielektrischen Schicht 53 ausgebildet. Die Gate-Elektrode 44 und die vierte Kapazitätselektrode 92 werden in demselben Prozess und in verschiedenen Prozessen ausgebildet. Die vierte dielektrische Schicht ist auf der dritten dielektrischen Schicht 53 ausgebildet. Die vierte dielektrische Schicht 54 bedeckt die Gate-Elektrode 44 und die vierte Kapazitätselektrode 92, um die Gate-Elektrode 44 und die vierte Kapazitätselektrode 92 zwischen der dritten dielektrischen Schicht 53 und der vierten dielektrischen Schicht 54 zu positionieren.
Die Source-Elektrode 41, die Drain-Elektrode 42, die erste Kapazitätselektrode 31 und die Treiberelektrode 2 werden auf der vierten dielektrischen Schicht 54 in demselben Prozess und in verschiedenen Prozessen ausgebildet. Die Treiberelektrode 2 ist an einer Stelle nahe einer Seite des Array-Substrats 100 ausgebildet. Die erste dielektrische Schicht 51 ist auf der vierten dielektrischen Schicht 54 ausgebildet. Die erste dielektrische Schicht 51 deckt die Source-Elektrode 41, die Drain-Elektrode 42, die erste Kapazitätselektrode 31 und die Treiberelektrode 2 ab. Die erste dielektrische Schicht 51 weist einen ersten Abschnitt 511, welche die erste Kapazitätselektrode 31 abdeckt, und einen zweiten Abschnitt 512 auf, welcher die Treiberelektrode 2 abdeckt. Der zweite Abschnitt 512 ist dicker als der erste Abschnitt 511. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Dicke des ersten Abschnitts 511 zwischen 200 und 1000 Å. Die Dicke des zweiten Abschnitts 512 ist zwischen 1000 und 8000 Å.
Die zweite Kapazitätselektrode 32 ist auf dem ersten Abschnitt 511 der ersten dielektrischen Schicht 51 ausgebildet. Der erste Kondensators 3 ist mit der ersten dielektrischen Schicht 51 zwischen der ersten Kapazitätselektrode 31 und der zweiten Kapazitätselektrode 32 ausgebildet. Da die Dicke der ersten dielektrischen Schicht 51 zwischen der ersten Kapazitätselektrode 31 und der zweiten Kapazitätselektrode 32 kleiner ist, kann der erste Kondensator 3 eine höhere Ladungsspeicherkapazität haben, um die Nutzungsbedürfnisse zu erfüllen.
Wie in den 2 und 3 gezeigt deckt der erste Abschnitt 511 der ersten dielektrischen Schicht 51 die Treiberelektrode 2 ab. Der Glasschmelzkleber 22 ist auf dem ersten Abschnitt 511 ausgebildet, um das Array-Substrat 100 und das Farbfilmsubstrat 21 zu versiegeln.
Der Versiegelungsprozess von Glasschmelzkleber 22 ist wie folgt: Als erstes wird Glasschmelzkleber auf dem Klebedichtungsbereich (in den Figuren nicht dargestellt) aufgetragen, welcher der Umgebungsbereich des Array-Substrats 100 ist; wobei der Klebedichtungsbereich und der zweite Abschnitt 512 teilweise überlappen; dann wird der Glasschmelzkleber unter Anwendung eines Laserstrahls erhitzt. In der momentanen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ist die erste dielektrische Schicht 51 ein Übergang zwischen der Treiberelektrode 2 und dem Glasschmelzkleber 22, weil die erste dielektrische Schicht 51 dicker ist und zwischen der Treiberelektrode 2 und dem Glasschmelzkleber 22 ausgebildet ist; im Ergebnis weist Glasschmelzkleber 22 bessere Installations- und Dichtungsleistungen auf.
Ferner ist eine Pixelelektrode 6 auf der ersten dielektrischen Schicht 51 ausgebildet. Die Pixelelektrode 6 ist mit der Source-Elektrode 41 verbunden. Die Pixelelektrode 6 und die zweite Kapazitätselektrode 32 sind in demselben Prozess und in verschiedenen Prozessen ausgebildet. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Pixelelektrode 6 und die zweite Kapazitätselektrode 32 im demselben Prozess ausgebildet. Sowohl die Pixelelektrode 6 als auch die zweite Kapazitätselektrode 32 sind aus einem transparenten leitfähigen Material oder Silber gefertigt. Wenn die Pixelelektrode 6 und die zweite Kapazitätselektrode 32 in verschiedenen Prozessen ausgebildet werden, kann die zweite Kapazitätselektrode 32 auch aus anderen leitfähigen Materialien gefertigt werden.
Die organische Materialschicht 7 ist auf der ersten dielektrischen Schicht 51 ausgebildet. Die organische Materialschicht 7 bedeckt die zweite Elektrodenplatte und legt die Pixelelektrode 6 frei. Abstandshalter 8 werden zueinander beabstandet auf der organischen Materialschicht 7 aufgebracht und extrudiert, um das Farbfilmsubstrat 21 zu stützen, welches auf dem Array-Substrat 100 angeordnet ist.
Der Bereich der aufgebrachten organischen Materialschicht 7 ist kleiner als die erste dielektrische Schicht 51. Die organische Materialschicht 7 ist nicht auf der Rahmenklebefläche des Array-Substrats 100 angeordnet; daher wird der Glasschmelzkleber 22 auf die erste dielektrische Schicht 51 aufgebracht, welche auf der oberen Schicht der Rahmenklebefläche angeordnet ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung sind die erste dielektrische Schicht 51, die zweite dielektrische Schicht 52, die dritte dielektrische Schicht 53 und die vierte dielektrische Schicht 54 aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid hergestellt. In der Praxis sind die Materialien der dielektrischen Schichten nicht auf vorstehend genannten Materialien beschränkt. Zusätzlich können benachbart vorgesehene, dielektrische Schichten aus den gleichen Materialien und unterschiedlichen Materialien hergestellt sein.
Zweck der vorliegenden Erfindung ist es sich vom Stand der Technik abzugrenzen. Gemäß vorliegender Erfindung umfasst die erste dielektrische Schicht 51 des Array-Substrats 100 den ersten Abschnitt 511 zwischen der ersten Kapazitätselektrode 31 und der zweiten Kapazitätselektrode 32 und den zweiten Abschnitt 512 zur Abdeckung der Treiberelektrode 2; wobei der zweite Abschnitt 512 dicker als der erste Abschnitt 511 ist. Unter Verwendung dieser erfindungsgemäßen Konstruktion können nicht nur die Grundladungsspeicherkapazität des ersten Kondensators 3 gleich bleiben, aber auch das Abziehen der Glasschmelzklebers 22, welches durch direkten Kontakt mit der Treiberelektrode 2 während des Rahmenversiegelungsprozesses verursacht wird, vermieden werden. Darüber hinaus ist der zweite Abschnitt 512 entsprechend der Treiberelektrode 2 vergleichsweise dick; im Ergebnis ist der Rahmenabdichtungsprozess besonders effektiv.
Wie in 2 gezeigt, stellt die vorliegende Erfindung eine Anzeigevorrichtung bereit, welche umfasst: Ein Array-Substrat 100, ein Farbfilmsubstrat 21, ein FPC 20 und einen Formrahmen, welcher den Glasschmelzkleber 22 gemäß den vorgenannten Ausführungsformen umgibt. Der Formrahmen ist zwischen dem Array-Substrat 100 und dem Farbfilmsubstrat 21 vorgesehen. FPC 20 ist mit der Treiberelektrode 2 verbunden.
Wie in 2 gezeigt, stellt die vorliegende Erfindung ein Herstellungsverfahren für ein Array-Substrat bereit, umfassend:
S10: Bereitstellen des Substrats 1.
Das Substrat 1 kann eine transparente Platte sein, welche aus Glas oder anderen transparenten Materialien hergestellt ist.
S20: Ausbilden der Source-Elektrode 41, der Drain-Elektrode 42, der Treiberelektrode 2 und der ersten Kapazitätselektrode 31 auf dem Substrat 1.
S30: Ausbilden der ersten dielektrischen Schicht 51. Die erste dielektrische Schicht 51 deckt die Source-Elektode 41, die Drain-Elektrode 42, die Treiberelektrode 2 und die erste Kapazitätselektrode 31 ab. Die erste dielektrische Schicht 51 weist einen ersten Abschnitt 511, welcher eine erste Kapazitätselektrode 31 abdeckt, und einen zweiten Abschnitt 512 auf, welcher die Treiberelektrode 2 abdeckt. Der zweite Abschnitt 512 ist dicker als der erste Abschnitt 511. Aufbringen von Glasschmelzkleber 22 auf dem zweiten Abschnitt 512.
S40: Ausbilden einer zweiten Kapazitätselektrode 32 auf dem ersten Abschnitt 511 der ersten dielektrischen Schicht 51. Ausbilden des ersten Kondensators 3 mit der zweiten Kapazitätselektrode 32, der ersten Kapazitätselektrode 31 und dazwischen der ersten dielektrischen Schicht 51.
Um genau zu sein, umfasst S20: Ausbilden einer zweiten dielektrischen Schicht 52 auf dem Substrat 1. Ausbilden der Halbleiterschicht 43 und der dritten Kapazitätselektrode 91 auf der zweiten dielektrischen Schicht 52. Ausbilden der dritten dielektrischen Schicht 53 auf der zweiten dielektrischen Schicht 52, um die Halbleiterschicht 43 und die dritte Kapazitätselektrode 91 abzudecken. Ausbilder der Gate-Elektrode 44 und der vierten Kapazitätselektrode 92 auf der dritten dielektrischen Schicht 53. Die Gate-Elektrode 44 befindet sich gegenüber der Halbleiterschicht 43. Ausbilden des zweiten Kondensators 9 unter Verwendung der vierten Kapazitätselektrode 92, der dritten Kapazitätselektrode 91 und dazwischen der dritten dielektrischen Schicht. Ausbilden der vierten dielektrischen Schicht 54 auf der dritten dielektrischen Schicht 53, um die Gate-Elektrode 44 und die vierte Kapazitätselektrode 92 abzudecken. Ausbilden der Source-Elektrode 41, der Drain-Elektrode 42, der ersten Kapazitätselektrode 31 und der Treiberelektrode 2 an der vierten dielektrischen Schicht 92. Anschließen der Source-Elektrode 41 und der Drain-Elektrode 42 an die Halbleiterschicht 43.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Dicke des ersten Abschnitts 511 beim Schritt S30 zwischen 200 und 1000 Å. Die Dicke des zweiten Abschnittes 512 ist zwischen 1000 und 8000 Å.
Ferner wird im Schritt S30 die Pixelelektrode 6 auf der ersten dielektrischen Schicht 51 ausgebildet. Die Pixelelektrode 6 wird mit der Source-Elektrode 41 verbunden. Die Pixelelektrode 6 kann vor und nach dem Schritt S40 ausgebildet werden. Wenn die Pixelelektrode 6 und die zweite Kapazitätselektrode 32 sind in demselben Prozess ausgebildet werden, sind sowohl die Pixelelektrode 6 als auch die zweite Kapazitätselektrode 32 aus dem gleichen Material gefertigt, welches transparente, leitfähiges Material oder Silber ist.
Nach der Ausbildung der Pixelelektrode 6 wird die organische Materialschicht 7 auf der ersten dielektrischen Schicht 51 ausgebildet, um die zweite Kapazitätselektrode 32 abzudecken. Die Pixelelektrode 6 ist von der organischen Materialschicht 7 nicht bedeckt. Schließlich sind mehrere extrudierte Abstandshalter 8 auf der organischen Materialschicht 7 ausgebildet, um das Farbfilmsubstrat 21 zu stützen, welches auf dem Array-Substrat 100 der Anzeigevorrichtung angebracht ist.
Oben wurden die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Es ist aber nicht beabsichtigt, dadurch den Schutzumfang der beigefügten Ansprüche ungebührlich einzuschränken. Jede Modifikation äquivalenter Struktur oder äquivalenten Verfahrens gemäß vorliegender Offenbarung und Zeichnungen der vorliegenden Erfindung oder einer beliebigen Anwendung hiervon direkt oder indirekt in anderen verwandten Bereichen der Technik soll als vom Schutzbereich der beanspruchten Erfindung erfasst gelten.

Claims

Verfahren zur Herstellung eines Array-Substrats, umfassend: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden einer Source-Elektrode, einer Drain-Elektrode, einer Treiberelektrode und einer ersten Kapazitätselektrode auf dem Substrat; Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht, um die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode abzudecken, wobei die erste dielektrische Schicht einen ersten Abschnitt zum Abdecken der ersten Kapazitätselektrode und einen zweiten Abschnitt zum Abdecken der Treiberelektrode umfasst; wobei der zweite Abschnitt dicker als der erste Abschnitt ist; Anordnen von Glasschmelzkleber am zweiten Abschnitt; Ausbilden einer zweiten Kapazitätselektrode auf dem ersten Abschnitt der ersten dielektrischen Schicht; und Ausbilden eines ersten Kondensators mittels der zweiten Kapazitätselektrode, der ersten Kapazitätselektrode und dazwischen der ersten dielektrischen Schicht.
Verfahren zur Herstellung eines Array-Substrats nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des ersten Abschnitts 200 bis 1000 Å ist; und die Dicke des zweiten Abschnitts 1000 bis 8000 Å ist.
Verfahren zur Herstellung eines Array-Substrats nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte nach dem Ausbilden der ersten dielektrischen Schicht umfassen: Ausbilden einer Pixelelektrode auf der ersten dielektrischen Schicht, um die Source-Elektrode anzuschließen; Ausbilden einer organische Materialschicht auf der ersten dielektrischen Schicht, um die zweite Elektrodenplatte abzudecken; Freilegen der Pixelelektrode auf der organischen Materialschicht; und Ausbilden mehrerer extrudierter Abstandshalter auf der organischen Materialschicht.
Verfahren zur Herstellung eines Array-Substrats nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Ausbilden der Source-Elektrode, der Drain-Elektrode, der Treiberelektrode und der ersten Kapazitätselektrode auf dem Substrat umfasst: Ausbilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf dem Substrat; Ausbilden einer Halbleiterschicht und einer dritten Kapazitätselektrode auf der zweiten dielektrischen Schicht; Ausbilden einer dritten dielektrischen Schicht auf der zweiten dielektrischen Schicht, um die Halbleiterschicht und die dritte Kapazitätselektrode abzudecken; Ausbilden einer Gate-Elektrode und einer vierten Kapazitätselektrode auf der dritten dielektrischen Schicht; wobei die Gate-Elektrode gegenüber liegend zur Halbleiterschicht ausgebildet ist; Ausbilden eines zweiten Kondensators mittels der vierten Kapazitätselektrode, der dritten Kapazitätselektrode und dazwischen der dritten dielektrischen Schicht; Ausbilden einer vierten dielektrischen Schicht auf der dritten dielektrischen Schicht, um die Gate-Elektrode und die vierte Kapazitätselektrode abzudecken; Ausbilder der Source-Elektrode, der Drain-Elektrode, der Treiberelektrode und der ersten Kapazitätselektrode auf der vierten dielektrischen Schicht; und Anschließen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode an die Halbleiterschicht.
Array-Substrat, umfassend: ein Substrat, eine Treiberelektrode, einen ersten Kondensator, eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und eine erste Kapazitätselektrode; wobei der erste Kondensator die erste Kapazitätselektrode und eine zweite Kapazitätselektrode umfasst; wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode auf dem Substrat ausgebildet sind; wobei die erste dielektrische Schicht die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode abdeckt; wobei die erste dielektrische Schicht einen ersten Abschnitt, welcher die erste Kapazitätselektrode abdeckt, und einen zweiten Abschnitt umfasst, welcher die Treiberelektrode abdeckt; wobei der zweite Abschnitt dicker als der erste Abschnitt ist; wobei Glasschmelzkleber auf dem zweiten Abschnitt angeordnet ist; und wobei die zweite Kapazitätselektrode auf dem ersten Abschnitt ausgebildet ist.
Array-Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass: die Dicke des ersten Abschnitts 200 bis 1000 Å ist; und die Dicke des zweiten Abschnitts 1000 bis 8000 Å ist.
Array-Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Array-Substrat umfasst: eine Pixelelektrode, eine organische Materialschicht und einen Abstandshalter; wobei die Pixelelektrode auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, um die Source-Elektrode anzuschließen; wobei die organische Materialschicht auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, um die zweite Elektrodenplatte abzudecken; wobei die Pixelelektrode auf der organischen Materialschicht freigelegt ist; und wobei Abstandshalter extrudiert und auf der organischen Materialschicht ausgebildet sind.
Array-Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kapazitätselektrode aus einem Metallmaterial oder einem transparenten leitenden Material gefertigt ist.
Array-Substrat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Array-Substrat umfasst: eine zweite dielektrische Schicht, eine Halbleiterschicht, eine dritte dielektrische Schicht, eine Gate-Elektrode, eine vierte dielektrische Schicht und einen zweiten Kondensator; wobei der zweite Kondensator eine dritte Kapazitätselektrode und eine vierte Kapazitätselektrode umfasst; wobei die zweite dielektrische Schicht auf der Trägerplatte ausgebildet ist; wobei die Halbleiterschicht und die dritte Kapazitätselektrode zwischen der zweiten dielektrischen Schicht und der dritten dielektrischen Schicht angeordnet ist; wobei die Gate-Elektrode und die vierte Kapazitätselektrode zwischen der dritten dielektrischen Schicht und der vierten dielektrischen Schicht angeordnet sind; und wobei die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode mit der Halbleiterschicht verbunden sind.
Anzeigevorrichtung, umfassend: ein Array-Substrat, ein Farbfilmsubstrat und ein Formrahmen, welcher von Glasschmelzkleber umgeben ist; wobei der Formrahmen zwischen dem Array-Substrat und dem Farbfilmsubstrat angeordnet ist; wobei das Array-Substrat ein Substrat, eine Treiberelektrode, einen ersten Kondensator, eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und eine erste dielektrische Schicht umfasst; wobei der erste Kondensator eine erste Kapazitätselektrode und eine zweite Kapazitätselektrode umfasst; wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode auf dem Substrat ausgebildet sind; wobei die erste dielektrische Schicht die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Treiberelektrode und die erste Kapazitätselektrode abdeckt; wobei die erste dielektrische Schicht einen ersten Abschnitt, welcher die erste Kapazitätselektrode abdeckt, und einen zweiten Abschnitt umfasst, welcher die Treiberelektrode abdeckt; wobei der zweiten Abschnitt dicker ist als der erste Abschnitt; wobei Glasschmelzkleber an dem zweiten Abschnitt angeordnet ist; und wobei eine zweite Kapazitätselektrode auf dem ersten Abschnitt ausgebildet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des ersten Abschnitts 200 bis 1000 Å ist; und die Dicke des zweiten Abschnitts 1000 bis 8000 Å ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Array-Substrat umfasst: eine Pixelelektrode, eine organische Materialschicht und Abstandshalter; wobei die Pixelelektrode auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, um an die Source-Elektrode anzuschließen; wobei die organische Materialschicht auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, um die zweite Elektrodenplatte abzudecken; wobei die Pixelelektrode auf der organischen Materialschicht freigelegt ist; und wobei die Abstandshalter extrudiert und auf der organischen Materialschicht ausgebildet sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kapazitätselektrode aus einem Metallmaterial oder einem transparenten leitenden Material gefertigt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Array-Substrat umfasst: eine zweite dielektrische Schicht, eine Halbleiterschicht, eine dritte dielektrische Schicht, eine Gate-Elektrode, eine vierte dielektrische Schicht und einen zweiten Kondensator; wobei der zweite Kondensator die dritte Kapazitätselektrode und die vierte Kapazitätselektrode umfasst; wobei die zweite dielektrische Schicht auf der Trägerplatte ausgebildet ist; wobei die Halbleiterschicht und die dritte Kapazitätselektrode zwischen der zweiten dielektrischen Schicht und der dritten dielektrischen Schicht vorgesehen sind; wobei die Gate-Elektrode und die vierte Kapazitätselektrode zwischen der dritten dielektrischen Schicht und der vierten dielektrischen Schicht vorgesehen sind; und wobei die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode an die Halbleiterschicht angeschlossen sind.